TWI317180B - Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component - Google Patents

Description

1317180 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種申請專利範圍第1項前言所述的光電 組件，申請專利範圍第1 6項前言所述的裝置以及申請專 利範圍第2 1項前言所述的光電組件之製造方法。 【先前技術】 在上述形式之傳統光電組件之製程中，各別的加工步驟 通常是需要的。這些加工步驟例如包括：使半導體功能區 或一種具有半導體功能區的半導體晶片配置在一種外殼 中；使半導體晶片經由連結線而與外部之接點相接觸；或 對具有一種保護性封罩之半導體晶片進行濺鍍。這些各別 的加工步驟在與其它同時在多個元件上進行的加工步驟相 比較時通常成本較昂貴。 半導體功能區例如在晶圓複合物中可由半導體層序列所 形成，其中該晶圓複合物包含一種配置在一載體層上的半 導體層序列。然該該晶圓複合物通常劃分成半導體晶片， 其可在光電組件所需的各別的加工步驟中繼續加工。 此外，在傳統之組件中通常不易藉由連結線而與半導體 功能區相接觸以形成很平坦的結構。連結線的彎曲度通常 較大且基本上可共同決定光電組件之高度。一種與半導體 功能區相隔開而形成的外殼亦可使較小的光電組件不易形 成，其中該外殼的空間尺寸通常較該半導體功能區之尺寸 大很多。 【發明內容】 5 1317180 本發明的目的是提供一種光電組件，一種具有多個光 電組件的裝置以及該光電組件之一種簡易的製造方法， ' 各光電組件可簡易地且成本有利地製成。 - 本發明中上述目的以具備申請專利範圍第1項特徵的 _ 光電組件，具備申請專利範圍第1 6項特徵的裝置以及具 備申請專利範圍第2 1項特徵的光電組件之製造方法來達 成。本發明有利的其它形式描述在申請專利範圍各附屬 項中。 • 本發明的第一實施形式中，光電組件包含一種半導體 功能區，其顯示一活性區和一橫向的主延伸方向，其中 該半導體功能區具有至少一經由該活性區的缺口且該缺 口之區域中配置著一種連接用導電材料，其至少在該缺 口之一部份區域中在電性上與該活性區相隔離。 依據本發明的另一實施形式，該光電組件包含一種半 導體功能區，其顯示一活性區和一橫向的主延伸方向， 其中該半導體功能區具有一與該活性區相鄰的橫向側面 ® 且在橫向中—種連接用導電材料配置在該側面之後，該 連接用導電材料至少在該側面之一部份區域中在電性上 與該 '活性區相隔離。該側面在情況需要時可在橫向中與 該半導體功能區相鄰接。該側面在橫向中特別是其一部 份可與該半導體功能區相鄰接。此外，該側面可平坦地 形成’即，其基本上不具備凸出區或凹入區，特別是橫 向中不具備凹口。 材料所構成的層較佳是配置在該半導體功 6 1317180 能區之後，該成型材料層以無承載之方式來形成或在機 械上以可承載的方式來形成。該成型材料層可廣泛地以 一種封罩，一種包封元件或一種穩定層之形式來形成’ 如以下仍將詳述者。 本發明的組件有利的方式是儘可能或完全在晶圓複合 物中製成。成本較高及/或較昂貴的各別的加工步驟之數 目在本發明的光電組件中可有利地下降。特別有利的是 可避免各別的加工步驟。 本發明中在光電組件製造時配置在載體層上的半導體 層序列視爲晶圓複合物，其用來形成多個半導體功能 區。各個半導體功能區在該組件製造時至少一部份是與 由半導體層序列之區域所構成的載體層相結合而形成。 該載體層可藉由一種生長基板（其上例如以磊晶方式而 製成該半導體層序列）來形成或包含一種生長基板。 須指出：本發明中在光電組件製造時一種在晶圓複合 物中產生於半導體層序列中的經由活性區之缺口可視爲 上述之缺口。 特別是一種接觸結構（其作爲該已製成之光電組件之電 性接觸用）之至少一部份（較佳是全部）可製作在晶圓複合 物中。光電組件之接觸作用較佳是至少一部份經由導電 性之連接用導電材料來達成，該連接用導電材料在晶圓 複合物中可配置在該經由活性區之缺口之區域中或配置 在該鄰接於活性區之側面之區域中。該連接用導電材料 曰有一種金屬，例如’ Au，Al，Ag, Ti, Pt, Sn或合金，該 7 1317180 合金含有這些材料中之至少一種材料。 在本發明之一種較佳之形式中，該連接用導電材料在 橫向中（特別是在活性區之區域中）是與該半導體功能區 相隔開，這樣可使該組件在操作時發生短路之危險性減 小。該連接用導電材料因此可配置在該半導體功能區之 一種（特別是橫向）邊緣區中及/或與該側面相隔開。 在本發明之另一種較佳之形式中，該半導體功能區在 橫向中具有至少一凹口，其特別有利的情況是其至少— 部份圍繞該經由活性區之缺口。特別是該缺口在橫向中 可形成該半體體功能區之缺口及/或該側面在橫向中具 有一凹口。 該缺口在本發明中特別是以未完全貫穿該半體體功能 區之一種凹陷區之形式來形成或以完全貫穿該半體體功 能區之空白區之形式來形成，其中該凹陷區或空白區至 少一部份（較佳是全部）可圍繞或形成該經由活性區之缺 P。 該缺口較佳是垂直於該半體體功能區之橫向之主延伸 方向而在垂直方向中經由整個半體體功能區而延伸。例 如’此處該缺口在半體體功能區中形成空白區。 該連接用導電材料較佳是至少一部份藉由一種隔離材 料而在電性上與活性區相隔離。該隔離材料較佳是配置 在缺口之區域中或配置在該側面之區域中，特別是直接 配置在活性區上且例如含有：矽氮化物，例如，s i N或 ShNd矽氧化物’例如，Si〇或si〇2 ;或矽氧化氮化物， 1317180 例如，S i Ο N。 該隔離材料較佳是圍繞該缺口，特別是圍繞該凹口， 或該隔離材料較佳是配置在側面上，特別是直接配置在 側面上’使該活性區藉由該隔離材料而在電性上與該連 接用導電材料相隔離。活性區經由該連接用導電材料而 發生短路的危險性因此可下降。 特別'有利的是至少在該缺口的幾乎整個壁面上舖上該 隔離材料或至少幾乎在整個側面上塗佈該隔離材料，使 > 該組件操作時發生短路的危險性大大地下降。 此外’該連接用導電材料較佳是至少經由該半導體功 能區之幾乎整個垂直走向而配置著，這樣在晶圓複合物 中製造此種光電組件時可有利地使接觸結構輕易地形 成。 一種連接用導電材料在垂直方向中沿著整個半導體功 能區而延伸，該連接用導電材料特別是在與相對應而配 置的隔離材料相連接時可使光電組件達成一種電性上的 | 接觸或使光電組件的半導體功能區在垂直方向中經由該 活性區之區域而達成電性上的接觸，此時短路的危險性 不會提高。光電組件之接觸結構之此部份可有利地製作 在晶圓複合物中。 在本發明的另一有利的形式中，該半導體功能區具有 第一主面和第二主面，就該活性區而言第二主面是與第 一主面相面對，其中該半導體功能區可有利地由第一主 面而導電性地與該連接用導電材料相連接。 9 1317180 上述之連接例如可經由第一接觸區來達成，該第—接 觸區由半導體功能區之第一主面而導電性地與半導體功 能區-及該連接用導電材料相連接。此種第一接觸區含有 - —種金屬’例如，Au，Al，Ag，Ti，Pt，Sn或含有這些材料 ^ 中至少一種的合金（例如，AuGe)，第一接觸區同樣可有 利地製作在晶圓複合物中。 該連接用導電材料和半導體功能區之第一主面上的第 一接觸區之間的導電性連接可使半導體功能區之第一主 鲁 面由第二主面來達成一種電性上的可連接性，其中該連 接用導電材料可在缺口之區域中’凹口中或半導體功能 區之邊緣區上（特別是側面上）在垂直方向中經由半導體 功能區之垂垂走向而延伸。 情況需要時一種由該連接用導電材料所形成的連接用 導體以及該第一接觸區能以單件方式來形成，特別是以 相同的材料來形成。 • 在本發明的另一有利的形式中，該連接用導電材料在 電性上與半導體功能區之第二主面相隔離。短路的危險 性因此可大大地下降。 在本發明的另一有利的構形中，由第二主面這一方來 配置第二接觸區，其例如含有一種金屬，例如，Au，A1，Ag， Ti’ Pt’ Sn或含有這些材料中至少—種的合金（例如， AuGe)。該第二接觸區經由第二主面而導電地與半導體功 能區相連接’特別是用來注入電流。 上述之光電組件可經由第一-和第二接觸區而達成電性 10 1317180 上的連接。特別是該光電組件能以可表面安裝的方式而 形成 SMD -組件（SMD: Surface Mountable Device)。此外， 該光電組件可用於一種混合（Hybrid)模組中。 第一接觸區和該連接用導電材料（其可由第一主面延伸 至第二主面）之間的導電性連接可與第二接觸區共同形 成一種接觸結構，這樣可由第二主面這一方來輕易地接 觸該光電組件。 在上述之光電組件藉由第一-和第二接觸區而達成電性 ί 上的接觸時可有利地省略各連結線，於是可有利地使光 電組件之高度下降而可容易地形成較小的組件。此外， 上述之接觸結構可有利地形成在晶圓複合物中。 此處須注意：各接觸區的數目當然不限於二個，情況 需要時亦可設有多個接觸區或多個接觸區對（pair)。 上述的光電組件，特別是具有活性區的半導體功能 區，可對應於一種輻射發射-或輻射接收用的組件而形 成。該活性區依據光電組件而形成，以藉由所入射至活 > 性區中的輻射所產生的電荷載體來產生電致發光的輻射 或產生信號。該半導體功能區例如可對應於一種LED晶 片，雷射二極體晶片（其顯示橫向-或垂直的發射方向）或 光二極體晶片而形成。第一-和第二接觸區較佳是可依據 二極體接觸區之二個極而形成。

該半導體功能區（特別是活性區）較佳是含有至少一種 III-V-半導體材料，其大致上是由III-V-半導體材料系統 所構成的一種材料，例如，IruGayAl卜卜yP，IruGa^Al卜x-yN 11 < S ) 1317180 或 InxGayAh.yAs，其中 OSx 彡 1，OSyS 1 且 x + y$ 1。 較佳是形成一種光電組件，其發出紫外線-，可見光-或紅外線光譜區中的輻射。 材料系統InxGayAli + ,Ν例如特別適用於發出紫外線至 綠色光譜區中的輻射’ I η X G a y A11…y P例如特別適用於發出 綠黃色至紅色光譜區中的輻射，且In, Gay Al,+y As特別適 用於發出紅外線光譜區中的輻射。 光電組件亦可以其它未包含在III-V-半導體材料系統 中的材料爲主來製成。例如該半導體功能區可包含矽（特 別是用於光二極體中）或包含II-VI-半導體材料或以矽或 II-VI-半導體材料爲主。但藉由ΠΙ_ν_半導體材料可較簡 易地使該光電組件達成較高的內部量子效率。 由於缺口之區域中該活性區不能產生-或接收輻射，則 該缺口在該光電組件中較佳是在橫向中具有較小的尺 寸’使活性區的面積（其用來產生輻射或用來接收輻射） 儘可能大。這可藉由適當地形成該缺口來達成。 半導體功能區中該缺口及/或凹口在橫向中較佳是具有 一種尺寸，使該連接用導電材料或一種圍繞該連接用導 電材料之連接用導體具有導電率，其能以各別地形成半 導體功能區之方式來調整。具有高功率的組件所造成的 導電率通常較功率較低的組件所造成的導電率還高。缺 口或凹口或該連接用導電材料之橫向尺寸可在奈米至微 米的範圍中。例如，該橫向尺寸可爲100 //m，較佳是 5 0 /z m或更小，例如，可爲1〇〇 v ^或10 " m。 12 1317180 一種足夠高的導電率在情況需要時亦可藉由多個缺口 及缺口中所配置的連接用導電材料-或藉由各缺口之數 目和尺寸之已適當地調整的組合來達成。 在本發明的另一有利之構成中，光電組件具有一種配 置在半導體功能區之後的視窗’該視窗較佳是可透過該 活性區中所接收-或所產生的輻射及/或位於該輻射的輻 射通道中。該視窗可用來使輻射耦合至光電組件中或由 光電組件中射出。 在本發明的另一有利之構成中，該光電組件具有一種 封罩，其較佳是至少一部份包圍或包封該半導體功能 區。該半導體功能區特別是可埋入該封罩中。該封罩可 以是該視窗的一部份及/或形成該視窗。該封罩可有利地 保護該半導體功能區使不受外部之有害物所影響，例 如，不受濕氣所影響。 該封罩較佳是可透過一種由活性區所產生-或所接收的 輻射。因此，有利的方式是使該封罩中不期望的輻射吸 收率減小。 此外，該封罩之材料較佳是對該活性區中所產生的輻 射或入射至活性區上的輻射具有耐久性。封罩本身發生 一種使效率下降之污染-或軟化之危險性於是可下降。 在另一有利之構成中，半導體功能區（特別是活性區） 由一種包封所圍繞，該包封較佳是（至少在光電組件起動 及/或操作時）對有害性的外部影響（例如，濕氣）形成密封 性，特別是不透水或不透氣。該包封可包含該封罩或情 13 1317180 況需要時可包含一個或多個其它的包封元件，該包封可 圍繞該半導體功能區或較佳是完全圍繞該活性區且可有 利地提筒對該半導體功能區或活性區的保護作用使不受 外部之有害物所影響。 此外’較佳是形成該包封，使光電組件之接觸區較佳 是可經由該包封而達成連接功能。外部之各接點或外部 的連接元件因此可以是該包封的一部份。特別是該光電 組件可藉由外部的接點而導電性地與電路板的導線架相 連接。該光電組件較佳是經由一種焊接連接區而與導線 架相連接。 較佳是形成該包封或各包封元件之至少一部份，使該 包封或各包封元件和活性區之間的區域，特別是在所產 生-或所接收的輻射之輻射通道中，不存在中空區。在輻 射進入光電組件中或由光電組件發出時，由中空區所造 成的過多的折射率跳躍以及因此在邊界面上所發生的高 的反射損耗等危險性於是可下降。 該包封上所加上之元件，例如，封罩及/或視窗，亦可 有利地形成在晶圓複合物中。特別有利的是整個包封可 製作在晶圓複合物中。 在本發明的一種有利的構成中，該包封在機械特性上 很穩定，因此不需額外之保護半導體功能區用的外殼且 可容易地形成很小的光電組件，其具有半導體功能區之 保護用的較佳是全面式的包封。 較佳是形成該包封或該包封的元件（例如，封罩）之至少 14 1317180 一部份，使其至少在短時間之間對高的溫度，例如，超 過200°C，較佳是可達30(^(:，具有穩定性，於是半導體 功能區及/或該封罩由於焊接過程而受損的危險性即不 會提高，其中上述的高溫是在該組件的各接點焊接時所 產生。 在本發明的另一種有利的構成中，至少一吸收性材料 或發光材料配置於半導體功能區之後。該吸收性材料或 發光材料較佳是直接設在-或配置在該視窗，封罩或半導 體功能區之中，上方或表面上。該吸收性材料或發光材 料較佳是以粉末構成。 該吸收性材料（例如，有機顏料）例如可設在一種形成輻 射接收組件之組件中，以便在一種入射至半導體功能區 之輻射之適當的（特別是預定的）波長中作爲濾色材料以 藉由吸收作用來影響該輻射偵測器之敏感度（β卩，光譜之 敏感度分佈）。因此，一種形成該輻射偵測器之光電組件 之光譜敏感度分佈可有利地作適當的調整。 在一種形成發射體的光電組件中，該發光材料較佳是 可吸收該活性區所產生的波長是λ!之輻射且再發出波 長是λ2的輻射。該波長入2較佳是大於波長；ti。此種光 電組件可產生混合彩色之光，特別是白光，一種由波長 是λ ,和；之輻射所構成的混合輻射可加入至該混合彩 色之光之彩色中。此種發光材料因此使波長λ,之輻射之 至少一部份轉換成波長λ2之輻射且因此通常亦稱爲轉 換材料，特別是稱爲電致發光轉換材料。 15 1317180 可使用無機磷’摻雜之石榴石，鈽（Ce)_或铽（Tb)驅動之 石權石（例如’ YAG:Ce，TAG:Ce，TbYAG:Ce)，鹼土金屬硫 酸鹽或有機顏料作爲電致發光轉換材料。適當的電致發 光轉換材料例如已描述在文件WO 98/12757中，其內容 於此作爲參考。 一種發光材料’特別是以YAG爲主的發光材料，特別 適合用來產生白光，此種發光材料使半導體功能區中所 產生的輻射（大約在紫外線-或藍色光譜區中）轉換成波長 較長的輻射（大約在黃色光譜區中）。由已轉換的輻射成份 和未轉換的輻射成份所構成的混合輻射可產生混合彩色 光，特別是白光。 在一種有利的構成中，所使用的粉末之電致發光轉換 材料之平均顆粒大小最大是30微米。一種介於2微米和 6微米之間的平均顆粒大小已顯示出特別有利。在顆粒具 有此種大小時電致發光轉換已顯示出特別有效。 上述之轉換材料較佳是儘可能靠近該活性區而配置 著。轉換效率因此可提高，此乃因由該活性區所產生的 輻射之強度隨著至活性區的距離之增大而以距離平方之 方式減小。此外，效率之最佳化或混合彩色輻射之彩色 位置之相對於觀看角度之相依性之最佳化可容易達成。 靠近活性區之輻射轉換成波長較大的能量較少之輻 射，此種轉換亦可具有保護性地作用在一種圍繞該轉換 材料之元件上或作用在一種配置在該轉換材料之後之元 件（例如，封罩）上。該封罩材料在活性區附近中由於轉換 16 1317180 所造成之與輻射有關的變色之危險性因此可有利地下 降。 在另一有利的構成中，該發光材料特別是直接配置在 半導體功能區上。該發光材料可以發光材料層之形式來 形成。因此，一特別有效的電致發光轉換可容易地在活 性區附近達成。該發光材料較佳是在晶圓複合物中施加 在半導體層序列上或施加在來自半導體層序列的半導體 功能區上。發光材料特別是可藉由靜電力施加而成。這 亦可有利地適用於吸收性材料中。 在本發明之另一有利的構成中，一個-或多個光學元件 配置在半導體功能區之後，該光學元件可有利地影響該 組件之效率或影響該組件的發射-或接收特性。該光學元 件例如可以輻射成形用的透鏡來構成。此外，該光學元 件可以濾光器元件或散射元件來構成。 此外’該光學元件可以抗反射層或抗反射塗層來構 成。藉由一種抗反射塗層，則可有利地使折射率跳躍所 造成的反射損耗減小。一個-或多個λ Μ層特別適用於此 處。例如，該抗反射層可包含上述用於該隔離用材料中 之各種材料。特別是這些材料可相同及/或該抗反射層和 該隔離用材料可積體化地形成在一個元件中。一種抗反 射層可配置在該封罩和該半導體功能區之間及/或配置 在該封罩和該視窗之間。 在本發明之另一有利的構成中，該光學元件形成在封 罩中或視窗中’即’光學元件施加在該二種元件上或直 17

1317180 接與其相接觸。 光學元件，特別是透鏡或散射結構，例如可結 該封罩-或視窗材料中或由此種材料中形成。這例 由壓印（Stempel)或飩刻方法來達成。 此外，該散射元件或濾光器元件大約以散射箱 光微粒之形式而配置在封罩或視窗中。 又，光學元件亦可黏合，蒸鍍或濺鍍至封罩木 半導體功能區上。黏合特別適用於輻射形成用二 件，濺鍍或蒸鍍特別適用於形成抗反射塗層。 光學元件較佳是形成在晶圓複合物中。 在本發明之另一有利的構成中，半導體功能E 載體上。該載體可由半導體層序列（由此而在該| 程中形成半導體功能區）之生長基板之一部份戶 由一種與該生長基板不同的其它載體層（其上| 圓結合法而進行處理或製造時配置著半導體層 一部份所形成或包含此種載體層。在最後一種f 該生長基板在半導體層序列配置完成之後或半！ 區配置在載體層上之後被剝除。該載體有利地;j 穩疋地承載著半導體功能區。特別是半導體功| 在該載體的一面上。 該連接用導電材料較佳是至少延伸至載體之 體功能區相面對的面爲止。該光電組件之電性 因此可由載體之與半導體功能區相面對的此面 達成。 構化至 如可藉 粒或濾 料上或 光學元 :配置在 I件的製 形成或 :藉由晶 序列）之 f況中， 【體功能 ί機械上 3區配置 -與半導 「連接性 〔容易地 18 1317180 若連接用導電材料至少一部份配置在缺口中，則該缺 口（其例如以橫向凹口來形成）較佳是延伸至載體之與半 導體功能區相面對的此面爲止。若該載體加入至該組件 之電性接觸區上’則該載體較佳是具有導電性。例如， 該載體包含一種適當的半導體材料，其可被摻雜以提高 其導電性。 在上述光電組件之另一有利的構成中，一種鏡面層配 置在該活性區及/或半導體功能區之後。此種鏡面層例如 可積體化於半導體功能區中而成爲佈拉格（Bragg)鏡面或 形成一種含有金屬的（特別是金屬性）鏡面層，這些金屬例 如可爲Au，Al, Ag，Ti, Pt或含有這些金屬中至少一種的 合金（例如，AuGe)。特別有利的是使該鏡面層配置在該 載體和該活性區之間及/或配置在半導體功能區上。 該鏡面層較佳是具有導電性且可加入至該組件的接觸 區上。該鏡面層因此可以適當之方式而與半導體功能區 導電性地相連接。 該鏡面層較佳是對一種由活性區所接收-或所產生的輻 射具有反射性。該鏡面層可有利地提高光電組件的效 率，這例如藉由載體中輻射被吸收的量減少來達成，該 鏡面層亦可對該光電組件之發射特性或接收特性造成有 利的影響。 該鏡面層可特別有利地在晶圓複合物中例如藉由與半 導體層序列一起生長（就像佈拉格鏡面一樣）且積體化於 該半導體層序列中而製成，或藉由事後施加（例如，藉由 19 1317180 蒸鍍或濺鍍）至半導體層序列上或半導體功能區上而製 成，就像一種含有金屬的鏡面層一樣。 情況需要時該鏡面層可包含一種以單石方式積體化於 半導體層序列中或半導體功能區中的第一部份鏡面層和 一種由已積體化的部份鏡面層此方向而配置在半導體層 序列上或半導體功能區上的特別是含有金屬的第二部份 鏡面層。較佳是在上述之各個部份鏡面層之間配置一種 中間層，其特別是導電性地與各個部份鏡面層相連接。 一種含有可透過輻射的導電性氧化物，特別是金屬氧化 物（例如，氧化鋅，氧化銦錫或氧化錫），之中間層特別適 用於此處。該中間層可用來使含有金屬的部份鏡面層之 對已積體化的部份鏡面層的電性接觸最佳化。 在該光電組件（特別是具有一種含有金屬的鏡面層者） 製造時若該半導體層序列之生長基板被剝除，則此種在 生長基板剝除時所製成的組件亦稱爲薄膜組件。具有一 含有金屬之鏡面之薄膜組件特別是可具有一種對應於 Lambertic輻射器之正弦形式的發射特性。 在本發明之另一有利的構成中，須形成該包封或該包 封之至少一元件，使半導體功能區在機械上達成穩定作 用。由於此種穩定作用，則可有利地省略一種使該半導 體功能區穩定所用的載體，這樣可容易地形成很薄的光 電組件。該載體因此可特別地被薄化或去除。 本發明中具有多個光電組件的裝置具有上述形式的多 個本發明的光電組件，其中半導體功能區較佳是至少一 20 1317180 部份於橫向中相鄰地配置著。此種橫向之相鄰配置可有 利地對應於半導體功能區之配置，其來自晶圓複合物中 載體層上半導體功能區中半導體層序列之相對應的結構 化。該裝置特別適用於製造在晶圓複合物中。 在一種較佳的構成中，該裝置具有一種封罩，其至少 一部份包封著或圍繞著半導體功能區。該封罩較佳是以 單件方式構成。該封罩同樣可有利地形成在晶圓複合物 中。特別是可依據上述方式來形成該封罩。 在另一種較佳的構成中，一種穩定層使半導體功能區 在機械上穩定地存在著。半導體功能區較佳是穩定地存 在於一種配置中，該配置藉由該裝置之半導體功能區配 置在晶圓複合物中（特別是在一平坦之載體層上）而形成。 在該裝置之另一有利的構成中，該穩定層包含該封罩 及/或該視窗，及/或該穩定層基本上是與該封罩相同，使 該封罩同時具有穩定作用以及對各半導體功能區的保護 作用。該封罩因此可形成穩定層或成爲該穩定層的一部 份。 在本發明的光電組件的一種製造方法中，具有一種配 置在一載體層上的半導體層序列（其顯示一活性區和一 橫向的主延伸方向）的至少一晶圓複合物被製成。然後， 對該半導體層序列進行結構化，使形成至少一經由活性 區的缺口或形成至少一在橫向中鄰接於活性區之橫向側 面。然後在該缺口之區域中或該側面之區域中配置一種 連接用導電材料，使該活性區至少在該缺口-或該側面之 21 1317180 一部份區域中在電性上與該連接用導電材料相隔離。然 後劃分成多個光電組件，其中各光電組件之電性上的接 觸至少一部份是經由該連接用導電材料來達成。 上述方法所具有的優點是：各光電組件（包括其接觸結 構）至少一部份（較佳是全部）可成本有利地製作在晶圓複 合物中。由於活性區在電性上與該連接用導電材料相隔 離，這例如藉由連接用導電材料相對於活性區（例如，對 該活性區相隔一段距離）作適當的配置即可達成，則活性 區經由該連接用導電材料而發生短路的危險性可降低。 可有利地形成該組件的接觸結構，使光電組件不具備導 線連結區或在無連結線的情況下可被接觸。 載體層可包含半導體層序列之生長基板，其上較佳是 以磊晶方式製成該半導體層序列，或該載體層可與半導 體層序列之生長基板不同。在第二種情況下該生長基板 較佳是在半導體層序列（特別是以該半導體層序列之面 對該生長基板之此側）配置在載體層上之後被剝除。 該活性層較佳是經由一種隔離材料而在電性上與該連 接用導電材料相隔離。此外，該隔離材料（例如，SiN或 其它含有上述各材料中之一之材料）較佳是至少一部份 配置在該缺口-或側面之區域中。特別有利的是使該隔離 材料直接配置在活性區中及/或該連接用導電材料藉由 活性區和該連接用導電材料之間所配置的隔離材料而在 電性上與活性區相隔離。活性區發生短路的危險性因此 可大大地下降，該隔離材料可有利地在連接用導電材料 22 1317180 之則施加完成及/或該連接用導電材料直接鄰接於該該 隔離材料。該隔離材料例如可藉由蒸鍍（大致上是以PVD- 方法（例如，濺鍍））或以C V D -方法（例如，p e C V D)施加而 成。 在本方法之較佳的方式中，半導體層序列在橫向中具 有至少一凹口 ’其較佳是至少一部份圍繞該經由活性區 之缺口。情況需要時該缺口在橫向中可形成該半導體層 序列之凹口。 此外，該缺口之壁至少一部份是以該隔離材料來舖襯。 依據另一較佳之方式，該導電性之連接用導電材料至 少一部份是配置在缺口（特別是凹口）中。該缺口因此可決 定光電組件之接觸結構。 此外，該缺口較佳是在垂直方向中垂直於該半導體層 序列之橫向之主延伸方向而延伸，特別是經由整個半導 體層序列。該缺口較佳是延伸至載體層上或載體層中。 特別有利的是該缺口經由全部之載體層而延伸。該缺口 因此特別是可形成一種經由半導體層序列而延伸-及/或 延伸至載體層中或經由載體層而延伸之空白區或該缺口 可形成半導體層序列之空白區。特別是該空白區在半導 體層序列之區域中在橫向中至少一部份（較佳是全部）是 以半導體層序列爲邊界。半導體層序列因此可在橫向中 完全圍繞該缺口。 在本方法之較佳的方式中，須對該半導體層序列進行 結構化，以形成多個特別是經由中間區而在橫向中在空 23 1317180 間上互相隔開的半導體功能區。特別有利的是在一種形 成該缺口或形成該側面之步驟中（特別是在配置該連接 用導電材料之前）對該半導體層序列進行結構化。半導體 功能區中的結構化可在該缺口-或該側面形成之前或之 後進行。 半導體功能區可有利地至少一部份具有一種經由活性 區之缺口或具有一種在橫向中鄰接於該活性區之側面。 在半導體層序列結構化時因此可適當地產生多個半導體 功能區所需的多個缺口。該缺口特別是可形成半導體功 能區的空白區，其可有利地在半導體功能區之區域中在 橫向中至少一部份（較佳是全部）以該半導體功能區爲邊 界。該半導體功能區因此可在橫向中完全圍繞該缺口。 在本方法的一種較佳的方式中，產生多個經由活性區 的缺口，其中多個半導體功能區具有至少一經由活性區 的缺口。 在另一有利的形式中，多個半導體功能區在橫向中分 別具有至少一凹口，其至少一部份圍繞該缺口或在多個 半導體功能區中該缺口在橫向中形成各別之半導體功能 區之凹口。 在另一有利的形式中，多個半導體功能區分別具有至 少一種橫向之與各別之半導體功能區之活性區相鄰接的 側面。該側面較佳是在橫向中由側面鄰接於各別之半導 體功能區。特別是整個半導體功能區可以此種側面爲邊 界。 24 1317180 各側面例如在半導體層序列結構化時形成在半導體功 能區中。該側面特別是可鄰接於一種配置在二個半導體 功能區之間的中間區。 該連接用導電材料較佳是在橫向中配置於該側面之 後’使該連接用導電材料至少在該側面之一部份區域中 在電性上與活性區相隔離。 在本發明的另一有利的形式中，該隔離材料特別是直 接配置在側面上。 該連接用導電材料較佳是在垂直方向中經由活性區之 區域而延伸及/或大致上藉由該隔離材料（其可配置在該 連接用導電材料和該側面-或半導體功能區之間）而與活 性區相隔一距離及/或相隔離。 在本發明的另一有利的形式中，第一電性接觸區施加 在半導體層序列-或半導體功能區之遠離載體層的此側 上。第一電性接觸區可有利地使即將製成的光電組件之 接觸結構容易地形成在晶圓複合物中。第一電性接觸區 因此可在該缺口-或側面形成之前或之後形成。例如，每 一個半導體功能區基本上可設有此種形式的桌一電性接 觸區。 此外，情況需要時亦可在半導體層序列上設有多個第 一電性接觸區。這可有利地以下述方式來達成：至少一 種上述之第一電性接觸區配屬於半導體層序列之每一形 成半導體功能區（其由半導體層序列所構成）所用之區域。 在本發明的另一有利的形式中，該連接用導電材料配 25 1317180 置在該缺口 ·或側面的區域中，以便特別是可直接在該連 接用導電材料和第一接觸區之間形成一種導電性連接。 特別是該連接用導電材料和第一接觸區可直接達成機械 上的接觸。 在另一有利的形式中’須形成該缺口或該側面，使第 一接觸區可由半導體層序列-或半導體功能區之面對第 一接觸區之此側經由該缺口之區域或該側面之區域而達 成電性上的連接作用或使第一接觸區之至少一部份裸露 出來’即’第一接觸區特別是在垂直方向中未由半導體 層序列-或半導體功能區所覆蓋。適當的方式是在形成該 缺口或該側面之前即設置第一接觸區。爲了形成該缺口 或該側面，則適當的方式是去除半導體層序列中的一種 覆蓋第一接觸區的區域，使第一接觸區裸露出來且第一 接觸區可由半導體層序列-或半導體功能區之面對第一 接觸區之此側特別是藉由該連接用導電材料而達成電性 上的連接作用。第一接觸區特別是可在橫向中完全覆蓋 該缺口。第一接觸區因此可有利地具有一種較該缺口還 大的橫向的範圍。 在本方法的另一有利的方式中，未結構化的半導體層 序列-或半導體功能區之後由其遠離載體層的方向配置 一種穩定層。該穩定層較佳是施加在半導體層序列上或 半導體功能區上。此外’該穩定層情況需要時可使用一 種適當的黏合層或中間層而配置在半導體層序列-或半 導體功能區之後。 26 1317180 該穩定層較佳是以無承載方式而形成且在機械上可使 半導體層序列或半導體功能區穩定。此外，該穩定層可 使各半導體功能區在機械上穩定地相連接。 上述之穩定層在機械上可有利地使晶圓複合物獲得穩 定，因此不需載體層或該載體層可被薄化。該載體層例 如可藉由蝕刻或硏磨使其至少一部份被薄化或特別是可 被完全去除。 上述方式可容易地製成很薄的光電組件，其半導體功 | 能區在極端情況時只包含該活性區。 特別是半導體層序列可在載體層去除一部份（特別是完 全去除）之後或該載體層被薄化之後被結構化成多個半 導體功能區。因此可有利地藉由先前所設的穩定層來確 保機械上的穩定性。 此外，藉由可多次地施加上述各種不同的穩定層且在 需要時去除這些穩定層，以此種組合方式可在晶圓複合 物中在載體層上使半導體層序列達成一種多面性（較佳 B 是全面性）的結構化。 該穩定層特別有利的是以可由光來結構化的方式而形 成，這樣可使下一過程較容易。該穩定層較佳是包含一 種可由光來達成結構化的漆。 在另一較佳的方式中，該穩定層在形成該缺口-或該側 面之前須配置於半導體層序列之後或配置於半導體功能 區之後。該缺口或側面較佳是由面對該穩定層之此側而 形成在半導體層序列或半導體功能區中。因此，較佳是 27 1317180 使該載體層特別是以區域方式去除或完全去除，或在適 當地特別是以區域方式去除該載體層時同時形成該缺口 或側面。 由於穩定層之機械上之穩定的作用，則可以區域方式 去除該載體層或完全去除該載體層，此時半導體層序列 或半導體功能區受損之危險性不會增高。 在另一有利的形式中，該載體層至少在一部份區域中 較佳是完全被去除且該缺口或側面由遠離該穩定層之此 側特別是經由該載體層已去除的區域而形成在半導體層 序列或半導體功能區中。 在本方法的另一有利的形式中，該穩定層至少一部份 包封半導體功能區及/或改變該半導體功能區的形式。因 此，在製造該光電組件時可針對外部的損害性影體而有 利地保護半導體功能區，特別是其邊緣區。 在另一有利的形式中，該缺口或側面由面對該載體層 之此側而形成在半導體層序列或半導體功能區中。因 此，半導體層序列或半導體功能區中可由面對該載體層 之此側藉由蝕刻而適當地被結構化。這可在半導體功能 區形成之前，之後或同時達成。於是可有利地藉由該載 體層來確保此種複合物的機械穩定性。 在另一有利的形式中，在形成該缺口或該側面之後該 穩定層配置於半導體層序列或半導體功能區之後。 此外，該穩定層較佳是可透過一種由活性區所產生-或 所接收的輻射。因此，該穩定層亦可以是該光電組件之 28 1317180 稍後所形成的封罩或包封的一部份，此時該光電組件的 效率不會由於該穩定層之材料中所入射-或所發出的輻 射被吸收而不利地下降。 該穩定層可藉由各種不同的方法而配置於半導體層序 列或半導體功能區之後。例如，該穩定層可藉由一種蒸 鍍法（例如，CVD-或PVD-過程）或旋塗法（Spincoating)而 製成。就特別適用於旋塗法之材料而言，例如可使用BCB (BenzoCycloButene)，砂氧院（Siloxan)，砂樹脂，旋塗氧 化物，例如，氧化鋁（AhCh)或漆。就蒸鍍而言，例如在 CVD-方法中一種玻璃特別適合。 在穩定層施加在半導體層序列或半導體功能區之後， 該穩定層在情況需要時須硬化，此種硬化較佳是在溫度 小於400°C或300°C時進行，其特別是在較短的硬化時間 中對半導體結構不會造成損傷。若穩定層之材料由液態 相（p h a s e)施加而成，則該硬化過程特別適當。 此外，穩定層亦可連結至半導體層序列或半導體功能 區，這例如可藉由晶圓連結法或陽極連結或直接連結而 達成。特別是該穩定層可藉由凡得瓦爾（van der Waals) 力而固定至半導體層序列或半導體功能區。該穩定層可 朝向晶圓複合物施加而成。該穩定層在此種情況下特別 是以平坦方式形成且例如包含一種玻璃板。 該穩定層另外可藉由黏合促進層而配置在半導體層序 列或半導體功能區之後，其中該黏合促進層較佳是配置 在半導體功能區和該穩定層之間及/或半導體層序列或 29 1317180 半導體功能區較佳是在機械上穩定地與該穩定層相連 接。 在此種情況下該穩定層特別是以平坦方式形成且例如 包含一種玻璃板。 此外’該穩定層可形成一種視窗層以發出輻射。 該黏合促進層可改變該半導體功能區之形式且成爲光 電組件之稍後所形成的封罩及/或包封的一部份。 例如’可使用矽樹脂（例如，矽氧烷）或一種BCB作爲 黏合促進材料。此種材料之特徵除了良好的黏合促進作 用之外對短波長-或紫外線輻射亦具有高的穩定性，高的 耐溫性及/或高的輻射穿透性。該黏合促進層情況需要時 可在溫度控制下硬化或即時硬化。 此外，該穩定層可以一種穩定箔來形成，其施加在晶 圓複合物上，特別是施加在半導體層序列或半導體功能 區上，特別是以片狀方式施加而成。施加完成之後，該 穩定箔情況需要時被硬化，特別是進行光硬化或溫度硬 化。在硬化之後，該穩定箔可有利地形成一種機械穩定 的較佳是無承載的層。此種已硬化的層及/或箔可有利地 使輻射透過。 在本發明的一種較佳的形式中，半導體層序列或半導 體功能區須藉由穩定層而在機械上獲得穩定，使載體層 較佳是可由其遠離該穩定層的此側上被結構化。此種結 構化例如可藉由遮罩方法與蝕刻過程或機械方法（例 如，硏磨或切鋸）的組合來達成。 30 1317180 由上述之結構化開始，較佳是由載體層產生載體層 區，各載體層區在稍後形成之光電組件中形成半導體功 能區的載體。載體層特別有利的是依據載體層上各半導 體功能區之配置而被結構化，其中有利的方式是在每一 載體層區上配置至少一種半導體功能區。可有利地藉由 穩定層來確保由穩定層，半導體功能區和已結構化的載 體層區所構成的複合物之機械穩定性。該載體層在該（特 別是無承載的）穩定層有足夠的機械穩定性時可依據上 > 述的方式在情況需要時完全去除。 在上述的方法中，例如可製成各種半導體功能區之邊 長由10微米至100微米，至1000微米或至10毫米之組 件。邊長大約是1 000微米時特別適當。半導體功能區橫 向中的邊長或尺寸往下時原則上只會受到製程中所使用 的結構化方法，特別是半導體功能區中半導體層序列之 結構化-或缺口之結構化所用之方法，所限制。 例如，此處特別是可使用一種石版印刷術（特別是微影 I 術），以適當形成的光罩來和濕式蝕刻法或乾式蝕刻法， 雷射結構化方法或機械式結構化方法（例如，切鋸）等相組 合。 特別有利的是上述整個方法可在晶圓複合物中進行， 因此可避免成本昂貴的各別的加工步驟。本方法特別是 可在晶圓複合物中成本有利地製成一種即可使用的完整 的組件。此種方式製成的光電組件特別是可直接在劃分 之後例如藉由一種”Pick and Place”過程而定位在電路板 31 1317180 上且隨後進行電性上的連接。情況需要時該光電組件可 配置在另一外殼中’使該光電組件的保護性可大大地提 高。 在本方法之另一有利的形式中，該光電組件具有一種 包封’其基本上以密封方式圍繞該半導體功能區（特別是 活性區）。該包封較佳是圍繞該半導體功能區之封罩且圍 繞至少另一包封元件。該包封元件可有利地設在晶圓複 合物中且較佳是由該封罩及/或該穩定層所面對的此側 來包封該半導體功能區或改變該半導體功能區之形式。 因此，在該組件有足夠的保護時即可省略另一外殼而使 構造簡化。結果，不需另外的外殼即可形成較小的組件。 該包封元件（特別是一種包封層）例如可藉由旋塗法而施 加在晶圓複合物上且情況需要時以溫度促進之方式而被 硬化或即時硬化。例如，該包封元件包含一種上述的 BCB。 該組件的封罩例如可在複合物劃分成各個組件時由該 穩定層來形成及/或包含該黏合促進層之一部份，該封罩 至少一部份可包封半導體功能區或改變該半導體功能區 之形式。 在上述的方法中該複合物特別是可經由該穩定層，特 別是該封罩及/或視窗，該隔離材料及/或該黏合促進層而 劃分成各個光電組件。 在本方法之另一有利的形式中，在劃分之前形成多個 隔離接縫，其延伸至使晶圓複合物在機械上達成穩定用 32 1317180 的層中。各隔離接縫可由晶圓複合物之遠離該穩定用的 層之此側延伸至該穩定用的層中。特別有利的是各隔離 接縫未完全貫穿該穩定用的層。因此，雖然該穩定用的 層中存在著隔離接縫’但仍可有利地確保該晶圓複合物 的穩定性。可有利地形成各隔離接縫，使該複合物劃分 成各別的元件，若各隔離接縫完全貫穿該穩定用的層時。 如上所述’該穩定用的層例如可形成上述的穩定層或 由載體層所形成。 若該穩定用的層特別是由面對該半導體功能區之此側 及/或在垂直方向中被薄化到至少各隔離接縫上或至各 隔離接縫中，則該晶圓複合物可”劃分”成各別的光電組 件或劃分成多個元件，此乃因薄化至各隔離接縫時該穩 定用的層會失去其機械上的穩定作用。此種不同形式的 劃分亦稱爲”薄化式劃（分dicing by thinning)”。 又，各隔離接縫較佳是配置在二個（特別是任意個）半導 體功能區之間。一種隔離接縫特別是在橫向中完全圍繞 其所屬的半導體功能區時特別有利。 在另一有利的形式中，特別是在晶圓複合物中一種發 光材料或吸收性材料配置在半導體功能區之後或配置在 半導體層序列之後。較佳是該發光材料或吸收性材料藉 由靜電力特別是直接施加在半導體功能區或半導體層序 列上。因此，可有利地形成一種發光材料或吸收性材料。 即將施加在半導體功能區或半導體層序列上的材料（發 光材料或吸收性材料）藉由靜電吸引（特別是靜電力）而施 33 1317180 加在半導體功能區或半導體層序列上。於是，由半導體 功能區例如可施加一種輔助層，其隨後以靜電方式而被 充電且較佳是在電性上被隔離。該材料例如以該輔助層 充電用的不均勻的電荷來充電，於是可在輔助層和該材 料之間達成一種靜電吸引作用。若該材料在電性上可被 極化’則該材料之電荷即不需要。該輔助層較佳是以電 性隔離的方式而形成。例如’該輔助層可藉由該隔離材 料而形成。 此外’該材料較佳是施加在晶圓複合物之遠離載體層_ 或穩定層的此側上。該材料適當地被結構化而施加在複 合物上或在該施加過程之後適當地被結構化。 此外’即將施加的材料施加在一種材料混合物中，該 材料混合物除了吸收性材料或發光材料之外較佳是具有 一種黏合材料，其可使半導體功能區或該輔助層上的材 料的黏合性提高。該黏合材料情況需要時可在溫度提高 時硬化或即時硬化。樹脂（其大致上是一種乾原質 (matrix)-聚合物樹脂（熱塑性））特別適合用作黏合材料。 藉由黏合材料可使上述材料在機械上對該半導體功能區 或半導體層序列的結合性獲得改良。 藉由電荷特別是可調整該材料層的厚度。在藉由靜電 力而施加該材料時，可藉由適當地選取電荷來調整該即 將施加的材料層之厚度。此外，上述方法可簡易地以均 句的厚度來施加一種材料層。該材料層的厚度較佳是介 於15和25微米之間。 34 1317180 在另一較佳的形式中，吸收性材料或發光材料配置在 穩定層中。例如，吸收性材料或發光材料可配置在一種 較佳是平坦的穩定層中，特別是配置在視窗層中。可使 • 用一種濾光玻璃板或一種以發光材料（特別是含有稀土 . 之材料）來摻雜-或偏移的玻璃板以作爲穩定層。 較佳是對應於上述方法來製成上述-和以下仍將詳述之 組件或元件，使此處和下述方法中所述的特徵亦與該組 件或元件有關且反之亦然。 • 本發明的其它優點，特徵和適用性將描述於下述的實 施例和相關的圖式中。 【實施方式】 相同形式或相同作用的元件在各圖式中以相同的參考 符號來表示。 第1圖中顯示本發明依據一種切面圖所製成的光電組 件的第一實施例。 光電組件1包含一種半導體功能區2,其配置在一載體 ^ 3上。該半導體功能區包含一種用來產生輻射或接收輻射 的活性區4 0 0且具有一種橫向的主延伸方向。 活性區例如可包含：一種異質結構，特別是雙異質結 構，一種單一-或多重-量子井結構或或一種pn-接面。 半導體功能區2(特別是其活性區400)例如包含多個半 導體層及/或以GaN或GaP爲主。若該半導體功能區以 GaP爲主，則該光電組件較佳是用來發出紅外線至黃綠光 之光譜區域的輻射，且若該半導體功能區以GaN爲主， 35 1317180 則該光電組件較佳是用來發出紫外線至綠光之光譜區域 的輻射。以GaN或GaP爲主之111-乂-半導體材料由於可 達成高的內部量子效率而特別適用於上述之光譜區域 中。例如，InGaN或InGaAlP例如特別適用於上述之光電 組件。 載體3較佳是包含一種適合作爲生長基板用的材料， 以便以磊晶方式製造該半導體功能區，或該載體較佳是 由一種適當的生長基板所構成，以製造該半導體功能 區。例如，GaAs或Ge特別適用於一以GaP爲主的半導 體功能區。就以GaN爲主之半導體功能區而言，例如， SiC或藍寶石特別適用於生長基板中。 活性區400具有一種形成空白區9的缺口，其完全貫穿 半導體功能區。在缺口之區域中配置一種連接用導電材 料8。該空白區在橫向中有利地完全由半導體功能區所圍 繞且因此在橫側中以半導體功能區爲邊界。 半導體功能區由封罩4所圍繞，封罩4較佳是可透過輻 射且例如包含矽樹脂，BCB，玻璃，旋塗氧化物（例如， AhCh)或漆。 在該半導體功能區2上（較佳是在半導體功能區之遠離 載體3的此側上）配置一種電流擴大層5。該電流擴大層 對由半導體功能區這方面所配置（特別是相鄰）的半導體 材料而言可有利地具有一種良好的電性接觸性。 又，電流擴大層在橫向中較佳是具有高的導電性’使 電流可容易地由半導體功能區之第一主面6均勻地注入 36 1317180 至半導體功能區中，特別是注入至活性區中。這樣對發 出輻射的組件特別有利。 此外’電流擴大層之特徵較佳是對該半導體功能區2 中即將產生之輻射或對即將由半導體功能區所接收的輻 射具有高的透過性。因此，電流擴大層在具有良好的電 性接觸性時同時亦可有利地使其中的輻射吸收性下降。 在本發明的一較佳的形式中，電流擴大層包含一種可 透過輻射的導電氧化物，特別是金屬氧化物，例如，一 種所謂 TCO (Transparent Conducting Oxide)。TCO -材料例 如包含氧化鋅（ZnO) ’氧化錫（SnO)，氧化銦錫（ITO)，氧 化鈦（TiO)或其它類似物。這些TC0-材料由於在橫向中較 高的導電性以及在廣的波長範圍中有較高的輻射透過性 而可良好地用作電流擴大層之材料。例如，ZnO特別適 合用來作爲對P-導電型之III-V-半導體材料之接觸用且 可對該材料形成一種歐姆接觸。爲了提高橫向中的導電 性，則電流擴大層例如可以一種金屬（例如，在使用ZnO 時是A1)來摻雜。就一種對n-導電型之半導體材料之接觸 而言，在SnO時以Sb來摻雜時特別適合。相對於可以單 石方式積體化於半導體功能區中的半導體材料而言，上 述之電流擴大層在橫向中具有一種高的導電性。因此， 一種積體化於半導體功能區中作爲電流擴大用的較厚的 半導體層即可省略。於是可容易地形成平坦的組件。 由半導體功能區之第一主面6觀看時，較佳是直接使 第一接觸層7配置在電流擴大層5之後且使該第一接觸 37 1317180 層7導電地與電流擴大層相連接。第—接觸層較佳是包 含一種金屬，例如’ Au，Al，Ti, Pt或含有這些材料中至 少一種的合金。 第一接觸層可有利地在俯視圖中以環形方式形成（請比 較第4e圖中的俯視圖）。在其中央區中該接觸層7導電性 地與該連接用導電材料8(其例如同樣含有一種金屬，例 如’ Sn)相連接。在製造此種光電組件時錫（Sn)特別有利， 特別是在製造一種連接用之導體（其由該連接用導電材 料8所形成）時特別有利（請參閱第4圖中之實施例的描 述）。 該連接用導電材料8在垂直向中經由半導體功能區2 中的活性區之缺口而由第一接觸區7經由電流擴大層5 之區域和半導體功能區2且亦經由載體3而延伸至載體 之面對該半導體功能區之此側。依據本實施例，該缺口 較佳是不只穿過半導體功能區且亦完全穿過該載體3。在 該載體之區域中，該缺口可有利地形成一種空白區，其 可特別有利地在橫向中完全以載體爲邊界。 半導體功能區2(特別是活性區400)藉由一種隔離材料 1〇(其例如含有SiN)以便在缺口之區域中在電性上與該導 電的連接用導電材料8相隔開。因此，在該組件發生— 種錯誤功能之操作時對該活性區400所造成之經由該連 接用導電材料8之不利的短路現象即可避免。空白區9 中完全以連接用導電材料8塡入且至少在該半導體功能 區中該空白區在電性上是與半導體功能區相隔開。該隔 38 1317180 離材料10較佳是完全鍤 全舖铺在半導體功能區（特別是活性 區）中的空白區之壁上》 該連接用導電材料8 叶s在該載體之遠離半導體功能區2 之此側上是與第一終端n增$ τ-栖1 1導電性地相連接。在第一終端 和載體之間配置另一隔離奸μ _ _離材料l〇a(其例如含有SiN)。該 另隔離材1 〇a料使第一終端在電性上與第二終端丨2相 Ifel開。第一終朗1 2配置在該載體之遠離半導體功能區2 之此側上。另一隔離材料丨〇a在橫向中所具有的範圍較 佳疋大於第一終端之範圍，以使終端丨丨和丨2發生短路 的危險性更小。 終端1 2導電性地與載體相連接，該載體較佳是具有導 電性’使半導體功能區可經由第一終端和第二終端而受 到電性上的控制。例如’第一及/或第二終端包含一種金 屬，例如，Au，Al, Ti, Pt。合金（特別是具有這些金屬中 之至少一種’例如’ AuGe)亦適合用來形成各終端。 上述光電組件之接觸是藉由半導體功能區且特別是藉 由活性區來達成，於是該隔離材料1 〇較佳是需足夠厚， 以便使活性區經由該連接用導電材料而發生短路的危險 性不會發生。該空白區較佳是整面以該隔離材料來舖襯。 該封罩4與該載體3—起形成該活性區或該半導體功能 區用的具有保護性的包封。 此處所示的光電組件1完全可在晶圓複合物中製成（請 比較第4圖所示實施例中類似組件製造時之圖解）。 半導體功能區例如以磊晶方式製造在一種生長基板（其 39 1317180 可製成該載體3)上且可在生長之後設有電流擴大層5。然 後形成一導體結構，其包括：形成該空白區9用之缺口， 該隔離材料，連接用導電材料以及第一接觸層。此時由 該半導體功能區之第一主面施加一種封罩材料（較佳是 處於液相中）至該半導體功能區和該載體上。該封罩材料 例如可以蒸鍍法或藉由旋塗法施加而成。由該半導體功 能區之第二主面13例如藉由蒸鍍或濺鍍而設置該隔離材 料1 0 a，第一終端1 1以及第二終端1 2。 上述之組件可以製成不同的大小。這些不同的大小亦 可對應於該組件之接觸結構之不同的尺寸且特別是可對 應於該缺口-或空白區9之尺寸。半導體功能區之橫向的 範圍例如可由10微米至數個100微米，大約是200微米， 300微米或400微米。該缺口-或空白區之橫向尺寸（大致 上等於直徑）是100 nm或數個100 nm至大約30微米或 50微米。藉由適當地調整該連接用導電材料之橫向尺寸 以及各空白區之數目（與圖式不同處是此時亦可設有多 個空白區），則該連接用導電材料可達成一種有效地接觸 該半導體功能區時所需的導電性或電流承載性。半導體 功能區-或該組件之接觸可經由各終端1 1和1 2來達成， 各終端11，12配置在半導體功能區之第二主面之二側。 該光電組件然後特別是以可表面安裝的方式而形成。例 如，各終端1 1，1 2可與電路板的導電軌相焊接。 因此，可有利地省略電性接觸區，電性接觸區藉由連 結線或複雜的類似措施來接觸該半導體功能區。結果， 40 1317180 可容易地形成很小的組件。 此外，該載體的至少一部份可省略，此乃因該封罩可 有利地對該半導體功能區具有一種機械性的穩定作用。 因此，該半導體層序列之載體層或半導體功能區之載體 在該組件製造時至少一部份-或完全可去除或被薄化。薄 化過程例如可藉由硏磨或蝕刻來達成。該組件之高度因 此可有利地下降。 上述組件之半導體功能區然後可由一種特別是能以磊 I►晶方式生長的層結構來形成。一種使半導體功能區穩定 所用的載體可省略。在極端情況下，該半導體功能區只 包含一種活性區400。 在該封罩中另外可配置一種發光材料，其形式大約是 一種發光微粒，其一部份可吸收由半導體功能區所產生 的輻射且發出一種波長較長的輻射。此二種輻射可以相 混合，以產生一種混合彩色光，特別是白光。若該組件 發出白光，則該半導體功能區較佳是以GaN爲主，其特 i > 別適合用來產生短波長之輻射，特別是藍色-或紫外線輻 射。發光材料較佳是以YAG-爲主之發光材料且例如將藍 色輻射之一部份轉換成黃色輻射。由藍色和黃色輻射成 份適當地混合而產生白光。 情況需要時發光材料可配置在半導體功能區上而成爲 發光材料層，其配置在封罩和半導體功能區之間。在此 種情況下該發光材料可有利地藉由靜電力而施加在半導 體功能區上。 41 1317180 第2圖係本發明依據一種切面圖所製成的光電組件的 第二實施例。 此處所不的組件基本上對應於第1圖中所示的組件。 與第1圖所示組件之不同點是：第2圖中另一隔離材料 1 0 b配置在電流擴大層5之後。該隔離材料層例如可包含 SiN且不只具有隔離性且亦具有保護性地作用在半導體 功能區2上且特別是作用在其活性區上。該隔離材料i〇b 亦可有利地配置在半導體功能區2之側面上且可特別有 利地在垂直方向中由半導體功能區2之第一主面6延伸 至第二主面1 3。保護該活性區不受外部的損害性物件所 影響，此種保護性可藉由另一隔離層或保護層而大大地 提高。該組件之電性上的接觸就像第1圖中的組件一樣 是由半導體功能區2之第一主面6經由第一接觸材料7 來達成，第一接觸材料7是與該連接用導電材料8導電 性地相連接。 此外’該保護層保護著半導體功能區之側面且較佳是 配置在半導體功能區上。又，該保護層10b可配置在載 體3上。 在封罩4和半導體功能區之間，特別是保護層和封罩 之間，可配置一個或多個抗反射層，其以λ /4-層構成。 特別是該保護層可構成該抗反射層。因此，在邊界面上 由折射率跳躍所造成的反射損耗可有利地下降。 該連接用導電材料8導電性地與第一終端1 1相連接， 第一終端11藉由該隔離材料1〇&由載體之面對該半導體 42 1317180 功能區之主面方向而在電性上與第二終端1 2相隔開。在 各終端11和12之遠離該載體之此側上分別配置第一焊 接層14和第二焊接層15。這些焊接層例如包含A uGe且 較佳是導電性地與各別的終端相連接。經由這些焊接 層，則各終端1 1和1 2例如可容易地藉由焊劑而與外部 的各終端（例如，電路板的導電軌）-或類似的外部導電裝 置相連接。 此外，與第1圖之實施例不同之處是：第2圖中所示的 光電組件設有一種包封16。該包封包含一種視窗17，其 由半導體功能區之第一主面觀看時配置在該封罩4之 後，該封罩4至少一部份包封著該半導體功能區或該半 導體功能區埋置在該封罩4中。此外，該包封16圍繞著 一種包封元件18，其在載體方向中配置在該封罩4之後 或配置在半導體功能區之面對第一主面之此側上，該包 封元件1 8較佳是由其遠離半導體功能區2之此側例如以 鉗形方式抓握在該載體3的周圍。該包封元件1 8特別是 在半導體功能區2之第二主面13之區域中鄰接於該封罩 4。該包封16可圍繞該封罩4和該包封元件18且情況需 要時可圍繞該視窗17。該包封1 6可有利地形成在晶圓複 合物中。 第2圖中在封罩4 -和該包封元件18之區域中之虛線界 定了該包封之不同部份之間的邊界區。該封罩4和包封 元件1 8可有利地形成一種對外部之影響具有密閉性之包 封。該包封元件之材料可有利地在製程可能性的範圍中 43 1317180 任意地選取且特別是能以輻射可透過的方式來形成，此 乃因在該包封元件1 8之區域中只有在小的範圍中一種由 半導體功能區所接收的輻射或產生在半導體功能區中的 輻射會入射至該包封上。視窗17和封罩4較佳是以可透 過此種輻射的方式而形成，以便有利地提高該組件的效 率 〇 視窗1 7例如可包含玻璃’玻璃板的一部份或基本上可 包含一種與封罩相同的材料。在最後一種情況中該封罩4 和該視窗1 7可有利地在一種步驟中形成。特別是該封罩 和視窗可以單件之形式形成在一種共同之結構中。在此 種情況下該視窗和該封罩之間的虛線是一種假想線。但 若該視窗和該封罩以二部份形成，則該虛線表示此二元 件之間的邊界區。 本實施例中一種光學元件19形成在該視窗17中。該光 學元件可有利地設在晶圓複合物中。因此，視窗材料可 以適當的方式而被結構化。在該視窗和該封罩以單件方 式而形成時，該封罩特別是可對應於光學元件的形成而 製成。視窗之結構化例如可藉由蝕刻過程或光學元件之 結構之壓印（E i n s t e m p e 1 η)而以情況需要時在施加完成後 在可塑性上仍是可變形的視窗材料來達成。本實施例中 該光學元件依據透鏡的形式而以彎曲形式來形成且因此 可有利地使光電組件之效率提高。此外，設有一種散射 元件以使輻射均勻地分佈。該散射元件例如藉由一種散 射結構（其使視窗被結構化）或散射微粒（其配置在視窗- 44 1317180 及/或封罩中）來製成。光學元件情況需要時亦能以環帶透 鏡（Fresnel lens)來形成。 在該焊接層1 4，1 5與外部的導體相連接時，在焊接過 程中焊劑通常會受到高的溫度，使焊劑的至少一部份軟 化。在焊接過程中在至該包封元件的邊界區域中該焊劑 可有利地與包封元件之材料相連接，使光電組件之該包 封1 6可更廣泛地被密封。 較佳對該包封1 6的一些部份（特別是包封元件1 8和封 罩4)進行設計，使這些部份對焊接中所產生的溫度至少 可維持一段時間（其等於焊接過程的時間）且較佳是不會 變形。 視窗17可與封罩4 一起形成或例如黏合在封罩上。在 第二種情況中該封罩較佳是具有一種黏合促進的作用， 因此在視窗和封罩之間即不需另一黏合層。這樣會由於 邊界面之數目較少而使輻射進入半導體功能區中時或由 半導體功能區中射出時較有利。 若該視窗17藉由黏合而配置在封罩4上，則該封罩較 佳是含有矽樹脂或BCB，其對該封罩和視窗材料具有一 種黏合促進作用。視窗包含一種玻璃或由玻璃板製成 時’則矽樹脂或BCB特別適用於視窗中。 發光材料（特別是用來產生一種混合彩色光）較佳是儘 可能靠近活性區而配置在封罩4中。特別是該封罩材料 可作爲發光微粒用的載體原質（matrix)，發光微粒因此可 與封罩的材料一起施加在半導體功能區上。由於能量足 45 1317180 夠的短波長輻射所造成的封罩或視窗劣化的危險性可藉 由靠近半導體功能區上之波長轉換而減低。 與第1，2圖不同的是：在半導體功能區之面對該載體 的此側上可配置一種鏡面層，例如，一種特別是以單石 _ 方式積體化於半導體功能區中的佈拉格鏡面或一種含有 金屬的鏡面層，特別是金屬鏡面層，這些金屬例如可爲 Au，Al, Pt或合金（其具有這些金屬中之至少一種，例如， AuGe)。在金屬鏡面層之情況下，載體3較佳是與半導體 I 層序列之生長基板不同，半導體功能區較佳是藉由半導 體層序列而形成在晶圓複合物中。在施加鏡面層於半導 體功能區-或半導體層序列之遠離該生長基板的此側上 之後將該生長基板剝除。在該生長基板剝除之前，半導 體功能區或半導體層序列特別是由鏡面層此方向而固定 -或配置在載體層上，在劃分時由載體層而形成薄膜組件 之載體3。該載體3因此特別是與生長基板不同。 第1圖之實施例之一種相對應的不同形式以切面圖的 B 形式顯示在第7圖中。在半導體功能區2和該與生長基 板不同的載體3之間配置一種含有金屬的鏡面層22，其 例如含有Au或Ag。在鏡面層和載體3之間較佳是配置 著一種連接層25(例如，焊接層），藉此可使半導體功能 區在機械上穩定地固定在載體上。該空白區9形成時之 缺口特別是貫穿半導體功能區2，鏡面層22和該連接層 25。 又，與第2圖不同的是：本實施形式中該載體3可省略。 46 1317180 特別是當該封罩及/或視窗層在機械上使半導體功能區2 較佳是完全穩定時，則載體可被薄化或特別是被完全去 除，此時基本上該半導體功能區受損的危險性不會提 高。於是可容易地形成薄的光電組件。若省略該半導體 功能區之載體，則該包封元件1 8可由半導體功能區之第 二主面1 3而平坦地延伸或該包封元件可形成一種平坦的 層。 第2圖之實施例之一種相對應的不同形式以切面圖的 I 形式顯示在第8圖中。與第2圖中所示的實施例不同的 是：第8圖之實施例中該組件1未具備該半導體功能區2 之載體。半導體功能區因此可形成一種以單石式積體化 而成的可磊晶的半導體層結構。該組件的整個半導體元 件特別是可以單石方式積體化而成。該包封元件18直接 鄰接於半導體功能區2之第二主面。此外，該包封元件 18鄰接於該封罩4。 如第2圖或第7，8圖中所示的光電組件可包含該包封 > 而完全在晶圓複合物中製成。 第3圖是本發明依據一種切面圖所製成的光電組件的 另一實施例。 本實施例中該光電組件1形成所謂薄膜組件。如上所 述，薄膜組件之意義是：製程中一種半導體層序列（其形 成半導體功能區2)之生長基板可被去除。該生長基板例 如可經由一種雷射燒蝕-或雷射劃分法，蝕刻或機械方法 而被去除。在該生長基板去除之前或之後，該半導體層 47 1317180 序列或半導體功能區較佳是設有一種特別是含有金屬的 鏡面層。該鏡面層可改良光電組件的的效率。例如’該 鏡面層可使半導體功能區中所產生的輻射在一種配置在 該鏡面層的面對該半導體功能區的此側上的結構（例 如，一種電路板）中的吸收率下降。 第3圖中顯示一薄膜組件，其整體上可製造在晶圓複 合物中。 光電組件1之半導體功能區2顯示一活性區400和一橫 向的主延伸方向，其中該半導體功能區具有一種與活性 區相鄰接的橫向側面26且一種連接用導電材料8在橫向 中配置在該側面之後，該連接用導電材料8至少在該側 面26之一部份區域中在電性上與該活性區400相隔離。 特別是該側面2 6能以平坦方式構成，即，其在橫向中無 凹口。 該連接用導電材料8在半導體功能區之橫向中在側面 之區域中藉由該隔離材料1〇(其較佳是直接鄰接於該側 面26)而與活性區400相隔開。該連接用導電材料特別是 藉由該隔離材料而在橫向中與該側面相隔開。整體而 言’活性區經由該連接用導電材料所造成的短路之危險 性至少可大大地下降。 該側面26可有利地經由其全部之垂直範圍來限制該半 導體功能區。此外，該半導體功能區2或該活性區4〇〇 可在所有側面都以上述方式所形成的側面爲邊界。特別 是半導體功能區2或活性區400可在橫向中以多個側面 48 1317180 爲邊界。 電流擴大層5由第一主面6之方向而配置在以GaN或 GaP爲主之半導體功能區2之後。電流擴大層5例如可包 含一種TCO-材料（例如，Zn0)或包含一種適當的ni-V-半 導體材料。但由於ΠΙ_ν_半導體材料（特別是能以磊晶方 式而與半導體功能區一起製成者）通常在橫向中具有一 種較小的導電性，則TCO-材料較佳。 半導體功能區2由其第一主面6經由電流擴大層5而導 > 電性地與該連接用導電材料8相連接。該連接用導電材 料因此在垂直方向中由半導體功能區之第一主面延伸至 第二主面13。 一種鏡面層22由半導體功能區之第二主面之方向而配 置在半導體功能區之後。該鏡面層較佳是包含一種金 屬’例如’ Ti, Au，Al，Ag, Pt或合金（其具有這些金屬中 之至少一種’例如，AuGe)。鏡面層22較佳是對一種由 光電組件所產生-或所接收的輻射具有反射性且因此可 > 有利地提高該組件的效率。鏡面層特別是可直接配置在 半導體功能區上。 若該光電組件例如形成反射器，則在操作該組件時在 半導體功能區之活性區中會產生輻射。由活性區在該鏡 面之方向中所發出的輻射由鏡面層反射至半導體功能區 2之第一主面6之方向中且可經由電流擴大層5，封罩4 且情況需要時經由一·配置在封罩之後之視窗17而離開該 組件。經由鏡面層2 2可有利地使該組件由第二主面之方 49 1317180 向中所發出的輻射成份大大地減少，由半導體功能區觀 看時配置在鏡面層之後的各結構（例如，電路板）中的吸收 性因此至少可大大地下降。 鏡面層22在其遠離半導體功能區之此側上導電性地與 焊接層15相連接。該連接用導電材料8由半導體功能區 2之第二主面13之方向而與另一焊接層14導電性地相連 接。在焊接層1 4和焊接層1 5之間的中間區中配置另— 隔離材料10b(其例如含有SiN) ’其可使光電組件之由焊 接層所形成的電性終端發生短路的危險性下降。可經由 該連接用導電材料和鏡面層，各終端或焊接層而由外部 來對該半導體功能區作電性上的接觸。 所示的光電組件之半導體功能區具有一種密封式的包 封。該半導體功能區在全部的側面上都由保護材料（例 如’該隔離材料）以層1 0，1 0 a，1 0 b之形式所包圍，該保 護材料較佳是亦可用作一種鈍化層或保護層。只有在電 性接觸區中該保護用的結構才會中斷。在焊接各終端 時’各焊接層較佳是與該隔離材料相連接且因此可有利 地更加提局#該半導體功能區之保護功能。該隔離材料 例如可與焊接層相融合。 此外’半導體功能區至少一部份是由該封罩4所圍繞 或埋置在封罩中’該封罩可更加提高對該半導體功能區 之保護功能，追特別適用於該光電組件的一側，該側是 安裝在電路板上之後由半導體功能區觀看時面對該電路 板且因此可在較大的範圍中受到外部之損害性物件所影 50 1317180 響。 該封罩4可透過一種由半導體功·能區所產生-或所接收 的輻射且例如可包含一種砂樹脂或BCB，其中政樹脂之 特徵是對短波長（特別是紫外線）之輻射具有特別有利之 持久性’或該封罩4包含一種與上述材料不同的封罩材 料，其可藉由蒸鍍或旋塗法施加而成。配置在該封罩之 後的視窗1 7例如可以是玻璃板的一部份，該玻璃板藉由 黏合連接法例如同樣可經由矽樹脂或矽氧烷而連接在封 > 罩材料上。但該封罩4和視窗1 7亦可由相同的材料所製 成且特別是以單件方式而形成’這在圖中由虛線來表示 (請比較一種與第2圖之實施例相對應的形式）。 焊接層14和連接用導電材料8之間所配置的層22a例 如含有一種與鏡面層相同的材料，這在晶圓複合物中製 造該組件時是有利的。因此，於施加各焊接層和鏡面層 時’特別是可使用相同的光罩結構。特別有利的是該鏡 面層和各焊接層可包含相同的材料，例如，AuGe。 與第3圖不同的是：該光電組件亦可包含另一包封元 件’其由第二主面的方向大約對應於第2圖中所示的包 封元件1 8而設置著。此種包封元件可有利地使半導體功 能區相對於有損害性的外部影響所得到的保護性更加提 筒。 第3圖中在電流擴大層5和半導體功能區2之間所顯示 的步級就像半導體功能區之邊緣側的斜面一樣可使該隔 離材料10施加時更容易。該隔離材料中發生斷開的危險 51 1317180 性（其可發生在陡峭的邊緣上）以及因此而發生短路的危 險性可藉由適當形成的步級或斜面以及以隔離材料i 〇或 其它材料（大約是該連接用導電材料8)來描述的結構而 有利地下降。 視窗17及/或封罩4較佳是對該半導體功能區具有上述 之穩定作用，使得在製造該組件時一種在晶圓複合物中 由第二主面之方向所配置的載體層（例如，半導體層序列 之生長基板）可完全被去除且隨後可將該鏡面層22施加 在第二主面13上。 第4圖顯示本發明中依據各種不同的視圖所顯示的中 間步驟來製造光電組件時所用的方法的一種實施例，其 顯示出製造一種類似於第2圖所示的組件時的各步驟。 首先，在一種載體層300(如第4a圖所示）上製備一種半 導體層序列200，其包含一種橫向的主延伸方向和一種產 生輻射及/或接收輻射所用的活性區400。載體層300例 如藉由一種生長基板來設定，該生長基板上以磊晶方式 生長該半導體層序列200。例如，該半導體層序列以至少 一種III-V-半導體材料系統爲主。在半導體層序列以GaP 或GaAs爲主時，該生長基板例如可包含GaAs ’在半導 體層序列以GaN爲主時，該生長基板例如可包含SiC或 藍寶石。 然後，對上述方式所製成的晶圓複合物或晶圓複合物 之半導體層序列進行結構化，以形成多個半導體功能區 2，其配置在共同的載體層3 00上且藉由中間區20而互 52

1317180 相隔開（第4b圖）。各中間區20例如在載體層的 形成一種十字形柵格形式的圖樣。 半導體層序列200結構化成半導體功能區2， 藉由微影術之結構化方法以及與蝕刻方法，雷 方法或其它習知的結構化方法（例如，切鋸）的 成。 例如，首先在半導體層序列之遠離載體層之It丨 加一種光阻層，該光阻層隨後藉由一種對應於今 能區之已設置的配置之光罩結構而被曝光且顯儒 阻層藉由顯像而由半導體層序列去除時的區域弓 體層序列可藉由濕式-或乾式蝕刻而由面對載i 側被結構化。在半導體層序列被結構化成多個与 能區之後，可去除該光阻材料。 第4b圖中以切面圖來顯示各個半導體功能區 由中間區20而互相隔開且配置在載體層300上丨 區20亦可與第4b圖不同的方式而延伸至載體層 然後，在半導體功能區上施加一種電流擴大層 如包含ZnO, Sn〇2或SnO(第4c圖）。Zn〇可以A1 Sn〇2或SnO可以Sb來摻雜以提高導電性。電流 可藉由光罩結構（其是一種在施加該電流擴大周 即將去除的光阻遮罩）而被結構化以施加在半_ 區上。 另一方式是在半導體層序列結構化成半導體I; 前較佳是以整面方式將電流擴大層5施加在半表 〖視圖上 [例如可 I結構化 L合來達 :側上施 t導體功 t。在光 ]，半導 ί層的此 t導體功 2，其藉 >各中間 300 中。 5，其例 來摻雜， 擴大層5 『之後又 $體功能 b能區之 事體層序 53

1317180 列200之遠離載體層300之此側上。在此種 利地在一個步驟中特別是使用一種共用的光 導體層序列和電流擴大層進行所需的結構化 電流擴大層較佳是藉由蒸鍍，特別是濺鍍 半導體功能區或半導體層序列上。 半導體功能區2可有利地以幾乎是整面之 擴大層所覆蓋。在半導體功能區之邊緣上可 同的方式而在半導體功能區和電流擴大層 級，這樣可使隨後之製程中即將配置在半導 邊緣區中的元件受到損傷（可能是由於裂痕 險性下降。此外，爲了達到不會受損的目的 能區或電流擴大層具有一種特別是在邊緣側 在施加電流擴大層之後，對具有半導體功 擴大層之結構進行結構化，以形成一種經由 口，該缺口形成空白區9。該空白區9經由1 和半導體功能區2而到達載體層。 情況需要時電流擴大層在結構化之前施加 能區上或半導體層序列上，或在該施加過秸 地預先進行結構化。特別是該空白區在電涝 具有的橫向尺寸較該半導體功能區中隨後i 電流擴大層的區域所產生的空白區的橫向尺 半導體功能區2中及/或電流擴大層5中邸 如可藉由遮罩過程或隨後之蝕刻過程或其它 化方法而形成。 情況下可有 罩來對各半 〇 ，而施加在 方式由電流 與第4圖不 之間形成步 :ϋ 肯 I Έ β 所造成）的危 ，半導體功 的斜面。 能區和電流 I活性區的缺 i流擴大層5 丨在半導體功 [之後相對應 [擴大層中所 ί由已空出的 寸還大。 J空白區9例 :適當的結構 54 1317180 在空白區9結構化之前或之後，在電流擴大層5之遠離 半導體功能區2之此側上施加第一接觸層7，其例如含有 一種金屬（例如，Ti, Pt或Au)。此種施加過程例如可藉由 濺鍍或蒸鍍（特別是使用一種相對應而形成的光罩）來達 成。第一接觸層施加時較佳是對應於該空白區9而被結 構化或在其施加過程之後相對應地被結構化。在第二種 情況下該接觸層之結構化較佳是在一步驟中形成該空白 區9，特別是使用一種共用的光罩。 爲了在電流擴大層5和第一接觸層7之間使接觸面擴 大，則在該空白區中可有利地在電流擴大層和半導體功 能區之間形成一種步級。第一接觸區可以一種與第4c圖 不同的方式在電流擴大層的步級上沿著電流擴大層之遠 離半導體功能區之此側上在垂直方向中延伸至半導體功 能區。特別是該空白區之壁在電流擴大層中可以第一接 觸層之材料來舖襯。以此種方式可使電流擴大層和接觸 層之間的接觸面更加擴大，此時活性區之由接觸層所遮 蔽之區域不會增大。第一接觸層中由於輻射之吸收所造 成的吸收性損耗相對於相同面積的接觸層（其完全配置 在電流擴大層之遠離半導體功能區之此側上）而言可下 降。 所形成的結構具有：載體層300,配置在載體層上的半 導體功能區2，配置在半導體功能區上的電流擴大層5 以及第一接觸層7(其例如以環形方式圍繞該空白區）。該 結構依據切面圖而顯示在第4c圖中。 55 1317180 然後，該空白區9(其形成該經由活性區400之缺口）在 半導體功能區中繼續在垂直方向中深入至載體層中，這 例如又可藉由遮罩過程或蝕刻過程而達成。由此而造成 之結構顯示在第4d圖中。但較佳是在半導體功能區中及 電流擴大層中形成該空白區的同時使該空白區朝向該載 體層而被結構化，使第4c圖中所示的空白區9可延伸至 載體層中。 第4e圖中顯示第4d圖之結構的俯視圖，以電流擴大層 5來覆蓋的各個半導體功能區3基本上以正方形來形成 且藉由中間區2 0所形成的相連的網格而互相隔開。本實 施例中各空白區9在半導體功能區中以圓形方式配置在 各別的半導體功能區之角隅區域中。 在空白區9之周圍配置第一接觸層7,其可有利地圍繞 該空白區。各空白區配置在半導體功能區之角隅區域中 時可有利地使稍後所形成的光電組件之效率提高，此乃 因該活性區之在半導體功能區之中央區中的中央面（其 對輻射產生和輻射接收而言通常都具有一種特別高的量 子效率）可有利地未具備該接觸層7且因此未由該接觸層 所覆蓋。在此種高效率的中央區中由金屬接觸層所造成 的吸收性於是可廣泛地避免。 空白區9之橫向的尺寸（大致上是直徑或邊長）例如可 由100 nm至大約1〇〇 //m。一種半導體功能區中亦可設 有多個空白區。橫向的尺寸可依據稍後所形成的光電組 件或半導體功能區之形式和大小而在製程的範圍中針對 56

1317180 各別的需求來調整。 然後’在第4d圖所示的結構上施加一種 其例如含有氮化矽（例如，S i N)。該隔離材 地施加在第4d圖所不的結構上。一種蒸鍍 或PECVD)適合用來施加該隔離材料。 該隔離材料至少在”該空白區之壁是由半 形成”的區域中舖親著該空白區之壁。該隔 空白區的壁上’這可容易地藉由空白區之 壁或已傾斜的壁來達成。 然後’該隔離材料例如藉由一種微影術 結合而被結構化，使第一接觸層7至少在 未具備該隔離材料1 0。情況需要時此種結 回（back)濺鍍法來達成。此外，該隔離材料 的光罩相對應地被結構化而施加在第4d ί 的結構上。 由上述方式所得到的結構依據切面圖而 中。由於該隔離材料在其遠離載體層的此 部份覆蓋者第一接觸層，則在該隔離材料 已結構化地施加完成時存在著”活性區在与 中未具備該隔離材料”之危險性會下降。塞 區經由隨後即將施加至空白區9中的連握 而發生短路的危險性會下降。 該連接用導電材料8例如包含一種金月 較佳是施加在空白區9中，使基本上完3 隔離材料1 0， 料例如可整面 法（例如，濺鍍 導體功能區所 離材料施加在 相對應的傾斜 和蝕刻方法的 一部份區域中 構化亦可藉由 亦可藉由適當 釔4e圖中所示 顯示在第4f圖 側上仍然有一 被結構化時或 導體功能區2 體而言，活性 用導電材料8 ;(特別是錫）且 以該連接用導 57 1317180 電材料8塡入至空白區中。含錫的材料（特別是錫）特別適 合用作連接用導電材料，此乃因此種材料特別是在空白 區之橫向尺寸較小時由於毛細（capillary)力量而會，，向內 拉入”至空白區中及/或可完全塡入空白區中。 該連接用導電材料可藉由電鍍塡充，由氣相所造成的 填充或將一種焊劑導入至空白區中等多種方式施加而 成。此外’藉由邊緣之適當的造型，即，藉由空白區之 邊緣之由於濕式-或乾式化學蝕刻所產生的變形（特別是 圓形化）’則可容易地使一種液態的連接用導電材料（特別 是錫）被向內拉入至空白區中。 該連接用導電材料較佳是配置在垂直方向中，使其由 半導體功能區的具有第一接觸層之此側經由半導體功能 區之活性而延伸。但特別有利的是該連接用導電材料向 內配置至空白區中直至載體層爲止。例如，該連接用導 電材料塡入該空白區中。在第一接觸層（其未具備該隔離 材料10)之區域中，該連接用導電材料導電性地與第一接 觸層相連接。 由上述方式所得到的結構依據切面圖而顯示在第4g圖 中。半導體功能區2經由第一接觸層7由第一主面6而 導電性地與該連接用導電材料8相連接。該隔離材料1〇 以層的形式使半導體功能區2-或電流擴大層5在一部份 區域中改變形式且特別是在半導體功能區之邊緣區中在 垂直方向中另外形成一種對該半導體功能區有利的保護 層或鈍化層。此外，該隔離材料相對於活性區和該連接 58 1317180 用導電材料而言是以電性隔離的方式而形成且因此可有 利地在該組件稍後的操作中使活性區經由該連接用導電 材料而發生短路的現象不會發生。 在下一步驟中，由半導體功能區之面對載體層之此側 而（較佳是在整面上）施加一種封罩4，其至少一部份包封 著半導體功能區且特別是可配置在二個半導體功能區之 間的中間區20中（第4h圖）。該封罩例如可藉由旋塗，蒸 鍍’濺鍍施加而成。例如，藉由旋塗時可設有一種含有 BCB之封罩4。 該封罩較佳是以液相及/或可變形之可塑相（phase)施加 而成且隨後轉換成機械穩定的固相，這例如可藉由溫度 之提高及封罩材料之硬化或即時硬化來達成，且較佳是 在對該半導體功能區不會造成損傷時之溫度中進行。此 種溫度較佳是小於300°C，特別是小於200°C。 由半導體功能區觀看時一種視窗層170配置於該封罩 之後。該視窗層較佳是像該封罩4 一樣可透過由該半導 體功能區所產生-或所接收的輻射且該視窗層另外的特 徵是有利地具有高的機械穩定性。視窗層1 7 0因此同樣 可與該封罩4 一起作用以形成載體層3 00上該半導體功 能區用的穩定層。該封罩4和視窗層1 70可有利地由相 同材料所形成及/或以單件方式而形成，因此不需另外施 加一種穩定用的層。反之，在此種情況下該封罩可形成 穩定層和視窗層。 一種可透過輻射的漆（其是一種含有氧化鋁的漆）藉由 59 1317180 離心分離法施加而成且隨後即進行即時硬化。此種漆由 於高的輻射可透過性和高的機械穩定性而特別適用於此 處。情況需要時以單件方式來形成該穩定用的視窗層和 封罩，這在第4h圖中以虛線來表示。 但亦可設有一種各別的視窗層1 70，例如，玻璃板，其 較佳是機械穩定地與該封罩相連接。這例如可藉由一種 黏合連接區來達成，其可特別有利地藉由一種對該視窗 層具有黏合促進作用的封罩4來形成，因此即不需另一 黏合促進層。此種黏合促進用的封罩例如可包含一種矽 樹脂或BCB。 上述的穩定層（其由封罩及/或視窗層所形成）可有利地 使整個晶圓複合物（其包含半導體功能區和載體層）穩 定，因此在機械上使半導體功能區穩定所用的載體層即 不需要，且該穩定層至少一部份可被去除或被薄化。 特別有利的是該穩定層具有一種穩定用的功能，使整 個載體層可被去除。因此’可容易地製造很薄的光電組 件。 第4h圖是一種具有很薄的載體層300的結構的切面 圖。該封罩和該視窗層之穩定功能藉由該結構已相對於 第4g圖旋轉180°後的方向來表示。載體層較佳是至少須 被薄化，使該連接用導電材料在空白區9中可由半導體 功能區2之第二主面13之方向來作電性上的接觸。載體 Μ的薄化或完全去除例如可藉由硏磨或其它機械式或化 學式的結構化方法（例如’蝕刻）來達成。 60 1317180 第4h圖中所示的結構然後由半導體功能區之第二主@ 13之方向而被結構化，使載體層300及/或該隔離材料1〇 在中間區20中被去除（第4i圖）。這例如可藉由遮罩和倉虫 刻來達成。較佳是使結構化過程進行到至少該封罩彳％ 材料上或材料中，此時載體層以區域方式而完全 除。載體層已去除的區域較佳是完全圍繞該半導體功能 區。 在上述之結構化之前或之後由半導體功能區之第二主 面13的此側來設置一種隔離層l〇a，由半導體功能區觀 看時第一終端11配置在該隔離層l〇a之後，第一終端u 藉由該隔離層10a而與載體層完全去除時同樣由第二主 面而施加在載體層上或半導體功能區上的第二終端12在 電性上相隔離。半導體功能區2經由連接用導電材料8 和電流擴大層5而由第一主面6導電性地與第一終端i j 相連接’半導體功能區之第二主面13同樣經由載體3(其 來自已結構化的載體層）而導電性地與第二終端1 2相連 接。 由半導體功能區之第二主面13之方向而在第二主面13 上設有一種包封材料180。較佳是對該包封材料進行配 置’使其直接與該封罩材料4相接觸。例如，該包封材 料可被離心分離且情況需要時隨後進行即時硬化。 在接觸該光電組件用的終端Π和1 2之區域中，首先， 較佳是以整面方式施加而成的包封材料設有一種結構， 其允許該焊接層1 4和1 5施加在各終端上。例如，該包 61 l3l7i8〇 封材料以區域方式經由各終端11或12而去除或空出。 該包封元件可有利地以光結構化.方式來製成，因此另一 光阻層即可省略。焊接層14，15(其例如含有AuGe)較佳 是與終端11和12導電性地相連接及/或可藉由蒸鍍或電 鍍過程而產生。 由上述方式所製成的結構之切面圖顯示在第4i圖中。 若沿著第4i圖中的虛線2 1而例如在箔上進行劃分，則會 形成一種組件，其完全在晶圓位準上製成，且可由主面 進行連接以及具有一種對該活性區之包封性。特別是該 組件能以可表面安裝的方式而製成。 藉由該穩定層，特別是藉由該封罩，情況需要時藉由 視窗層和該包封元件來進行劃分。在上述的元件中由於 劃分作用而形成多個隔離痕跡（例如，切鋸痕跡）。 一種光電組件，例如，一種對應於第2圖所示之組件 的透鏡或一種可使光射入性-或射出性提高的微結構，例 如可藉由微影術（例如，蝕刻或壓印）而在晶圓複合物中形 成在視窗層170中。 須指出：一種可使晶圓複合物穩定的穩定層亦可多次 地使用。第一穩定層（其較佳是以可由光來進行結構化之 方式而形成）可在施加第二穩定層之後去除且情況需要 時在第二穩定層即時硬化之後去除。適當之方式是使第 一穩定層在第二穩定層即時硬化之後去除且第二穩定層 配置在半導體功能區之面對第一穩定層之此側上。 依據上述實施例所設計的方法當然不是對本實施例的 62 1317180 一種限制。 此外’依據第4a圖一種特別是含有金屬的鏡面層施加 在半導體層序列之遠離載體層300之此側上且隨後該半 導體層序列由鏡面層之方向而配置-及/或固定在一種附 加載體層上，這可藉由黏合或晶圓鍵結方法來達成。該 載體層此時可去除，使該附加載體層和半導體層序列之 間可配置一種鏡面層。該附加載體層及/或鏡面層可對應 於第4圖之載體層而在下一步驟中被加工。半導體層序 列的生長基板（其可由載體層所圍繞）此時可有利地被剝 除（請比較第7圖中所示的實施例，其中該載體3依據上 述方式在劃分時由該附加載體層所產生）。 此外，依據本方法亦可製成一種具有多個光電組件的 裝置。 第5圖以切面圖顯示本發明的裝置的一種實施例。 橫向中相鄰配置的（例如）三個光電組件1的終端11和 1 2分別導電性地與外部終端2 3和2 4相連接。光電組件 之配置對應於晶圓複合物中半導體功能區2之配置。所 示的裝置藉由該由單件之連續式封罩4及/或該包封元件 18所形成的包封16而在機械上獲得穩定且受到保護而不 受有害性的外部所影響。當第4i圖所示的結構被劃分， 使所形成的光電組件或裝置包含多個半導體功能區（其 特別是以平面方式配置成陣列）時’上述的裝置可由第4i 圖所示的結構來形成。第5圖中爲了清楚之故而未顯示 半導體功能區之活性區。 63 1317180 在上述的方式中，在適當地形成該封罩4以作爲穩定 層或形成另一穩定層（可以是視窗層）時亦可省略半導體 功能區之載體3。 若該包封元件足夠薄’則可'容易地形成筒功率組件或 形成一種高功率組件的陣列’此乃因操作時所產生的熱 損耗之排除可經由該包封元件而獲得改良’熱量通常是 排出至一種外部之吸熱件’其上可配置-及/或固定著該高 功率組件。該高功率組件例如可以一種雷射或高功率電 致發光二極體來形成。 外部之各終端導電性地連接各別的半導體功能區且情 況需要時可藉由石版術（特別是微影術）而積體化於第5 圖所示的複合物中，特別是積體化於該包封元件中，於 是可簡易地達成一種小而緊密（compact)的裝置。例如， 該包封元件之遠離半導體功能區之表面可相對應地被結 構化且外部之各終端可配置在已形成的結構中而成爲金 屬化之層。此種金屬化例如可藉由電鍍過程來達成。 此外，多個裝置或一個裝置可導電性地與一個或多個 各別的光電組件相連接。該裝置和組件情況需要時可一 起驅動。 第3圖中所示的一種光電組件可依據本方法（其相對於 第4圖中所示的方法而言可容易地改變）而製成。該連接 用導電材料和該隔離材料在第4b圖之中間區20中例如 配置在經由活性區之缺口之區域中。 年1導體功能區之邊緣區較佳是相對應地形成步級或成 64 1317180 傾斜狀，以便容易地配置該隔離材料及/或該連接用導電 材料。載體層由穩定層所保持著的結構中較佳是完全去 除，使隨後可由第二主面的方向施加一種含有金屬的鏡 面層（特別是金屬層）至半導體功能區上。 光電組件之一種製造方法的相對應的實施例依據第6a 至6e圖中所示的中間步驟而顯示在第6圖中。 首先，如第6a圖的切面圖所示，製備一種晶圓複合物， 其具有一種配置在該載體層3 00上的半導體層序列200, > 該半導體層序列200包含一種可用來產生輻射或接收輻 射的活性區400。該載體層例如可藉由該生長基板來設 定，半導體層序列以磊晶方式生長在該生長基板上。 然後，該半導體層序列200藉由微影過程與蝕刻過程的 結合而被結構化成多個在空間中由中間區20所隔開的半 導體功能區2(請比較第6b圖）。因此，形成多個在橫向 區中鄰接於半導體功能區之活性區之側面26。第6圖中 爲了清楚之故只顯示一種各別的半導體功能區2。 > 在半導體功能區2上或在仍未結構化的半導體層序列 200上施加一種電流擴大層5(第6b圖），其含有ZnO:A卜 此時濺鍍法特別適用。若該電流擴大層施加在未結構化 的半導體層序列上，則該電流擴大層可依據半導體功能 區之所期望的結構而以結構化方式施加而成或在整面上 以未結化的方式施加而成。第二種情況中情況需要時可 使用一種共同的光罩在一個步驟中使半導體層序列結構 化成半導體功能區和電流擴大層。 65 131718〇 須指出：電流擴大層未必含有TCO-材料，其在情況需 要時亦可另外設有一種含有金屬（特別是只有金屬）及/或 具有吸收性的電流擴大結構’其可均勻地使電流施加至 活性區中。”均句地施加電流”可藉由適當地形成電流擴 大結構來達成’該電流擴大結構具有多個由金屬中央區 向外延伸的金屬手指及/或一種金屬框架結構，其較佳是 兀全圍繞該半導體功能區之邊緣區。該電流擴大結構較 佳是未完全覆蓋該半導體功能區之遠離該載體層的表 面’使該半導體功能區之表面（特別是第一主面6)的至少 一部份區域不具備該電流擴大結構。因此，在該輻射適 當地被吸收至活性區之由該結構所覆蓋-或遮蔽之區域 中且在該輻射完全穿透至半導體功能區之表面的不具備 該結構之區域中時，可使電流均勻地施加至半導體功能 區中。 然後，一種隔離材料1〇(可爲氮化矽，氧化矽或氮氧化 矽）配置在該側面26之區域中。 較佳情況下該隔離材料特別是直接在半導體功能區2 之側面26上沿著半導體功能區之面對該載體層300之第 一主面6且在垂直方向中由該活性區旁邊經過而在載體 層之方向中延伸或延伸至載體層爲止。首先，該隔離材 料較佳是藉由濺鏟以整面方式施加而成且隨後在一種與 半導體功能區（特別是電流擴大層）之遠離該載體層之表 面相重疊之區域中及/或在該中間區20之區域中以區域 方式被去除。半導體功能區之斜面或半導體功能區和電 66 1317180 流擴大層之間的步級可使該隔離材料之施加過程較容易 且使該隔離材料所形成的隔離材料層中發生裂痕的危險 性下降。 在該隔離材料已去除的區域中配置一種連接用導電材 料8’其包含Ti，Pt，Au或合金（其具有這三種金屬中的至 少一種）’該連接用導電材料由第—主面6之方向經由電 流擴大層而導電性地與半導體功能區相連接。此種連接 例如藉由蒸鍍來達成’特別是藉由一種適當形成的光罩 來達成。 該連接用導電材料在半導體功能區之邊緣區域中在該 隔離材料上和該側面26上沿著活性區400之區域而延伸 至半導體功能區2之第二主面13。一種會在該連接用導 電材料和活性區之間造成短路時之直接接觸區因此可藉 由該隔離材料來防止。 第6b圖中在遠離該載體層之此側上情況需要時仍可施 加一種抗反射層或其它光學上的抗反射塗層（其包含一 層或多個層）。對隨後即將施加的材料有過大的折射率上 的差距時會在已製成的光電組件之即將發射或即將接收 的輻射上造成一種反射損耗，此種折射率之過大的差距 可藉由抗反射層來減小。特別是該隔離材料可作爲抗反 射層（大約是一種λ /4-層）。 然後由半導體功能區2之遠離載體層300之此側上施加 一種可透過輻射之穩定層500至第6b圖之結構上。例 如，該穩定層可藉由旋塗法施加而成且隨後可藉由一種 67 1317180 特別是以溫度來促進的即時硬化而被固定。一種旋塗氧 化物或一種漆特別適合用作該穩定層的材料。該穩定層 可有利地以單件方式形成。情況需要時該穩定層亦能以 二件式或多件式之方式來形成，其例如可由一視窗層和 一較佳是對該視窗層具有黏合促進作用的封罩依據第4 圖所示的實施例來形成。這在第6c圖之切面圖中是以虛 線來表示。 該穩定層可使半導體功能區之一部份改變形式且使晶 圓複合物在機械上獲得穩定，因此該穩定用的載體層即 不需要。該載體層然後藉由蝕刻過程或雷射剝蝕-或分離 方法而完全去除，使下一過程時該複合物可由半導體功 能區之第二主面13接近。 然後，在該複合物之遠離該穩定層之此側上配置一種 特別是導電性的鏡面層22(其含有一種金屬或一種合 金，例如，AuGe)至半導體功能區上。所得到的結構依據 切面圖而顯示在第6d圖中。 鏡面層22例如可藉由蒸鏟或濺鍍（特別是藉由一種適 當的光罩）施加而成。較佳是形成該鏡面層，使該鏡面層 之材料所構成的層22a配置在由第二主面所露出的連接 用導電材料8上，該層22a之厚度特別是可與該鏡面層 的厚度同等級或相等。該鏡面層由第二主面13而與半導 體功能區導電地相連，該層22a由第一主面6而與半導 體功能區導電地相連。由於鏡面層和該層22a有同等級_ 或相等的厚度’則該鏡面層和該層22a之結構之均勻地 68 1317180 加高（其作爲稍後形成的組件的電性接觸用）可藉由半導 體功能區來達成，這樣可使稍後同樣是作爲接觸用的各 結構的施加過程更容易。AuGe之特徵是對一些半導體材 料（特別是III-V-材料，例如，以GaP爲主之材料）具有特 別有利的電性接觸性，且另一方面對一些含有金屬的材 料（例如，連接用導電材料）同時具有較高的反射性。 該鏡面層可有利地對一種即將由半導體功能區所發射_ 或所接收的輻射具有反射性。因此，一種發出輻射的組 | 件之效率可藉由該組件之對準性較佳之高的輻射發射性 來提高。 然後’在該複合物之面對該穩定層的此側上較佳是首 先以整面方式配置另一種隔離材料l〇a。該材料較佳是與 該隔離材料10相同及/或包含另一種隔離材料10a(其可 爲氮化矽’氧化矽或氮化氧化矽）。首先以整面方式施加 而成的該隔離材料l〇a可在一種與該連接用導電材料8 或半導體功能區2相重疊之區域中以區域方式藉由濕式 t 或乾式化學蝕刻丁被去除。然後，在已去除的區域中配 置一種焊接材料，以形成第一焊接層14和第二焊接層 15。第一焊接層由第一主面經由層22a，連接用導電材料 8和電流擴大層5而與半導體功能區導電地相連接，第二 焊接層由第一主面13經由鏡面層22而與半導體功能區 導電地相連接。 半導體功能區對應於第6e圖中的切面圖而在全部的側 面上由具有保護性的結構’特別是該隔離材料1〇，l〇a 69 1317180 和機械穩定的穩定層，所圍繞且隨後被密閉性地包封 著。該包封只在一部份區域中空出來以作爲接觸用。 藉由切鋸及/或在箔上進行，則沿著線21可使上述產品 劃分成多個具有各別半導體功能區之光電組件，或劃分 成一種具有多個半導體功能區之裝置。此種劃分是在中 間區20之區域中進行且特別是經由穩定層和該隔離材料 10，10a來達成。 該組件或裝置可完全製造在晶圓複合物中且由於密閉 性的包封而可省略另一保護用的外殼。爲了達到更擴泛 的保護作用，則情況需要時仍可在晶圓複合物中由第二 主面之方向而設置另一包封元件，其類似於第4圖中的 元件180。由於該組件是在一載體板（其可爲一種電路板） 上由第二主面之方向來進行接觸或安裝且該安裝側在與 第一主面比較時只會在一種較小的範圍中受到外部的損 害性物件所影響，則另一包封元件即可省略，此時該組 件受損之危險性不會顯著地提高。 該半導體功能區之包封可藉由另一隔離材料l〇a之特 別是位於內部-且與焊接材料相連之連接區（其在薄膜組 件安裝（特別是表面安裝）時藉由焊接而形成在電路板上） 而更廣泛地達成密封作用。 須指出：在與第6圖相比較時亦可在該穩定層中形成 一種光學元件或在穩定層的材料中配置一種電致發光轉 換材料。前述實施例中所述的其它特徵亦與第6圖之方 法有關。 70 1317180 第9圖的第9a至9i圖中顯示各種依據各切面圖和俯視 圖的不同的形式以製成該半導體功能區之電性接觸用的 接觸結構。 第9圖中所示的元件都可全部製作在晶圓複合物中。 第9a圖顯示半導體功能區2之第一主面6之俯視圖， 第9b圖顯示沿著該線A-A之切面之一種相關的切面圖。 第9a和9b圖中，經由半導體功能區2之活性區400所 形成之缺口形成橫向的凹口 27。該凹口 27特別是可形成 半導體功能區2之側面28之凹入區。該隔離材料10使 該活性區400可與配置在橫向凹口中的連接用導電材料8 相隔開，該連接用導電材料8由半導體功能區之第一主 面6而導電性地與第一接觸區7相連接。該連接用導電 材料在垂直方向中在半導體功能區上沿著一與該活性區 相關的第一主面6所面對的第二主面之方向而延伸或在 晶圓複合物之載體層之方向中延伸。該載體層和第二主 面在第9a和9b圖中未明顯地顯示出（請比較上述的各實 施例）。此處所示的方法特別適用於第1，2，7，8圖中所 示的實施例，但情況需要時亦可用在第3圖的組件中。 在製造上述的接觸結構時，在晶圓複合物之半導體層 序列200中首先產生多個缺口，其較佳是特別是在橫向 中形成一種全部側面都以半導體層序列爲邊界的空白區 9(請比較第9c圖所示的晶圓複合物的俯視圖）。然後，各 缺口中較佳是以該連接用導電材料8來塡入。特別有利 的是在缺口之區域中事先配置著一種隔離材料1〇，其舖 71 1317180 襯著缺口之壁及/或使已穿孔的活性區可與該連接用導 電材料在電性上相隔開。藉此可使半導體層序列200結 構化成半導體功能區2。於是可有利地經由各缺口來進行 結構化’使半導體功能區2在橫向中如第9a，9b圖所示 具有一種凹口。這在第9c圖中是以虛線來表示。半導體 層序列沿著虛線可有利地結構化成半導體功能區2。 情況需要時’亦可在半導體層序列結構化成半導體功 能區之後使連接用導電材料8及/或該隔離材料1〇配置在 > 各缺口之區域中。 與上述方式不同的是：第9d圖所示的俯視圖和第9e 圖中沿著線D-D之切面圖所示的形式中該半導體功能區 2在橫向中不具備凹口。該隔離材料1〇配置在一種橫向 中鄰接於該活性區400的平坦的側面26上。該連接用導 電材料8導電性地與第一主面6相連接且在垂直方向中 延伸至半導體功能區2之第二主面13。該連接用導電材 料由第二主面之方向而導電性地與第—終端11相連接。 t 該連接用導電材料8或第一終端11和第二主面1 3之間 直接的電性接觸作用是藉由該隔離材料1〇來避免。第二 主面導電性地與第二終端12相連接。爲了使活性區發生 短路的危險性下降，則該隔離材料10較佳是在一種平行 於側面16的方向中具有一種較該連接用導電材料8還大 的範圍。此種接觸結構例如特別適用於第3圖所示的組 件中。 與第3圖所示的組件不同的是：該連接用導電材料在 72 1317180 第9d和9e圖中是在垂直方向中在單側上而延伸，即， 沿著半導體功能區2之單一的側面26而延伸。 另一不同方式是第9 f圖之俯視圖和第9 g圖中沿著線 F-F之切面圖中所示的形式中，該連接用導電材料在橫向 中以全部側面都圍繞該半導體功能區2之方式而配置著。 第9h圖中顯不該接觸結構之另一形式之切面圖。該連 接用導電材料8導電性地與半導體功能區之第一主面6 相連接且由第二主面這方向藉由該隔離材料10而與由第 二主面13這方向而來之對該半導體功能區之直接之電性 接觸區相隔離。該連接用導電材料由第二主面這方向形 成第一終端1 1。情況需要時可設有一各別的第一終端及/ 或一各別的另一隔離材料，以取代各別以單件方式形成 的第一終端11及/或該連接用導電材料8(例如，請比較 第1圖）。二極體接觸區反極區形成第二終端1 2，其特別 是直接導電性地與第二主面13相連接。該連接用導電材 料8較佳是以夾子的形式抓握在半導體功能區2之周 圍。若該連接用導電材料配置在一種經由活性區400之 缺口 29之區域中，則所示的接觸結構對第1，2，7或8 圖所示的組件特別適用。若該連接用導電材料沿著一種 在橫向中與活性區相鄰的側面26而延伸，則第9h圖所 示的接觸結構特別適用於第3圖的組件。 第9i圖中顯示一種依據切面圖以製成半導體功能區之 接觸結構的另一形式。 不同於第9圖所示的另一形式的接觸結構的是：第一 73 1317180 接觸區7和第二接觸區30配置在半導體功能區2之一種 共用的側面上，特別是配置在晶圓複合物中該載體層之 此側上或配置在遠離該組件的載體之此側上。爲了可由 半導體功能區之未顯不的第二主面來接觸該半導體功能 區’則一種與第一接觸區相連接的連接用導電材料8(其 經由該隔離材料1 0而與該活性區400相隔離）須在第二主 面的方向中延伸，且另一與第二接觸區30相連接的連接 用導電材料8a須在第二主面的方向中延伸。此外，在第 —主面6上配置另一隔離材料l〇a，其對該半導體功能區 2 (特別是其側面）具有保護性和鈍性且可使活性區經由第 一接觸區30而發生短路的危險性下降。 半導體功能區或半導體層序列可藉由晶圓複合物中適 當的蝕刻而被結構化，使如第9i圖中所示的活性區可藉 由配置在半導體功能區之一共同之側面上的接觸區7和 3 0而達成電性上的接觸。各接觸區7和3 0特別是可由活 性區之不同的側面而與該活性區400導電性地相連接。 該連接用導電材料8可在缺口 29之區域中延伸或沿著 該在橫向中與活性區相鄰接的側面26而延伸，其中該缺 口較佳是構成該半導體功能區之空白區，其在橫向中全 部之側面上都與半導體功能區相鄰接。 第10圖是本發明中依據第l〇a至10k圖中所顯示的中 間步驟來製造光電組件時所用的方法的第三實施例。 首先，如第10a圖之切面圖所示，在晶圓複合物中製備 一種配置在載體層3 00上的半導體層序列200,其具有一 74 1317180 種用來產生輻射或接收輻射的活性區400。 該載體層300可有利地由一種生長基板所对 磊晶方式生長著半導體層序列200。例如，該 列是以GaN爲主而製成。此處SiC載體層或 層特別適合用作生長基板。但含有藍寶石之 與含有碳化政的的生長基板比較時通常在 利，但藍寶石所具有的導電性通常較SiC者 該載體層300在製程中被去除及/或該載體層 將製成的光電組件之電性接觸作用，則可適 寶石基板。 半導體層序列（特別是活性區）可有利地含窄 外，該活性區可以多重量子井結構來構成以 輻射或有效地接收輻射。 半導體層序列的厚度例如可爲1 0微米或更 6微米或更小。 此外，半導體層序列200具有第一主面6 1 3，第二主面1 3對該活性區400而言是與第 對，其中該半導體層序列200由第二主面13 置在載體層300上。 然後，第10b圖中第一接觸層700施加在半 200之面對該載體層300之此側上，特別是施 面6上。首先，較佳是第一接觸層7 00之第 加在半導體層序列上，其可有利地特別適合 種至半導體層序列之電性接觸區。然後，在 多成，其上以 半導體層序 藍寶石載體 生長基板在 成本上較有 小很多。若 未提供該即 當地使用藍 r InGaN。此 有效地產生 小，較佳是 和第二主面 一主面相面 這方向而配 導體層序列 :加在第一主 一層7 1 0施 用來形成一 :第一層上施 75 1317180 加該接觸層700之第二層720,其材料相對於第一層而言 可有利地以較自由的方式來選取。特別是就第二層而言 ' 可使用一種成本較第一層的材料更有利的材料。 - 第一層710配置在半導體層序列200和第二層720之 . 間。該接觸層700例如藉由蒸鍍而施加在半導體層序列 200 上。 例如，一種含有鉑（Pt)或由鉑構成的第一層710特別適 合用來形成一種對含有GaN之材料作接觸用之良好的電 # 性接觸區。爲了形成高價値的接觸區，則該第一層可以 較薄的方式來形成，其厚度是100 nm，較佳是40 nm或 更小。例如，一種含有金的層特別適合用作第二層。金 在與鉑相比較時成本上較有利。有利的方式是使第二層 7 20所具有的厚度較第一層710者還大。第二層7 20由於 厚度較大而可有利地決定該接觸區的電流承載性。第二 層較佳是具有一種大於500微米的厚度，特別有利的是 大於8 00微米。第二層具有1000微米的厚度時特別適合。 ® 半導體層序列200在對該活性區400而言是互相面對而 配置的二個側面上具有不同的導電型式。例如’半導體 層序列200在與該載體層300相面對的此側上具有P-導 電性且面向該載體層300之此側具有η-導電性。這例如 可藉由半導體層序列之特別是在磊晶過程期間適當的摻 雜來達成。舶特別適合用來對Ρ-導電性的以GaN爲主之 材料形成電性上的接觸。 第一接觸層700較佳是以整面方式施加在半導體層序 76 1317180 列2 00之遠離該載體層之整個表面上。 然後’如第10c圖所示，對該接觸層700進行結構化， 以形成多個第一接觸區7。此種結構化例如可藉由蝕刻過 程（濕式·或乾式蝕刻）及/或回（back)濺鍍且在情況需要時 與適當形成的光罩（可爲光阻遮罩或硬光罩，特別是金屬 光罩）相組合來達成。”蝕刻”特別適合使含有金之第二層 720被結構化’ ”回濺鑛”特別適合使含有鉑之第一層71〇 被結構化。情況需要時特別是一種共用的光罩可用來使 第一層和第二層被結構化。 此外’第一接觸層7 00較佳是結構化成第一接觸區7, 使半導體層序列之表面的每一區域（其用於稍後形成的 半導體功能區之表面中）都具有至少一個此種形式的第 一接觸區7。例如，一種具有第一接觸區7的半導體功能 區是以第1 0c圖中所示的虛線作爲邊界。 相鄰（較佳是任意地）配置在半導體層序列上的二個第 一接觸區較佳是相互之間未有電性上的直接連接。各個 第一接觸區7特別是分別具有一種中央區70且較佳是具 有至少一個（特別是多個）在橫向中由該中央區所隔開-且 與該中央區導電性地相連接的分（part)區71。 半導體層序列之由第一接觸區所包含之表面之多個分 區因此特別是可未具備一種覆蓋這些分區之接觸結構， 使經由這些未由第一接觸區所覆蓋的分區而射出的輻射 不會由於第一接觸區中的吸收而減弱。同時，經由第一 接觸區7可使電流以整面方式較均勻地注入至活性區400 77 1317180 中，此乃因多個接觸位置（其由各分區71所形成）已形成 在第一接觸區和半導體層序列之間。由於以GaN爲主之 半導體材料通常在橫向中具有較小的導電性，則第一接 觸區的接觸位置在橫向中較佳是較狹窄地相鄰而配置著 以便均勻地對該活性區提供電流。”均勻地對該活性區提 供電流”在情況需要時亦可藉由使用一種電流擴大層（其 包含一種可透過輻射的導電性氧化物）來達成。 第10d和10e圖中依據半導體層序列200之第一主面6 之一部份俯視圖而顯示第一接觸區7之二種不同的形式。 各分區71分別經由一種條形區72而與中央區70相連 接。 在桌10d圖之形式中’ 一種共用的條形區72使由該條 形區以手指形式（特別是在該條形區的二側）向外伸出的 分區7 1導電性地與該中央區相連接。 反之’在第10e圖之形式中，該分區71形成一種圍繞 該中央區70之框架，其經由多個條形區72而與中央區 70導電地相連接，各條形區72由中央區開始特別是以徑 向方式向外延伸。 第l〇d和l〇e圖中之虛線分別圍繞半導體層序列200之 形成半導體功能區所用的區域。 除了第10d和10e圖中所示的接觸區的形式之外，第一 接觸區7亦能以柵格形接觸區來構成，其大約是一種規 則的柵格形式，例如，其可爲一種矩形-或正方形柵格之 形式。不同的分區71然後亦可在該柵格的柵格點上相 78 1317180 交。較佳是一個柵格點形成一種中央區70，其具有一種 較該分區71之橫向範圍還大的橫向範圍。 然後，在第10f圖中一種視窗層170(其可爲一種玻璃 板’特別是硼矽酸鹽·玻璃板）特別是由第一主面6這方向 而在半導體層序列200之遠離該載體層300之此側上配 置在半導體層序列200之後。 視窗層170較佳是藉由一種黏合促進層800(其可含有 BCB)而固定在半導體層序列200上，特別是固定在晶圓 複合物上。 視窗層170和黏合促進層800較佳是可透過由活性區 400所接收-或所產生的輻射。 該黏合促進層例如可以液相形式藉由旋塗法施加在晶 圓複合物上或視窗層上。然後該視窗層藉由該黏合促進 層800而固定在半導體層序列上。視窗層例如可在施加 壓力時施加在該設有黏合促進層之複合物上。該黏合促 進層800之特徵是對該視窗層170-和對該半導體層序列 200及/或對第一接觸區7都具有黏合促進作用。情況需 要時該黏合促進層例如可藉由一種以溫度來促進的方法 (例如，藉由加熱至一種介於200°C和3001^之間的溫度） 而硬化或完全即時硬化。於是，該視窗層以機械方式結 合至半導體層序列或晶圓複合物時的穩定性可提高。 該黏合促進層所具有的厚度是500 nm或更小，較佳是 300 nm或更小。一種大約100 nm之厚度已顯示特別適合。 視窗層170可使半導體層序列200在機械上獲得穩定， 79

1317180 因此該載體層300之機械上的穩定用之功倉丨 視窗層適當的方式是以無承載的方式（特別 厚度）而形成。例如，該視窗層所具有的厚读 或更小，較佳是1 0 0微米或更小。該視窗層 定層。 由於目前已存在的穩定層，則載體層300 除。如第1 0 g圖所示，此種剝除例如可藉住 法來達成。此種方法特別適合用來將含有藍 層由一種含有GaN之半導體層序列中剝除。 半導體層序列200由於在其遠離該穩定層 個載體層300被剝除，因此特別是可由第二 近半導體層序列200，整面上可直接結構化市 層發生先前之穿透現象。 情況需要時另一方式是使載體層被薄化或 被去除，此乃因載體層的機械穩定作用可售 整個載體層的剝除可有利地更容易形成薄的 在下一步驟中，如第10g圖所示，半導體層 可由其遠離該穩定層的此側而被結構化，A 空間中由中間區20所隔開的半導體功能區 化可藉由蝕刻（例如，濕式-或乾式蝕刻）來缝 要時亦可使用已適當形成的光罩（特別是光 行。光罩可配置在第二主面13上且在結構{ 乾蝕刻特別適合用來形成較狹窄之中間區， 是5 0微米或更小。藉由乾蝕刻，則可特別， i即不需要。 是以適當的 E是200微米 ί然後形成穩 隨後可被剝 3雷射剝離方 :寶石的載體 Ρ之此側上整 主面13來接 ί不會使載體 :以區域方式 ί略。反之， 光電組件。 ί序列特別是 〔形成多個在 2。此種結構 i行，情況需 阻遮罩）來進 匕之後去除。 其橫向尺寸 ί效地產生橫 80 I317180 . 向尺寸大約是10微米的結構。所形成的中間區越狹窄， 則可有利地使半導體材料上一種與結構化有關的損耗越 /J、〇 ' 此外，較佳是在一種與半導體功能區2形成時的同一 . 步驟中在半導體功能區中產生一種經由其活性區400的 缺口。該缺口較佳是在各別的半導體功能區2中形成空 白區9。可有利地使用一種共同的光罩來各缺口和半導體 功能區。 ® 以適當的方式來產生該經由活性區的缺口，使空白區9 由第二主面13到達第一主面6且第一接觸區7 (特別是其 中央區70)可覆蓋該缺口之至少一部份（較佳是全部）。情 況需要時上述之結構化可進行至第一接觸區7之面向第 一主面之第一層中或第一層上。 在形成該缺口之後，由複合物之遠離該穩定層之此側 上施加一種隔離材料10至複合物上，如第10g圖所示。 該隔離材料例如可含有Si3N4或由其所構成。爲了施加該 β 隔離材料’則特別是可使用濺鍍法或PECVD法。該隔離 材料較佳是以整面方式施加在該複合物之遠離該穩定層 之此側上。例如，該隔離材料1〇形成一種隔離層，其厚 度特別是小於500 nm，較佳是小於400 nm或更小。厚度 3 3 0 nm時已顯示特別有利。該隔離材料1 〇可有利地完全 舖襯該空白區之壁且作用在半導體功能區之側面上而對 該處已裸露的活性區400具有保護性和鈍性。半導體功 能區2之整個裸露的表面（特別是該複合物之整個裸露的 81 1317180 表面）較佳是以該隔離材料1〇來胃胃

第1 Oh圖所示。 料10由半導體功能區之第 特別是中央區70的一個子 此時’可有利地將該隔離材料 一接觸區7之至少一個子區，特 區’中清除。 此外，在中間區20中亦可將該隔離材料丨〇以區域方式 而由該複合物中去除，使該黏合促進層8〇〇在各中間區 中裸露出來。該隔離材料較佳是在中間區中橫向地（特別 是各別地）環繞整個半導體功能區2，使黏合促進層800 環繞著各別的半導體功能區2而裸露出來。但半導體功 能區2之側面仍優先以該隔離材料1〇來覆蓋且因此而受 到保護。 此外’較佳是由半導體功能區2之第二主面13這方向 而以區域方式來去除該隔離材料1〇，使各別之半導體功 能區2之第二主面13在一個子區中裸露出來。 該隔離材料10之結構化例如可藉由蝕刻（特別是濕式_ 或乾式蝕刻）來達成，情況需要時亦可與適當形成的光罩 相組合以進行結構化。此處特別適合使用乾蝕刻。 在該隔離材料已去除之後，在半導體功能區2之由第 二主面13這方向已清除該隔離材料之區域中配置一第二 終端12 ’其例如含有金屬Ti, Pt，Au，Al, Ag或合金（其具 有以上各材料中的至少一種）。該第二終端12由第二主面 的方向直接與半導體功能區2導電性地相連接。 82 1317180 第10圖中第二終端以單層方式構成，除了第10圖所示 者之外，第二終端12亦可以多層方式構成，其具有多個 單一層。 在一種較佳的形式中，第二終端包含：一第一終端層， 其由第二主面13之方向朝向半導體材料而形成以有效地 形成電性上的接觸；以及一第二終端層，其配置在第一 終端層之面對該半導體材料（大致是面對該半導體功能 區2)之此側上。第二終端層可保護第一終端層。若在第 二終端層之遠離第一終端層的此側上施加一種焊接層， 藉此使該組件可與外部的連接件相焊接，則第二終端層 可有利地保護第一終端層使不受已熔化的焊劑所損傷。 第二終端層然後可構成一種位障（特別是焊劑位障）。第一 終端層在電性上與半導體材料相接觸時受損的危險性因 此可下降。 第二終端之第一終端層例如可包含二個子（part)層， 即，一第一子層，其由半導體材料這方向而配置著；以 及一第二子層，其配置在半導體材料之面對第一子層之 此側上。 就以GaN-爲主的半導體材料而言，厚度大約3 nm且由 鈦構成的第一子層以及厚度大約200 nm且由鋁構成的隨 後所施加的第二子層特別適合本發明。此外，第一終端 層（其具有一種含鈦之第一子層和一種含鋁之第二子層） 特別適合用來形成一種至以GaN_爲主的n_導電性半導體 材料之有效的電性接觸區。 (S ) 83 1317180 第二終端之第二終端層亦可具有多個子層。具有三個 子層的第二終端層特別適合用於各種以GaN-爲主的半導 體材料中。由第一終端層之方向例如配置一種由鈦構成 的約50 nm厚的第一子層。在第一子層上配置一種由鉑 構成的約100 nm厚的第二子層，一種由金構成的約1000 nm厚的第三子層又配置在第二子層之後。這構所形成的 第二終端層特別適合用作焊劑位障。 此外，在該缺口之區域中配置一種連接用導電材料8, 其例如含有金屬（例如，Ti, Pt, Au，Al, Ag，Sn)或合金（其 具有以上各材料中的至少一種），使該連接用導電材料8 可導電性地與第一接觸區7相連接且因此亦與半導體功 能區2之第一主面6相連接。該連接用導電材料可有利 地與第一接觸區形成機械上的直接接觸。該連接用導電 材料例如藉由蒸鍍而配置在缺口中。金特別適合用作該 連接用導電材料。 空白區9中可優先以該連接用導電材料塡入，使空白 區完全塡滿且該連接用導電材料由第二主面13之方向形 成第一終端1 1 ,其橫向尺寸可有利地大於該缺口的橫向 尺寸。第一終端和該連接用導電材料因此特別是可以單 件方式構成。該連接用導電材料8經由該隔離材料a而 與活性區在電性上相隔開’就像第一終端經由該隔離材 Β Μ而與第二主® Μ在電性上相隔開—樣，因此在驅 動該組件時活性區經由該連接用導電材料而發生短路或 該二個終端經由第二主面而發生短路的危險性即可避 84 1317180 免。此外’第一和第一終端由第二主面13之方向而配置 著且在橫向中互相隔開。 不同於第10圖中所示者，由該連接用導電材料8所形 成的連接用導體及/或第一終端Π亦可以多層之方式而 形成。較佳是該連接用導體以單層方式形成及/或例如含 有金。 由第二主面13之方向可在該連接用導體上配置第一終 端11，其可包含多個以上述方式製成的至第二終端的終 端層。但較佳是可省略第一終端之第二終端層，使第一 終端層由第二主面之方向而配置於該連接用導電材料之 後’該第一終端層包含一由鈦所構成的第一子層和一由 鋁所構成的第二子層。 該連接用導電材料及/或各終端例如可藉由剝離過程而 施加在複合物上。 在隨後的步驟中，一種包封層180施加在該複合物上， 如圖10i所示。特別是該包封層180由該複合物之遠離該 穩定層之此側上施加在半導體功能區上。該包封層可改 變半導體功能區2之形式。特別是該包封層可有利地以 鉗形方式抓握在半導體功能區之周圍。 該包封層1 80可有利地以可透過輻射的方式來形成，此 乃因其在垂直方向中經由活性區400之區域而延伸且因 此在該活性區中即將接收-或即將產生的輻射可較大量 地入射至該包封層上。該包封層1 8 0中的吸收性損耗於 是可下降。 85 1317180 該包封層180(其含有BCB)較佳是藉由旋塗法特別是以 整面方式施加在該複合物上且情況需要時藉由溫度之提 高而被硬化或較佳是完全被即時硬化。該包封層較佳是 覆蓋該複合物之遠離該穩定層之整個側面且特別是配置 在中間區20之區域中。此外，該包封層1 80可有利地與 該黏合促進層800形成直接的機械式接觸。 爲了使第一終端1 1和第二終端1 2(其可以整面方式施 加而成的包封層1 8 0來覆蓋）裸露出來，則可在各終端的 區域中去除該包封層。此種去除例如可藉由蝕刻（例如， 乾蝕刻）在使用適當形成的硬遮罩來達成，該硬遮罩可含 有金屬（特別是含有鋁）或由鋁所構成。一種以氟爲主之蝕 刻劑（例如，Freon)特別適合用作蝕刻劑。 爲了形成一種適當地被結構化的硬遮罩以進行乾蝕刻 過程，則首先可在該複合物之遠離該穩定層之此側上（特 別是在該包封層180上）以整面方式配置一種鋁層。然 後，在該硬遮罩之遠離半導體功能區之此側上施加一種 光阻層且藉由適當的曝光和顯像而被結構化，使該包封 層應被去除的各區域中都不具備光阻。然後，在未以光 阻覆蓋之區域中例如藉由濕式蝕刻而將該鋁層去除，於 是形成硬遮罩。此時在未由硬遮罩層所覆蓋的區域中藉 由乾式蝕刻將該包封層去除。該硬遮罩然後優先由複合 物中去除。 在已裸露的區域中可在各終端上施加多個焊接層14和 15，其含有Au或Sn或含有一種合金（其具有上述二種材 86 1317180 料中的至少一種，例如AuSn)，各焊接層導電性地與各別 的終端相連接。各焊接層例如可藉由剝離過程施加而成。 ' 然後，沿著線2 1將該複合物劃分成即可使用·，可表面 安裝-且特別是密封性的光電組件，其可直接在由晶圓複 - 合物劃分之後在一種外部的電路板上進行連接。該光電 組件特別是形成一種薄膜組件且完全在晶圓位準上製作 在晶圓複合物中。因此可有利地省略多個成本較高的單 一加工步驟和多條連接線。 • 在上述劃分之一種較佳的形式中，在該方法進行期間 產生多個隔離接縫，其有利的方式是由該複合物之面對 該複合物穩定用的層（本實施例中是視窗層17 0)之此側向 內伸入至該穩定用的層中。例如，在中間區20中-及/或 藉由乾式蝕刻而產生各隔離接縫。在上述方法中，可有 利地形成此種隔離接縫，使其經由該包封層，該黏合促 進層而向內伸入至視窗層中，但未完全穿過該視窗層。 視窗層之穩定作用可有利地藉由伸入至其中的隔離接縫 ® 而不受影響。爲了進行劃分，則使該複合物穩定用的層 可在面對半導體功能區之此側上被薄化。若該穩定用的 層薄化至各隔離接縫，則該晶圓複合物可劃分成多個光 電組件或該晶圓複合物可分裂成多個光電組件，此乃因 各別的組件之間不再存在機械上的連接。晶圓複合物之 機械上的連接在各隔離接縫形成之後且在該劃分之前可 有利地只藉由該穩定用的層來確保。在該穩定用的層被 薄化至各隔離接縫之後，該複合物之機械上的連接即消 87 1317180 失且各別的光電組件即形成。此種使複合物劃分成各別 的組件所用的方法亦稱爲”薄化切鋸（dicing by thinning)” 法。該方法特別是可在一種箔上進行。 第1 〇j和1 〇k圖中顯示此種光電組件1在劃分之後的切 面圖（第10j圖）以及焊接層此側的俯視圖。第10j圖對應 於第10k圖中沿著線A-A之切面圖。 該組件之活性區400之包封是由分件80(其在劃分時由 黏合促進層80所造成）和該包封元件18(其在劃分時由包 封層1 8 0所造成）所形成。在劃分時由視窗層1 7 〇所造成 的視窗1 7可有利地在機械上使該組件1獲致穩定。 此外’在第1 0j和1 Ok圖中該光電組件的尺寸例如以微 米來表示。半導體功能區2在俯視圖中可以第1 〇j圖中所 示的邊長爲1 0 0 0微米的正方形來形成。該組件的高度例 如可爲120微米。依據第l〇k圖的俯視圖，整個組件（其 特別是可以正方形來形成）的邊長可由1010微米至1〇5〇 微米。桌10j和10k圖中的標不當然不是一種限制而只是 一種例子而已。 又’第一終端’第二終端及/或該連接用導體可以鏡面 層來構成’其對該組件即將產生-或即將接收的輻射具有 反射性。該組件的效率因此可有利地提高。 除了第10圖的實施例之外，依據先前實施例中所描述 的組件’方法或裝置亦可更廣泛地變換成一種對應於由 第10圖而得的不同的方法。 第11圖係顯示本發明中依據第11a至llg圖中所顯示 88 1317180 的中間步驟來製造光電組件時所用的方法的第四實施 例。 首先，製備一種晶圓複合物，其具有一種配置在載體 層300上的半導體層序列200，該半導體層序列200具有 一用來產生-或接收輻射的活性區400 (第1 la圖）。例如， 晶圓複合物是依據第10圖的方式而製成。 在半導體層序列200之遠離載體層300之此側上施加第 一接觸層7 00,其較佳是具有第一層710和第二層7 2 0(請 比較第1 0圖之形式）。 在下一個步驟中，第一接觸層700被結構化成多個在空 間中由中間區3 1所互相隔開的區域（第1 1 b圖）。此時例 如適合使用鈾刻及/或回濺鍍。在結構化期間，特別是半 導體層序列200之遠離載體層之第一主面6在中間區31 之區域中裸露出來。第一接觸層700之子區形成多個對 各半導體層序列200之第一接觸區7。特別有利的是有一 第一接觸區7配屬於半導體層序列200之至少每一用來 形成半導體功能區的區域。 由第一主面6之方向可有利地形成P-導電型的半導體 層序列，由相對於活性區400而言是與第一主面6相面 對的第二主面13之方向可有利地形成η-導電型的半導體 層序列。P-導電側的厚度例如可爲0.5微米，其較佳是小 於η-導電側的厚度（例如，5微米）。 然後，該半導體層序列200特別是結構化成第一接觸層 7 00已清除的區域，以形成多個相鄰地配置在載體層300 89 1317180 上的半導體功能區2(第lie圖）。此處特別是可使用一種 乾式蝕刻法。各個半導體功能區2藉由中間區2 0而互相 隔開，各中間區20情況需要時可延伸至載體層300中。 然後，如第lid圖所示，在半導體功能區之第一接觸區 中形成一種空白區32。情況需要時可在一種共同的步驟 中特別是在使用一種共同的光罩下使第一接觸層中形成 各中間區31時一起形成該空白區32。 之後，如第1 1 e圖所示，產生半導體功能區2之一種經 由活性區400的缺口。較佳是每一個半導體功能區都具 有至少一個缺口。該缺口例如可藉由乾式蝕刻而產生。 此外，該缺口較佳是形成一種在垂直方向中未完全穿過 該半導體功能區2之凹陷區33。因此，該缺口由第二主 面13之方向而言特別是在載體層3 00之此側上在垂直方 向中是以半導體功能區之半導體材料爲邊界。該缺口例 如可具有1 〇微米的直徑。 在形成該缺口之後，由半導體功能區之遠離載體層300 之此側較佳是以整面方式在晶圓複合物上施加一種隔離 材料1 0。該隔離材料特別是在活性區中舖襯著該缺口的 壁，但較佳是完全舖襯該缺口的壁。 然後，該隔離材料以區域方式而由該複合物中去除。 例如，此處特別適合使用乾式蝕刻來與一適當光罩相組 合。在去除該隔離材料時，在缺口的的區域中（特別是凹 陷區的底部）裸露出半導體功能區2之半導體材料，該半 導體材料係優先配置在活性區400的一側面上，該側面 90 1317180 在半導體功能區2中是與缺口的侵入位置相面對。 此外’該隔離材料在中間區之區域中較佳是以區域方 式而被去除。載體層300於是可裸露出來。特別有利的 是該隔離材料1 〇仍保留在半導體功能區之側面上，使該 半導體功能區可受到該隔離材料的保護。 又，該隔離材料10在一種終端區中由第一接觸區7中 去除’該終端區較佳是在橫向中與該缺口相隔開。 此時一種連接用導電材料8配置在凹陷區33中。該連 接用導電材料8在該缺口之隔離材料1〇已去除的區域中 會和該半導體功能區形成導電性的接觸，特別是在凹陷 區之底部上相接觸。該連接用導電材料在電性上是與活 性區4 0 0和第—主面6相隔開。該凹陷區中可有利地以 該連接用導電材料8塡入，使該連接用導電材料完全塡 滿該凹陷區且在半導體功能區之第一主面6上係配置在 該隔離材料1 〇之遠離半導體功能區之此側上。該連接用 導電材料之橫向尺寸由第一主面之方向而言較佳是大於 該缺口之橫向尺寸。 然後’由該複合物之遠離載體層3 〇〇(其在機械上使該 複合物獲得穩定）之此側較佳是以整面方式施加另一隔 離材料10a至該複合物上。該隔離材料1〇a然後可有利地 、方式而被去除，使第—接觸區7特別是在終端區 中（其中該隔離材料1〇已事先去除）又裸露出來。此外， 該隔離材料10a由該連接用導體去除，使該連接用導體 可作進一步之加工。 91 1317180 該隔離材料10a較佳是在垂直方向中在該連接用導電 材料之邊緣上延伸。該隔離材料1〇a較佳是在該連接用 導體之區域中直接與該隔離材料1〇在機械上相接觸。 然後，第一終端11和第二終端12施加在該複合物之半 導體功能區2上，使第一終端丨丨在終端區中特別是直接 與第一接觸區7導電性地相連接且第二終端12特別是直 接與連接用導電材料8導電性地相連接（第圖）。第一 接觸層中只有作爲與第一終端丨丨相接觸用的子區未具備 該隔離材料10及/或10a。第—接觸區7之仍保留的其餘 區域可以該隔離材料10及/或l〇a來覆蓋。第二終端12 然後有利地以較該連接用導體之面積還大的方式由第一 主面6之方向而形成且藉由該隔離材料1〇及/或i〇a而在 電性上與第一接觸區7或第一終端1 1相隔開。特別是可 製成第一終端1 1及/或第二終端1 2之軌道形式的終端結 構而不會使發生短路的危險性顯著地增加。 然後’一種封罩4由該複合物之遠離載體層300之此側 而施加在該複合物上，例如，該封罩可被離心分離及/或 含有BCB。情況需要時該封罩可在施加完成之後藉由加 熱（特別是在爐中）而被即時硬化。該封罩4較佳是覆蓋該 複合物，特別是完全覆蓋。 然後，可對該封罩4進行結構化’使第一終端1 1和第 二終端12裸露出來，如第llg圖所示。 例如，此時可依據第10圖之包封層180所述的結構化 方式來進行。 92 1317180 此外，較佳是形成多個隔離接縫3 4，其由該封罩4之 遠離該載體層之此側而延伸至使該複合物穩定用的載體 層300中。但該載體層有利的方式是未完全由該隔離接 縫所穿過。該載體層特別是像先前一樣可確保該複合物 之機械上的穩定。各隔離接縫34適當的方式是在一種共 同的步驟中特別是在使用一種共同的光罩之情況下在第 一-和第二終端裸露時同時產生。 在下一步驟中使各焊接層14和15施加在第一終端11 和第二終端1 2上。 然後，該載體層300可由其遠離半導體功能區2之此側 上被薄化至各隔離接縫34處或至各隔離接縫34中，例 如，可至第llg圖所示的虛線處，於是可使該複合物劃分 成多個光電組件。各隔離接縫較佳是圍繞半導體功能區2 而配置著。 情況需要時可藉由切鋸或折斷方式來進行上述的劃分 過程。 該載體層300較佳是可透過該活性區400中即將產生-或即將接收的輻射。例如，藍寶石成本較低且特別是可 透過由GaN-爲主的半導體所產生的輻射。該輻射然後經 由載體層或經由該組件在劃分時由該載體層所形成的載 體層區段而射入至該組件中或由該組件中射出。 特別有利的是可形成第一接觸區，第一終端，第二終 端及/或該連接用導電材料，使其可反射該活性區中所產 生-或接收的輻射。該光電組件的效率因此可更加提高。 93 1317180 上述的組件中特別是第一接觸區因此可以鏡面層來構 成。 各隔離材料及/或該封罩較佳是可透過輻射。 在第11圖所示的方法中，未必需要去除該載體層3 00, 因此該載體層之去除步驟即可省略。因此，此種不需去 除載體層所用的方法由於所需的步驟較少而較該載體層 需去除時的方法可更省成本。 除了第11圖所示的實施例之外，前述各實施例中所述 的組件，方法或裝置亦可廣泛地轉換成第1 1圖所對應的 各種不同的方法。 本專利申請案主張德國專利申請案DE 10 2004 008 853.5號於2 004年2月20日所主張的優先權，其所揭示 的全部內容明顯地用在本專利申請案中作爲參考。 本發明不限於本發明中依據實施例所作的上述的描 述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵之每一種 組合，其特別是包含各申請專利範圍中各特徵的每一種 組合’當該特徵或該組合本身未明顯地在各申請專利範 圍中或實施例中指出時亦同。 【圖式簡單說明】 第1圖本發明依據一種切面圖所製成的光電組件的第 一實施例。 第2圖本發明依據一種切面圖所製成的光電組件的第 二實施例。 第3圖本發明依據一種切面圖所製成的光電組件的第 94 1317180 三實施例。 第4圖本發明中依據第4a至4i圖中以各種不同的視圖 所顯示的中間步驟來製造光電組件時所用的方 法的第一實施例。 第5圖本發明中具有多個光電組件之裝置的一種實施 例。 第6圖本發明中依據第6a至6e圖中所顯示的中間步驟 來製造光電組件時所用的方法的第二實施例。 第7圖係第1圖之實施例之另一種形式的切面圖。 第8圖係第2圖之實施例之另一種形式的切面圖。 第9圖於第9a至9i圖中依據不同的切面圖和俯視圖以 製成一種半導體功能區之電性接觸用的接觸結 構。 第10圖本發明中依據第l〇a至1 〇k圖中所顯示的中間 步驟來製造光電組件時所用的方法的第三實施 例。 第11圖本發明中依據第iia至i〇g圖中所顯示的中間 步驟來製造光電組件時所用的方法的第四實施 例。 【主要元件符號說明】 1 光電組件 2 半導體功能區 3 載體 4 封罩 5 電流擴大層 95 1317180 6 第 7 第 8 連 9 空 10 隔 10a， 1 Ob 另 11 第 12 第 13 第 14 第 15 第 16 包 17 視 18 包 19 光 20 中 2 1 線 Φ 一主面 一接觸層 接用導電材料 白區 離材料 一隔離材料 一終端 二終端 二主面 一焊接層 二焊接層 封 m 封元件 學元件 間區

22 鏡面層 22a 層 23，24 外部終端 25 連接層 26 側面 27 凹口 28 側面 29 缺口 30 第二接觸區 96 1317180

3 1 中間區 32 空白區 33 凹陷區 34 隔離接縫 70 中央區 7 1 分區 72 條形區 170 視窗層 180 元件 200 半導體層序列 300 載體層 400 活性區 500 穩定層 700 第一接觸層 7 10 第一層 720 第二層 800 黏合促進層

97

Claims (1)

1317180 第95 140720號「光電組件，具有多個光電組件之裝置以 及光電組件之製造方法」專利案 (2009年3月修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種光電組件，其包含半導體功能區，該半導體功能區 顯示一活性區以及一橫向的主延伸方向，其特徵爲： 該半導體功能區具有至少一經由該活性區的缺口 且在該缺口的區域中配置著一種連接用導電材料，其至 少在該缺口的一部份區域中在電性上是與該活性區相 隔開，且 其中，在半導體功能區上配置著鏡面層。 2. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該缺口形成該 半導體功能區之以連接用導電材料來塡入的凹口，該凹 口完全穿過該半導體功能區，或該缺口形成該半導體功 能區之以連接用導電材料來塡入的凹入區，該凹入區未 完全穿過該半導體功能區。 3. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中該半導體 功能區具有多個經過活性區的缺口。 4. 一種光電組件，包含半導體功能區，其顯示一活性區以 及一橫向的主延伸方向，其特徵爲： 該半導體功能區具有一種與該活性區相鄰接的橫 向之側面且在橫向中一種連接用導電材料配置在該側 面之後，該連接用導電材料至少在該側面之一部份區域 中是與該活性區在電性上相隔開，且 t 1317180 在半導體功能區上配置著鏡面層。 5.如申請專利範圍第4項之光電組件，其中該半導體功能 區之側面由其整個垂直之範圍所限定。 6 ·如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該連接用 導電材料含有一種金屬。 7.如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該連接用 導電材料含有金，鋁，銀，鉑，鈦，錫或含有一種具有 這些材料之至少一種的合金。 • 8.如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該連接用 導電材料至少一部份是藉由一種隔離材料而與該活性 區在電性上相隔開。 9.如申請專利範圍第8項之光電組件，其中該缺口之—壁 舖襯著該隔離材料或該連接用導電材料藉由該隔離材 料而與側面相隔開。 10.如申請專利範圍第9項之光電組件，其中該隔離材料舖 • 襯著該缺口或該隔離材料配置在該側面上，使該活性區 藉由該隔離材料而在電性上與該連接用導電材料相隔 開。 1 1 ·如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該半導體 功能區具有一第一主面和一就活性區而言是與第一主 面相面對的第二主面。 12_如申請專利範圍第丨丨項之光電組件，其中該半導體功能 區由其中一主面側而與該連接用導電材料在電性上相 連接。 1317180 13. 如申請專利範圍第12項之光電組件，其中該連接用導電 材料在電性上與另一主面相隔開。 14. 如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該連接用 導電材料在垂直方向中沿著整個半導體功能區而延伸。 15. 如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該鏡面層 以可導電方式來形成且導電性地與半導體功能區相連 接以便在電性上可與半導體功能區相接觸。 16_如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該鏡面層 含有一種金屬或以具有金屬性的方式來形成。 17.如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中此光電組 件以SMD-組件來構成。 1 8.如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中此光電組 件以無連接線的方式來達成電性上的接觸。 1 9.如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該半導體 功能區是以磊晶方式形成在生長基板上的層結構。 20. 如申請專利範圍第19項之光電組件，其中該該生長基板 已薄化或特別是已完全去除。 21. 如申請專，^圍第1或4項之光電組件，其中該半 功能區之後配置一種電致發光轉換材料。 22. 如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該活性區 包含一種pn-接面，雙異質結構，單一量子井結構或多 量子井結構。 23.如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中此光電組 件具有一種圍繞該活性區之封罩，其在切割時由晶圓複 1317180 合物所形成。 24. 如申請專利範圍第23項之光電組件，其中該封罩針對有 害性的外部影響來密封著該半導體功能區。 25. 如申請專利範圍第23項之光電組件，其中此光電組件之 外部終端是該封罩的一部份。 26. 如申請專利範圍第丨丨項之光電組件，其中在半導體功能 區之一主面上配置一種未完全覆蓋該主面的電流擴大 結構’或在半導體功能區之一主面上配置一電流擴大層 〇 27·如申請專利範圍第26項之光電組件，其中該電流擴大層 包含一種TCO-材料。 ， 28·如申請專利範圍第11項之光電組件，其中該連接用導電 材料是與該組件之第一終端導電性地相連接且與該組 件之第二終端在電性上相隔開，其中第一終端和第二終 端施加在半導體功能區之一主面上。 2 9.如申請專利範圍第28項之光電組件，其中在第一終端上 且較佳是在第二終端上配置一種焊劑。 3 〇 ·如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中該活性區 用來產生輻射或接收輻射。 3 1 ·如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中此光電組 件可製作在晶圓複合物中。 3 2.如申請專利範圍第1或4項之光電組件，其中此光電組 件由晶圓複合物劃分而成。 3 3.—種光電組件之製造方法，其特徵爲以下各步驟： ,1317180 -製備一種晶圓複合物，其包含一種配置在載體層上的 半導體層序列，該半導體層序列顯示一種活性區和一 種橫向之主延伸方向； -對該半導體層序列進行結構化’以形成至少一經由活 性區的缺口或形成至少一在橫向中與該活性區相鄰 接的橫向側面； -將鏡面層配置在半導體功能區上； -使該半導體層序列結構化成多個半導體功能區； φ -將一種連接用導電材料配置在該缺口-或該側面的區 域中，使該活性區至少在該缺口 -或側面的一部份區域 中在電性上與該連接用導電材料相隔離； -將該晶圓複合物劃分成光電組件，其包括一種半導體 功能區且其在電性上的接觸作用至少一部份是經由 該連接用導電材料來達成。 如申請專利範圍第33項之製造方法，其中該晶圓複合物 • 劃分成多個如申請專利範圍第1至32項中任—項所述之 光電組件。