JP6269362B2 - Iii族窒化物半導体発光素子とその製造方法 - Google Patents
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Description
d < λ/(4・n)
d:絶縁性多層膜の全膜厚
λ:光の波長
n:絶縁性多層膜の1層における屈折率
を満たす膜厚を有する。
1.半導体発光素子
本実施形態における発光素子100の概略構成を図1に示す。発光素子100は、フェイスアップ型の半導体発光素子である。発光素子100は、III 族窒化物半導体から成る複数の半導体層を有する。図1に示すように、発光素子100は、基板110と、バッファ層120と、n型コンタクト層130と、n側ESD層140と、n側超格子層150と、発光層160と、p側超格子層170と、p型コンタクト層180と、絶縁性多層膜CB1と、透明電極TE1と、p電極P1と、n電極N1と、を有している。
2−1.絶縁性多層膜の周辺の構造
図1に示すように、絶縁性多層膜CB1は、p型コンタクト層180の一部の上を覆っている。透明電極TE1は、p型コンタクト層180の残部の上と、絶縁性多層膜CB1の上と、を覆っている。絶縁性多層膜CB1は、p型コンタクト層180と透明電極TE1との間に位置している。
絶縁性多層膜CB1は、前述のとおり、分布ブラッグ反射膜(DBR:Distributed Bragg Reflector)である。そのため、図2に示すように、絶縁性多層膜CB1は、屈折率の互いに異なる2つの層を繰り返し積層したものである。図2に示すように、絶縁性多層膜CB1は、第1の絶縁層CB1aと、第2の絶縁層CB1bと、を交互に繰り返し形成されたものである。
図3は、絶縁性多層膜CB1の周辺の断面構造を示す図である。絶縁性多層膜CB1は、p型コンタクト層180と、透明電極TE1との間に位置している。絶縁性多層膜CB1は、第1面U1でp型コンタクト層180に接触しているとともに、第2面U2で透明電極TE1に接触している。ここで、第1面U1は、平坦な平坦面である。第2面U2は、曲面を備える面である。図3に示すように、絶縁性多層膜CB1は、p電極P1をp型コンタクト層180、すなわち、第1面U1に射影した射影領域PR1を含む領域に形成されている。
第1面U1に垂直であって第1の領域R1および第2の領域R2を含む断面について説明する。箇所Q1は、第2面U2の上であって内側の領域R2aと外側の領域R2bとの境界に位置する。つまり、箇所Q1は、第2面U2の上であって第2の領域R2の幅を2等分する第1の箇所である。箇所Q1における絶縁性多層膜CB1の膜厚は、絶縁性多層膜CB1の最大膜厚の50%未満である。例えば、最大膜厚の5%以上40%以下の範囲内である。好ましくは、最大膜厚の10%以上30%以下の範囲内である。
箇所K2は、絶縁性多層膜CB1の膜厚が最大膜厚の半分の厚みとなる箇所である。箇所K2は、内側の領域R2aに位置している。すなわち、箇所K2は、第2の領域R2の幅を2等分する箇所Q1よりも第1の領域R1に近い位置に位置する第2の箇所である。すなわち、箇所K2は、箇所Q1よりも中央側、すなわち第1の領域R1の側に位置している。これは、絶縁性多層膜CB1が、凹部X1を有しているからである。
図4は、図3から絶縁性多層膜CB1のみを抜き出した部分拡大図である。図4には、端部M1と箇所Q1とを結ぶ線J1と、端部M2と箇所Q1とを結ぶ線J2と、が描かれている。ここで、第1の角の角度θ1は、第2の角の角度θ2よりも5°以上大きい。図4に示すように、第1の角の角度θ1は、線J1と絶縁性多層膜CB1の第1面U1に平行な面U3とがなす角の角度である。この第1の角の角度θ1は、線J1と絶縁性多層膜CB1の第1面U1とがなす角の角度と等しい。第2の角の角度θ2は、線J2と絶縁性多層膜CB1の第1面U1とがなす角の角度である。
3−1.反射領域および透過領域
図5に示すように、本実施形態の発光素子100は、反射領域RR1と、透過領域RT1と、を有する。反射領域RR1は、第1の領域R1と第2の領域の一部とを有する。透過領域RT1は、第2の領域の残部を有する。
n・d = λ/4
n:屈折率
d:膜厚
λ:光の波長
そのため、光は反射することができず、透過する。すなわち、透過領域RT1では、発光層160から発せられた光LG1、LG2は、そのまま外部に透過する。つまり、光が外部に取り出される。
d < λ/(4・n)
d:絶縁性多層膜の全膜厚
λ:光の波長
n:絶縁性多層膜の1層における屈折率
を満たす。
また、絶縁性多層膜CB1は、電流阻止層として機能する。そのため、絶縁性多層膜CB1を大きく設計することができる。この絶縁性多層膜CB1は、電流阻止層として電流を十分に拡散させるとともに、外周部付近では光を外部に効率よく放出させる。さらには、p電極P1での光の吸収を抑制する。したがって、この発光素子100の発光効率は優れている。
また、傾斜面L1において、角度の変化率がそれほど急ではない。そのため、第2面U2の上で透明電極TE1が切れるおそれがほとんどない。
本実施形態の絶縁性多層膜CB1は、図3および図4等に示すような独特の形状を有する。絶縁性多層膜CB1については、次に示すように形成する。
まず、図6に示すように、p型コンタクト層180の上にレジストRS1を塗布する。このレジストRS1は、露光により所定の溶媒に溶解する溶解性の性質を呈するとともに、熱処理により不溶性かつ不変性の性質を呈するものである。レジストRS1として、例えば、AZ5214(クラリアントジャパン株式会社製)が挙げられる。
次に、図7に示すように、マスクMS1を用いて、レジストRS1を露光する。このマスクMS1の形状は、絶縁性多層膜CB1を形成しようとする領域とほぼ等しい。そのため、1次露光工程では、絶縁性多層膜CB1の形成領域を除く領域を主に露光する。この1次露光により、レジストRS1における光の照射を受けた箇所RS1aは、所定の溶媒に対して溶解性の性質を呈する。レジストRS1における光の照射を受けていない箇所RS1bは、所定の溶媒に対して不溶性のままである。ここで、マスクMS1の外側では、レジストRS1の膜厚の全部が光を照射される。マスクMS1の内側では、レジストRS1の膜厚の全部が光を照射されない。そして、マスクMS1の境界周辺では、レジストRS1の膜厚の一部が光を照射されて、膜厚の残部が光を照射されない。
次に、図8に示すように、レジストRS1を所定の温度に加熱する。このベーキングする温度は、レジストRS1の種類による。箇所RS1aは、1次露光を受けて箇所RS1cとなる。箇所RS1cは、所定の溶媒に対して不溶性かつ不変性の性質を呈する。一方、1次露光を受けていない箇所RS1bは、所定の溶媒に対して不溶性のままである。
次に、図9に示すように、レジストRS1を全体的に露光する2次露光を行う。この2次露光は、マスクを用いないで行う。箇所RS1dは、1次露光を受けずに2次露光を受けた領域である。この2次露光により、箇所RS1dは、所定の溶媒に対して溶解性を呈する。箇所RS1cは、1次露光を受けるとともに2次露光も受けた領域である。箇所RS1cは、ベーキング工程で既に不溶性かつ不変性の性質を付与されている。そのため、箇所RS1cは、依然として所定の溶媒に対して不溶性かつ不変性の性質を呈する。
次に、所定の溶媒を用いてレジストRS1の溶解性の箇所RS1dを溶解させる。つまり、1次露光により露光しなかった箇所を除去する。これにより、図10に示すように、絶縁性多層膜CB1を形成するための穴部Y1ができる。この穴部Y1は、絶縁性多層膜CB1の形状にほぼ等しい。この穴部Y1は、末広がりの形状をしている。つまり、穴部Y1の開口部から奥にいくほど、穴の幅が広くなっている。
次に、図11に示すように、レジストRS1の空洞部分である穴部Y1の内側に絶縁性多層膜CB1を形成する。そのために、電子ビーム蒸着を用いればよい。または、電子ビーム蒸着とイオンガン技術とを併用してもよい。または、スパッタリングを用いてもよい。この成膜段階で、穴部Y1の隙間をほぼ埋めるように絶縁性多層膜CB1が形成される。ただし、多少の隙間が出来ていてもよい。その場合であっても、前述したような形状の絶縁性多層膜CB1を形成することができる。
次に、レジストRS1を除去する。そのために、レジストRS1を除去するための薬液を用いて箇所RS1cを除去する。以上により、p型コンタクト層180の上に絶縁性多層膜CB1を形成することができる。
ここで、本実施形態における発光素子100の製造方法について説明する。本実施形態では、有機金属化学気相成長法(MOCVD法)により、各半導体層の結晶をエピタキシャル成長させる。そのため、この製造方法は、第1導電型の第1半導体層を形成する第1半導体層形成工程と、第1半導体層の上に発光層を形成する発光層形成工程と、発光層の上に第2導電型の第2半導体層を形成する第2半導体層形成工程と、第2半導体層の一部の上に絶縁性多層膜を形成する絶縁性多層膜形成工程と、第2半導体層の残部と絶縁性多層膜の上に透明電極を形成する透明電極形成工程と、第1半導体層の上に第1電極を形成する第1電極形成工程と、透明電極の上に第2電極を形成する第2電極形成工程と、を有する。
まず、水素ガスを用いて基板110をクリーニングする。次に、基板110の主面上にバッファ層120を形成する。その後に、バッファ層120の上にn型コンタクト層130を形成する。このときの基板温度は、1080℃以上1140℃以下の範囲内である。
次に、n型コンタクト層130の上にn側ESD層140を形成する。i−GaN層を形成するため、シラン(SiH4 )の供給を停止する。このときの基板温度は、例えば、750℃以上950℃以下の範囲内である。n型GaNを形成するため、再びシラン(SiH4 )を供給する。このときの基板温度は、i−GaN層を形成する温度と同じ温度、すなわち750℃以上950℃以下の範囲内である。
次に、n側ESD層140の上にn側超格子層150を形成する。例えば、InGaN層と、n型GaN層と、を繰り返し積層する。その際の基板温度は、例えば、700℃以上950℃以下の範囲内である。
次に、n側超格子層150の上に発光層160を形成する。例えば、InGaN層と、GaN層と、AlGaN層と、を繰り返し積層する。このときの基板温度は、例えば、700℃以上900℃以下の範囲内である。
次に、発光層160の上にp側超格子層170を形成する。例えば、p型GaN層と、p型AlGaN層と、p型InGaN層と、を繰り返し積層する。ドーパントガスとして、シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5 H5 )2 )を用いればよい。
次に、p側超格子層170の上にp型コンタクト層180を形成する。基板温度を、900℃以上1100℃以下の範囲内とする。これにより、図12に示すように、基板110に各半導体層が積層されることなる。
次に、図13に示すように、p型コンタクト層180の一部の上に絶縁性多層膜CB1を形成する。そのために、前述したように、レジスト塗布工程と、1次露光工程と、ベーキング工程と、2次露光工程と、穴部形成工程と、成膜工程と、レジスト除去工程と、を実施する。
次に、図14に示すように、p型コンタクト層180の残部の上と絶縁性多層膜CB1の上とに、透明電極TE1を形成する。透明電極TE1を形成するために、スパッタリングもしくは蒸着技術を用いればよい。これにより、絶縁性多層膜CB1は、p型コンタクト層180および透明電極TE1に覆われることとなる。また、p型コンタクト層180のうち、n型コンタクト層130を露出させるための凹部を形成する領域には、透明電極TE1を形成する必要はない。
次に、透明電極TE1の上にp電極P1を形成する。そして、図15に示すように、レーザーもしくはエッチングにより、p型コンタクト層180の側から半導体層の一部を抉ってn型コンタクト層130を露出させる。そして、その露出箇所に、n電極N1を形成する。p電極P1の形成工程とn電極N1の形成工程は、いずれを先に行ってもよい。
また、上記の工程の他、保護膜で素子を覆う工程や熱処理工程等、その他の工程を実施してもよい。なお、n型コンタクト層130を露出させる工程は、例えば、p型コンタクト層180を形成した後であれば、いつ行ってもよい。以上により、図1の発光素子100が製造される。
6−1.サンプルの作製
ここで、本実施形態の絶縁性多層膜CB1について行った実験について説明する。サンプルとして、絶縁性多層膜CB1を次のように形成した。本実験では、75nmのSiO2 と、49nmのTiO2 と、を交互に8回繰り返して絶縁性多層膜CB1を形成した。そして、この絶縁性多層膜CB1を備える実施例1−4のサンプルを作製した。
実験結果を表1に示す。表1における位置関係とは、図16に示すように、端部M1よりp電極P1の端部P1aが内側にある場合に「+」と定義し、図17に示すように、端部M1よりp電極P1の端部P1aが外側にある場合に「−」と定義した。実施例1では、図16の幅d1は、+2μmである。実施例2では、図16の幅d1は、+4μmである。実施例3では、図16の幅d1は、+6μmである。実施例4では、図17の幅d2は、−2μmである。
絶縁層 位置関係 全放射束の上昇率
実施例1 絶縁性多層膜 +2μm 1.15%
実施例2 絶縁性多層膜 +4μm 0.92%
実施例3 絶縁性多層膜 +6μm 0.83%
実施例4 絶縁性多層膜 −2μm 0.85%
比較例1 SiO2 単層膜 +3μm 0.68%
7−1.発光素子の種類
本実施形態の発光素子100は、1つのコンタクト電極(透明電極TE1)を有するフェイスアップ型の発光素子である。しかし、複数のコンタクト電極を有する発光素子であってもよい。また、フリップチップであってもよい。
本実施形態では、第1導電型をn型とするとともに第2導電型をp型とした。しかし、逆にしてもよい。つまり、第1導電型をp型とするとともに第2導電型をn型としてもよい。
本実施形態の発光素子100の傾斜面L1は、1つの凹部X1を有している。しかし、断面形状を観察する際に、傾斜面L1に2つ以上の凹部が表れていてもよい。
以上詳細に説明したように、本実施形態の発光素子100は、第1の領域R1と、第1の領域R1より外側の第2の領域R2と、を有している。第1の領域R1は、絶縁性多層膜CB1の最大膜厚の95%より大きい領域であるとともに中央付近に位置する。第2の領域R2は、絶縁性多層膜CB1の最大膜厚の95%以下であるとともに第1の領域R1の外側の外周領域に位置する。そして、断面形状において、第2の領域R2には、凹部X1がある。このような形状であるため、絶縁性多層膜CB1は、光を反射する反射領域RR1と、光を透過する透過領域RT1と、を有している。これにより、p電極P1に向かう光については反射させるとともに、p電極P1に向かわない光については好適に外部に取り出すことができる発光素子100が実現されている。
110…基板
120…バッファ層
130…n型コンタクト層
140…n側ESD層
150…n側超格子層
160…発光層
170…p側超格子層
180…p型コンタクト層
CB1…絶縁性多層膜
TE1…透明電極
P1…p電極
N1…n電極
X1…凹部
Y1…穴部
U1…第1面
U2…第2面
K1、K2、Q1、Q2…箇所
M1、M2…端部
Claims (10)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の上の発光層と、
前記発光層の上の第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の上の透明電極と、
前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第2半導体層と前記透明電極との間に、第1面で前記第2半導体層に接触するとともに第2面で前記透明電極に接触する絶縁性多層膜を有し、
前記絶縁性多層膜は、
前記第2電極を前記第2半導体層に射影した射影領域を含む領域に形成された分布ブラッグ反射膜と、
前記絶縁性多層膜の最大膜厚の95%より膜厚の厚い第1の領域と、
前記絶縁性多層膜の最大膜厚の95%以下の膜厚である第2の領域と、
光を反射する反射領域と、
光を透過する透過領域と、
を有し、
前記第2の領域における前記絶縁性多層膜の前記第2面は、
前記絶縁性多層膜の前記第1面に向かって凹む凹部を備える傾斜面を有すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記反射領域は、
前記第1の領域と前記第2の領域の一部を有し、
前記透過領域は、
前記第2の領域の残部を有すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第1面に垂直であって前記第1の領域および前記第2の領域を含む断面では、
前記第2面の上の箇所であって前記第2の領域の幅を2等分する第1の箇所における前記絶縁性多層膜の膜厚は、
前記絶縁性多層膜の最大膜厚の5%以上40%以下の範囲内であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第1面に垂直であって前記第1の領域および前記第2の領域を含む断面では、
前記絶縁性多層膜の最大膜厚の半分の厚みである第2の箇所は、
前記第2面の上の箇所であって前記第2の領域の幅を2等分する第1の箇所よりも前記第1の領域に近い位置に位置していること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第1面に垂直であって前記第1の領域および前記第2の領域を含む断面では、
前記第2面の上の箇所であって前記第2の領域の幅を2等分する第1の箇所と前記第2面の上であって最大膜厚の95%である第1の端部とを結ぶ第1の線と、前記絶縁性多層膜の前記第1面と、がなす第1の角の角度θ1が、
前記第1の箇所と前記絶縁性多層膜の外縁の第2の端部とを結ぶ第2の線と、前記絶縁性多層膜の前記第1面と、がなす第2の角の角度θ2よりも5°以上大きいこと
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項5に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第1の角の角度θ1が、
15°以上45°以下の範囲内であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項5または請求項6に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第2の角の角度θ2が、
3°以上30°以下の範囲内であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第2面の上の箇所であって最大膜厚の95%である第1の端部が、
前記射影領域の端部に対して、3μm以下の範囲内で内側にあるか、もしくは、7μm以下の範囲内で外側にあること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第2の領域の幅を2等分する第1の箇所より外側の領域では、
前記絶縁性多層膜が、次式
d < λ/(4・n)
d:絶縁性多層膜の全膜厚
λ:光の波長
n:絶縁性多層膜の1層における屈折率
を満たす膜厚を有すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 第1導電型の第1半導体層を形成する第1半導体層形成工程と、
前記第1半導体層の上に発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層の上に第2導電型の第2半導体層を形成する第2半導体層形成工程と、
前記第2半導体層の一部の上に絶縁性多層膜を形成する絶縁性多層膜形成工程と、
前記第2半導体層の残部と前記絶縁性多層膜の上に透明電極を形成する透明電極形成工程と、
前記第1半導体層の上に第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記透明電極の上に第2電極を形成する第2電極形成工程と、
を有するIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記絶縁性多層膜形成工程は、
レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記絶縁性多層膜の形成領域を除く領域を露光する1次露光工程と、
前記レジストを加熱するベーキング工程と、
前記レジストを全体的に露光する2次露光工程と、
1次露光により露光しなかった箇所を除去して末広がりの穴部を形成する穴部形成工程と、
前記穴部の内側に絶縁性多層膜を形成する成膜工程と、
レジストを除去するレジスト除去工程と、
を有し、
前記成膜工程では、
光を反射する反射領域と、光を透過する透過領域と、を備える前記絶縁性多層膜を形成すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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