JP3328647B2 - 光電子部品の製造方法 - Google Patents
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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- Led Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電子部品の製造
方法に係り、特にＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光
ダイオード）等の発光素子、及びフォトダイオード等の
受光素子を封止して光電子部品を製造する光電子部品の
製造方法に関する。
方法に係り、特にＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光
ダイオード）等の発光素子、及びフォトダイオード等の
受光素子を封止して光電子部品を製造する光電子部品の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光エネルギーを電気エネルギーに
変換する受光素子、及び電気エネルギーを光エネルギー
に変換する発光素子が種々の分野に使用されている。上
記受光素子としてはフォトダイオード、フォトトランジ
スタ、ＣｄＳセル（硫化カドミウムセル）、フォトサイ
リスタ、及びＥＰＲＯＭ（Erasable Programable ReadO
nly Memory）等が挙げられ、上記発光素子の代表として
はＬＥＤが挙げられる。
変換する受光素子、及び電気エネルギーを光エネルギー
に変換する発光素子が種々の分野に使用されている。上
記受光素子としてはフォトダイオード、フォトトランジ
スタ、ＣｄＳセル（硫化カドミウムセル）、フォトサイ
リスタ、及びＥＰＲＯＭ（Erasable Programable ReadO
nly Memory）等が挙げられ、上記発光素子の代表として
はＬＥＤが挙げられる。
【０００３】上記発光素子の代表としてのＬＥＤは、従
来から赤色領域及び緑色領域の波長の光を発するものが
実用化されている。また、ＬＥＤを用いた表示装置も実
用化されている。例えば、赤色領域の波長の光を発する
ＬＥＤと緑色領域の波長の光を発するＬＥＤとを組み合
わせて３色の色分け表示を行うことができる表示板等が
電車内等に設けられている。ＬＥＤは発光効率が極めて
高いとともに、発熱量が極めて少なく、更に素子の寿命
が長いという特性を有しているため、多数の者へ情報を
表示する表示装置や信号等への応用が行われている。
来から赤色領域及び緑色領域の波長の光を発するものが
実用化されている。また、ＬＥＤを用いた表示装置も実
用化されている。例えば、赤色領域の波長の光を発する
ＬＥＤと緑色領域の波長の光を発するＬＥＤとを組み合
わせて３色の色分け表示を行うことができる表示板等が
電車内等に設けられている。ＬＥＤは発光効率が極めて
高いとともに、発熱量が極めて少なく、更に素子の寿命
が長いという特性を有しているため、多数の者へ情報を
表示する表示装置や信号等への応用が行われている。
【０００４】周知の通り光の三原色は赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、及び青（Ｂ）であるが従来は青色領域の光を発
するＬＥＤは実現されていなかった。近年、青色領域の
波長で発光するＬＥＤが遂に実用化された。これで、光
の三原色を発するＬＥＤが全て得られたためフルカラー
化を図ることによって表示板の表示能力を向上させるこ
とが可能となる。また、信号機を全てＬＥＤで実現する
ことも可能となる。
（Ｇ）、及び青（Ｂ）であるが従来は青色領域の光を発
するＬＥＤは実現されていなかった。近年、青色領域の
波長で発光するＬＥＤが遂に実用化された。これで、光
の三原色を発するＬＥＤが全て得られたためフルカラー
化を図ることによって表示板の表示能力を向上させるこ
とが可能となる。また、信号機を全てＬＥＤで実現する
ことも可能となる。
【０００５】ところで、ＬＥＤは優れた単色性ピーク波
長を有するが故に白色系等の発光波長を発光することが
できない。そこで、青色領域の光を発するＬＥＤチップ
と蛍光物質とを用いてＬＥＤチップから発せられる光を
他の色に変換することによって、種々の色を発するＬＥ
Ｄが案出されている。このＬＥＤを用いると、単一のＬ
ＥＤによって例えば白色光を発光させることができる。
長を有するが故に白色系等の発光波長を発光することが
できない。そこで、青色領域の光を発するＬＥＤチップ
と蛍光物質とを用いてＬＥＤチップから発せられる光を
他の色に変換することによって、種々の色を発するＬＥ
Ｄが案出されている。このＬＥＤを用いると、単一のＬ
ＥＤによって例えば白色光を発光させることができる。
【０００６】かかる技術を具体的に説明すると、青色領
域の光を発するＬＥＤチップ等をリードフレームの先端
に設けられたカップ上に配置する。ＬＥＤチップが設け
られたメタルステムやメタルポストとＬＥＤチップとを
それぞれ電気的に接続する。そして、ＬＥＤチップを封
止する樹脂モールド部材中等にＬＥＤチップからの光を
吸収し波長変換する蛍光物質を含有させてＬＥＤチップ
を封止する。この技術の詳細については、例えば特開平
１０−１０７３２５号公報や特開平１０−１９００６５
号公報を参照されたい。
域の光を発するＬＥＤチップ等をリードフレームの先端
に設けられたカップ上に配置する。ＬＥＤチップが設け
られたメタルステムやメタルポストとＬＥＤチップとを
それぞれ電気的に接続する。そして、ＬＥＤチップを封
止する樹脂モールド部材中等にＬＥＤチップからの光を
吸収し波長変換する蛍光物質を含有させてＬＥＤチップ
を封止する。この技術の詳細については、例えば特開平
１０−１０７３２５号公報や特開平１０−１９００６５
号公報を参照されたい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
では上述したように、リードフレームの先端に設けられ
たカップ上にＬＥＤ素子を配置して、リードフレームの
一部、カップ、及びＬＥＤ素子を一括して封止していた
ため、ＬＥＤ素子の外形形状が必然的に大きくなるとい
う問題があった。また、主としてＬＥＤの指向特性を制
御するために、ＬＥＤ素子を封止する樹脂の上部形状を
半円形形状に形成してレンズの機能をもたせているが、
上述のようにリードフレームの一部、カップ、及びＬＥ
Ｄ素子を一括して封止する封止形態であるとレンズの形
状も大きくなり、ＬＥＤの厚さ（ＬＥＤ素子から発せら
れる光の光軸方向の長さ）が厚くなるという問題があっ
た。
では上述したように、リードフレームの先端に設けられ
たカップ上にＬＥＤ素子を配置して、リードフレームの
一部、カップ、及びＬＥＤ素子を一括して封止していた
ため、ＬＥＤ素子の外形形状が必然的に大きくなるとい
う問題があった。また、主としてＬＥＤの指向特性を制
御するために、ＬＥＤ素子を封止する樹脂の上部形状を
半円形形状に形成してレンズの機能をもたせているが、
上述のようにリードフレームの一部、カップ、及びＬＥ
Ｄ素子を一括して封止する封止形態であるとレンズの形
状も大きくなり、ＬＥＤの厚さ（ＬＥＤ素子から発せら
れる光の光軸方向の長さ）が厚くなるという問題があっ
た。
【０００８】前述したように、ＬＥＤは、発光効率が極
めて高いとともに、発熱量が極めて少なく、更に素子の
寿命が長いという極めて優れた特性を有している。ま
た、赤色領域の光、緑領域の光、及び青色領域の光全て
を発光可能であり、更に青色領域の光を発光するＬＥＤ
チップと蛍光物質とを用いることで単一のＬＥＤで白色
光を発光することも可能である。よって、今後、ＬＥＤ
は種々の用途で用いられることが予想に難くないが、Ｌ
ＥＤを集積化して用いることも必要になると考えられ
る。かかる場合には、ＬＥＤの外形形状を小型化すると
ともに、厚みを薄くすることが要求されると考えられ
る。
めて高いとともに、発熱量が極めて少なく、更に素子の
寿命が長いという極めて優れた特性を有している。ま
た、赤色領域の光、緑領域の光、及び青色領域の光全て
を発光可能であり、更に青色領域の光を発光するＬＥＤ
チップと蛍光物質とを用いることで単一のＬＥＤで白色
光を発光することも可能である。よって、今後、ＬＥＤ
は種々の用途で用いられることが予想に難くないが、Ｌ
ＥＤを集積化して用いることも必要になると考えられ
る。かかる場合には、ＬＥＤの外形形状を小型化すると
ともに、厚みを薄くすることが要求されると考えられ
る。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、小型且つ厚みの薄い光電子部品を安価に且つ単
位時間に大量に製造することができる光電子部品の製造
方法を提供することを目的とする。
であり、小型且つ厚みの薄い光電子部品を安価に且つ単
位時間に大量に製造することができる光電子部品の製造
方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光電子部品の製造方法は、光電子部品素子
が複数形成され、当該光電子部品素子各々に対して接続
電極が形成された基板表面に溝を形成する溝形成工程
と、前記溝が形成された基板表面に透明樹脂を塗布する
第１塗布工程と、前記基板の裏面に透明樹脂を塗布する
第２塗布工程と、前記溝が形成された位置を切断して個
々の光電子部品に分離する分離工程とを有することを特
徴としている。また、上記課題を解決するために、本発
明の電子部品の製造方法は、光電子部品素子が複数形成
され、当該光電子部品素子各々に対して接続電極が形成
された基板表面に透明樹脂を塗布する第１塗布工程と、
前記基板裏面に溝を形成する溝形成工程と、前記基板の
裏面に透明樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝が形
成された位置を切断して個々の光電子部品に分離する分
離工程とを有することを特徴としている。また、本発明
の光電子部品の製造方法は、前記溝が、前記基板に形成
された光電子部品素子間に形成されることを特徴として
いる。また、本発明の光電子部品の製造方法は、前記光
電子部品素子が、青色領域の光を発することを特徴とし
ている。また、本発明の光電子部品の製造方法は、前記
透明樹脂が、前記光電子部品素子から発せられる光の少
なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質を
含むことを特徴としている。また、本発明の光電子部品
の製造方法は、前記第１塗布工程が、真空下における孔
版印刷により前記透明樹脂を塗布することを特徴として
いる。また、本発明の光電子部品の製造方法は、前記第
１塗布工程において塗布された封止樹脂を硬化させる硬
化工程を更に有することを特徴としている。また、本発
明の光電子部品の製造方法は、前記第１塗布工程と前記
第２塗布工程との間に、第１塗布工程で基板表面に塗布
した樹脂を研磨して前記接続電極を露出させる研磨工程
を更に有することを特徴としている。また、本発明の光
電子部品の製造方法は、前記第２塗布工程において塗布
された封止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有すること
を特徴としている。また、本発明の光電子部品の製造方
法は、前記分離工程前に前記接続電極に対して接続ボー
ルを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特
徴としている。また、本発明の光電子部品の製造方法
は、上記何れかの光電子部品の製造方法を用いて製造さ
れた光電子部品を、更に透明樹脂を用いて封止する工程
を有することを特徴としている。
に、本発明の光電子部品の製造方法は、光電子部品素子
が複数形成され、当該光電子部品素子各々に対して接続
電極が形成された基板表面に溝を形成する溝形成工程
と、前記溝が形成された基板表面に透明樹脂を塗布する
第１塗布工程と、前記基板の裏面に透明樹脂を塗布する
第２塗布工程と、前記溝が形成された位置を切断して個
々の光電子部品に分離する分離工程とを有することを特
徴としている。また、上記課題を解決するために、本発
明の電子部品の製造方法は、光電子部品素子が複数形成
され、当該光電子部品素子各々に対して接続電極が形成
された基板表面に透明樹脂を塗布する第１塗布工程と、
前記基板裏面に溝を形成する溝形成工程と、前記基板の
裏面に透明樹脂を塗布する第２塗布工程と、前記溝が形
成された位置を切断して個々の光電子部品に分離する分
離工程とを有することを特徴としている。また、本発明
の光電子部品の製造方法は、前記溝が、前記基板に形成
された光電子部品素子間に形成されることを特徴として
いる。また、本発明の光電子部品の製造方法は、前記光
電子部品素子が、青色領域の光を発することを特徴とし
ている。また、本発明の光電子部品の製造方法は、前記
透明樹脂が、前記光電子部品素子から発せられる光の少
なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質を
含むことを特徴としている。また、本発明の光電子部品
の製造方法は、前記第１塗布工程が、真空下における孔
版印刷により前記透明樹脂を塗布することを特徴として
いる。また、本発明の光電子部品の製造方法は、前記第
１塗布工程において塗布された封止樹脂を硬化させる硬
化工程を更に有することを特徴としている。また、本発
明の光電子部品の製造方法は、前記第１塗布工程と前記
第２塗布工程との間に、第１塗布工程で基板表面に塗布
した樹脂を研磨して前記接続電極を露出させる研磨工程
を更に有することを特徴としている。また、本発明の光
電子部品の製造方法は、前記第２塗布工程において塗布
された封止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有すること
を特徴としている。また、本発明の光電子部品の製造方
法は、前記分離工程前に前記接続電極に対して接続ボー
ルを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特
徴としている。また、本発明の光電子部品の製造方法
は、上記何れかの光電子部品の製造方法を用いて製造さ
れた光電子部品を、更に透明樹脂を用いて封止する工程
を有することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態による光電子部品の製造方法について詳細に説
明する。尚、以下の説明においては、ＬＥＤ（Light Em
itting Diode：発光ダイオード）チップを封止して光電
子部品を製造する場合を例に挙げて説明する。図１は、
本発明の一実施形態による光電子部品の製造方法の工程
順を示すフローチャートであり、図２は、複数の光電子
部品素子としてのＬＥＤチップが形成された半導体基板
を示す斜視図であり、図３は、複数のＬＥＤチップが形
成された半導体基板表面を拡大した上面図である。ま
た、図４〜図６は、本発明の一実施形態による電子部品
の製造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明する
ための断面図である。尚、以下の説明においては図１に
示した工程手順について適宜図２〜図６を参照して説明
する。
実施形態による光電子部品の製造方法について詳細に説
明する。尚、以下の説明においては、ＬＥＤ（Light Em
itting Diode：発光ダイオード）チップを封止して光電
子部品を製造する場合を例に挙げて説明する。図１は、
本発明の一実施形態による光電子部品の製造方法の工程
順を示すフローチャートであり、図２は、複数の光電子
部品素子としてのＬＥＤチップが形成された半導体基板
を示す斜視図であり、図３は、複数のＬＥＤチップが形
成された半導体基板表面を拡大した上面図である。ま
た、図４〜図６は、本発明の一実施形態による電子部品
の製造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明する
ための断面図である。尚、以下の説明においては図１に
示した工程手順について適宜図２〜図６を参照して説明
する。
【００１２】まず、本実施形態において、光電子部品を
製造するには、図２に示した複数のＬＥＤチップ１２が
形成された半導体基板１０を用いる。本実施形態におい
ては、ＬＥＤチップ１２として青色領域の光を発するＺ
ｎＳｅ系のＬＥＤチップやＧａＮ系のＬＥＤチップを想
定している。ＺｎＳｅ系のＬＥＤチップは、例えば半導
体基板１０としてＺｎＳｅ基板を用い、ＺｎＳｅ基板上
に順にｎ型のＺｎＳｅ層、ＺｎＣｄＳｅ層とＺｎＴｅＳ
ｅ層とからなる多層膜、及びｐ型のＺｎＳｅ層を形成す
る。そして、ＬＥＤチップの一部をエッチング等によっ
て除去し、ｎ型のＺｎＳｅ層にＩｎ等を用いて負電極を
形成し、更にｐ型のＺｎＳｅ層にオーミックコンタクト
により正電極（例えば、金（Ａｕ））を形成する。
製造するには、図２に示した複数のＬＥＤチップ１２が
形成された半導体基板１０を用いる。本実施形態におい
ては、ＬＥＤチップ１２として青色領域の光を発するＺ
ｎＳｅ系のＬＥＤチップやＧａＮ系のＬＥＤチップを想
定している。ＺｎＳｅ系のＬＥＤチップは、例えば半導
体基板１０としてＺｎＳｅ基板を用い、ＺｎＳｅ基板上
に順にｎ型のＺｎＳｅ層、ＺｎＣｄＳｅ層とＺｎＴｅＳ
ｅ層とからなる多層膜、及びｐ型のＺｎＳｅ層を形成す
る。そして、ＬＥＤチップの一部をエッチング等によっ
て除去し、ｎ型のＺｎＳｅ層にＩｎ等を用いて負電極を
形成し、更にｐ型のＺｎＳｅ層にオーミックコンタクト
により正電極（例えば、金（Ａｕ））を形成する。
【００１３】ＧａＮ系のＬＥＤチップは、例えば半導体
基板１０としてサファイア基板を用い、サファイア基板
上に順にバッファ層、ｎ型のＧａＮ層、Ｓｉをドープし
たＧａＮ層、ＧａＮ層とＳｉをドープしたＩｎxＧａyＮ
（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１）層とからなる多層膜、Ｍｇ
をドープしたｐ型のＩｎxＧａyＮ層、及びＭｇをドープ
したｐ型のＧａＮ層を形成する。そして、ＬＥＤチップ
の一部をエッチング等によって除去し、ｎ型のＧａＮ層
にＮｉ等を用いて負電極を形成し、更にＭｇをドープし
たｐ型のＧａＮ層にＮｉを用いて正電極を形成する。
基板１０としてサファイア基板を用い、サファイア基板
上に順にバッファ層、ｎ型のＧａＮ層、Ｓｉをドープし
たＧａＮ層、ＧａＮ層とＳｉをドープしたＩｎxＧａyＮ
（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１）層とからなる多層膜、Ｍｇ
をドープしたｐ型のＩｎxＧａyＮ層、及びＭｇをドープ
したｐ型のＧａＮ層を形成する。そして、ＬＥＤチップ
の一部をエッチング等によって除去し、ｎ型のＧａＮ層
にＮｉ等を用いて負電極を形成し、更にＭｇをドープし
たｐ型のＧａＮ層にＮｉを用いて正電極を形成する。
【００１４】図３及び図４（ａ）に示したように、本実
施形態では、各ＬＥＤチップ１２の負電極１４と正電極
１６とが半導体基板１０の表面側に形成されており、半
導体基板１０の厚み方向における負電極１４と正電極１
６との位置が異なる構造のＬＥＤチップ１２を例に挙げ
て説明する。尚、図４（ａ）は図３中のＡ−Ａ線断面図
である。
施形態では、各ＬＥＤチップ１２の負電極１４と正電極
１６とが半導体基板１０の表面側に形成されており、半
導体基板１０の厚み方向における負電極１４と正電極１
６との位置が異なる構造のＬＥＤチップ１２を例に挙げ
て説明する。尚、図４（ａ）は図３中のＡ−Ａ線断面図
である。
【００１５】処理が開始すると、半導体基板１０上に複
数形成されたＬＥＤチップ１２の負電極１４及び正電極
１６上に接続電極としてのバンプを形成する工程が行わ
れる（工程Ｓ１０）。図４（ｂ）は、ＬＥＤチップ１２
の負電極１４及び正電極１６上にバンプ１８，２０を形
成する様子を示す断面図である。バンプ１８，２０は、
例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属で形
成される。負電極１４は図示のように、半導体基板１０
の一部をエッチング等により除去した箇所に形成される
ためにバンプ１８は長めに形成され、正電極１６は半導
体基板１０の表面に形成されるためバンプ２０は短めに
形成される。よって、バンプ１８，２０はその高さ位置
がほぼ一定となるよう負電極１４及び正電極１６上にそ
れぞれ形成される。
数形成されたＬＥＤチップ１２の負電極１４及び正電極
１６上に接続電極としてのバンプを形成する工程が行わ
れる（工程Ｓ１０）。図４（ｂ）は、ＬＥＤチップ１２
の負電極１４及び正電極１６上にバンプ１８，２０を形
成する様子を示す断面図である。バンプ１８，２０は、
例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属で形
成される。負電極１４は図示のように、半導体基板１０
の一部をエッチング等により除去した箇所に形成される
ためにバンプ１８は長めに形成され、正電極１６は半導
体基板１０の表面に形成されるためバンプ２０は短めに
形成される。よって、バンプ１８，２０はその高さ位置
がほぼ一定となるよう負電極１４及び正電極１６上にそ
れぞれ形成される。
【００１６】バンプ１８，２０を形成する処理が終了す
ると、次に個々のＬＥＤチップ１２間に溝を形成する工
程が行われる（工程Ｓ１２）。図４（ｃ）は、ＬＥＤチ
ップ１２間に溝を形成する様子を示す断面図である。溝
を形成するにあたり、まず半導体基板１０の裏面にシー
ト２２を貼付する。このシート２２は、半導体基板１０
に溝を形成した際に半導体基板１０が個々に離散するの
を防止するとともに、半導体基板１０の表面に樹脂を印
刷により塗布する際に、塗布した樹脂の漏れを防ぐため
に半導体基板１０の裏面に貼付される。尚、シート２２
は印刷した封止樹脂を高温下で硬化させる場合には、樹
脂硬化温度に耐え得るものが用いられる。
ると、次に個々のＬＥＤチップ１２間に溝を形成する工
程が行われる（工程Ｓ１２）。図４（ｃ）は、ＬＥＤチ
ップ１２間に溝を形成する様子を示す断面図である。溝
を形成するにあたり、まず半導体基板１０の裏面にシー
ト２２を貼付する。このシート２２は、半導体基板１０
に溝を形成した際に半導体基板１０が個々に離散するの
を防止するとともに、半導体基板１０の表面に樹脂を印
刷により塗布する際に、塗布した樹脂の漏れを防ぐため
に半導体基板１０の裏面に貼付される。尚、シート２２
は印刷した封止樹脂を高温下で硬化させる場合には、樹
脂硬化温度に耐え得るものが用いられる。
【００１７】半導体基板１０の裏面にシート２２を貼付
した後、切断機２４を用いてＬＥＤチップ１２間に溝が
形成される。切断機２４は、例えば０．０５〜０．４ｍ
ｍ程度の幅を有する溝を形成するものが用いられる。こ
の切断機２４を用いて半導体基板１０に溝を形成する訳
であるが、図４（ｃ）に示した例では、半導体基板１０
の表面から半導体基板１０の裏面に貼付したシート２２
に至る溝２６が形成される。尚、図３に示したように個
々のＬＥＤチップ１２の形状は矩形形状であり、溝２６
はＬＥＤチップ１２の４辺全てに形成され、個々のＬＥ
Ｄチップ１２の周囲を取り囲むように形成される。
した後、切断機２４を用いてＬＥＤチップ１２間に溝が
形成される。切断機２４は、例えば０．０５〜０．４ｍ
ｍ程度の幅を有する溝を形成するものが用いられる。こ
の切断機２４を用いて半導体基板１０に溝を形成する訳
であるが、図４（ｃ）に示した例では、半導体基板１０
の表面から半導体基板１０の裏面に貼付したシート２２
に至る溝２６が形成される。尚、図３に示したように個
々のＬＥＤチップ１２の形状は矩形形状であり、溝２６
はＬＥＤチップ１２の４辺全てに形成され、個々のＬＥ
Ｄチップ１２の周囲を取り囲むように形成される。
【００１８】半導体基板１０に溝２６が形成されると、
溝２６が形成された半導体基板１０を図示しない樹脂印
刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真空下において
バンプ１８，２０及び溝２６が形成された半導体基板１
０表面に対して透明樹脂２８を印刷により塗布する工程
が行われる（工程Ｓ１４）。図５（ａ）は、バンプ１
８，２０及び溝２６が形成された半導体基板１０表面に
対して透明樹脂２８を印刷により塗布した様子を示す断
面図である。
溝２６が形成された半導体基板１０を図示しない樹脂印
刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真空下において
バンプ１８，２０及び溝２６が形成された半導体基板１
０表面に対して透明樹脂２８を印刷により塗布する工程
が行われる（工程Ｓ１４）。図５（ａ）は、バンプ１
８，２０及び溝２６が形成された半導体基板１０表面に
対して透明樹脂２８を印刷により塗布した様子を示す断
面図である。
【００１９】透明樹脂２８の印刷は、半導体基板１０の
直径よりも僅かに小さい径の孔が形成された図示しない
印刷用の孔版と孔版上を摺動するスキージとを用いて行
われる。本実施形態で用いる透明樹脂２８は液状のもの
であり、硬化後に半導体基板１０の反りが極めて少なく
なるよう抑えられるものが好ましい。尚、本実施形態で
は、ＬＥＤチップ１２が青色領域の光を発し、ＬＥＤチ
ップ１２から発せられた光の少なくとも一部を吸収し波
長変換して発光する光電子部品を製造する場合を例に挙
げて説明している。ここで、波長変換を行うための蛍光
物質が透明樹脂２８に混合されている。
直径よりも僅かに小さい径の孔が形成された図示しない
印刷用の孔版と孔版上を摺動するスキージとを用いて行
われる。本実施形態で用いる透明樹脂２８は液状のもの
であり、硬化後に半導体基板１０の反りが極めて少なく
なるよう抑えられるものが好ましい。尚、本実施形態で
は、ＬＥＤチップ１２が青色領域の光を発し、ＬＥＤチ
ップ１２から発せられた光の少なくとも一部を吸収し波
長変換して発光する光電子部品を製造する場合を例に挙
げて説明している。ここで、波長変換を行うための蛍光
物質が透明樹脂２８に混合されている。
【００２０】ここで、蛍光物質とは、少なくともＬＥＤ
チップ１２から発せられた可視光で励起されて可視光を
発光する蛍光物質をいう。ＬＥＤチップ１２から発せら
れた可視光と、蛍光物質から発せられる可視光とが補色
関係などにある場合やＬＥＤチップ１２からの可視光と
それによって励起され発光する蛍光物質の可視光がそれ
ぞれ光の３原色（赤色領域の光、緑色領域の光、青色領
域の光）に相当する場合、ＬＥＤチップ１２から発せら
れる光と蛍光物質から発せられる光とを混色表示させる
と白色系の発光色表示を行うことができる。また、蛍光
物質を適宜調整したり、ＬＥＤチップ１２から発せられ
る光の波長を選択することにより光電子部品から発せら
れる光を、白色を含め電球色等の任意の色調にすること
ができる。
チップ１２から発せられた可視光で励起されて可視光を
発光する蛍光物質をいう。ＬＥＤチップ１２から発せら
れた可視光と、蛍光物質から発せられる可視光とが補色
関係などにある場合やＬＥＤチップ１２からの可視光と
それによって励起され発光する蛍光物質の可視光がそれ
ぞれ光の３原色（赤色領域の光、緑色領域の光、青色領
域の光）に相当する場合、ＬＥＤチップ１２から発せら
れる光と蛍光物質から発せられる光とを混色表示させる
と白色系の発光色表示を行うことができる。また、蛍光
物質を適宜調整したり、ＬＥＤチップ１２から発せられ
る光の波長を選択することにより光電子部品から発せら
れる光を、白色を含め電球色等の任意の色調にすること
ができる。
【００２１】透明樹脂２８に混合される蛍光物質は、無
機蛍光体、有機蛍光体、蛍光染料、蛍光顔料等の種々の
ものが挙げられる。具体的な蛍光物質としては、ペリレ
ン系誘導体やセリウム付活されたイットリウム・アルミ
ニウム・ガーネット蛍光体である（ＲＥ1-xＳｍx）
3（Ａｌ1-yＧａy）5Ｏ12：Ｃｅ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、但し、ＲＥは、Ｙ，Ｇｄ,Ｌａ，Ｌｕ，Ｓｃからな
る群より選択される少なくとも一種の元素である。）等
が挙げられる。また、蛍光物質は、２種類以上の蛍光物
質を混合させてもよい。即ち、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｌａ、
及びＧｄやＳｍの含有量が異なる２種類以上の（ＲＥ
1-xＳｍx）3（Ａｌ1-yＧａy）5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体を混合
させてＲＧＢの波長成分を増やすことができる。
機蛍光体、有機蛍光体、蛍光染料、蛍光顔料等の種々の
ものが挙げられる。具体的な蛍光物質としては、ペリレ
ン系誘導体やセリウム付活されたイットリウム・アルミ
ニウム・ガーネット蛍光体である（ＲＥ1-xＳｍx）
3（Ａｌ1-yＧａy）5Ｏ12：Ｃｅ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、但し、ＲＥは、Ｙ，Ｇｄ,Ｌａ，Ｌｕ，Ｓｃからな
る群より選択される少なくとも一種の元素である。）等
が挙げられる。また、蛍光物質は、２種類以上の蛍光物
質を混合させてもよい。即ち、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｌａ、
及びＧｄやＳｍの含有量が異なる２種類以上の（ＲＥ
1-xＳｍx）3（Ａｌ1-yＧａy）5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体を混合
させてＲＧＢの波長成分を増やすことができる。
【００２２】印刷を行う際には、まず、半導体基板１０
の上面に孔版を接触させて配置する。このとき、孔版に
形成された孔が半導体素子１０表面に形成されたＬＥＤ
チップの上方に位置するよう孔版を配置する。つまり、
孔版がＬＥＤチップを覆わないよう孔版を配置する。次
に、孔版上に透明樹脂２８を滴下し、スキージを孔版の
面に沿って摺動させる。スキージを摺動させることによ
り、透明樹脂２８が孔版に形成された孔内に流入すると
ともに、孔内に流入した透明樹脂２８の上面が孔版と同
一の高さになり、且つ上面が平坦となる。このとき、半
導体基板１０に形成された溝２６内部に封止樹脂が充填
される。
の上面に孔版を接触させて配置する。このとき、孔版に
形成された孔が半導体素子１０表面に形成されたＬＥＤ
チップの上方に位置するよう孔版を配置する。つまり、
孔版がＬＥＤチップを覆わないよう孔版を配置する。次
に、孔版上に透明樹脂２８を滴下し、スキージを孔版の
面に沿って摺動させる。スキージを摺動させることによ
り、透明樹脂２８が孔版に形成された孔内に流入すると
ともに、孔内に流入した透明樹脂２８の上面が孔版と同
一の高さになり、且つ上面が平坦となる。このとき、半
導体基板１０に形成された溝２６内部に封止樹脂が充填
される。
【００２３】尚、工程Ｓ１４においてなされる印刷は、
１回の印刷のみに制限される訳ではなく、１枚の半導体
基板１０に対して複数回行っても良い。また、透明樹脂
２８の印刷は、真空下において行うことが好ましいが、
大気圧下で行うことが不可能な訳ではない。大気圧下で
印刷を行う場合には、加熱しながら印刷を行うことが好
ましい。なぜならば、印刷を行う際に透明樹脂２８に巻
き込まれる気泡が抜け易くなるからである。また、透明
樹脂２８の印刷を行う際には、圧力差を用いて透明樹脂
２８を溝２６内に充填することができる真空印刷機を用
いるのが好ましい。
１回の印刷のみに制限される訳ではなく、１枚の半導体
基板１０に対して複数回行っても良い。また、透明樹脂
２８の印刷は、真空下において行うことが好ましいが、
大気圧下で行うことが不可能な訳ではない。大気圧下で
印刷を行う場合には、加熱しながら印刷を行うことが好
ましい。なぜならば、印刷を行う際に透明樹脂２８に巻
き込まれる気泡が抜け易くなるからである。また、透明
樹脂２８の印刷を行う際には、圧力差を用いて透明樹脂
２８を溝２６内に充填することができる真空印刷機を用
いるのが好ましい。
【００２４】透明樹脂２８の印刷が終了すると、印刷し
た透明樹脂２８を硬化させ、硬化後に半導体基板１０の
裏面に貼付されたシート２２を剥離して、バンプ１８，
２０が露出するまで透明樹脂２８を研磨する工程が行わ
れる（工程Ｓ１６）。図５（ｂ）はは、透明樹脂２８を
研磨してバンプ１８，２０が露出した様子を示す断面図
である。透明樹脂２８がバンプ１８，２０を覆っている
と、ＬＥＤチップとマザーボード等の外部の回路とを電
気的に接続することができないため、接続電極としての
バンプ１８，２０を露出させる目的でこの工程が設けら
れる。
た透明樹脂２８を硬化させ、硬化後に半導体基板１０の
裏面に貼付されたシート２２を剥離して、バンプ１８，
２０が露出するまで透明樹脂２８を研磨する工程が行わ
れる（工程Ｓ１６）。図５（ｂ）はは、透明樹脂２８を
研磨してバンプ１８，２０が露出した様子を示す断面図
である。透明樹脂２８がバンプ１８，２０を覆っている
と、ＬＥＤチップとマザーボード等の外部の回路とを電
気的に接続することができないため、接続電極としての
バンプ１８，２０を露出させる目的でこの工程が設けら
れる。
【００２５】尚、塗布した透明樹脂２８を硬化するに
は、例えば熱風乾燥機（図示省略）を用いて透明樹脂２
８を乾燥することにより行う。透明樹脂２８を硬化させ
る場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設
定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始
するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5
〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも透明樹脂２８が
ゲル化するまでの間加圧硬化を行う。更に、溝２６内に
おける透明樹脂２８の充填性をより高いものとするため
に、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも
高い圧力をかけて透明樹脂２８を硬化させる、いわゆる
加圧硬化を行うことが好ましい。
は、例えば熱風乾燥機（図示省略）を用いて透明樹脂２
８を乾燥することにより行う。透明樹脂２８を硬化させ
る場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設
定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始
するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5
〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも透明樹脂２８が
ゲル化するまでの間加圧硬化を行う。更に、溝２６内に
おける透明樹脂２８の充填性をより高いものとするため
に、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも
高い圧力をかけて透明樹脂２８を硬化させる、いわゆる
加圧硬化を行うことが好ましい。
【００２６】以上の工程が終了すると、次に半導体基板
１０の裏面に透明樹脂３０を塗布する工程が行われる
（工程Ｓ１８）。図５（ｃ）は、半導体基板１０の裏面
に透明樹脂３０を塗布した状態を示す断面図である。こ
の透明樹脂３０は、前述した透明樹脂２８と同様に液状
のものであり、波長変換を行うための蛍光物質が混合さ
れている。透明樹脂３０の塗布は、透明樹脂２８を塗布
する場合と同様に印刷により塗布することが好ましく、
更に真空下で印刷を行うことが好ましい。透明樹脂３０
の塗布が完了すると、塗布した透明樹脂３０を硬化させ
る工程が行われる（工程Ｓ２０）。ここで、透明樹脂２
０も熱風乾燥機を用いて乾燥させることにより硬化させ
る。
１０の裏面に透明樹脂３０を塗布する工程が行われる
（工程Ｓ１８）。図５（ｃ）は、半導体基板１０の裏面
に透明樹脂３０を塗布した状態を示す断面図である。こ
の透明樹脂３０は、前述した透明樹脂２８と同様に液状
のものであり、波長変換を行うための蛍光物質が混合さ
れている。透明樹脂３０の塗布は、透明樹脂２８を塗布
する場合と同様に印刷により塗布することが好ましく、
更に真空下で印刷を行うことが好ましい。透明樹脂３０
の塗布が完了すると、塗布した透明樹脂３０を硬化させ
る工程が行われる（工程Ｓ２０）。ここで、透明樹脂２
０も熱風乾燥機を用いて乾燥させることにより硬化させ
る。
【００２７】透明樹脂３０が硬化すると、次に工程Ｓ１
６において透明樹脂２８上に露出されたバンプ１８，２
０上に接続用ボール３２を形成する工程が行われる（工
程Ｓ２２）。図６（ａ）はバンプ１８，２０上に接続用
ボール３２を形成する様子を示す断面図である。接続用
ボール３２は、例えばバンプ１８，２０が配置されたピ
ッチに応じた径を有し、図示しないボールマウンタ（図
示省略）を用いて搭載される。
６において透明樹脂２８上に露出されたバンプ１８，２
０上に接続用ボール３２を形成する工程が行われる（工
程Ｓ２２）。図６（ａ）はバンプ１８，２０上に接続用
ボール３２を形成する様子を示す断面図である。接続用
ボール３２は、例えばバンプ１８，２０が配置されたピ
ッチに応じた径を有し、図示しないボールマウンタ（図
示省略）を用いて搭載される。
【００２８】しかしながら、バンプ１８，２０の配置さ
れたピッチが０．５ｍｍ以下になった場合、径が０．３
ｍｍより小さいボールが必要となる。従って、この程度
にピッチが狭くなった場合には、ボールマウンタを用い
て接続用ボール３２を搭載するよりも、所定量のハンダ
ペーストを精度良くバンプ１８，２０上に積載し、リフ
ロー（図示省略）を通して接続用ボール３２を形成させ
た方がより好ましい。この場合、ハンダペーストをバン
プ１８，２０上に搭載するには、所定の孔版及びスキー
ジを用いて印刷により搭載することが好ましい。
れたピッチが０．５ｍｍ以下になった場合、径が０．３
ｍｍより小さいボールが必要となる。従って、この程度
にピッチが狭くなった場合には、ボールマウンタを用い
て接続用ボール３２を搭載するよりも、所定量のハンダ
ペーストを精度良くバンプ１８，２０上に積載し、リフ
ロー（図示省略）を通して接続用ボール３２を形成させ
た方がより好ましい。この場合、ハンダペーストをバン
プ１８，２０上に搭載するには、所定の孔版及びスキー
ジを用いて印刷により搭載することが好ましい。
【００２９】最後に、透明樹脂２８及び透明樹脂３０を
切断することによりＬＥＤチップ１２を個々に分離して
光電子部品３８を形成する工程が行われる（工程Ｓ２
４）。図６（ｂ）は、ＬＥＤチップ１２を個々に分離し
て光電子部品３８を形成する様子を示す断面図である。
ＬＥＤチップ１２の分離にあたって、透明樹脂３０の表
面にシート３４を貼付する。このシート３４は、ＬＥＤ
チップ１２を分離することよって光電子部品３８を得る
際に、光電子部品３８が個々に離散するのを防止するた
めに貼付される。
切断することによりＬＥＤチップ１２を個々に分離して
光電子部品３８を形成する工程が行われる（工程Ｓ２
４）。図６（ｂ）は、ＬＥＤチップ１２を個々に分離し
て光電子部品３８を形成する様子を示す断面図である。
ＬＥＤチップ１２の分離にあたって、透明樹脂３０の表
面にシート３４を貼付する。このシート３４は、ＬＥＤ
チップ１２を分離することよって光電子部品３８を得る
際に、光電子部品３８が個々に離散するのを防止するた
めに貼付される。
【００３０】ＬＥＤチップ１２の分離は、ダイシング装
置３６によって行う。ダイシング装置３６によって切断
を行う際には、工程Ｓ１２において形成した溝２６のほ
ぼ中央部を切断する。尚、切断は通常のダイシング装置
を用いることができるが、レーザを用いたレーザ切断装
置を用いても良い。また、ダイシング装置の切断刃の厚
みは５〜２００μｍ程度であって、溝２６の幅より薄い
ものである。
置３６によって行う。ダイシング装置３６によって切断
を行う際には、工程Ｓ１２において形成した溝２６のほ
ぼ中央部を切断する。尚、切断は通常のダイシング装置
を用いることができるが、レーザを用いたレーザ切断装
置を用いても良い。また、ダイシング装置の切断刃の厚
みは５〜２００μｍ程度であって、溝２６の幅より薄い
ものである。
【００３１】図６（ｃ）は、光電子部品３８の断面図で
あり、図７は、光電子部品３８の斜視図である。図６
（ｃ）及び図７から分かるように、光電子部品３８は、
上下及び４側面が全て透明樹脂２８、３０によって封止
されている構造である。前述したように、透明樹脂２
８，３０には蛍光物質が混合されており、この透明樹脂
２８，３０は光電子部品３８の上下及び４側面を全て取
り囲んでいるた。よって、ＬＥＤチップ１８から全方向
に発せられた光が、蛍光物質が混合された透明樹脂２
８，３０を通過して波長変換されるため、所望の色調の
光を得る際に好都合である。
あり、図７は、光電子部品３８の斜視図である。図６
（ｃ）及び図７から分かるように、光電子部品３８は、
上下及び４側面が全て透明樹脂２８、３０によって封止
されている構造である。前述したように、透明樹脂２
８，３０には蛍光物質が混合されており、この透明樹脂
２８，３０は光電子部品３８の上下及び４側面を全て取
り囲んでいるた。よって、ＬＥＤチップ１８から全方向
に発せられた光が、蛍光物質が混合された透明樹脂２
８，３０を通過して波長変換されるため、所望の色調の
光を得る際に好都合である。
【００３２】以上説明した製造方法によって製造された
光電子部品３８は、例えば図８に示した状態で回路基板
上に実装される。図８は、光電子部品３８の回路基板上
への実装状況を示す斜視図である。図８に示したよう
に、光電子部品３８は、接続用ボール３２が形成された
面を回路基板側に向け、透明樹脂３０が塗布された面４
０を上側にして実装される。光電子部品３８は、接続用
ボール３２が回路基板上に形成された導体パッド４２
ａ，４２ｂに固着されることによって、回路基板上に実
装させるとともに、電気的に接続される。
光電子部品３８は、例えば図８に示した状態で回路基板
上に実装される。図８は、光電子部品３８の回路基板上
への実装状況を示す斜視図である。図８に示したよう
に、光電子部品３８は、接続用ボール３２が形成された
面を回路基板側に向け、透明樹脂３０が塗布された面４
０を上側にして実装される。光電子部品３８は、接続用
ボール３２が回路基板上に形成された導体パッド４２
ａ，４２ｂに固着されることによって、回路基板上に実
装させるとともに、電気的に接続される。
【００３３】以上、本発明の一実施形態による光電子部
品の製造方法について説明したが、本発明は上記実施形
態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能で
ある。例えば、上記実施形態における工程Ｓ１２では、
図４（ｃ）に示したように、半導体基板１０の裏面にシ
ート２２を貼付して切断機２４により、半導体基板１０
の表面からシート２２に至る溝２６を形成していた。
品の製造方法について説明したが、本発明は上記実施形
態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能で
ある。例えば、上記実施形態における工程Ｓ１２では、
図４（ｃ）に示したように、半導体基板１０の裏面にシ
ート２２を貼付して切断機２４により、半導体基板１０
の表面からシート２２に至る溝２６を形成していた。
【００３４】しかしながら、半導体基板１０の厚みの半
分程度の深さを有する溝を形成し、透明樹脂２８を塗布
して硬化させ、バンプ１８，２０が露出するまで透明樹
脂２８を研磨した後、半導体基板１０の裏面を、形成し
た溝の底が露出するまで研磨して研磨した半導体基板１
０の裏面に透明樹脂３０を塗布するようにしてもよい。
また、半導体基板１０の表面には溝を形成せずに、透明
樹脂２８を半導体基板１０の表面に塗布して硬化させ、
バンプ１８，２０が露出するまで透明樹脂２８を研磨し
た後、半導体基板１０の裏面から半導体基板１０の表面
に塗布した透明樹脂２８に至る溝を形成した後に、半導
体基板１０の裏面に透明樹脂３０を塗布するようにして
もよい。尚、この場合において、溝を形成する前に半導
体基板１０の裏面を研磨して半導体基板１０を所定の厚
みに調整しても良い。
分程度の深さを有する溝を形成し、透明樹脂２８を塗布
して硬化させ、バンプ１８，２０が露出するまで透明樹
脂２８を研磨した後、半導体基板１０の裏面を、形成し
た溝の底が露出するまで研磨して研磨した半導体基板１
０の裏面に透明樹脂３０を塗布するようにしてもよい。
また、半導体基板１０の表面には溝を形成せずに、透明
樹脂２８を半導体基板１０の表面に塗布して硬化させ、
バンプ１８，２０が露出するまで透明樹脂２８を研磨し
た後、半導体基板１０の裏面から半導体基板１０の表面
に塗布した透明樹脂２８に至る溝を形成した後に、半導
体基板１０の裏面に透明樹脂３０を塗布するようにして
もよい。尚、この場合において、溝を形成する前に半導
体基板１０の裏面を研磨して半導体基板１０を所定の厚
みに調整しても良い。
【００３５】また、以上説明した本発明の一実施形態に
よる光電子部品の製造方法を用いて製造した光電子部品
３８を、更に透明樹脂にて封止する工程を設けても良
い。光電子部品３８を透明樹脂で封止する際には、特開
平１０−６５２１６号に開示されたように、孔版を用い
て光電子部品３８を透明樹脂で印刷することが好適であ
る。図９は、光電子部品３８を透明樹脂で封止した様子
を示す図である。
よる光電子部品の製造方法を用いて製造した光電子部品
３８を、更に透明樹脂にて封止する工程を設けても良
い。光電子部品３８を透明樹脂で封止する際には、特開
平１０−６５２１６号に開示されたように、孔版を用い
て光電子部品３８を透明樹脂で印刷することが好適であ
る。図９は、光電子部品３８を透明樹脂で封止した様子
を示す図である。
【００３６】図９（ａ）に示したように、光電子部品３
８は回路基板４４上に形成された導体パッド４６ａ，４
６ｂに接続用ボール３２が固着されて回路基板４４上に
搭載されるとともに、回路基板４４と電気的に接続され
ている。回路基板４４上に搭載された光電子部品３８は
略半円形状に形成された透明樹脂４８により封止されて
いる。透明樹脂４８は、前述した透明樹脂２８，３０と
同様に、蛍光物質が混合されたものでも良く、蛍光物質
が混合されていないものでもよい。また、透明樹脂４８
は、形状が略半円形状に形成されることにより、レンズ
の機能を有する。このように、光電子部品３８を封止す
ることで、レンズ４８を含めたＬＥＤとしての外形形状
を小型化及び薄型化することができる。
８は回路基板４４上に形成された導体パッド４６ａ，４
６ｂに接続用ボール３２が固着されて回路基板４４上に
搭載されるとともに、回路基板４４と電気的に接続され
ている。回路基板４４上に搭載された光電子部品３８は
略半円形状に形成された透明樹脂４８により封止されて
いる。透明樹脂４８は、前述した透明樹脂２８，３０と
同様に、蛍光物質が混合されたものでも良く、蛍光物質
が混合されていないものでもよい。また、透明樹脂４８
は、形状が略半円形状に形成されることにより、レンズ
の機能を有する。このように、光電子部品３８を封止す
ることで、レンズ４８を含めたＬＥＤとしての外形形状
を小型化及び薄型化することができる。
【００３７】また、図９（ｂ）に示すように、光電子部
品３８を基板５０内に埋め込んで配置する構成とするこ
ともできる。図９（ｂ）に示したように、基板５０には
穴が形成されており、この穴内には電極パッド５２ａ，
５２ｂが形成されている。電極パッド５２ａ，５２ｂ
は、スルーホール（又はビアホール）５４ａ，５４ｂを
介して基板５０の裏面に形成された配線５６と電気的に
接続される。かかる電極パッド５２ａ，５２ｂが形成さ
れた穴内に光電子部品３８を配置して、接続用ボール３
２と電極パッド５２ａ，５２ｂとを固着することによ
り、光電子部品３８を基板５０上に搭載するとともに、
基板５０の裏面に形成された配線５６と電気的接続を行
っている。そして、基板５０に形成された穴内に透明樹
脂４８を充填することで、光電子部品３８を封止してい
る。
品３８を基板５０内に埋め込んで配置する構成とするこ
ともできる。図９（ｂ）に示したように、基板５０には
穴が形成されており、この穴内には電極パッド５２ａ，
５２ｂが形成されている。電極パッド５２ａ，５２ｂ
は、スルーホール（又はビアホール）５４ａ，５４ｂを
介して基板５０の裏面に形成された配線５６と電気的に
接続される。かかる電極パッド５２ａ，５２ｂが形成さ
れた穴内に光電子部品３８を配置して、接続用ボール３
２と電極パッド５２ａ，５２ｂとを固着することによ
り、光電子部品３８を基板５０上に搭載するとともに、
基板５０の裏面に形成された配線５６と電気的接続を行
っている。そして、基板５０に形成された穴内に透明樹
脂４８を充填することで、光電子部品３８を封止してい
る。
【００３８】図１０は、赤色領域の光、緑領域の光、及
び青色領域の光をそれぞれ発する光電子部品を封止して
形成されるＬＥＤの上面図であり、（ａ）は従来構成の
ＬＥＤの上面図であり、（ｂ）は本発明を適用して形成
されるＬＥＤの上面図である。図１０（ａ）に示すよう
に、従来のＬＥＤは、電極６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ上に
赤色領域の光を発する光電子部品６０Ｒ、緑色領域の光
を発する光電子部品６０Ｇ、青色領域の光を発する光電
子部品６０Ｂをそれぞれ配置し、光電子部品６０Ｒ，６
０Ｇ，６０Ｂの上面と電極６４とをワイヤ線６６Ｒ，６
６Ｇ，６６Ｂ各々を用いて接続していた、
び青色領域の光をそれぞれ発する光電子部品を封止して
形成されるＬＥＤの上面図であり、（ａ）は従来構成の
ＬＥＤの上面図であり、（ｂ）は本発明を適用して形成
されるＬＥＤの上面図である。図１０（ａ）に示すよう
に、従来のＬＥＤは、電極６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ上に
赤色領域の光を発する光電子部品６０Ｒ、緑色領域の光
を発する光電子部品６０Ｇ、青色領域の光を発する光電
子部品６０Ｂをそれぞれ配置し、光電子部品６０Ｒ，６
０Ｇ，６０Ｂの上面と電極６４とをワイヤ線６６Ｒ，６
６Ｇ，６６Ｂ各々を用いて接続していた、
【００３９】従来の光電子部品６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ
は、下面及び上面に電極が形成されていたため、電極６
２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ上に配置し、且つワイヤ線６６
Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂ各々を用いて電極と接続する必要が
あった。図１０（ａ）中に示した円Ｃ１は、透明樹脂で
形成したレンズの径を示している。図１０（ａ）から分
かるように、従来は電極６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ及び電
極６４の配線が制限されていたため、レンズの径Ｃ１は
必然的に大きくなっていた。
は、下面及び上面に電極が形成されていたため、電極６
２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ上に配置し、且つワイヤ線６６
Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂ各々を用いて電極と接続する必要が
あった。図１０（ａ）中に示した円Ｃ１は、透明樹脂で
形成したレンズの径を示している。図１０（ａ）から分
かるように、従来は電極６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ及び電
極６４の配線が制限されていたため、レンズの径Ｃ１は
必然的に大きくなっていた。
【００４０】図１０（ｂ）に示すように、本発明を適用
したＬＥＤは、正電極及び負電極が共に光電子部品７０
Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの一面に形成されているため、電極
７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂと電極７４との上に赤色領域の
光を発する光電子部品７０Ｒ、緑色領域の光を発する光
電子部品７０Ｇ、青色領域の光を発する光電子部品７０
Ｂそれぞれを配置することができる。その結果、図１０
（ｂ）中符号Ｃ２を付して示したように、レンズの径を
小さくすることができる。
したＬＥＤは、正電極及び負電極が共に光電子部品７０
Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの一面に形成されているため、電極
７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂと電極７４との上に赤色領域の
光を発する光電子部品７０Ｒ、緑色領域の光を発する光
電子部品７０Ｇ、青色領域の光を発する光電子部品７０
Ｂそれぞれを配置することができる。その結果、図１０
（ｂ）中符号Ｃ２を付して示したように、レンズの径を
小さくすることができる。
【００４１】以上説明した実施形態では、ＬＥＤを例に
挙げて説明したが、本発明は、光エネルギーを電気エネ
ルギーに変換する受光素子、及び電気エネルギーを光エ
ネルギーに変換する発光素子の内、透明樹脂を用いて封
止することにより製造される光電子部品の製造全てにお
いて適用することができる。
挙げて説明したが、本発明は、光エネルギーを電気エネ
ルギーに変換する受光素子、及び電気エネルギーを光エ
ネルギーに変換する発光素子の内、透明樹脂を用いて封
止することにより製造される光電子部品の製造全てにお
いて適用することができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
小型且つ厚みの薄い光電子部品を安価に且つ単位時間に
大量に製造することができるという効果がある。
小型且つ厚みの薄い光電子部品を安価に且つ単位時間に
大量に製造することができるという効果がある。
【図１】 本発明の一実施形態による光電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。
方法の工程順を示すフローチャートである。
【図２】 複数の光電子部品素子としてのＬＥＤチップ
が形成された半導体基板を示す斜視図である。
が形成された半導体基板を示す斜視図である。
【図３】 複数のＬＥＤチップが形成された半導体基板
表面を拡大した上面図である。
表面を拡大した上面図である。
【図４】 本発明の一実施形態による電子部品の製造方
法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための断
面図である。
法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための断
面図である。
【図５】 本発明の一実施形態による電子部品の製造方
法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための断
面図である。
法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための断
面図である。
【図６】 本発明の一実施形態による電子部品の製造方
法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための断
面図である。
法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための断
面図である。
【図７】 光電子部品３８の斜視図である。
【図８】 光電子部品３８の回路基板上への実装状況を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図９】 光電子部品３８を透明樹脂で封止した様子を
示す図である。
示す図である。
【図１０】 赤色領域の光、緑領域の光、及び青色領域
の光をそれぞれ発する光電子部品を封止して形成される
ＬＥＤの上面図であり、（ａ）は従来構成のＬＥＤの上
面図であり、（ｂ）は本発明を適用して形成されるＬＥ
Ｄの上面図である。
の光をそれぞれ発する光電子部品を封止して形成される
ＬＥＤの上面図であり、（ａ）は従来構成のＬＥＤの上
面図であり、（ｂ）は本発明を適用して形成されるＬＥ
Ｄの上面図である。
１０ 基板（半導体基板） １２ ＬＥＤチップ（光電子部品素子） １８，２０ バンプ（接続電極） ２６ 溝 ２８，３０ 透明樹脂 ３２ 接続用ボール ３８ 光電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ 33/00 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/28 - 23/30 H01L 31/02 H01L 33/00
Claims (11)
- 【請求項１】 光電子部品素子が複数形成され、当該光
電子部品素子各々に対して接続電極が形成された基板表
面に溝を形成する溝形成工程と、 前記溝が形成された基板表面に透明樹脂を塗布する第１
塗布工程と、 前記基板の裏面に透明樹脂を塗布する第２塗布工程と、 前記溝が形成された位置を切断して個々の光電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする光電子部
品の製造方法。 - 【請求項２】 光電子部品素子が複数形成され、当該光
電子部品素子各々に対して接続電極が形成された基板表
面に透明樹脂を塗布する第１塗布工程と、 前記基板裏面に溝を形成する溝形成工程と、 前記基板の裏面に透明樹脂を塗布する第２塗布工程と、 前記溝が形成された位置を切断して個々の光電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする光電子部
品の製造方法。 - 【請求項３】 前記溝は、前記基板に形成された光電子
部品素子間に形成されることを特徴とする請求項１又は
請求項２記載の光電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 前記光電子部品素子は、青色領域の光を
発することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか
に記載の光電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記透明樹脂は、前記光電子部品素子か
ら発せられる光の少なくとも一部を吸収し波長変換して
発光する蛍光物質を含むことを特徴とする請求項１から
請求項４の何れか一項に記載の光電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１塗布工程は、真空下における孔
版印刷により前記透明樹脂を塗布することを特徴とする
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の光電子部品
の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１塗布工程において塗布された封
止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有することを特徴と
する請求項１から請求項６の何れか一項に記載の光電子
部品の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１塗布工程と前記第２塗布工程と
の間に、第１塗布工程で基板表面に塗布した樹脂を研磨
して前記接続電極を露出させる研磨工程を更に有するこ
とを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の
光電子部品の製造方法。 - 【請求項９】 前記第２塗布工程において塗布された封
止樹脂を硬化させる硬化工程を更に有することを特徴と
する請求項１から請求項８の何れか一項に記載の光電子
部品の製造方法。 - 【請求項１０】 前記分離工程前に前記接続電極に対し
て接続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有す
ることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか一項
に記載の光電子部品の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０の何れか一項
に記載された光電子部品の製造方法を用いて製造された
光電子部品を、更に透明樹脂を用いて封止する工程を有
することを特徴とする光電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000251474A JP3328647B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 光電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000251474A JP3328647B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | 光電子部品の製造方法 |
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| JP2002064112A JP2002064112A (ja) | 2002-02-28 |
| JP3328647B2 true JP3328647B2 (ja) | 2002-09-30 |
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| EP2075840B1 (en) * | 2007-12-28 | 2014-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for dicing a wafer with semiconductor elements formed thereon and corresponding device |
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| JP5426484B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法 |
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| JP5848562B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-01-27 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法。 |
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| DE102013103226A1 (de) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
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