JP2000183405A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000183405A JP2000183405A JP10357052A JP35705298A JP2000183405A JP 2000183405 A JP2000183405 A JP 2000183405A JP 10357052 A JP10357052 A JP 10357052A JP 35705298 A JP35705298 A JP 35705298A JP 2000183405 A JP2000183405 A JP 2000183405A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- light
- light emitting
- emitting element
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本願発明は、各種デ−タを表示可能なディス
プレイ、ラインセンサ−の光源等に使用される発光装置
及びその製造方法に係り、特に低コストで生産性良く、
且つ光吸収層の耐候性及び機械的強度に優れた発光装置
を提供することにある。 【解決手段】 パッケージ凹部内に配された発光素子
と、前記発光素子と外部とを電気的に接続させるリード
電極と、前記発光素子を被覆するモールド部材と、前記
パッケージの発光観測面側上面に配された光吸収層とを
有する発光装置であって、前記光吸収層が前記モールド
部材と実質的に同じ材料でパッケージに一体的に固定さ
れている。
プレイ、ラインセンサ−の光源等に使用される発光装置
及びその製造方法に係り、特に低コストで生産性良く、
且つ光吸収層の耐候性及び機械的強度に優れた発光装置
を提供することにある。 【解決手段】 パッケージ凹部内に配された発光素子
と、前記発光素子と外部とを電気的に接続させるリード
電極と、前記発光素子を被覆するモールド部材と、前記
パッケージの発光観測面側上面に配された光吸収層とを
有する発光装置であって、前記光吸収層が前記モールド
部材と実質的に同じ材料でパッケージに一体的に固定さ
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、各種デ−タを表
示可能なディスプレイ、ラインセンサ−の光源に使用さ
れる発光装置及びその製造方法に係り、特に光吸収層と
パッケージとの密着強度を向上させ信頼性の高い発光装
置を歩留まりよく提供するものである。
示可能なディスプレイ、ラインセンサ−の光源に使用さ
れる発光装置及びその製造方法に係り、特に光吸収層と
パッケージとの密着強度を向上させ信頼性の高い発光装
置を歩留まりよく提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、１０００ｍｃｄ以上にも及ぶ超高
輝度に発光可能な半導体発光素子がＲＧＢそれぞれ形成
され、このような発光素子を利用した発光装置は、屋内
または屋外でフルカラ−発光可能なＬＥＤディスプレ
イ、各種センサーやインジケータなど種々の分野に利用
され始めている。このような半導体発光素子を利用した
発光装置の例として図４の如き表面実装型ＬＥＤがあ
る。表面実装型ＬＥＤは、チップ抵抗などの他の表面実
装型電子部品と同様にチップマウンタ−と半田リフロー
にて実装が可能である。表面実装型ＬＥＤは、小型化可
能であると共に比較的高密度に信頼性よく実装できる。
輝度に発光可能な半導体発光素子がＲＧＢそれぞれ形成
され、このような発光素子を利用した発光装置は、屋内
または屋外でフルカラ−発光可能なＬＥＤディスプレ
イ、各種センサーやインジケータなど種々の分野に利用
され始めている。このような半導体発光素子を利用した
発光装置の例として図４の如き表面実装型ＬＥＤがあ
る。表面実装型ＬＥＤは、チップ抵抗などの他の表面実
装型電子部品と同様にチップマウンタ−と半田リフロー
にて実装が可能である。表面実装型ＬＥＤは、小型化可
能であると共に比較的高密度に信頼性よく実装できる。
【０００３】このような発光装置は、何れもエポキシ樹
脂や液晶ポリマーなどの各種樹脂、セラミックなどによ
って形成されたパッケージ５０２上等に発光素子５０３
を配置させリード電極５０４によって外部と電気的に接
続させている。発光素子５０３とリード電極５０４と
は、金線などの導電性ワイヤーやＡｇペーストを利用し
た導電性接着剤である電気的接続部材５０５で電気的に
接続されている。また、発光素子５０３上には外部環境
から保護するために透光性のモールド部材５０１が設け
られている。表面実装型ＬＥＤは、レンズ効果が無い、
或いはレンズ効果が小さいため無指向性で広範囲から視
認でき視野角が広い。その反面正面輝度が低くくなる。
そのため、発光素子５０３からの光を乳白色や白色系の
パッケージ内側面の反射を利用し発光効率を向上させて
いる。ところで、このような発光装置を表示装置や光セ
ンサーとして利用するときは、発光装置が発光している
時の正面輝度と、発光していないときの暗輝度（ＬＥＤ
を点灯していないときの外光による正面反射輝度）の差
が大きいことが好ましい。即ち、発光時と非発光時の差
であるコントラスト比（（ＬＥＤ正面輝度＋正面反射輝
度）／正面反射輝度）が大きい表示装置とすることでよ
り鮮明な画像が表示可能となる。同様に、光センサーに
上記発光装置を利用した場合においても誤作動のより少
ない発光装置とすることができる。従ってコントラス比
を大きくするために、発光部を除くパッケージの発光観
測面側表面を暗色系に着色する。具体的には、暗色系の
顔料等を含有させた樹脂を、スクリーン印刷法等を用い
てパッケージ表面に塗布することにより光吸収層を形成
する方法が考えられる。
脂や液晶ポリマーなどの各種樹脂、セラミックなどによ
って形成されたパッケージ５０２上等に発光素子５０３
を配置させリード電極５０４によって外部と電気的に接
続させている。発光素子５０３とリード電極５０４と
は、金線などの導電性ワイヤーやＡｇペーストを利用し
た導電性接着剤である電気的接続部材５０５で電気的に
接続されている。また、発光素子５０３上には外部環境
から保護するために透光性のモールド部材５０１が設け
られている。表面実装型ＬＥＤは、レンズ効果が無い、
或いはレンズ効果が小さいため無指向性で広範囲から視
認でき視野角が広い。その反面正面輝度が低くくなる。
そのため、発光素子５０３からの光を乳白色や白色系の
パッケージ内側面の反射を利用し発光効率を向上させて
いる。ところで、このような発光装置を表示装置や光セ
ンサーとして利用するときは、発光装置が発光している
時の正面輝度と、発光していないときの暗輝度（ＬＥＤ
を点灯していないときの外光による正面反射輝度）の差
が大きいことが好ましい。即ち、発光時と非発光時の差
であるコントラスト比（（ＬＥＤ正面輝度＋正面反射輝
度）／正面反射輝度）が大きい表示装置とすることでよ
り鮮明な画像が表示可能となる。同様に、光センサーに
上記発光装置を利用した場合においても誤作動のより少
ない発光装置とすることができる。従ってコントラス比
を大きくするために、発光部を除くパッケージの発光観
測面側表面を暗色系に着色する。具体的には、暗色系の
顔料等を含有させた樹脂を、スクリーン印刷法等を用い
てパッケージ表面に塗布することにより光吸収層を形成
する方法が考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スクリ
ーン印刷等の塗布方法を用いて光吸収層を形成したので
は、膜厚を均一にすることが困難であるため歩留まりが
悪い。またマスクを必要とするため生産性が悪く、装置
が小さいとマスクの形成が難しく緻密性に欠けてしま
い、且つ位置合わせが困難になる。更に、製造工程時に
おいて、パーツフィダー等を通過する時に金属部分と接
触し、光吸収層が剥がれてしまうという問題もあった。
従って、本願発明はこれら問題点を解決すべく創案され
たもので、その目的は、低コストで生産性良く、且つ光
吸収層の耐候性及び機械的強度に優れた発光装置を提供
することにある。
ーン印刷等の塗布方法を用いて光吸収層を形成したので
は、膜厚を均一にすることが困難であるため歩留まりが
悪い。またマスクを必要とするため生産性が悪く、装置
が小さいとマスクの形成が難しく緻密性に欠けてしま
い、且つ位置合わせが困難になる。更に、製造工程時に
おいて、パーツフィダー等を通過する時に金属部分と接
触し、光吸収層が剥がれてしまうという問題もあった。
従って、本願発明はこれら問題点を解決すべく創案され
たもので、その目的は、低コストで生産性良く、且つ光
吸収層の耐候性及び機械的強度に優れた発光装置を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は、
下記（１）〜（３）の構成により達成することができ
る。 （１） パッケージ凹部内に配された発光素子と、前記
発光素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、
前記発光素子を被覆するモールド部材と、前記パッケー
ジの発光観測面側上面に配された光吸収層とを有する発
光装置であって、前記光吸収層が前記モールド部材と実
質的に同じ材料でパッケージに一体的に固定されている
ことを特徴とする発光装置。 （２） 前記パッケージの主材料がベンゼン環を持つ化
合物樹脂類であり、且つ前記モールド樹脂がエポキシ樹
脂、シリコン樹脂、イミド樹脂から選ばれる一種である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 （３） パッケージ凹部内に配された発光素子と、前記
発光素子を被覆するモールド部材とを有する発光装置の
製造方法において、前記パッケージの発光観測面側上面
にホットスタンプ加工法により薄膜を転写して光吸収層
を形成する工程と、前記パッケージ凹部内にモールド樹
脂を注入する工程と、前記モールド樹脂を光吸収層に浸
透させ硬化させる工程とを具備することを特徴とする発
光装置の製造方法。
下記（１）〜（３）の構成により達成することができ
る。 （１） パッケージ凹部内に配された発光素子と、前記
発光素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、
前記発光素子を被覆するモールド部材と、前記パッケー
ジの発光観測面側上面に配された光吸収層とを有する発
光装置であって、前記光吸収層が前記モールド部材と実
質的に同じ材料でパッケージに一体的に固定されている
ことを特徴とする発光装置。 （２） 前記パッケージの主材料がベンゼン環を持つ化
合物樹脂類であり、且つ前記モールド樹脂がエポキシ樹
脂、シリコン樹脂、イミド樹脂から選ばれる一種である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 （３） パッケージ凹部内に配された発光素子と、前記
発光素子を被覆するモールド部材とを有する発光装置の
製造方法において、前記パッケージの発光観測面側上面
にホットスタンプ加工法により薄膜を転写して光吸収層
を形成する工程と、前記パッケージ凹部内にモールド樹
脂を注入する工程と、前記モールド樹脂を光吸収層に浸
透させ硬化させる工程とを具備することを特徴とする発
光装置の製造方法。
【０００６】本願発明の発光装置の製造方法は、パッケ
ージの発光観測面側上面にホットスタンプ加工法により
転写箔を圧着転写して光吸収層を形成する。従って、従
来の印刷法では必要であったマスクが不要となるため生
産性が良くなり、装置が小さい場合でも精度良く光吸収
層を形成することができる。また、膜厚を均一にするこ
とができるため歩留まりも良くなる。
ージの発光観測面側上面にホットスタンプ加工法により
転写箔を圧着転写して光吸収層を形成する。従って、従
来の印刷法では必要であったマスクが不要となるため生
産性が良くなり、装置が小さい場合でも精度良く光吸収
層を形成することができる。また、膜厚を均一にするこ
とができるため歩留まりも良くなる。
【０００７】更に本願発明の発光装置の製造方法では、
ホットスタンプ加工法により光吸収層を形成した後、パ
ッケージ凹部内にモールド樹脂を注入後、熱硬化させ
る。この時、この硬化に至るまでにモールド樹脂の粘度
は低下するが、そのいわゆる濡れ性が向上するため光吸
収層にこのモールド樹脂が浸透し、パッケージ凹部内の
モールド樹脂と光吸収層に浸透したモールド樹脂とが同
時に硬化する。このようにして得られた本願発明の発光
装置は、モールド部材と光吸収層が一体となってパッケ
ージに接着されるため、接着面積も広くなり、光吸収層
とパッケージとの密着強度が高い。すなわち、本願発明
によれば光吸収層を補強するための専用後工程が必要な
く、信頼性の高い発光装置を提供することができる。
ホットスタンプ加工法により光吸収層を形成した後、パ
ッケージ凹部内にモールド樹脂を注入後、熱硬化させ
る。この時、この硬化に至るまでにモールド樹脂の粘度
は低下するが、そのいわゆる濡れ性が向上するため光吸
収層にこのモールド樹脂が浸透し、パッケージ凹部内の
モールド樹脂と光吸収層に浸透したモールド樹脂とが同
時に硬化する。このようにして得られた本願発明の発光
装置は、モールド部材と光吸収層が一体となってパッケ
ージに接着されるため、接着面積も広くなり、光吸収層
とパッケージとの密着強度が高い。すなわち、本願発明
によれば光吸収層を補強するための専用後工程が必要な
く、信頼性の高い発光装置を提供することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本願発明の発光装
置を示すものである。リード電極１０４が施されたパッ
ケージ１０２の発光部を除く発光観測面側上面には、ホ
ットスタンプ加工法により光吸収層１０６が形成され
る。上記パッケージ凹部のリード電極１０４上にはＡｇ
ペーストを用いて発光素子１０３を実装されており、こ
の発光素子１０３とリード電極１０４とは電気的接続部
材１０５を用いて接続されている。また、発光素子１０
３と電気的接続部材１０５とを保護するために、パッケ
ージ凹部内に透光性のモールド部材１０１が設けられて
いるが、このモールド樹脂の熱硬化時に光吸収層１０６
にこのモールド樹脂が浸透し、パッケージ凹部内に充填
したモールド樹脂と光吸収層１０６に浸透したモールド
樹脂とが同時に硬化するため、本願発明の発光装置は光
吸収層１０６とモールド部材１０１とが一体となってパ
ッケージ１０２に強固に接着されている。以下、本願発
明の具体的構成について詳述する。
置を示すものである。リード電極１０４が施されたパッ
ケージ１０２の発光部を除く発光観測面側上面には、ホ
ットスタンプ加工法により光吸収層１０６が形成され
る。上記パッケージ凹部のリード電極１０４上にはＡｇ
ペーストを用いて発光素子１０３を実装されており、こ
の発光素子１０３とリード電極１０４とは電気的接続部
材１０５を用いて接続されている。また、発光素子１０
３と電気的接続部材１０５とを保護するために、パッケ
ージ凹部内に透光性のモールド部材１０１が設けられて
いるが、このモールド樹脂の熱硬化時に光吸収層１０６
にこのモールド樹脂が浸透し、パッケージ凹部内に充填
したモールド樹脂と光吸収層１０６に浸透したモールド
樹脂とが同時に硬化するため、本願発明の発光装置は光
吸収層１０６とモールド部材１０１とが一体となってパ
ッケージ１０２に強固に接着されている。以下、本願発
明の具体的構成について詳述する。
【０００９】（光吸収層１０６）光吸収層は、発光装置
の発光／非発光時におけるコントラスト比を向上させる
ために、発光部を除くパッケージの発光観測面側上面に
設けられる。本願発明では、光吸収層をホットスタンプ
加工法により形成する。ホットスタンプ加工法とは、転
写箔を圧着転写することで薄膜を形成する方法で、マス
クを必要としないため生産性が良く、また膜厚を均一に
できるため歩留まりが良く生産性が向上し、加工コスト
も比較的安い等、多くの利点を持つ優れた加工法であ
る。この転写箔としては、例えばベースフィルム、離型
剤層、顔料層、接着剤層の順に構成されるピグメントホ
イル等が用いられる。このピグメントホイルをホットス
タンプ加工法により圧着転写後、ベースフィルムを剥が
すことにより、顔料層、接着剤層から成る光吸収層が形
成される。顔料層には黒や紺色など暗色系の顔料が含有
されている。接着剤層は顔料層とパッケージとを接着さ
せる役割をする。
の発光／非発光時におけるコントラスト比を向上させる
ために、発光部を除くパッケージの発光観測面側上面に
設けられる。本願発明では、光吸収層をホットスタンプ
加工法により形成する。ホットスタンプ加工法とは、転
写箔を圧着転写することで薄膜を形成する方法で、マス
クを必要としないため生産性が良く、また膜厚を均一に
できるため歩留まりが良く生産性が向上し、加工コスト
も比較的安い等、多くの利点を持つ優れた加工法であ
る。この転写箔としては、例えばベースフィルム、離型
剤層、顔料層、接着剤層の順に構成されるピグメントホ
イル等が用いられる。このピグメントホイルをホットス
タンプ加工法により圧着転写後、ベースフィルムを剥が
すことにより、顔料層、接着剤層から成る光吸収層が形
成される。顔料層には黒や紺色など暗色系の顔料が含有
されている。接着剤層は顔料層とパッケージとを接着さ
せる役割をする。
【００１０】（モールド部材１０１）モールド部材１０
１は、各発光素子１０３やその電気的接続のためのワイ
ヤー等を外部力、塵芥や水分などから保護するために設
けられる。更に本願発明においては、光吸収層に浸透し
て光吸収層とパッケージとの接着強度を高める働きをす
る。このようなモールド部材１０１の材料として具体的
には、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、イミド樹脂等が好
適に用いられる。温度サイクルの激しい使用環境下にお
いては、モールド部材はパッケージ等との熱膨張率が近
い方がより好ましい。
１は、各発光素子１０３やその電気的接続のためのワイ
ヤー等を外部力、塵芥や水分などから保護するために設
けられる。更に本願発明においては、光吸収層に浸透し
て光吸収層とパッケージとの接着強度を高める働きをす
る。このようなモールド部材１０１の材料として具体的
には、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、イミド樹脂等が好
適に用いられる。温度サイクルの激しい使用環境下にお
いては、モールド部材はパッケージ等との熱膨張率が近
い方がより好ましい。
【００１１】（パッケージ１０２）パッケージ１０２
は、発光素子１０３を凹部内に固定保護するとともに外
部との電気的接続が可能なリード電極１０４を有するも
のである。したがって、発光素子１０３の数や大きさに
合わせて複数の開口部を持ったパッケージとすることも
できる。パッケージ１０２は発光素子１０３をさらに外
部環境から保護するために透光性保護体であるモールド
部材１０１を設ける。パッケージ１０２は、モールド部
材１０１との接着性がよくモールド部材よりも剛性の高
いものが好ましい。また、発光素子１０３と外部とを電
気的に遮断させるために絶縁性を有することが望まれ
る。さらに、パッケージ１０２は、発光素子１０３など
からの熱の影響をうけた場合、モールド部材１０１との
密着性を考慮して熱膨張率の小さいものが好ましい。本
願発明ではパッケージの発光観測側表面にホットスタン
プ加工法により光吸収層を形成する。ホットスタンプ加
工法は上記で述べたようにマスクを必要とせず、加工コ
ストも比較的安く、望ましい加工法であるが、特にベン
ゼン環を持つ化合物に対しては転写箔の付きが悪いとさ
れている。ところが、本願発明では光吸収層にモールド
部材を浸透させることで、モールド部材と光吸収層を一
体にしてパッケージに接着させるため、箔転写対象であ
るパッケージの材質に依存されることなく接着強度の高
い光吸収層を形成できる。従って、パッケージの材料と
して芳香族ポリエステル、芳香族ナイロン、液晶ポリマ
ー（ＬＣＰ）などのベンゼン環を持つ化合物樹脂類も好
適に用いることができる。
は、発光素子１０３を凹部内に固定保護するとともに外
部との電気的接続が可能なリード電極１０４を有するも
のである。したがって、発光素子１０３の数や大きさに
合わせて複数の開口部を持ったパッケージとすることも
できる。パッケージ１０２は発光素子１０３をさらに外
部環境から保護するために透光性保護体であるモールド
部材１０１を設ける。パッケージ１０２は、モールド部
材１０１との接着性がよくモールド部材よりも剛性の高
いものが好ましい。また、発光素子１０３と外部とを電
気的に遮断させるために絶縁性を有することが望まれ
る。さらに、パッケージ１０２は、発光素子１０３など
からの熱の影響をうけた場合、モールド部材１０１との
密着性を考慮して熱膨張率の小さいものが好ましい。本
願発明ではパッケージの発光観測側表面にホットスタン
プ加工法により光吸収層を形成する。ホットスタンプ加
工法は上記で述べたようにマスクを必要とせず、加工コ
ストも比較的安く、望ましい加工法であるが、特にベン
ゼン環を持つ化合物に対しては転写箔の付きが悪いとさ
れている。ところが、本願発明では光吸収層にモールド
部材を浸透させることで、モールド部材と光吸収層を一
体にしてパッケージに接着させるため、箔転写対象であ
るパッケージの材質に依存されることなく接着強度の高
い光吸収層を形成できる。従って、パッケージの材料と
して芳香族ポリエステル、芳香族ナイロン、液晶ポリマ
ー（ＬＣＰ）などのベンゼン環を持つ化合物樹脂類も好
適に用いることができる。
【００１２】発光素子１０３とパッケージ１０２との接
着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体
的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂など
が挙げられる。また、発光素子１０３を配置固定させる
と共にパッケージ１０２内のリード電極１０４と電気的
に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペース
ト、金属バンプ等を用いることができる。
着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体
的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂など
が挙げられる。また、発光素子１０３を配置固定させる
と共にパッケージ１０２内のリード電極１０４と電気的
に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペース
ト、金属バンプ等を用いることができる。
【００１３】（リード電極１０４）リード電極１０４
は、パッケージ１０２外部からの電力を内部に配置され
た発光素子１０３に供給させるために用いられるための
ものである。そのためパッケージ上に設けられた導電性
を有するパターンやリードフレームを利用したものなど
種々のものが挙げられる。また、リード電極１０４は放
熱性、電気伝導性、発光素子２０３の特性などを考慮し
て種々の大きさに形成させることができる。リード電極
１０４は、各発光素子１０３を配置すると共に発光素子
１０３から放出された熱を外部に放熱させるため熱伝導
性がよいことが好ましい。リード電極１０４の具体的な
電気抵抗としては３００μΩ・ｃｍ以下が好ましく、よ
り好ましくは、３μΩ・ｃｍ以下である。また、具体的
な熱伝導度は、０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上
が好ましく、より好ましくは ０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃ
ｍ／℃以上である。このようなリード電極１０４として
は、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは金な
どの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に
用いられる。リード電極１０４としてリードフレームを
利用した場合は、電気伝導度、熱伝導度によって種々利
用できるが加工性の観点から板厚０．１ｍｍから２ｍｍ
が好ましい。
は、パッケージ１０２外部からの電力を内部に配置され
た発光素子１０３に供給させるために用いられるための
ものである。そのためパッケージ上に設けられた導電性
を有するパターンやリードフレームを利用したものなど
種々のものが挙げられる。また、リード電極１０４は放
熱性、電気伝導性、発光素子２０３の特性などを考慮し
て種々の大きさに形成させることができる。リード電極
１０４は、各発光素子１０３を配置すると共に発光素子
１０３から放出された熱を外部に放熱させるため熱伝導
性がよいことが好ましい。リード電極１０４の具体的な
電気抵抗としては３００μΩ・ｃｍ以下が好ましく、よ
り好ましくは、３μΩ・ｃｍ以下である。また、具体的
な熱伝導度は、０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上
が好ましく、より好ましくは ０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃ
ｍ／℃以上である。このようなリード電極１０４として
は、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは金な
どの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に
用いられる。リード電極１０４としてリードフレームを
利用した場合は、電気伝導度、熱伝導度によって種々利
用できるが加工性の観点から板厚０．１ｍｍから２ｍｍ
が好ましい。
【００１４】（発光素子１０３）本願発明に用いられる
発光素子１０３としては、液相成長法やＭＯＣＶＤ法等
により基板上にＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、Ｇａ
ＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ
等の半導体を発光層として形成させたものが好適に用い
られる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接
合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダ
ブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料や
その混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種
々選択することができる。さらに、量子効果を持たせる
ため発光層を単一量子井戸構造、多重量子井戸構造とさ
せても良い。こうしてできた半導体に真空蒸着法や熱、
光、放電エネルギーなどを利用した各種ＣＶＤ法などを
用いて所望の電極を形成させる。発光素子２０４の電極
は、半導体の一方の側に設けてもよいし、両面側にそれ
ぞれ設けてもよい。電極が形成された半導体ウエハーを
ダイヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイ
シングソーにより直接フルカットするか、または刃先幅
よりも広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外
力によって半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダ
イヤモンド針が往復直線運動するスクライバーにより半
導体ウエハーに極めて細いスクライブライン（経線）を
例えば碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割
り半導体ウエハーからチップ状にカットさせるなどして
発光素子であるＬＥＤチップを形成させることができ
る。
発光素子１０３としては、液相成長法やＭＯＣＶＤ法等
により基板上にＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、Ｇａ
ＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ
等の半導体を発光層として形成させたものが好適に用い
られる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接
合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダ
ブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料や
その混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種
々選択することができる。さらに、量子効果を持たせる
ため発光層を単一量子井戸構造、多重量子井戸構造とさ
せても良い。こうしてできた半導体に真空蒸着法や熱、
光、放電エネルギーなどを利用した各種ＣＶＤ法などを
用いて所望の電極を形成させる。発光素子２０４の電極
は、半導体の一方の側に設けてもよいし、両面側にそれ
ぞれ設けてもよい。電極が形成された半導体ウエハーを
ダイヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイ
シングソーにより直接フルカットするか、または刃先幅
よりも広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外
力によって半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダ
イヤモンド針が往復直線運動するスクライバーにより半
導体ウエハーに極めて細いスクライブライン（経線）を
例えば碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割
り半導体ウエハーからチップ状にカットさせるなどして
発光素子であるＬＥＤチップを形成させることができ
る。
【００１５】発光装置をフルカラー発光させるために
は、ＲＧＢの発光色を発光するＬＥＤチップを用いるこ
とができる。特に、野外などの使用を考慮する場合、高
輝度な半導体材料として緑色及び青色を窒化ガリウム系
化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色では
ガリウム・アルミニウム・砒素系やアルミニウム・イン
ジュウム・ガリウム・燐系の半導体を用いることが好ま
しいが、用途によって種々利用できる。
は、ＲＧＢの発光色を発光するＬＥＤチップを用いるこ
とができる。特に、野外などの使用を考慮する場合、高
輝度な半導体材料として緑色及び青色を窒化ガリウム系
化合物半導体を用いることが好ましく、また、赤色では
ガリウム・アルミニウム・砒素系やアルミニウム・イン
ジュウム・ガリウム・燐系の半導体を用いることが好ま
しいが、用途によって種々利用できる。
【００１６】（電気的接続部材１０５）電気的接続部材
１０５としては、発光素子１０３の電極とのオーミック
性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいもの
が求められる。導電性ワイヤーを用いた場合、熱伝導度
としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ま
しく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃
以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤ
ーの直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ
以下である。このような導電性ワイヤーとして具体的に
は、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの
合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。このような
導電性ワイヤーは、各発光素子１０３の電極と、リード
電極１０４などと、をワイヤーボンディング機器によっ
て容易に接続させることができる。また、導電性ペース
トを用いた場合、導電性を有するＣ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、
Ａｇ、金属バンプなどをエポキシ樹脂など所望の樹脂中
に含有させることによって利用することができる。この
ような導電性ペーストを利用することによって電気的導
通ばかりでなく発光素子１０３の固定をもさせることが
できる。
１０５としては、発光素子１０３の電極とのオーミック
性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいもの
が求められる。導電性ワイヤーを用いた場合、熱伝導度
としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ま
しく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃
以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤ
ーの直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ
以下である。このような導電性ワイヤーとして具体的に
は、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの
合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。このような
導電性ワイヤーは、各発光素子１０３の電極と、リード
電極１０４などと、をワイヤーボンディング機器によっ
て容易に接続させることができる。また、導電性ペース
トを用いた場合、導電性を有するＣ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、
Ａｇ、金属バンプなどをエポキシ樹脂など所望の樹脂中
に含有させることによって利用することができる。この
ような導電性ペーストを利用することによって電気的導
通ばかりでなく発光素子１０３の固定をもさせることが
できる。
【００１７】
【実施例】以下本願発明の具体的実施例について詳述す
るが、本願発明はこれのみに限定されるものではない。
るが、本願発明はこれのみに限定されるものではない。
【００１８】［実施例１］予め、樹脂パッケージ２０２
内に配置されるリード電極２０４を打ち抜き加工により
形成する。次に、液晶ポリマー樹脂を射出成型器ホッパ
に入れ加熱溶融させながら、形成されたリード電極２０
４を配置させた金型内に注入し、射出成形を利用して発
光装置用のパッケージ２０２を形成する。形成されたパ
ッケージ２０２の発光部を除く発光観測面側表面に、ベ
ースフィルム、離型剤層、顔料層、接着剤層からなるピ
グメントホイルをホットスタンプ加工法により圧着転写
した後、ベースフィルムを剥がして顔料層及び接着剤層
よりなる光吸収層２０６を形成する。このようにして、
図３（Ａ）の如き光吸収層２０６が形成されたパッケー
ジ２０２となる。
内に配置されるリード電極２０４を打ち抜き加工により
形成する。次に、液晶ポリマー樹脂を射出成型器ホッパ
に入れ加熱溶融させながら、形成されたリード電極２０
４を配置させた金型内に注入し、射出成形を利用して発
光装置用のパッケージ２０２を形成する。形成されたパ
ッケージ２０２の発光部を除く発光観測面側表面に、ベ
ースフィルム、離型剤層、顔料層、接着剤層からなるピ
グメントホイルをホットスタンプ加工法により圧着転写
した後、ベースフィルムを剥がして顔料層及び接着剤層
よりなる光吸収層２０６を形成する。このようにして、
図３（Ａ）の如き光吸収層２０６が形成されたパッケー
ジ２０２となる。
【００１９】続いて、上記構成のパッケージ凹部のリー
ド電極上にＡｇペーストを用いて発光素子２０３を実装
し、この発光素子２０３とリード電極２０４とを金ワイ
ヤー２０５で電気的に接続する（図３（ｂ））。
ド電極上にＡｇペーストを用いて発光素子２０３を実装
し、この発光素子２０３とリード電極２０４とを金ワイ
ヤー２０５で電気的に接続する（図３（ｂ））。
【００２０】これら発光素子２０３と金ワイヤー２０４
とを保護するために、パッケージ凹部内に透光性エポキ
シ樹脂を注入し、熱硬化させる。この時、光吸収層２０
６にこの透光性エポキシ樹脂を浸透させ、パッケージ凹
部内の透光性エポキシ樹脂と光吸収層に浸透させた透光
性エポキシ樹脂とを同時に硬化させる。最後にパッケー
ジ２０２外部に突出しているリード電極２０４を所望の
形状に切断加工させる。このようにして、モールド部材
２０１と光吸収層２０６が一体化してパッケージ２０２
に接着された本願発明の発光装置を得る（図３
（ｃ））。
とを保護するために、パッケージ凹部内に透光性エポキ
シ樹脂を注入し、熱硬化させる。この時、光吸収層２０
６にこの透光性エポキシ樹脂を浸透させ、パッケージ凹
部内の透光性エポキシ樹脂と光吸収層に浸透させた透光
性エポキシ樹脂とを同時に硬化させる。最後にパッケー
ジ２０２外部に突出しているリード電極２０４を所望の
形状に切断加工させる。このようにして、モールド部材
２０１と光吸収層２０６が一体化してパッケージ２０２
に接着された本願発明の発光装置を得る（図３
（ｃ））。
【００２１】なお本実施例では、樹脂パッケージ１個に
対して１個の発光素子を搭載するものとしたが、複数個
の発光素子を搭載させることで、容易に多色発光表面実
装型発光装置を構成できる。
対して１個の発光素子を搭載するものとしたが、複数個
の発光素子を搭載させることで、容易に多色発光表面実
装型発光装置を構成できる。
【００２２】
【発明の効果】本願発明の発光装置の製造方法は、パッ
ケージの発光観測面側上面にホットスタンプ加工法によ
り光吸収層を形成することで、生産性良く、また精度良
く光吸収層を形成することができる。また、膜厚を均一
にすることができるため歩留まりも向上する。更に本願
発明の発光装置の製造方法では、モールド部材形成時に
このモールド樹脂が光吸収層に浸透し、モールド部材と
光吸収層が一体となってパッケージに接着される。この
ようにして得られた本願発明の発光装置は、耐候性、機
械的強度に優れた光吸収層を備える。
ケージの発光観測面側上面にホットスタンプ加工法によ
り光吸収層を形成することで、生産性良く、また精度良
く光吸収層を形成することができる。また、膜厚を均一
にすることができるため歩留まりも向上する。更に本願
発明の発光装置の製造方法では、モールド部材形成時に
このモールド樹脂が光吸収層に浸透し、モールド部材と
光吸収層が一体となってパッケージに接着される。この
ようにして得られた本願発明の発光装置は、耐候性、機
械的強度に優れた光吸収層を備える。
【００２３】即ち、本願発明によれば低コストで、生産
性良く、信頼性の高い発光装置を提供することができ
る。
性良く、信頼性の高い発光装置を提供することができ
る。
【図１】 本願発明の発光装置の模式的平面図を示す。
【図２】 図１におけるＸＹ断面を示す。
【図３】 本願発明の製造方法の各工程を説明する模式
的平面図を示す。
的平面図を示す。
【図４】 一般的な表面実装型ＬＥＤを説明するための
模式的断面図を示す。
模式的断面図を示す。
１０１、２０１・・・モールド部材 １０２、２０２・・・パッケージ １０３、２０３・・・発光素子 １０４、２０４・・・リード電極 １０５・・・電気的接続部材 １０６，２０６・・・光吸収層 ２０５・・・導電性ワイヤー ５０１・・・モールド部材 ５０２・・・パッケージ ５０３・・・発光素子 ５０４・・・リード電極 ５０５・・・電気的接続部材
Claims (3)
- 【請求項１】 パッケージ凹部内に配された発光素子
と、前記発光素子と外部とを電気的に接続させるリード
電極と、前記発光素子を被覆するモールド部材と、前記
パッケージの発光観測面側上面に配された光吸収層とを
有する発光装置であって、前記光吸収層が前記モールド
部材と実質的に同じ材料でパッケージに一体的に固定さ
れていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項２】 前記パッケージの主材料がベンゼン環を
持つ化合物樹脂類であり、且つ前記モールド樹脂がエポ
キシ樹脂、シリコン樹脂、イミド樹脂から選ばれる一種
であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 - 【請求項３】 パッケージ凹部内に配された発光素子
と、前記発光素子を被覆するモールド部材とを有する発
光装置の製造方法において、前記パッケージの発光観測
面側上面にホットスタンプ加工法により薄膜を転写して
光吸収層を形成する工程と、前記パッケージ凹部内にモ
ールド樹脂を注入する工程と、前記モールド樹脂を光吸
収層に浸透させ硬化させる工程とを具備することを特徴
とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35705298A JP3613041B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35705298A JP3613041B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183405A true JP2000183405A (ja) | 2000-06-30 |
| JP3613041B2 JP3613041B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=18452143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35705298A Expired - Fee Related JP3613041B2 (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3613041B2 (ja) |
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002223002A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体と発光装置 |
| JP2002223003A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体とその製造方法及び発光装置 |
| JP2002314139A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| US6853010B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-02-08 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
| JP2005191111A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| JP2006093299A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Okumura Yu-Ki Co Ltd | 電飾装置 |
| US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
| JP2006339362A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
| US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| WO2007032619A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Kwang Hee Kim | Reflective surface attached light emitting device |
| JP2007123302A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2008513994A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-05-01 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | ヒートパイプを備える発光素子及び発光素子用のヒートパイプリードの製造方法 |
| US7425459B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture |
| JP2010093185A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Showa Denko Kk | ランプおよびランプの製造方法 |
| JP2010206158A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-09-16 | Panasonic Corp | デバイス |
| JP2010232644A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-10-14 | Nichia Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| KR100999701B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| US7906793B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates |
| JP4675627B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2011-04-27 | クリー インコーポレイテッド | １つの小さい設置面積を有するｌｅｄパッケージダイ |
| US20110133242A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-09 | Choi Kwang Ki | Light emitting apparatus |
| USRE42598E1 (en) | 2004-12-23 | 2011-08-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| JP2011176247A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-08 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2011199219A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Nichia Corp | 発光装置 |
| US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8264138B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-09-11 | Cree, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
| US8328376B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
| USD715233S1 (en) | 2009-10-26 | 2014-10-14 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
| EP2031667A3 (de) * | 2007-08-30 | 2014-12-31 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Leuchtdioden-Gehäuse |
| JP2015090889A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 京セラ株式会社 | 多数個取り配線基板、配線基板および電子部品 |
| US9608166B2 (en) | 2003-08-14 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
| JP2017152629A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| US9841175B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-12-12 | GE Lighting Solutions, LLC | Optics system for solid state lighting apparatus |
| US9951938B2 (en) | 2009-10-02 | 2018-04-24 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp |
| US10115875B2 (en) | 2016-04-26 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6973886B2 (ja) | 2017-06-30 | 2021-12-01 | 出光興産株式会社 | 熱硬化性材料、及び当該熱硬化性材料の成形方法 |
-
1998
- 1998-12-16 JP JP35705298A patent/JP3613041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7425459B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture |
| JP2002223003A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体とその製造方法及び発光装置 |
| JP4631175B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2011-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体と発光装置 |
| JP2002223002A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体と発光装置 |
| JP2002314139A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
| US6853010B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-02-08 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
| JP4675627B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2011-04-27 | クリー インコーポレイテッド | １つの小さい設置面積を有するｌｅｄパッケージダイ |
| US9608166B2 (en) | 2003-08-14 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
| US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
| US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| JP2005191111A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| US8569939B2 (en) | 2004-09-15 | 2013-10-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Luminous device with heat pipe and method of manufacturing heat pipe lead for luminous device |
| JP2008513994A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-05-01 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | ヒートパイプを備える発光素子及び発光素子用のヒートパイプリードの製造方法 |
| JP2006093299A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Okumura Yu-Ki Co Ltd | 電飾装置 |
| US8598606B2 (en) | 2004-10-25 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages |
| US7906793B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates |
| USRE45796E1 (en) | 2004-12-23 | 2015-11-10 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| USRE42598E1 (en) | 2004-12-23 | 2011-08-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| JP2006339362A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
| KR100702569B1 (ko) | 2005-09-12 | 2007-04-02 | 김광희 | 반사면 부착형 발광소자 |
| WO2007032619A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Kwang Hee Kim | Reflective surface attached light emitting device |
| JP2007123302A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US8858004B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8328376B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8264138B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-09-11 | Cree, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
| US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| US9220149B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-12-22 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| US8529104B2 (en) | 2006-05-23 | 2013-09-10 | Cree, Inc. | Lighting device |
| US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| EP2031667A3 (de) * | 2007-08-30 | 2014-12-31 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Leuchtdioden-Gehäuse |
| JP2010093185A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Showa Denko Kk | ランプおよびランプの製造方法 |
| JP2010206158A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-09-16 | Panasonic Corp | デバイス |
| JP2010232644A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-10-14 | Nichia Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2014039071A (ja) * | 2009-03-06 | 2014-02-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| US9951938B2 (en) | 2009-10-02 | 2018-04-24 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp |
| USD715233S1 (en) | 2009-10-26 | 2014-10-14 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
| USD743918S1 (en) | 2009-10-26 | 2015-11-24 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
| US9911908B2 (en) | 2009-12-09 | 2018-03-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US9899581B2 (en) | 2009-12-09 | 2018-02-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US20110133242A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-09 | Choi Kwang Ki | Light emitting apparatus |
| US9281448B2 (en) | 2009-12-09 | 2016-03-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US11335838B2 (en) | 2009-12-09 | 2022-05-17 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| KR100999701B1 (ko) * | 2010-02-03 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| JP2011176247A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-08 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2011199219A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Nichia Corp | 発光装置 |
| US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
| US9841175B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-12-12 | GE Lighting Solutions, LLC | Optics system for solid state lighting apparatus |
| US10139095B2 (en) | 2012-05-04 | 2018-11-27 | GE Lighting Solutions, LLC | Reflector and lamp comprised thereof |
| JP2015090889A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 京セラ株式会社 | 多数個取り配線基板、配線基板および電子部品 |
| JP2017152629A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| US10115875B2 (en) | 2016-04-26 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US10497826B2 (en) | 2016-04-26 | 2019-12-03 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3613041B2 (ja) | 2005-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000183405A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP4279388B2 (ja) | 光半導体装置及びその形成方法 | |
| US10431567B2 (en) | White ceramic LED package | |
| EP2197051B1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing same | |
| US7291866B2 (en) | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit | |
| CN103339749B (zh) | 晶片级发光二极管封装件及制造此的方法 | |
| EP2056363B1 (en) | Light emitting diode package and method for fabricating same | |
| US9793453B2 (en) | Light emitting device | |
| US9660161B2 (en) | Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame | |
| US20050247944A1 (en) | Semiconductor light emitting device with flexible substrate | |
| JP4611937B2 (ja) | 表面実装型発光装置及びその製造方法 | |
| US20090321778A1 (en) | Flip-chip light emitting diode and method for fabricating the same | |
| US20070278513A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
| US20110037083A1 (en) | Led package with contrasting face | |
| US9214607B1 (en) | Wire bonded light emitting diode (LED) components including reflective layer | |
| EP2515356A2 (en) | Light emitting device package and method of manufacturing the same | |
| JP3282176B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP2002094123A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| CN105702832A (zh) | 用于发光器件的载体 | |
| KR200299491Y1 (ko) | 표면실장형 발광다이오드 | |
| JP3328647B2 (ja) | 光電子部品の製造方法 | |
| JP2001223391A (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP3685633B2 (ja) | チップ型発光素子およびその製造方法 | |
| JPH09246603A (ja) | 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置 | |
| JP2005123657A (ja) | チップ型発光素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041005 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041018 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071105 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081105 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091105 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101105 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101105 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111105 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111105 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121105 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |