KR101704455B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

반도체 발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101704455B1
KR101704455B1 KR1020150049718A KR20150049718A KR101704455B1 KR 101704455 B1 KR101704455 B1 KR 101704455B1 KR 1020150049718 A KR1020150049718 A KR 1020150049718A KR 20150049718 A KR20150049718 A KR 20150049718A KR 101704455 B1 KR101704455 B1 KR 101704455B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
semiconductor layer
semiconductor
layer
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020150049718A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160120845A (ko
Inventor
이성기
박준천
설대수
Original Assignee
주식회사 세미콘라이트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 세미콘라이트 filed Critical 주식회사 세미콘라이트
Priority to KR1020150049718A priority Critical patent/KR101704455B1/ko
Priority to PCT/KR2016/003475 priority patent/WO2016159744A1/ko
Priority to US15/563,273 priority patent/US10158047B2/en
Publication of KR20160120845A publication Critical patent/KR20160120845A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101704455B1 publication Critical patent/KR101704455B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 하나와 전기적으로 연통하며, 복수의 반도체층을 노출하는 개구가 형성되어, 폐루프를 이루는 외측 전극; 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나와 전기적으로 연통하며, 개구의 내측에 형성된 내측 전극; 외측 전극 및 내측 전극을 덮는 절연층; 절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 하나를 통해 제1 반도체층에 전자를 공급하는 제1 전극; 그리고 절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 나머지 하나를 통해 제2 반도체층에 정공을 공급하는 제2 전극;를 포함하며, 외측 전극 및 내측 전극 중 적어도 하나는 활성층으로부터의 빛을 반사하는 반사 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 전류쏠림에 의한 손상이 감소된 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(10; 예; 사파이어 기판), 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(30), n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(50), p형 3족 질화물 반도체층(50) 위에 형성되는 전류확산 전도막(60), 전류확산 전도막(60) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(70), p형 3족 질화물 반도체층(50)과 활성층(40)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(80), 그리고 보호막(90)을 포함한다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.
이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 일 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가진다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 하나와 전기적으로 연통하며, 복수의 반도체층을 노출하는 개구가 형성되어, 폐루프를 이루는 외측 전극; 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나와 전기적으로 연통하며, 개구의 내측에 형성된 내측 전극; 외측 전극 및 내측 전극을 덮는 절연층; 절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 하나를 통해 제1 반도체층에 전자를 공급하는 제1 전극; 그리고 절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 나머지 하나를 통해 제2 반도체층에 정공을 공급하는 제2 전극;를 포함하며, 외측 전극 및 내측 전극 중 적어도 하나는 활성층으로부터의 빛을 반사하는 반사 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 4는 도 3에서 A-A 선을 따른 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 비교예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 7은 도 6에서 B-B 선을 따른 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 도 3에서 A-A 선을 따른 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광소자는 복수의 반도체층(30,40,50), 외측 전극(74), 내측 전극(85), 절연층(91), 제1 전극(80), 제2 전극(70), 제1 전기적 연결부(81), 및 제2 전기적 연결부(71)를 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50), 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되어 빛을 생성하는 활성층(40)을 가진다. 외측 전극(74)은 제1 반도체층(30) 및 제2 반도체층(50) 중 하나와 전기적으로 연통하며, 복수의 반도체층(30,40,50)을 노출하는 개구(79)가 형성되어, 폐루프를 이룬다. 내측 전극(85)은 제1 반도체층(30) 및 제2 반도체층(50) 중 나머지 하나와 전기적으로 연통하며, 개구(79)의 내측에 형성된다. 절연층(91)은 외측 전극(74) 및 내측 전극(85)을 덮는다. 제1 전극(80)은 절연층(91) 위에 형성되며, 외측 전극(74) 및 내측 전극(85) 중 하나를 통해 제1 반도체층(30)에 전자를 공급한다. 내측 전극(85)은 절연층(91) 위에 형성되며, 외측 전극(74) 및 내측 전극(85) 중 나머지 하나를 통해 제2 반도체층(50)에 정공을 공급한다. 외측 전극(74) 및 내측 전극(85) 중 적어도 하나는 활성층(40)으로부터의 빛을 반사하는 반사 전극이다. 바람직하게는 반도체 발광소자는 외측 전극(74)의 외측에서 내측 전극(85)과 동일한 극성의 전류를 복수의 반도체층(30,40,50)에 전달하는 전기적 연결부(71)를 포함한다.
본 예에서, 외측 전극(74)은 제2 반도체층(50) 위에서 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연결된 반사 전극이고, 내측 전극(85)은 외측 전극(74)의 개구(79)에 대응하여 제2반도체층, 및 활성층(40)이 식각되어 노출된 제1 반도체층(35; n-contact 영역) 위에 형성되어 있다. 내측 전극(85)은 제1 전극(80) 아래에서 제2 전극(70) 아래로 연장되는 가지 전극 형상을 가진다. 제1 전기적 연결부(81; 내측 제1 전기적 연결부)는 절연층(91)을 관통하여 제1 전극(80)과 내측 전극(85)을 전기적으로 연결한다. 제2 전기적 연결부(71)는 절연층(91)을 관통하여 제2 전극(70)과 외측 전극(74)을 전기적으로 연결한다. 외측 전극(74)의 외측에서 내측 전극(85)에 의하지 않고 제1 반도체층(30)과 제1 전극(80)을 연결하는 추가의 제1 전기적 연결부(81; 외측 제1 전기적 연결부)가 형성되어 있다.
본 예에서, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 절연층(91) 위에서 서로 대향하게 형성되며, 평면도로 볼 때, 반도체 발광소자는 사각 형상을 가져 복수의 코너를 가진다. 외측 제1 전기적 연결부(81)는 제1 전극(80) 인근 2개의 코너에 각각 형성된다. 전술한 바와 같이, 내측 전극(85)은 제1 전극(80) 아래에서 제2 전극(70) 아래로 뻗는 가지(finger) 그리고 가지의 일 측 끝에서 내측 제1 전기적 연결부(81)와 연결되는 접촉부를 포함할 수 있다. 외측 전극(74)은 개구(79), 외측 제1 전기적 연결부(81), 및 복수의 반도체층(30,40,50)의 가장자리로부터의 마진(margin)을 제외한 제2 반도체층(50)을 덮도록 형성되어 활성층(40)으로부터의 빛을 반사한다. 절연층(91)은 단순히 절연체(예: SiO2)로 이루어질 수 있다. 이와 다르게, 절연층(91)은 복수의 층을 가지는 반사막(예: DBR)일 수 있다. 예를 들어, 외측 전극(74)의 개구(79)와 복수의 반도체층(30,40,50)의 가장자리는 외측 전극(74)에 의해 덮이지 않을 수 있는데, 이 경우 절연층(91)이 반사층으로서 누설되는 빛을 반사하도록 형성하는 예도 고려할 수 있다.
도 5는 비교예를 나타내는 도면으로서, 도 5에 제시된 예는 제2 반도체층(50)에 정공을 공급하는 p측 전극(75)과 메사식각으로 노출된 제1 반도체층(30) 위에 형성된 n측 전극(85)이 평면도 상으로 일 측으로 편중되어 있다. 전류가 쏠림이 심하면 반도체 발광소자의 내구성이나 손상이 문제될 수 있는데, 에지나 윤곽(outline)이 급히 꺾이거나 좁은 각도의 에지를 이루는 부분이 특히 문제가 될 수 있다. 이러한 디자인에서는 특정 위치나 부위에 전류쏠림이 발생하기 쉬우며, 이로 인해 손상되지 쉽다. 이에 비하여, 도 3에 제시된 반도체 발광소자에 의하면, 외측 전극(74)이 발광면의 대부분을 덮으며, 폐루프 형태로 위치에 따른 편중 없이 형성될 수 있다. 또한, 내측 전극(85)이 외측 전극(74)의 폐루프 내측에 구비되어 전류 공급의 균일성, 또는 전류 확산의 균일성이 좋다. 특히, 외측 제1 전기적 연결이 추가로 구비되어 외측 전극(74)의 내측과 외측에서 전자 공급이 모두 가능하여 균형적인 구조가 되며, 순간적인 전류쏠림, ESD 등에 의한 손상을 감소하는 효과가 있다.
이하, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다.
기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다.
복수의 반도체층(30,40,50)은 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다.
바람직하게는 전류 확산 전극(60; 예: ITO,Ni/Au)이 제2 반도체층(50) 위에 형성된다. 기판(10) 상에 제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50), 전류 확산 전극(60)을 형성하고, 메사식각하여 전술된 n-contact 영역(35)을 형성할 수 있다. 메사식각은 전류 확산 전극(60) 형성 전 또는 이후에 수행될 수도 있다. 전류 확산 전극(60)은 생략될 수 있다.
내측 전극(85)는 n-contact 영역(35)에 형성되고, 외측 전극(74)은 전류 확산 전극(60) 위에서 n-contact 영역(35)을 포위하도록 폐루프 형상으로 형성될 수 있다. 외측 전극(74) 및 내측 전극(85)은 복수의 금속층으로 이루어질 수 있으며, 제1 반도체층(30) 또는 전류 확산 전극(60)과의 전기적 접촉이 좋은 접촉층과 광반사성이 좋은 반사층 등을 구비할 수 있다.
절연층(91)은 내측 전극(85), 및 외측 전극(74)을 덮도록 형성되며, SiO2와 같은 유전체로 형성된다. 외측 전극(74)에 의해 덮이지 않는 부분으로 빛이 누설되는 것을 방지하기 위해 절연층(91)이 반사막인 경우도 가능하며, 예를 들어 절연층(91)은 분포 브래그 리플렉터(Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수도 있다. 절연층(91)에 개구를 형성하고, 개구에 전기적 연결부를 형성하며, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 전기적 연결부와 함께 형성될 수 있다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 도 6에서 B-B 선을 따른 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 본 예에서, 내측 전극(74)은 제2 반도체층(50) 위에 형성된 반사 전극이고, 외측 전극(85)은 복수의 반도체층(30,40,50)의 가장자리를 따라 식각된 제1 반도체층(30) 위에 형성된다. 메사식각이 복수의 반도체층(30,40,50)의 테두리를 따라 수행되고, 외측 전극(85)이 폐루프 형태로 제1 반도체층(30)에 형성되어 있다. 따라서 발광영역이 되는 복수의 반도체층(30,40,50)은 폐루프 내측에 형성되며, 제2 반도체층(50) 위에 넓은 면적으로 내측 전극(74)이 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연결되도록 형성되어 있다. 전자와 정공의 공급에 있어서 균형적이 구조를 이루어서, 휘도 보다는 전류쏠림에 의한 손상 방지나 ESD 성능 향상을 위해서는 이러한 구조를 고려할 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 외측 전극(74)은 폐루프 형태로 제2 반도체층(50) 위에 형성되고, 내측 전극(85)은 가지 전극 형상을 가지며, 식각된 제1 반도체층(30) 위에 형성된다. 제1 전기적 연결부(81)가 개구(79) 내측에만 구비되어 있다. ESD에 대한 내성을 가지면서, 외측 제1 전기적 연결부(81)를 생략하여 반사 면적을 증가시킬 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 하나와 전기적으로 연통하며, 복수의 반도체층을 노출하는 개구가 형성되어, 폐루프를 이루는 외측 전극; 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나와 전기적으로 연통하며, 개구의 내측에 형성된 내측 전극; 외측 전극 및 내측 전극을 덮는 절연층; 절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 하나를 통해 제1 반도체층에 전자를 공급하는 제1 전극; 그리고 절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 나머지 하나를 통해 제2 반도체층에 정공을 공급하는 제2 전극;를 포함하며, 외측 전극 및 내측 전극 중 적어도 하나는 활성층으로부터의 빛을 반사하는 반사 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(2) 외측 전극의 외측에서 내측 전극과 동일한 극성의 전류를 전달하는 전기적 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(3) 외측 전극은 제2 반도체층 위에 형성된 반사 전극이고, 내측 전극은 외측 전극의 개구 내에 식각된 제1 반도체층 위에서 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4) 내측 전극은 제2 반도체층 위에 형성된 반사 전극이고, 외측 전극은 복수의 반도체층의 가장자리를 따라 식각된 제1 반도체층 위에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(5) 절연층을 관통하여 제1 전극과 내측 전극을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결부; 그리고 절연층을 관통하여 제2 전극과 외측 전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(6) 외측 전극은 제2 반도체층 위에 형성된 반사 전극이고, 내측 전극은 외측 전극의 개구 내에 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗도록 형성되며, 절연층을 관통하여 제1 전극과 내측 전극을 전기적으로 연결하는 내측 제1 전기적 연결부; 절연층을 관통하여 제2 전극과 외측 전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결부; 그리고 외측 전극 바깥에서 절연층을 관통하여 제1 전극과 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 외측 제1 전기적 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(7) 제1 전극 및 제2 전극은 절연층 위에서 서로 대향하며, 복수의 반도체층은 복수의 코너를 포함하며, 외측 제1 전기적 연결부는 제1 전극 인근 2개의 코너에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 내측 전극은: 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 가지(finger); 그리고 가지의 일 측 끝에서 내측 제1 전기적 연결부와 연결되는 접촉부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(9) 외측 전극은 개구, 외측 제1 전기적 연결부, 및 복수의 반도체층의 가장자리로부터의 마진(margin)을 제외한 제2 반도체층을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(10) 절연층은 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
본 개시에 의하면, 전류쏠림, 또는 ESD에 의한 손상이 감소된 반도체 발광소자가 제공된다.
30: 제1 반도체층 40: 활성층 50: 제2 반도체층
91: 절연층 80,70: 전극 74: 외측 전극
85: 내측 전극 35; n-contact 영역

Claims (10)

  1. 반도체 발광소자에 있어서,
    제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;
    제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 하나와 전기적으로 연통하며, 복수의 반도체층을 노출하는 개구가 형성되어, 폐루프를 이루는 외측 전극;
    제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나와 전기적으로 연통하며, 개구의 내측에 형성된 내측 전극;
    외측 전극 및 내측 전극을 덮는 절연층;
    절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 하나를 통해 제1 반도체층에 전자를 공급하는 제1 전극; 그리고
    절연층 위에 형성되며, 외측 전극 및 내측 전극 중 나머지 하나를 통해 제2 반도체층에 정공을 공급하는 제2 전극;를 포함하며,
    외측 전극 및 내측 전극 중 적어도 하나는 활성층으로부터 빛을 반사하는 반사 전극이고,
    외측 전극은 복수의 반도체층의 평면적의 50% 이상을 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    외측 전극의 외측에서 내측 전극과 동일한 극성의 전류를 전달하는 전기적 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    외측 전극은 제2 반도체층 위에 형성된 반사 전극이고,
    내측 전극은 외측 전극의 개구 내에 식각된 제1 반도체층 위에서 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    내측 전극은 제2 반도체층 위에 형성된 반사 전극이고,
    외측 전극은 복수의 반도체층의 가장자리를 따라 식각된 제1 반도체층 위에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    절연층을 관통하여 제1 전극과 내측 전극을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결부; 그리고
    절연층을 관통하여 제2 전극과 외측 전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    외측 전극은 제2 반도체층 위에 형성된 반사 전극이고,
    내측 전극은 외측 전극의 개구 내에 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗도록 형성되며,
    절연층을 관통하여 제1 전극과 내측 전극을 전기적으로 연결하는 내측 제1 전기적 연결부;
    절연층을 관통하여 제2 전극과 외측 전극을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결부; 그리고
    외측 전극 바깥에서 절연층을 관통하여 제1 전극과 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 외측 제1 전기적 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    제1 전극 및 제2 전극은 절연층 위에서 서로 대향하며,
    복수의 반도체층은 복수의 코너를 포함하며,
    외측 제1 전기적 연결부는 제1 전극 인근 2개의 코너에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    내측 전극은:
    제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 가지(finger); 그리고
    가지의 일 측 끝에서 내측 제1 전기적 연결부와 연결되는 접촉부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 청구항 6에 있어서,
    외측 전극은 개구 및 외측 제1 전기적 연결부를 제외한 제2 반도체층을 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 청구항 1에 있어서,
    절연층은 복수의 층을 가지는 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
KR1020150049718A 2015-04-03 2015-04-08 반도체 발광소자 KR101704455B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150049718A KR101704455B1 (ko) 2015-04-08 2015-04-08 반도체 발광소자
PCT/KR2016/003475 WO2016159744A1 (ko) 2015-04-03 2016-04-04 반도체 발광소자
US15/563,273 US10158047B2 (en) 2015-04-03 2016-04-04 Semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150049718A KR101704455B1 (ko) 2015-04-08 2015-04-08 반도체 발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160120845A KR20160120845A (ko) 2016-10-19
KR101704455B1 true KR101704455B1 (ko) 2017-02-10

Family

ID=57250600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150049718A KR101704455B1 (ko) 2015-04-03 2015-04-08 반도체 발광소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101704455B1 (ko)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100864529B1 (ko) * 2007-02-23 2008-10-21 이군식 유기성 폐기물 처리설비용 건조유닛의 응축장치 및응축방법
KR101883842B1 (ko) * 2011-12-26 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101403630B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101489375B1 (ko) * 2014-03-31 2015-02-06 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160120845A (ko) 2016-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9793440B2 (en) Light emitting diode having electrode pads
US8541806B2 (en) Light emitting diode having electrode pads
EP2339654B1 (en) Light emitting diode
US9343630B2 (en) Semiconductor light emitting element
US10172190B2 (en) Light emitting diode having improved current spreading efficiency, improved mechanical reliability, or some combination thereof
KR101635521B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101753750B1 (ko) 반도체 발광소자
KR20130111792A (ko) 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 질화물 발광소자
KR101855202B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101704455B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101643687B1 (ko) 반도체 발광소자
KR20160126944A (ko) 반도체 발광소자
KR101643688B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101635907B1 (ko) 반도체 발광소자
US20230052879A1 (en) Semiconductor light-emitting device
KR20160126943A (ko) 반도체 발광소자
KR101635908B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101626905B1 (ko) 반도체 발광소자
KR102385943B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101628239B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2013135018A (ja) 発光素子
KR20110080796A (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR20110083256A (ko) 전극패드들을 갖는 발광 다이오드
KR20160082946A (ko) 반도체 발광소자
KR20170001761A (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191231

Year of fee payment: 4