JP3282176B2 - 発光ダイオードの形成方法 - Google Patents

発光ダイオードの形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤディスプレイ、
バックライト光源、信号機、照光式スイッチ、各種セン
サー及び各種インジケータなどに利用される発光装置に
係わり、特に発光素子であるＬＥＤチップからの発光を
波長変換して発光可能な蛍光体を有する発光ダイオード
において、発光方位、色調ムラを改善した発光ダイオー
ドの形成方法に関する。
【０００２】
【従来技術】発光装置である発光ダイオード（以下、Ｌ
ＥＤとも呼ぶ。）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発
光をする。また、半導体素子であるため球切れなどの心
配がない。駆動特性が優れ、振動やON／OFF点灯の繰り
返しに強いという特徴を有する。そのため各種インジケ
ータや種々の光源として利用されている。しかしなが
ら、ＬＥＤは優れた単色性ピーク波長を有するが故に単
一で白色系などを発光することができない。
【０００３】そこで、本願出願人は、青色発光ダイオー
ドと蛍光物質により青色発光ダイオードからの発光を色
変換させて他の色などが発光可能な発光ダイオードとし
て、特開平５−１５２６０９号公報、特開平７−９９３
４５号公報などに記載された発光ダイオードを開発し
た。これらの発光ダイオードによって、１種類のＬＥＤ
チップを用いて白色系や青色ＬＥＤチップを用いた緑色
など他の発光色を発光させることができる。
【０００４】具体的には、青色系が発光可能なＬＥＤチ
ップなどをリードフレームの先端に設けられたカップ上
などに配置する。ＬＥＤチップは、ＬＥＤチップが設け
られたメタルステムやメタルポストとそれぞれ電気的に
接続させる。そして、ＬＥＤチップを被覆する樹脂モー
ルド部材中などにＬＥＤチップからの光を吸収し波長変
換する蛍光物質を含有させて形成させてある。青色系の
発光ダイオードと、その発光を吸収し黄色系を発光する
蛍光物質などとを選択することにより、これらの発光の
混色を利用して白色系を発光させることができる。この
ような発光ダイオードは、白色系を発光する発光ダイオ
ードとして利用した場合においても十分な輝度を発光す
る発光ダイオードとして利用することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、形成さ
れた各発光ダイオードの色が所望通りに形成されにくい
傾向にある。すなわち、ＬＥＤチップは、３００μｍ角
程度の極めて小さい。また、ＬＥＤチップからの光を変
換する蛍光体は極めて少量ですむ。そのため蛍光体の塗
布及び配置が極めて難しい。特に、ＬＥＤチップからの
光と、その光により励起され、ＬＥＤからの光とは異な
る光の混色によって発光色を決める発光ダイオードにお
いては、少しの色ずれにより表示色が大きく異なること
となる。蛍光体の混色を用いた発光ダイオードを量産さ
せた場合、この色ずれの範囲が広く。そのため所望の色
度範囲に形成させることが難しく歩留まりが低下する傾
向にある。
【０００６】また、単にマウント・リード上の反射カッ
プ内にＬＥＤチップ及び蛍光体を実装しモールド部材を
形成させると、発光ダイオードの発光観測方位により僅
かながら色むらを生じる場合がある。具体的には、発光
観測面側から見て発光素子であるＬＥＤチップが配置さ
れた中心部が青色ぽく、その周囲方向にリング状に黄、
緑や赤色ぽい部分が見られる場合がある。人間の色調感
覚は、白色において特に敏感である。そのため、わずか
な色調差でも赤ぽい白、緑色ぽい白、黄色っぽい白等と
感じる。
【０００７】このような発光観測面を直視することによ
って生ずる色むらは、品質上好ましくないばかりでなく
表示装置に利用したときの表示面における色むらや、光
センサーなど精密機器における誤差を生ずることにもな
る。
【０００８】本発明は上記問題点を解決し発光観測面に
おける色調むらや発光ダイオードごとのバラツキが極め
て少なく、量産性の良い発光ダイオードなどを形成させ
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬＥＤチップ
と、該ＬＥＤチップからの発光の少なくとも一部を吸収
し波長変換して発光する蛍光体とを有し、前記ＬＥＤチ
ップからの光と前記蛍光体からの光とが補色関係にあり
それぞれの光を混色させることで混色光を発光させるこ
とができる発光ダイオードの形成方法であって、前記Ｌ
ＥＤチップ上に接着剤を塗布させる第１の工程と、前記
接着剤の表面が接着性を持っている状態で、前記表面に
前記蛍光体を付着させる第２の工程と、を有することを
特徴とする発光ダイオードの形成方法である。
【００１０】また、請求項２に記載の発光ダイオードの
形成方法は、前記第２の工程後、ガスを吹き付け余分な
蛍光体を飛ばす第３の工程を有することを特徴とする発
光ダイオードの形成方法である。
【００１１】請求項３に記載の発光ダイオードの形成方
法は、前記第２の工程において、前記蛍光体は、ガス吹
き付けにより飛ばされ前記接着剤の表面に付着されるこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項４に記載の発光ダイオードの形成方
法は、前記第２の工程において、容器、バルブ、及びノ
ズルを有する装置を用い、前記容器から前記ノズルを通
してガス圧により前記蛍光体を前記接着剤の表面に付着
させることを特徴とする。
【００１３】請求項５に記載の発光ダイオードの形成方
法は、前記第２の工程において、前記接着剤が塗布され
たＬＥＤチップは、一定の回転数にて回転されているこ
とを特徴とする。
【００１４】請求項６に記載の発光ダイオードの形成方
法は、前記第２の工程後、前記接着剤を硬化した後、拡
散剤を有するモールド部材を形成することを特徴とす
る。
【００１５】請求項７に記載の発光ダイオードの形成方
法は、各半導体層表面に各電極を有し、導電性ワイヤー
を前記ＬＥＤチップの各電極と各外部電極表面とにワイ
ヤーボンディングさせ電気的に接続させた後、前記第１
の工程を施すことを特徴とする。
【００１６】請求項８に記載の発光ダイオードの形成方
法は、前記ＬＥＤチップが、発光層が窒化物系化合物半
導体であり、且つ前記蛍光体がセリウムで付活されたイ
ットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体であ
る。
【００１７】請求項９に記載の発光ダイオードの形成方
法は、前記ＬＥＤチップの主発光ピークが４００ｎｍか
ら５３０ｎｍであり、且つ前記蛍光体の主発光波長が前
記ＬＥＤチップの主ピークよりも長いものである。
【００１８】請求項１０に記載の発光ダイオードの形成
方法は、前記蛍光体が（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１
−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅである。ただし、０≦ｘ＜
１、０≦ｙ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａから選択され
る少なくとも一種の元素である。
【００１９】請求項１１に記載の発光ダイオードの形成
方法は、前記蛍光体が、２種類以上の蛍光体を混合調整
されたものである。
【００２０】
【作用】本発明は、ＬＥＤチップ上に緩衝層として働く
接着剤を介して蛍光体が付着されているために、蛍光体
の量が一定となり均一な発光特性を得ることができる。
そのため発光面における色むらや発光ダイオードごとの
バラツキの極めて少なく歩留まりを高くすることができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明者は種々の実験の結果、Ｌ
ＥＤチップ上に設けられた接着剤を介して蛍光体を付着
させることにより、発光観測面における色調むらや発光
装置ごとの色バラツキが改善できることを見出し本発明
を成すに到った。
【００２２】本発明による特性向上の理由は定かでない
が、ＬＥＤチップ上に設けられた接着剤層が蛍光体の量
を一定にするため色むらや色バラツキが低減すると考え
られる。
【００２３】即ち、ＬＥＤチップには、リードフレーム
などと電気的に接続させるために電極や金属ワイヤーな
どが設けられている。このような金属ワイヤーや電極
は、その上に形成される蛍光体にとって凹凸となる。凹
凸が大きければ、蛍光体量が部分的に異なる。本発明
は、接着剤層上に蛍光体を設けたことにより、凹凸が緩
和される。また、緩衝層として働く接着剤の表面にのみ
蛍光体が付着することになるため蛍光体の量は厚み方向
においてむらが少なく一定量となる。
【００２４】したがって、ＬＥＤチップ上の凹凸に左右
されず、蛍光体量が一定となることより、発光観測面に
おける色調むらや発光ダイオードごとのバラツキが生じ
ないこととなる。
【００２５】具体的には、図２の如く、マウント・リー
ド２０６上にＬＥＤチップ２０３をダイボンディングさ
せると共にＬＥＤチップ２０３の電極と導電性ワイヤー
である金線２０５をインナー・リード２０７にワイヤー
ボンディングする。エポキシ樹脂をノズルを通してマウ
ント・リードのカップ内に配置されたＬＥＤチップ上に
塗布する。次に、蛍光体２０２をガス吹き付けにより飛
ばし接着剤２０１であるエポキシ樹脂上に配置させた。
接着剤２０１を硬化後、モールド部材２０４を形成し砲
弾型の発光ダイオードを形成させた。形成された発光ダ
イオードは、複数形成させてもバラツキの少ない発光ダ
イオードとすることができる。以下、本発明の構成部材
について詳述する。
【００２６】（接着剤１０１、２０１） 本発明に用いられる接着剤２０１とは、モールド部材２
０４とは別にマウント・リード２０６のカップ内やパッ
ケージ１０４の開口部内などに設けられるものである。
特に、ＬＥＤチップ１０３、２０３上に配置されＬＥＤ
チップ１０３、２０３の凹凸を滑らかにする緩衝層とし
て働くと共にＬＥＤチップ１０３、２０３の発光を変換
する蛍光体１０２、２０２を表面に付着する。
【００２７】接着剤１０１、２０１の具体的主材料の一
つとしては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹
脂などの耐候性に優れた透光性有機樹脂やＳｉＯ２、Ａ
ｌ２Ｏ３、ＭＳｉＯ３などの透光性無機部材が好適に用
いられる。これらの接着剤１０１、２０１をＬＥＤチッ
プ１０３、２０３上に注入させることにより配置させる
ことができる。接着剤１０１、２０１は、蛍光体１０
２、２０２が付着させるときに少なくとも表面が接着性
を持っていればよい。そのため、上記エポキシ樹脂など
の接着剤１０１、２０１が硬化する前に蛍光体１０２、
２０２をガス・スプレーなどで付着させる。その後、接
着剤１０１、２０１を硬化させることによりＬＥＤチッ
プ１０３、２０３を被覆したコーティング部としても働
く。接着剤１０１、２０１によりＬＥＤチップ１０３、
２０３などの凹凸を緩和させるためには、接着剤１０
１、２０１の粘性がある程度低い方が好ましい。この場
合、接着剤中の溶媒量を調整することにより所望粘度と
することができる。また、粘性が低いほど蛍光体１０
２、２０２が多くつく傾向にある。また、蛍光体が重い
ほど多くつく傾向にある。
【００２８】（蛍光体１０２、２０２） 本発明に用いられる蛍光体１０２、２０２としては、少
なくともＬＥＤチップ１０３、２０３の半導体発光層か
ら放出された光で励起されて発光する蛍光体１０２、２
０２をいう。ＬＥＤチップ１０３、２０３から発光した
光と、蛍光体１０２、２０２から発光する光が補色関係
などにある場合、それぞれの光を混色させることで白色
を発光させることができる。具体的には、ＬＥＤチップ
１０３、２０３からの光とそれによって励起され発光す
る蛍光体１０２、２０２の光がそれぞれ光の３原色（赤
色系、緑色系、青色系）やＬＥＤチップ１０３、２０３
から発光された青色とそれによって励起され黄色を発光
する蛍光体１０２、２０２の光などが挙げられる。
【００２９】発光色は、蛍光体１０２、２０２の主発光
波長、蛍光体の量、蛍光体の形状、さらには蛍光体の粉
体をガス・スプレーなどにより付着させる場合におけ
る、ノズルから蛍光体を放出する放出圧力などを種々調
整することで変えることができる。また、発光素子であ
るＬＥＤチップの主発光波長を選択することにより電球
色など任意の白色系の色調を提供させることができる。
したがって、発光ダイオードの外部には、ＬＥＤチップ
２０３からの光と蛍光体２０２からの光がモールド部材
２０４を効率よく透過することが好ましい。
【００３０】半導体発光層からの光によって励起される
蛍光体１０２、２０２は、励起光源となるＬＥＤチップ
１０３、２０３から放出される光により種々選択するこ
とができる。具体的な蛍光体１０２、２０２としては、
クロムで付活されたサファイア、セリウムで付活された
イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体や酸
化エルビウム(3)などが挙げられる。特に、高輝度且つ
長時間の使用時においては（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａ
ｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ
≦１、但し、Ｒｅは、Ｙ，Ｇｄ,Ｌａからなる群より選
択される少なくとも一種の元素である。）などが好まし
い。
【００３１】特に（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１−ｙ
Ｇａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅを用いた場合には、ＬＥＤチッ
プと接する或いは近接して配置され放射照度として（Ｅ
ｅ）＝３Ｗ・ｃｍ−２以上１０Ｗ・ｃｍ−２以下におい
ても高効率に十分な耐光性を有する発光ダイオードとす
ることができる。
【００３２】（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａ
ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体は、ガーネット構造のため、
熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークが４７
０ｎｍ付近などにさせることができる。また、発光ピー
クも５３０ｎｍ付近にあり７２０ｎｍまで裾を引くブロ
ードな発光スペクトルを持たせることができる。しか
も、組成のＡｌの一部をＧａで置換することで発光波長
が短波長にシフトし、また組成のＹの一部をＧｄで置換
することで、発光波長が長波長へシフトする。このよう
に組成を変化することで発光色を連続的に調節すること
が可能である。したがって、長波長側の強度がＧｄの組
成比で連続的に変えられるなど高輝度に発光可能な窒化
物系化合物半導体の青色発光を利用して白色系発光に変
換するための理想条件を備えている。
【００３３】この蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａ
ｌ、Ｌａ及びＧａの原料として酸化物、又は高温で容易
に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量論比で
十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓ
ｍの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚
酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸
化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合原料を
得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウム等の
フッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中１３５０〜
１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼成して焼成品を
得る。次に焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分
離、乾燥、最後に篩を通すことで所望の蛍光体を得るこ
とができる。
【００３４】本発明の発光ダイオードにおいて、蛍光体
は、２種類以上の蛍光体を混合させてもよい。即ち、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｌａ及びＧｄやＳｍの含有量が異なる２
種類以上の（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３（Ａｌ１−ｙＧａ
ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体を混合させてＲＧＢの波長成
分を増やすことができる。また、現在のところ半導体発
光素子であるＬＥＤチップの発光波長には、バラツキが
生ずるものがあるため２種類以上の蛍光体を混合調整さ
せて一定の白色光などを得ることができる。具体的に
は、発光素子の発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光
体の量を調整し含有させることでその蛍光体から放出さ
れる色間とＬＥＤチップから放出される色で結ばれる色
度図上の任意の点を発光させることができる。
【００３５】このような蛍光体を塗布させる装置例とし
て図３に示す。図３には、接着剤(不示図)が塗布された
パッケージ３００を回転可能なテーブル３０４の上に固
定させてある。テーブル３０４は、一定の回転数を保ち
パッケージ３００に塗布を均一にさせる手段として働
く。蛍光体は、容器３０２に入れられ蛍光体を搬送させ
るガスの負圧によって引き出される。蛍光体とガスと
は、ノズル３０３を通して排出される。蛍光体の量は、
蛍光体を搬送するガスの圧力とバルブ３０１により調節
することができる。こうして排出されたガスと蛍光体
は、接着剤に付着される。接着剤を硬化させることで発
光ダイオードを形成することができる。
【００３６】（ＬＥＤチップ１０３、２０３） 本発明に用いられるＬＥＤチップ１０３、２０３とは、
蛍光体１０２、２０２を励起可能なものである。発光素
子であるＬＥＤチップ１０３、２０３は、ＭＯＣＶＤ法
等により基板上にＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｌＡｓ、Ｉ
ｎＧａＡｌＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、
ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の半導体を発光層として
形成させる。
【００３７】半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩ
Ｎ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あ
るいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層
の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択するこ
とができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄
膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造と
することもできる。好ましくは、蛍光体１０１、２０１
を効率良く励起できる比較的短波長を効率よく発光可能
な窒化物系化合物半導体（一般式ＩｎｉＧａｊＡｌｋ
Ｎ、但し、０≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝１）
が挙げられる。
【００３８】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ、ＧａＮ等の材料が好適に用いられる。結晶
性の良い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ
基板を用いることがより好ましい。サファイヤ基板上に
半導体膜を成長させる場合、ＧａＮ、ＡｌＮ等のバッフ
ァー層を形成しその上にＰＮ接合を有する窒化ガリウム
半導体を形成させることが好ましい。また、サファイア
基板上にＳｉＯ２をマスクとして選択成長させたＧａＮ
単結晶自体を基板として利用することもできる。この場
合、各半導体層を形成後ＳｉＯ２をエッチング除去させ
ることによって発光素子とサファイア基板とを分離させ
ることもできる。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純
物をドープしない状態でＮ型導電性を示す。発光効率を
向上させるなど所望のＮ型窒化ガリウム半導体を形成さ
せる場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、
Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、Ｐ型
窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ型ドーパン
ドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドー
プさせる。
【００３９】窒化ガリウム系化合物半導体は、Ｐ型ドー
パントをドープしただけではＰ型化しにくいためＰ型ド
ーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプ
ラズマ照射等によりアニールすることでＰ型化させるこ
とが好ましい。具体的なＬＥＤチップの層構成として
は、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどを低温で形成
させたバッファ層を有するサファイア基板や炭化珪素上
に、窒化ガリウム半導体であるＮ型コンタクト層、窒化
アルミニウム・ガリウム半導体であるＮ型クラッド層、
Ｚｎ及びＳｉをドープさせた窒化インジュウム・ガリウ
ム半導体である活性層、窒化アルミニウム・ガリウム半
導体であるＰ型クラッド層、窒化ガリウム半導体である
Ｐ型コンタクト層が積層されたものが挙げられる。ＬＥ
Ｄチップを形成させるためにはサファイア基板を有する
ＬＥＤチップの場合、エッチングなどによりＰ型半導体
及びＮ型半導体の露出面を形成させた後、半導体層上に
スパッタリング法や真空蒸着法などを用いて所望の形状
の各電極を形成させる。ＳｉＣ基板の場合、基板自体の
導電性を利用して半導体を介して一対の電極を形成させ
る。
【００４０】次に、形成された半導体ウエハー等をダイ
ヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシン
グソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも
広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によ
って半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモ
ンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウ
エハーに極めて細いスクライブライン（経線）を例えば
碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導
体ウエハーからチップ状にカットする。こうしてＬＥＤ
チップを形成させることができる。
【００４１】本発明の発光ダイオードにおいて白色系を
発光させる場合は、蛍光体１０２、２０２との補色等を
考慮してＬＥＤチップ１０３、２０３の主発光波長は４
００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以
上４９０ｎｍ以下がより好ましい。ＬＥＤチップ１０
３、２０３と蛍光体１０３、２０２との効率をそれぞれ
より向上させるためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以
下がさらに好ましい。
【００４２】（パッケージ１０４） パッケージ１０４は、ＬＥＤチップ１０３を凹部内に固
定保護すると共に外部との電気的接続が可能な外部電極
１０６を有するものである。したがって、ＬＥＤチップ
１０３の数や大きさに合わせて複数の開口部を持ったパ
ッケージ１０４とすることもできる。また、好適には遮
光機能を持たせるために黒や灰色などの暗色系に着色さ
せる、或いはパッケージ１０４の発光観測表面側が暗色
系に着色されている。パッケージ１０４はＬＥＤチップ
１０３をさらに外部環境から保護するために接着剤１０
１に加えて透光性保護体であるモールド部材を設けるこ
ともできる。
【００４３】パッケージ１０４は、コーティング部やモ
ールド部材との接着性がよく剛性の高いものが好まし
い。ＬＥＤチップ１０３と外部とを電気的に遮断させる
ために絶縁性を有することが望まれる。さらに、パッケ
ージ１０４は、ＬＥＤチップ１０３などからの熱の影響
をうけた場合、モールド部材などとの密着性を考慮して
熱膨張率の小さい物が好ましい。パッケージ１０４の凹
部内表面は、エンボス加工させて接着面積を増やした
り、プラズマ処理してモールド部材などとの密着性を向
上させることもできる。
【００４４】パッケージ１０４は、外部電極１０６と一
体的に形成させてもよく、パッケージ１０４が複数に分
かれ、はめ込みなどにより組み合わせて構成させてもよ
い。このようなパッケージ１０４は、インジェクション
成形などにより比較的簡単に形成することができる。具
体的なパッケージ材料としてポリカーボネート樹脂、ポ
リフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー
（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂やセラミックな
どが挙げられる。また、パッケージを暗色系に着色させ
る着色剤としては種々の染料や顔料が好適に用いられ
る。具体的には、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３や
カーボンブラックなどが好適に挙げられる。
【００４５】ＬＥＤチップ１０３とパッケージ１０４と
の接着は、熱硬化性樹脂などによって行うことができ
る。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド
樹脂などが挙げられる。固定されたＬＥＤチップは、金
線などの導電性ワイヤー１０６により電気的に接続する
ことができる。また、ＬＥＤチップ１０３を配置固定さ
せると共にパッケージ１０４内の外部電極１０６と電気
的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペース
ト、ＩＴＯペースト、金属バンプ等を用いることもでき
る。
【００４６】（外部電極１０６） 外部電極１０６は、パッケージ１０４外部からの電力を
内部に配置されたＬＥＤチップ１０３に供給させるため
に用いられるためのものである。そのためパッケージ１
０４上に設けられた導電性を有するパターンやリードフ
レームを利用したものなど種々のものが挙げられる。ま
た、外部電極１０６は放熱性、電気伝導性、ＬＥＤチッ
プ１０３の特性などを考慮して種々の大きさに形成させ
ることができる。外部電極１０６は、各ＬＥＤチップ１
０３を配置すると共にＬＥＤチップ１０３から放出され
た熱を外部に放熱させるため熱伝導性がよいことが好ま
しい。外部電極１０６の具体的な電気抵抗としては３０
０μΩ・ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μΩ
・ｃｍ以下である。また、具体的な熱伝導度は、０．０
１ｃａｌ／(Ｓ)(ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上が好まし
く、より好ましくは ０．５ｃａｌ／(Ｓ)(ｃｍ２）（℃
／ｃｍ）以上である。
【００４７】外部電極１０６の具体的材料としては、銅
やりん青銅板表面に銀、パラジウム或いは金などの金属
メッキや半田メッキなどを施したものが好適に用いられ
る。外部電極１０６としてリードフレームを利用した場
合は、電気伝導度、熱伝導度によって種々利用できるが
加工性の観点から板厚０．１ｍｍから２ｍｍが好まし
い。ガラスエポキシ樹脂やセラミックなどの基板上など
に設けられた外部電極１０６としては、銅箔やタングス
テン層を形成させることができる。プリント基板上に金
属箔を用いる場合は、銅箔などの厚みとして１８〜７０
μｍとすることが好ましい。また、銅箔等の上に金、半
田メッキなどを施しても良い。
【００４８】（導電性ワイヤー１０５、２０５） 導電性ワイヤー１０５、２０５としては、ＬＥＤチップ
１０３、２０３の電極とのオーミック性、機械的接続
性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。
熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／(Ｓ)(ｃｍ２）（℃
／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ
／(Ｓ)(ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。また、作業
性などを考慮して導電性ワイヤー１０５、２０５の直径
は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下であ
る。このような導電性ワイヤー１０５、２０５として具
体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそ
れらの合金を用いた導電性ワイヤー１０５、２０５が挙
げられる。このような導電性ワイヤー１０５、２０５
は、各ＬＥＤチップ１０３、２０３の電極と、インナー
・リード２０７及びマウント・リード２０６などをワイ
ヤーボンディング機器によって容易に接続させることが
できる。
【００４９】（モールド部材２０４） モールド部材２０４は、発光ダイオードの使用用途に応
じてＬＥＤチップ２０３、導電性ワイヤー２０５、蛍光
体２０２が付着した接着剤２０１などを外部から保護す
るために設けることができる。モールド部材２０４は、
各種樹脂や硝子などを用いて形成させることができる。
モールド部材２０４の具体的材料としては、主としてエ
ポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性
に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いられる。ま
た、モールド部材２０４に拡散剤を含有させることによ
ってＬＥＤチップ２０３からの指向性を緩和させ視野角
を増やすこともできる。このような、モールド部材２０
４は、コーティング部として働く接着剤２０１と同じ材
料を用いても良いし異なる材料としても良い。以下、本
発明の実施例について説明するが、本発明は具体的実施
例のみに限定されるものではないことは言うまでもな
い。
【００５０】
【実施例】（実施例１） ＬＥＤチップとして主発光波長が４６０ｎｍのＩｎ０．
２Ｇａ０．８Ｎ半導体を用いた。ＬＥＤチップは、洗浄
されたサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガス、窒
素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、
ＭＯＣＶＤ法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させ
ることにより形成させた。ドーパントガスとしてＳｉＨ
４とＣｐ２Ｍｇと、を切り替えることによってＮ型導電
性を有する窒化ガリウム系半導体とＰ型導電性を有する
窒化ガリウム系半導体を形成しＰＮ接合を形成させる。
半導体発光素子としては、Ｎ型導電性を有する窒化ガリ
ウム半導体であるコンタクト層と、Ｐ型導電性を有する
窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層、Ｐ
型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト
層を形成させた。Ｎ型導電性を有するコンタクト層とＰ
型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約３ｎｍであ
り、単一量子井戸構造とされるノンドープＩｎＧａＮの
活性層を形成させた。（なお、サファイア基板上には低
温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせて
ある。また、Ｐ型導電性を有する半導体は、成膜後４０
０℃以上でアニールさせてある。）エッチングによりサ
ファイア基板上のＰＮ各半導体表面を露出させた後、ス
パッタリングにより各電極をそれぞれ形成させた。こう
して出来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを
引いた後、外力により分割させ発光素子として３５０μ
ｍ角のＬＥＤチップを形成させた。
【００５１】一方、インサート成形によりポリカーボネ
ート樹脂を用いてチップタイプＬＥＤのパッケージを形
成させた。チップタイプＬＥＤのパッケージ内は、ＬＥ
Ｄチップが配される開口部を備えている。パッケージ中
には、銀メッキした銅板を外部電極として配置させてあ
る。パッケージ内部でＬＥＤチップをエポキシ樹脂など
を用いて固定させる。導電性ワイヤーである金線をＬＥ
Ｄチップの各電極とパッケージに設けられた各外部電極
とにそれぞれワイヤーボンディングさせ電気的に接続さ
せてある。次に、接着剤として、エポキシ樹脂をパッケ
ージの開口部内に塗布させた。こうしてＬＥＤチップが
配置されたパッケージを１０００個形成させた。
【００５２】他方、蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類
元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈さ
せた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アル
ミニウムと混合して混合原料を得る。これにフラックス
としてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気
中１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得た。
焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最
後に篩を通して形成させた。形成された（Ｙ０．８Ｇｄ
０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体をＮ２ガスにより
飛ばしノズルを通して、接着剤表面に付着させた。
【００５３】塗布後、ノズルからＮ２ガスのみを吹き付
け余分な蛍光体を飛ばした。接着剤上に蛍光体が堆積し
たパッケージを１２０度に加熱し接着剤を硬化させ蛍光
体を固定させる。この後に、さらに、ＬＥＤチップや蛍
光体を外部応力、水分及び塵芥などから保護する目的で
コーティング部が形成されたパッケージ開口部内にモー
ルド部材として透光性エポキシ樹脂を形成させた。透光
性エポシキ樹脂を混入後、１５０℃５時間にて硬化さ
せ、図１の如き発光ダイオードを形成させた。
【００５４】こうして得られた発光ダイオードに電力を
供給させることによって白色系を発光させることができ
る。発光ダイオードの正面から色温度、演色性をそれぞ
れ測定した。色温度８０４０Ｋ、Ｒａ（演色性指数）＝
８７．４を示した。また、発光光率は１０．６ ｌｍ／
ｗであった。また、バラツキを色度座標上の面積として
測定した。
【００５５】（比較例１） エポキシ樹脂中に（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１
２：Ｃｅ蛍光体を混合させてノズルから突出させコーテ
ィング部を形成させた以外は、実施例１と同様にして発
光装置を形成させた。形成された発光装置の断面は、コ
ーティング部の端面がはい上がっていると共に蛍光物質
の量が不均一であった。こうして形成された発光ダイオ
ードの色度点を実施例１と同様に測定した。形成された
発光ダイオードは、ＬＥＤチップの発光波長と蛍光体の
発光波長を結んだ線上に略位置したが、バラツキが大き
かった。実施例１と同様にして色度座標上のバラツキ面
積を測定した。比較例１の面積は、実施例１の面積の約
１５倍でありバラツキが大きかった。
【００５６】
【発明の効果】ＬＥＤチップ上に配置された接着剤が、
ＬＥＤチップなどの凹凸を緩和すると共に蛍光体の厚み
を一定とする。そのため発光観測面方位による色調ずれ
が極めて少ない発光ダイオードとさせることができる。
また、量産時における各発光ダイオードごとのバラツキ
が少なく、歩留まりの高い発光ダイオードとすることが
できる。
【００５７】特に、本発明の請求項１に記載の方法とす
ることにより、比較的簡単な方法で歩留まり良く発光観
測方位による色調ずれなどが極めて少ない発光ダイオー
ドが形成できる。
【００５８】本発明の請求項２の方法とすることによ
り、高輝度、長時間の使用においても色ずれ、発光光率
の低下が極めて少ない発光ダイオードとすることができ
る。
【００５９】本発明の請求項３の方法とすることによ
り、より耐光性及び発光効率の高い白色系が発光可能な
発光ダイオードとすることができる。
【００６０】本発明の請求項４の構成とすることによ
り、白色発光可能でより耐光性及び発光効率の高い白色
系が発光可能な発光ダイオードとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の発光ダイオードであるチップ
タイプＬＥＤの模式的断面図である。
【図２】図２は、本発明の発光ダイオードである砲弾型
発光ダイオードの模式的断面図である。
【図３】図３は、本発明の発光ダイオードを形成させる
形成装置を示した模式的説明図である。
【符号の説明】
１００・・・チップタイプＬＥＤ １０１、２０１・・・接着剤 １０２、２０２・・・蛍光体 １０３、２０３・・・ＬＥＤチップ １０４・・・パッケージ １０５、２０５・・・導電性ワイヤー １０６・・・外部電極 ２０４・・・モールド部材 ２０６・・・マウント・リード ２０７・・・インナー・リード ３００・・・接着剤が塗布されたパッケージ ３０１・・・蛍光体量を調節するバルブ ３０２・・・蛍光体を入れた容器 ３０３・・・蛍光体を放出させるノズル ３０４・・・テーブル

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの
    発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍
    光体とを有し、前記ＬＥＤチップからの光と前記蛍光体
    からの光とが補色関係にありそれぞれの光を混色させる
    ことで混色光を発光させることができる発光ダイオード
    の形成方法であって、 前記ＬＥＤチップ上に接着剤を塗布させる第１の工程
    と、前記接着剤の表面が接着性を持っている状態で、前記表
    面に前記蛍光体を付着させる工程 と、 を有することを特徴とする発光ダイオードの形成方法。
  2. 【請求項２】 前記第２の工程後、ガスを吹き付け余分
    な蛍光体を飛ばす第３の工程を有することを特徴とする
    請求項１に記載の発光ダイオードの形成方法。
  3. 【請求項３】 前記第２の工程において、前記蛍光体
    は、ガス吹きつけにより前記接着剤の表面に付着される
    ことを特徴とする請求項１から２のいすれかに記載の発
    光ダイオードの形成方法。
  4. 【請求項４】 前記第２の工程において、容器、バルブ
    及びノズルを有する装置を用い、前記容器から前記ノズ
    ルを通してガス圧により前記蛍光体を前記接着剤の表面
    に付着させることを特徴とする請求項１から２のいずれ
    かに記載の発光ダイオードの形成方法。
  5. 【請求項５】 前記第２の工程において、前記接着剤が
    塗布されたＬＥＤチップは、一定の回転数にて回転され
    ていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記
    載の発光ダイオードの形成方法。
  6. 【請求項６】 前記第２の工程後、前記接着剤を硬化し
    た後、拡散剤を有するモールド部材を形成することを特
    徴する請求項１から５のいずれかに記載の発光ダイオー
    ドの形成方法。
  7. 【請求項７】 前記ＬＥＤチップは各半導体層表面に各
    電極を有し、導電性ワイヤーを前記ＬＥＤチップの各電
    極と各外部電極表面とにワイヤーボンディングさせ電気
    的に接続させた後、前記第１の工程を施すことを特徴と
    する請求項１から ６のいずれかに記載の発光ダイオード
    の形成方法。
  8. 【請求項８】 前記ＬＥＤチップは、発光層が窒化物系
    化合物半導体であり、且つ前記蛍光体がセリウムで付活
    されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光
    体である請求項１から７のいずれかに記載の発光ダイオ
    ードの形成方法。
  9. 【請求項９】 前記ＬＥＤチップの主発光ピークが４０
    ０ｎｍから５３０ｎｍであり、且つ前記蛍光体の主発光
    波長が前記ＬＥＤチップの主ピークよりも長い請求項８
    記載の発光ダイオードの形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記蛍光体が（Ｒｅ１−ｘＳｍｘ）３
    （Ａｌ１−ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅである請求項１か
    ら７のいずれかに記載の発光ダイオードの形成方法。た
    だし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌ
    ａから選択される少なくとも一種の元素である。
  11. 【請求項１１】 前記蛍光体は、２種類以上の蛍光体を
    混合調整されたものであることを特徴とする請求項１０
    に記載の発光ダイオードの形成方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005097938A1 (ja) * 2004-03-31 2008-02-28 日本電気硝子株式会社 蛍光体及び発光ダイオード

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100425566B1 (ko) 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
TW480879B (en) * 2000-01-06 2002-03-21 Dynascan Technology Corp Method to compensate for the color no uniformity of color display
DE10010638A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
JP2001298216A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面実装型の半導体発光装置
KR100365307B1 (ko) * 2000-08-28 2002-12-18 박영구 실/내외 광고장치 및 그의 제조방법
TW595012B (en) 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
JP3910517B2 (ja) 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイス
DE102004047640A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement
DE102005012953B9 (de) * 2005-01-26 2013-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP2008545269A (ja) * 2005-07-01 2008-12-11 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 白色発光ダイオード及びダイオードアレイを有する照明装置、それらの製造方法及び製造装置
EP1919000A1 (en) 2005-08-05 2008-05-07 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
JP2007311663A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Sharp Corp 発光装置の製造方法、発光装置、および発光装置の製造装置
JP4859050B2 (ja) * 2006-11-28 2012-01-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4520972B2 (ja) * 2006-11-28 2010-08-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101431711B1 (ko) * 2008-05-07 2014-08-21 삼성전자 주식회사 발광 장치 및 발광 시스템의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 장치 및 발광 시스템
JP5444919B2 (ja) * 2009-07-29 2014-03-19 ソニー株式会社 照明装置、及び液晶表示装置
CN102714263B (zh) * 2010-02-25 2015-11-25 韩国莱太柘晶电株式会社 发光二极管及其制造方法
WO2013157310A1 (ja) * 2012-04-17 2013-10-24 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6331934B2 (ja) * 2014-09-30 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6819282B2 (ja) 2016-12-27 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ．Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．，Ｖｏ．３００２（１９９７．２）

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005097938A1 (ja) * 2004-03-31 2008-02-28 日本電気硝子株式会社 蛍光体及び発光ダイオード
JP5013405B2 (ja) * 2004-03-31 2012-08-29 日本電気硝子株式会社 蛍光体及び発光ダイオード

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