JP3617587B2 - 発光ダイオード及びその形成方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、LEDディスプレイ、バックライト光源、信号機、照光式スイッチ、各種センサー及び各種インジケータなどに利用される発光装置に係わり、特に発光素子からの発光を波長変換して発光可能な蛍光体を有する発光ダイオードにおいて、発光方位、色調ムラ及び量産性を改善した発光ダイオード及びその形成方法に関する。
【0002】
【従来技術】
発光装置である発光ダイオード(以下、LEDとも呼ぶ。)は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光をする。また、半導体素子であるため球切れなどの心配がない。駆動特性に優れ、振動やON/OFF点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。そのため各種インジケータや種々の光源として利用されている。しかしながら、LEDは優れた単色性ピーク波長を有するが故に白色系などの発光波長を発光することができない。
【0003】
そこで、本出願人は、青色発光ダイオードと蛍光物質により青色発光ダイオードからの発光を色変換させて他の色などが発光可能な発光ダイオードとして、特開平5−152609号公報、特開平7−99345号公報などに記載された発光ダイオードを開発した。これらの発光ダイオードによって、1種類のLEDチップを用いて白色系や青色LEDチップを用いた緑色など他の発光色を発光させることができる。
【0004】
具体的には、青色系が発光可能なLEDチップなどをリードフレームの先端に設けられたカップ上などに配置する。LEDチップは、LEDチップが設けられたメタルステムやメタルポストとそれぞれ電気的に接続させる。そして、LEDチップを被覆する樹脂モールド部材中などにLEDチップからの光を吸収し波長変換する蛍光物質を含有させて形成させてある。青色系の発光ダイオードと、その発光を吸収し黄色系を発光する蛍光物質などとを選択することにより、混色を利用して白色系を発光させることができる。これは、十分な輝度を発光する白色系発光ダイオードとして利用することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この発光ダイオードは、所望通りの色に形成されにくい傾向にある。発光ダイオードを量産させた場合において、各発光ダイオードがそれぞれ所望の色度範囲に形成させることが難しく歩留まりが低下する傾向にある。また、発光ダイオードの発光観測面において僅かながら色むらを生じるという問題がある。
【0006】
具体的には、発光観測面側から見て発光素子であるLEDチップが配置された中心部が青色ぽく、その周囲方向にリング状に黄、緑や赤色ぽい部分が見られる場合がある。人間の色調感覚は、白色において特に敏感である。そのため、わずかな色調差でも赤ぽい白、緑色ぽい白、黄色っぽい白等と感じる。
【0007】
このような発光観測面を直視することによって生ずる色むらは、品質上好ましくないばかりでなく表示装置に利用したときの表示面における色むらや、光センサーなど精密機器における誤差を生ずることにもなる。さらに、より厳しい条件として高輝度長時間の使用においては発光ダイオードの輝度が低下する傾向がある。本発明は上記問題点を解決し発光観測面における色調むらや発光ダイオードごとのバラツキが極めて少なく、量産性の良い発光ダイオードを形成させることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、支持体上に配置されたLEDチップと、該LEDチップからの発光を吸収し波長変換して発光する粒子状蛍光体と、を有する発光ダイオードであって、
前記LEDチップ上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、前記LEDチップ上以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、が略等しく均一であり、前記コーティング部は、粒子状蛍光体と、少なくともSi、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zn及びアルカリ土類元素の1種又は2種以上を有する酸化物を含む透光性無機部材とからなり、且つ、色むらを低減するよう前記透光性無機部材により前記粒子状蛍光体が結着され層状にLEDチップや支持体上に堆積されてなることを特徴とする発光ダイオードである。
【0009】
また、本発明は、支持体上に配置されたLEDチップと、該LEDチップからの発光を吸収し波長変換して蛍光を発する粒子状蛍光体とを有し、前記LEDチップからの発光と前記蛍光との混色光を発光可能な発光ダイオードであって、
前記LEDチップ上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、前記LEDチップ上以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、が略等しく均一であり、前記コーティング部は、粒子状蛍光体と、少なくともSi、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zn及びアルカリ土類元素の1種又は2種以上を有する酸化物を含む透光性無機部材とからなり、且つ、色むらを低減するよう前記透光性無機部材により前記粒子状蛍光体が結着され層状にLEDチップや支持体上に体積されてなることを特徴とする発光ダイオードである。
【0010】
【0011】
さらに本発明は、上記LEDチップの発光層が窒化物系化合物半導体であり、且つ粒子状蛍光体がセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とすることができる。
【0012】
さらに本発明は、上記LEDチップの主発光ピークが400nmから530nmであり、且つ粒子状蛍光体の主発光波長がLEDチップの主発光ピークよりも長い発光ダイオードとすることができる。
【0013】
さらに本発明は、上記LEDチップの発光層が窒化物系化合物半導体であり、且つ前記粒子状蛍光体が(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ceである請求項1乃至4に記載の発光ダイオード。
ただし、0≦x<1、0≦y≦1。ReはY、Gd、Laから選択される少なくとも一種の元素である発光ダイオード。
【作用】
本発明は、粒子状蛍光体が含有されたコーティング部の厚みがLEDチップ上及びLEDチップが配置された基体上の何れにおいても略等しい。LEDチップから放出された光の光路長差が比較的等しく均一な発光特性を得ることができる。また、発光面における色むらや発光ダイオードごとのバラツキのきわめて少なくすることができる。さらに、複数のLEDチップが配置されたパッケージ上に粒子状蛍光体を沈降堆積させることにより、一度に大量の発光ダイオードを量産性良く形成させることができる。LED上に配置される粒子状蛍光体の量がきわめて少量であっても粒子状蛍光体の量(コーティング部の厚み)を均等に制御させることができる。そのため、よりバラツキの少ない発光ダイオードを形成させることができる。
【0014】
コーティング部がSi、Al、Ga、Ti、Ge、P、B及びアルカリ土類元素の1種又は2種以上を有する酸化物である無機物で粒子状蛍光体をバインドする。これによりLEDチップからの比較的高いエネルギー光を高密度に照射した場合でもコーティング部が着色劣化することがなくなる。そのため、長時間高輝度に発光させても輝度が低下することがない発光ダイオードとすることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明者は種々の実験の結果、LEDチップ上に配置された粒子状蛍光体と、それ以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体とを略均等に配分させることによって発光観測面における色調むらや発光装置ごとのバラツキを改善できることを見出し本発明を成すに到った。
【0016】
発光観測面における色調むらや発光ダイオードごとのバラツキは、コーティング部形成時にコーティング部中に含まれる粒子状蛍光体の平面分布における傾きが生ずることにより生ずると考えられる。即ち、コーティング部は粒子状蛍光体を含有させた樹脂を先の細いノズルの如き管から吐出させることによって所望のカップ上に配置させることができる。
【0017】
しかし、バインダー中に含有された粒子状蛍光体をLEDチップ上に等量均一且つ、高速に塗布させることは極めて難しい。また、バインダーの粘度やコーティング部と接するパッケージ表面などとの表面張力により、最終的に形成されるコーティング部の形状が一定しない。コーティング部の厚み(粒子状蛍光体の量)が部分的に異なり、LEDチップからの光量、粒子状蛍光体からの光量が部分的に異なる。
【0018】
そのため発光観測面上において部分的にLEDチップからの発光色が強くなったり、蛍光体からの発光色が強くなり色調むらが生ずる。また、各発光ダイオードごとのバラツキが生ずると考えられる。本発明では、LEDチップ上とそれ以外に形成される粒子状蛍光体が均一に配置させることにより、色調むらや指向性などを改善させることができるものである。以下、本発明の構成部材について詳述する。
(コーティング部111、112)
本発明に用いられるコーティング部111、112とは、モールド部材とは別にマウント・リードのカップ内やパッケージの開口部内などに設けられるものでありLEDチップ103の発光を変換する粒子状蛍光体及び粒子状蛍光体を結着する樹脂や硝子などである。本発明のコーティング部111、112は、LEDチップ103上に設けられたコーティング部111の厚みとLEDチップ以外の支持体上に設けられたコーティング部112の厚みとが略等しい。LEDチップ103上に設けられたコーティング部111と、支持体となるパッケージの開口部表面に設けられたコーティング部112との厚みは、気相や液相中に分散させた粒子状蛍光体を静置させ沈降することにより比較的簡単に略等しく形成させることができる。
【0019】
コーティング部では、カップなどによりLEDチップから放出される高エネルギー光などが反射もされるため高密度になる。さらに、粒子状蛍光体によっても反射散乱されコーティング部が高密度の高エネルギー光にさらされる場合がある。そのため、発光強度が強く高エネルギー光が発光可能な窒化物系半導体をLEDチップとして利用した場合は、それらの高エネルギー光に対して耐光性のあるSi、Al、Ga、Ti、Ge、P、B及びアルカリ土類金属の1種又は2種以上有する酸化物を結着剤として利用することが好ましい。
【0020】
コーティング部の具体的主材料の一つとしては、SiO2、Al2O3、MSiO3(なお、Mとしては、Zn、Ca、Mg、Ba、Srなどが挙げられる。)などの透光性無機部材に粒子状蛍光体を含有させたものが好適に用いられる。これらの透光性無機部材により粒子状蛍光体が結着され層状にLEDチップや支持体上に堆積される。なお、コーティング部には、粒子状蛍光体と共に紫外線吸収剤を含有させても良い。
【0021】
このようなコーティング部111、121は、コーティング部111、121の材料となる粒子状蛍光体と結着剤とをよく混合させ容器202内に排出手段201のノズルから噴出する。容器202内には、LEDチップを有するパッケージ105が配置されている。ノズルから噴出された材料は、懸濁液として容器202内にたまる。容器202を静置しておくと、蛍光体粒子が沈降し容器202の底に蛍光体膜204が形成される。上澄液を排出後、乾燥装置205から放出される加温エアを吹き付け乾燥させる。その後、各パッケージ105を取り出すことにより粒子状蛍光体を有する発光ダイオードとすることができる。
(粒子状蛍光体)
本発明に用いられる蛍光体としては、少なくともLEDチップ103の半導体発光層から発光された光で励起されて発光する粒子状蛍光体をいう。LEDチップ103が発光した光と、粒子状蛍光体が発光した光が補色関係などにある場合、それぞれの光を混色させることで白色を発光することができる。具体的には、LEDチップ103からの光と、それによって励起され発光する粒子状蛍光体の光がそれぞれ光の3原色(赤色系、緑色系、青色系)に相当する場合やLEDチップ103が発光した青色の光と、それによって励起され発光する粒子状蛍光体の黄色の光が挙げられる。
【0022】
発光ダイオードの発光色は、粒子状蛍光体と粒子状蛍光体の結着剤として働く各種樹脂やガラスなどの無機部材などとの比率、粒子状蛍光体の沈降時間、粒子状蛍光体の形状などを種々調整すること及びLEDチップの発光波長を選択することにより電球色など任意の白色系の色調を提供させることができる。発光ダイオードの外部には、LEDチップからの光と蛍光体からの光がモールド部材を効率よく透過することが好ましい。
【0023】
具体的な粒子状蛍光体としては、銅で付活された硫化カドミ亜鉛やセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体が挙げられる。特に、高輝度且つ長時間の使用時においては(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ce(0≦x<1、0≦y≦1、但し、Reは、Y,Gd,Laからなる群より選択される少なくとも一種の元素である。)などが好ましい。粒子状蛍光体として特に(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ceを用いた場合には、LEDチップと接する或いは近接して配置され放射照度として(Ee)=3W・cm−2以上10W・cm−2以下においても高効率に十分な耐光性を有する発光ダイオードとすることができる。
【0024】
(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ce蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークが470nm付近などにさせることができる。また、発光ピークも530nm付近にあり720nmまで裾を引くブロードな発光スペクトルを持たせることができる。しかも、組成のAlの一部をGaで置換することで発光波長が短波長にシフトし、また組成のYの一部をGdで置換することで、発光波長が長波長へシフトする。このように組成を変化することで発光色を連続的に調節することが可能である。したがって、長波長側の強度がGdの組成比で連続的に変えられるなど窒化物半導体の青色系発光を利用して白色系発光に変換するための理想条件を備えている。
【0025】
このような蛍光体は、Y、Gd、Ce、Sm、Al、La及びGaの原料として酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Y、Gd、Ce、Smの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中1350〜1450°Cの温度範囲で2〜5時間焼成して焼成品を得る。次に焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで所望の粒子状蛍光体を得ることができる。
【0026】
本発明の発光ダイオードにおいて、粒子状蛍光体は、2種類以上の粒子状蛍光体を混合させてもよい。即ち、Al、Ga、Y、La及びGdやSmの含有量が異なる2種類以上の(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ce蛍光体を混合させてRGBの波長成分を増やすことができる。また、現在のところ半導体発光素子の発光波長には、バラツキが生ずるものがあるため2種類以上の蛍光体を混合調整させて所望の白色光などを得ることができる。具体的には、発光素子の発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光体の量を調整し含有させることでその蛍光体間と発光素子で結ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。
【0027】
このような粒子状蛍光体は、気相や液相中に分散させ均一に放出させることができる。気相や液相中での粒子状蛍光体は、自重によって沈降する。特に液相中においては懸濁液を静置させることで、より均一性の高い粒子状蛍光体を持つ層を形成させることができる。所望に応じて複数回繰り返すことにより所望の粒子状蛍光体量を形成することができる。
(LEDチップ103)
本発明に用いられるLEDチップ103とは、粒子状蛍光体を励起可能なものである。発光素子であるLEDチップ103は、MOCVD法等により基板上にGaAs、InP、GaAlAs、InGaAlP、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の半導体を発光層として形成させる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。好ましくは、粒子状蛍光体を効率良く励起できる比較的短波長を効率よく発光可能な窒化物系化合物半導体(一般式IniGajAlkN、ただし、0≦i、0≦j、0≦k、i+j+k=1)である。
【0028】
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaN等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いることがより好ましい。サファイヤ基板上に半導体膜を成長させる場合、GaN、AlN等のバッファー層を形成しその上にPN接合を有する窒化ガリウム半導体を形成させることが好ましい。また、サファイア基板上にSiO2をマスクとして選択成長させたGaN単結晶自体を基板として利用することもできる。この場合、各半導体層を形成後SiO2をエッチング除去させることによって発光素子とサファイア基板とを分離させることもできる。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態でN型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のN型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、N型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。一方、P型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、P型ドーパンドであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせる。
【0029】
窒化ガリウム系化合物半導体は、P型ドーパントをドープしただけではP型化しにくいためP型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照射等によりアニールすることでP型化させることが好ましい。具体的発光素子の層構成としては、窒化ガリウム、窒化アルミニウムなどを低温で形成させたバッファ層を有するサファイア基板や炭化珪素上に、窒化ガリウム半導体であるN型コンタクト層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるN型クラッド層、Zn及びSiをドープさせた窒化インジュウムガリウム半導体である活性層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体であるP型クラッド層、窒化ガリウム半導体であるP型コンタクト層が積層されたものが好適に挙げられる。LEDチップ103を形成させるためにはサファイア基板を有するLEDチップ103の場合、エッチングなどによりP型半導体及びN型半導体の露出面を形成させた後、半導体層上にスパッタリング法や真空蒸着法などを用いて所望の形状の各電極を形成させる。SiC基板の場合、基板自体の導電性を利用して一対の電極を形成させることもできる。
【0030】
次に、形成された半導体ウエハー等をダイヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシングソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い幅の溝を切り込んだ後(ハーフカット)、外力によって半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハーに極めて細いスクライブライン(経線)を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導体ウエハーからチップ状にカットする。このようにして窒化物系化合物半導体であるLEDチップ103を形成させることができる。
【0031】
本発明の発光ダイオードにおいて白色系を発光させる場合は、粒子状蛍光体との補色等を考慮してLEDチップ103の主発光波長は400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましい。LEDチップ103と粒子状蛍光体との効率をそれぞれより向上させるためには、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。
(パッケージ102)
パッケージ102は、LEDチップ103を凹部内に固定保護する支持体として働く。また、外部との電気的接続が可能な外部電極104を有する。LEDチップ103の数や大きさに合わせて複数の開口部を持ったパッケージ102とすることもできる。また、好適には遮光機能を持たせるために黒や灰色などの暗色系に着色させる、或いはパッケージ102の発光観測表面側が暗色系に着色されている。パッケージ102は、LEDチップ103をさらに外部環境から保護するためにコーティング部111、112に加えて透光性保護体であるモールド部材106を設けることもできる。パッケージ102は、コーティング部111、112やモールド部材106との接着性がよく剛性の高いものが好ましい。LEDチップ103と外部とを電気的に遮断させるために絶縁性を有することが望まれる。さらに、パッケージ102は、LEDチップ103などからの熱の影響をうけた場合、モールド部材106との密着性を考慮して熱膨張率の小さい物が好ましい。
【0032】
パッケージ102の凹部内表面は、エンボス加工させて接着面積を増やしたり、プラズマ処理してモールド部材との密着性を向上させることもできる。パッケージ102は、外部電極104と一体的に形成させてもよく、パッケージ102が複数に分かれ、はめ込みなどにより組み合わせて構成させてもよい。このようなパッケージ102は、インサート成形などにより比較的簡単に形成することができる。パッケージ材料としてポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂やセラミックなどを用いることができる。また、パッケージ102を暗色系に着色させる着色剤としては種々の染料や顔料が好適に用いられる。具体的には、Cr2O3、MnO2、Fe2O3やカーボンブラックなどが好適に挙げられる。
【0033】
LEDチップ103とパッケージ102との接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられる。また、LEDチップ103を配置固定させると共にパッケージ102内の外部電極104と電気的に接続させるためにはAgペースト、カーボンペースト、ITOペースト、金属バンプ等が好適に用いられる。
(外部電極104)
外部電極104は、パッケージ102外部からの電力を内部に配置されたLEDチップ103に供給させるために用いられるためのものである。そのためパッケージ102上に設けられた導電性を有するパターンやリードフレームを利用したものなど種々のものが挙げられる。また、外部電極104は放熱性、電気伝導性、LEDチップ103の特性などを考慮して種々の大きさに形成させることができる。外部電極104は、各LEDチップ103を配置すると共にLEDチップ103から放出された熱を外部に放熱させるため熱伝導性がよいことが好ましい。外部電極104の具体的な電気抵抗としては300μΩ・cm以下が好ましく、より好ましくは、3μΩ・cm以下である。また、具体的な熱伝導度は、0.01cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは 0.5cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上である。
【0034】
このような外部電極104としては、銅やりん青銅板表面に銀、パラジュウム或いは金などの金属メッキや半田メッキなどを施したものが好適に用いられる。外部電極104としてリードフレームを利用した場合は、電気伝導度、熱伝導度によって種々利用できるが加工性の観点から板厚0.1mmから2mmが好ましい。ガラスエポキシ樹脂やセラミックなどの支持体上などに設けられた外部電極104としては、銅箔やタングステン層を形成させることができる。プリント基板上に金属箔を用いる場合は、銅箔などの厚みとして18〜70μmとすることが好ましい。また、銅箔等の上に金、半田メッキなどを施しても良い。
(導電性ワイヤー105)
導電性ワイヤー105としては、LEDチップ103の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。熱伝導度としては0.01cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは0.5cal/(s)(cm2)(℃/cm)以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤー105の直径は、好ましくは、Φ10μm以上、Φ45μm以下である。このような導電性ワイヤー105として具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。このような導電性ワイヤー105は、各LEDチップ103の電極と、インナー・リード及びマウント・リードなどと、をワイヤーボンディング機器によって容易に接続させることができる。
(モールド部材106)
モールド部材106は、発光ダイオードの使用用途に応じてLEDチップ103、導電性ワイヤー105、粒子状蛍光体が含有されたコーティング部111、112などを外部から保護するために設けることができる。モールド部材106は、各種樹脂や硝子などを用いて形成させることができる。モールド部材106の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いられる。また、モールド部材に拡散剤を含有させることによってLEDチップ103からの指向性を緩和させ視野角を増やすこともできる。このような、モールド部材106は、コーティング部の結着剤と同じ材料を用いても良いし異なる材料としても良い。以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は具体的実施例のみに限定されるものではないことは言うまでもない。
【0035】
【実施例】
(実施例1)
LEDチップとして主発光ピークが460nmのIn0.2Ga0.8N半導体を用いた。LEDチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にTMG(トリメチルガリウム)ガス、TMI(トリメチルインジュウム)ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、MOCVD法で窒化ガリウム系化合物半導体を成膜させることにより形成させた。ドーパントガスとしてSiH4とCp2Mgと、を切り替えることによってN型導電性を有する窒化ガリウム系半導体とP型導電性を有する窒化ガリウム系半導体を形成しPN接合を形成させる。半導体発光素子として、N型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層と、P型導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層、P型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層を形成させた。N型導電性を有するコンタクト層とP型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約3nmであり、単一量子井戸構造とされるノンドープInGaNの活性層を形成させた。(なお、サファイア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせてある。また、P型導電性を有する半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。)
エッチングによりサファイア基板上のPN各半導体表面を露出させた後、スパッタリングにより各電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子として350μm角のLEDチップを形成させた。
【0036】
一方、インサート成形によりポリカーボネート樹脂を用いてチップタイプLEDのパッケージを形成させた。チップタイプLEDのパッケージ内は、LEDチップが配される開口部を備えている。パッケージ中には、銀メッキした銅板を外部電極として配置させてある。パッケージ内部でLEDチップをエポキシ樹脂などを用いて固定させる。導電性ワイヤーである金線をLEDチップの各電極とパッケージに設けられた各外部電極とにそれぞれワイヤーボンディングさせ電気的に接続させてある。こうしてLEDチップが配置されたパッケージを8280個形成させた。各パッケージの開口部を除く表面には、レジスト膜が形成されている。8280個のLEDチップが配置されたパッケージを純粋電解質が入った容器中に配置させる。
【0037】
他方、粒子状蛍光体は、Y、Gd、Ceの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムと混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中1400°Cの温度で3時間焼成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して形成させた。形成された(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce蛍光体をSiO2ゾル中に分散させる。
【0038】
次に、酢酸でpHを5.0に調整した後、直ちにパッケージが配置された容器中に(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce蛍光体とSiO2ゾルを一挙に懸濁注入させる(図2(A))。静置後(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce蛍光体が沈降しパッケージ上に沈降する(図2(B))。容器内の廃液を除しLEDチップ上に粒子状蛍光体が堆積したパッケージを120度に加熱した空気で乾燥させる(図2(C))。この後に、容器から各発光ダイオードを取り出して発光ダイオードの非発光部に付着した粒子状蛍光体をレジストマスクごと除去することによってLEDチップ上とパッケージ底面との膜厚が共に約40μmと略等しいコーティング部を形成させることができる。さらに、LEDチップや粒子状蛍光体を外部応力、水分及び塵埃などから保護する目的でコーティング部が形成されたパッケージ開口部内にモールド部材として透光性エポキシ樹脂を形成させた。透光性エポシキ樹脂を混入後、150℃5時間にて硬化させた。こうして図1の如き発光装置である発光ダイオードを形成させた。
【0039】
得られた発光ダイオードに電力を供給させることによって白色系を発光させることができる。発光ダイオードの正面から色温度、演色性をそれぞれ測定した。色温度8090K、Ra(演色性指数)=87.5を示した。また、発光光率は10.8 lm/wであった。さらに、CIE色度図上のx,y=(0.305,0.315)±0.03で囲まれた範囲内に、約8114個の各発光ダイオードが分布しており歩留まりは、約98%であった。
(比較例1)
エポキシ樹脂中に(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce蛍光体を混合させてノズルから突出させコーティング部を形成させた以外は、実施例1と同様にして発光ダイオードを形成させた。形成された発光ダイオードの断面は、コーティング部の端面がはい上がっていると共に粒子状蛍光体の量が不均一であった。こうして形成された発光ダイオードの色度点を実施例1と同様に測定した。形成された発光ダイオードの色度点は、LEDチップの主発光ピークと蛍光体の主発光波長を結んだ線上に略位置していたが、歩留まりは約61%にしか過ぎなかった。
【0040】
【発明の効果】
コーティングの厚みが均一な本発明の発光ダイオードとすることにより各方位による色度のずれが極めて少なく、発光観測面から見て色調ずれがない発光ダイオードとさせることができる。また、歩留まりの高い発光ダイオードとすることができる。
【0041】
特に、本発明の請求項1に記載の構成とすることにより高輝度、長時間の使用においても色ずれ、発光光率の低下が極めて少ない発光ダイオードとすることができる。
【0042】
本発明の請求項2に記載の構成とすることにより高輝度、長時間の使用においても色ずれ、発光光率の低下が極めて少ない発光ダイオードとすることができる。
【0043】
【0044】
本発明の請求項3の構成とすることにより、高輝度、長時間の使用においてもより輝度の低下や色ずれが少なく白色系が発光可能な発光ダイオードとすることができる。
【0045】
本発明の請求項4の構成とすることにより、白色発光可能でより発光効率の高い発光ダイオードとすることができる。
【0046】
本発明の請求項5の構成とすることにより、高輝度、長時間の使用においてもより輝度の低下や色ずれが少なく白色系が発光可能な発光ダイオードとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の発光装置であるチップタイプLEDの模式的断面図である。
【図2】図2は、本発明の発光ダイオードを形成させる形成装置を示した模式図である。
【符号の説明】
111・・LEDチップ上のコーティング部
112・・・支持体上のコーティング部
102・・・パッケージ
103・・・LEDチップ
104・・・外部電極
105・・・導電性ワイヤー
106・・・モールド部材
201・・・コーティング部の材料を噴出させる排出手段
202・・・容器
203・・・ノズルから噴出されたコーティング部の材料
204・・・蛍光体膜
205・・・加温エアを吹き付ける乾燥装置
Claims (5)
- 支持体上に配置されたLEDチップと、該LEDチップからの発光を吸収し波長変換して発光する粒子状蛍光体と、を有する発光ダイオードであって、
前記LEDチップ上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、前記LEDチップ上以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、が略等しく均一であり、前記コーティング部は、粒子状蛍光体と、少なくともSi、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zn及びアルカリ土類元素の1種又は2種以上を有する酸化物を含む透光性無機部材とからなり、且つ、色むらを低減するよう前記透光性無機部材により前記粒子状蛍光体が結着され層状にLEDチップや支持体上に堆積されてなることを特徴とする発光ダイオード。 - 支持体上に配置されたLEDチップと、該LEDチップからの発光を吸収し波長変換して蛍光を発する粒子状蛍光体とを有し、前記LEDチップからの発光と前記蛍光との混色光を発光可能な発光ダイオードであって、
前記LEDチップ上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、前記LEDチップ上以外の支持体上に配置された粒子状蛍光体を有するコーティング部の厚みと、が略等しく均一であり、前記コーティング部は、粒子状蛍光体と、少なくともSi、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zn及びアルカリ土類元素の1種又は2種以上を有する酸化物を含む透光性無機部材とからなり、且つ、色むらを低減するよう前記透光性無機部材により前記粒子状蛍光体が結着され層状にLEDチップや支持体上に体積されてなることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記LEDチップの発光層が窒化物系化合物半導体であり、且つ前記粒子状蛍光体がセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体である請求項1又は2に記載の発光ダイオード。
- 前記LEDチップの主発光ピークが400nmから530nmであり、前記粒子状蛍光体の主発光波長が前記LEDチップの主発光ピークよりも長い請求項1乃至3に記載の発光ダイオード。
- 前記LEDチップの発光層が窒化物系化合物半導体であり、且つ前記粒子状蛍光体が(Re1−xSmx)3(Al1−yGay)5O12:Ceである請求項1乃至4に記載の発光ダイオード。
ただし、0≦x<1、0≦y≦1。ReはY、Gd、Laから選択される少なくとも一種の元素である発光ダイオード。
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