JP3367096B2 - 発光ダイオードの形成方法 - Google Patents
発光ダイオードの形成方法Info
- Publication number
- JP3367096B2 JP3367096B2 JP02554599A JP2554599A JP3367096B2 JP 3367096 B2 JP3367096 B2 JP 3367096B2 JP 02554599 A JP02554599 A JP 02554599A JP 2554599 A JP2554599 A JP 2554599A JP 3367096 B2 JP3367096 B2 JP 3367096B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting diode
- fluorescent substance
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子から放出さ
れる発光波長の少なくとも一部を蛍光物質により変換し
て放出する発光ダイオードに係わり、特に、発光むら、
色むらや形成された発光ダイオード間における発光バラ
ツキが少なく歩留りの高い発光ダイオードに関するもの
である。
れる発光波長の少なくとも一部を蛍光物質により変換し
て放出する発光ダイオードに係わり、特に、発光むら、
色むらや形成された発光ダイオード間における発光バラ
ツキが少なく歩留りの高い発光ダイオードに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子は、小型で効率よく鮮や
かな色の発光をする。また、半導体素子であるため球切
れがない。駆動特性が優れ、振動やＯＮ／ＯＦＦ点灯の
繰り返しに強いという特徴を有する。そのため、各種イ
ンジケータや種々の光源として利用されている。しかし
ながら、このような発光素子は単色性のピーク波長を有
するが故に白色系（白、ピンクや電球色など）の発光の
みを得る場合においても、２種類以上の発光素子を利用
せざるを得なかった。また、種々の発光色を簡単に得る
ことはできなかった。
かな色の発光をする。また、半導体素子であるため球切
れがない。駆動特性が優れ、振動やＯＮ／ＯＦＦ点灯の
繰り返しに強いという特徴を有する。そのため、各種イ
ンジケータや種々の光源として利用されている。しかし
ながら、このような発光素子は単色性のピーク波長を有
するが故に白色系（白、ピンクや電球色など）の発光の
みを得る場合においても、２種類以上の発光素子を利用
せざるを得なかった。また、種々の発光色を簡単に得る
ことはできなかった。
【０００３】発光チップと蛍光物質を利用して種々の発
光色を発光させる発光ダイオードとして、特開平７−９
９３４５号公報などに記載されたものが知られている。
これらの発光ダイオードは、発光チップの発光を発光観
測面側に反射するカップの底部に発光チップを積載させ
ると共にカップ内部に充填された樹脂と、全体を覆った
樹脂から構成することができる。内部に充填された樹脂
中には発光チップからの光を吸収し、波長変換する蛍光
物質を含有させてある。
光色を発光させる発光ダイオードとして、特開平７−９
９３４５号公報などに記載されたものが知られている。
これらの発光ダイオードは、発光チップの発光を発光観
測面側に反射するカップの底部に発光チップを積載させ
ると共にカップ内部に充填された樹脂と、全体を覆った
樹脂から構成することができる。内部に充填された樹脂
中には発光チップからの光を吸収し、波長変換する蛍光
物質を含有させてある。
【０００４】蛍光物質が含有された樹脂は、液状のエポ
キシ樹脂などを発光素子が搭載されたカップ上にディス
ペンサ等で滴下注入し、加熱硬化させ色変換部材とさせ
る。カップ内部以外の樹脂は液状のエポキシ樹脂などを
キャスティングケース内に流し込むと共に、色変換部材
及び発光チップが形成されたフレーム部材先端を浸漬配
置する。これをオーブンに入れ加熱硬化させることによ
り、発光チップからの発光波長を蛍光物質によって波長
変換した発光ダイオードとすることができる。例えば、
ＬＥＤチップからの青色系の光と、その青色系の光を吸
収し補色関係にある黄色系を発光する蛍光体からの光と
の混色により白色が発光可能な発光ダイオードとするこ
とができる。
キシ樹脂などを発光素子が搭載されたカップ上にディス
ペンサ等で滴下注入し、加熱硬化させ色変換部材とさせ
る。カップ内部以外の樹脂は液状のエポキシ樹脂などを
キャスティングケース内に流し込むと共に、色変換部材
及び発光チップが形成されたフレーム部材先端を浸漬配
置する。これをオーブンに入れ加熱硬化させることによ
り、発光チップからの発光波長を蛍光物質によって波長
変換した発光ダイオードとすることができる。例えば、
ＬＥＤチップからの青色系の光と、その青色系の光を吸
収し補色関係にある黄色系を発光する蛍光体からの光と
の混色により白色が発光可能な発光ダイオードとするこ
とができる。
【０００５】このような発光ダイオードを用いて、所望
の白色系などを発光させるためには、それぞれの光を極
めて精度良く発光させ混色調整させる必要がある。ＬＥ
Ｄチップからの光は、その半導体及び駆動電流などによ
り調節させることができる。一方、蛍光物質からの波長
変換された光も蛍光物質の組成や粒径を制御することに
よってある程度調整することができる。
の白色系などを発光させるためには、それぞれの光を極
めて精度良く発光させ混色調整させる必要がある。ＬＥ
Ｄチップからの光は、その半導体及び駆動電流などによ
り調節させることができる。一方、蛍光物質からの波長
変換された光も蛍光物質の組成や粒径を制御することに
よってある程度調整することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、蛍光物質自体
には密着力がない、或いは弱いため発光素子上に配置固
定させるためには、発光素子及び蛍光物質それぞれの光
が放出可能な密着性を有する種々の樹脂中などバインダ
ー中に含有させる必要がある。このようなバインダー中
に含有された蛍光物質は、その蛍光物質の含有量や分布
などによってＬＥＤチップから放出された光量及び蛍光
物質から放出された光量が大きく左右される。これらが
制御できず、また発光素子から放出される可視光と蛍光
物質から放出される光が可視光の混色によって色表現さ
せる場合には、蛍光物質が発光素子の光を吸収するが故
にそれぞれの可視光量の違いが大きな問題となる。特
に、白色系は人間の目が僅かな色温度差でも識別するこ
とができるため大きな問題となる。したがって、本発明
は上記問題点を解決し、極めて精度良く蛍光物質の含有
量及び分布を均一とさせ発光特性の優れた、歩留りの高
い発光ダイオードを提供することにある。
には密着力がない、或いは弱いため発光素子上に配置固
定させるためには、発光素子及び蛍光物質それぞれの光
が放出可能な密着性を有する種々の樹脂中などバインダ
ー中に含有させる必要がある。このようなバインダー中
に含有された蛍光物質は、その蛍光物質の含有量や分布
などによってＬＥＤチップから放出された光量及び蛍光
物質から放出された光量が大きく左右される。これらが
制御できず、また発光素子から放出される可視光と蛍光
物質から放出される光が可視光の混色によって色表現さ
せる場合には、蛍光物質が発光素子の光を吸収するが故
にそれぞれの可視光量の違いが大きな問題となる。特
に、白色系は人間の目が僅かな色温度差でも識別するこ
とができるため大きな問題となる。したがって、本発明
は上記問題点を解決し、極めて精度良く蛍光物質の含有
量及び分布を均一とさせ発光特性の優れた、歩留りの高
い発光ダイオードを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は種々実験の結
果、蛍光物質を利用した発光ダイオードにおいて、発光
ダイオード間のバラツキや発光ダイオードの色むらや発
光むらは、蛍光物質の分布に大きく起因していること及
び特定の形成方法により制御しうることを見出し本発明
を成すに至った。
果、蛍光物質を利用した発光ダイオードにおいて、発光
ダイオード間のバラツキや発光ダイオードの色むらや発
光むらは、蛍光物質の分布に大きく起因していること及
び特定の形成方法により制御しうることを見出し本発明
を成すに至った。
【０００８】即ち、蛍光物質が含有された液状の透光性
樹脂を発光素子が配置された型の中に流し込んで形成さ
せる場合、型の中での充填性を考慮して透光性樹脂の粘
度はＢ型粘度計で計測した場合５００〜１５００ｃＰ程
度の低粘度のものが用いられる。この場合、蛍光物質と
透光性樹脂との比重が異なると、透光性樹脂と蛍光物質
との両者は容易に分離する。例えば、軽い有機蛍光物質
などを利用した場合は浮遊し、重い無機蛍光物質などを
利用した場合は沈降する傾向にある。このような分離は
蛍光物質の分散不均一を生ずる。
樹脂を発光素子が配置された型の中に流し込んで形成さ
せる場合、型の中での充填性を考慮して透光性樹脂の粘
度はＢ型粘度計で計測した場合５００〜１５００ｃＰ程
度の低粘度のものが用いられる。この場合、蛍光物質と
透光性樹脂との比重が異なると、透光性樹脂と蛍光物質
との両者は容易に分離する。例えば、軽い有機蛍光物質
などを利用した場合は浮遊し、重い無機蛍光物質などを
利用した場合は沈降する傾向にある。このような分離は
蛍光物質の分散不均一を生ずる。
【０００９】特に、バッチ式に粘度の低い透光性樹脂と
蛍光物質を混合した混合体を少量ずつ型の内部に流し込
んでいく方法を繰り返して製造する場合、混合体の透光
性樹脂と蛍光物質の分離は時間と共に進行する。したが
って、混合直後に製造された発光ダイオードと、混合後
しばらく後に製造された発光ダイオードでは、蛍光物質
の全体の含有量が異なってしまう傾向にある。
蛍光物質を混合した混合体を少量ずつ型の内部に流し込
んでいく方法を繰り返して製造する場合、混合体の透光
性樹脂と蛍光物質の分離は時間と共に進行する。したが
って、混合直後に製造された発光ダイオードと、混合後
しばらく後に製造された発光ダイオードでは、蛍光物質
の全体の含有量が異なってしまう傾向にある。
【００１０】特に、発光素子からの可視発光と蛍光物質
からの可視蛍光との混色光を発光させる発光ダイオード
においては、蛍光物質の含有量変化及び封止樹脂内での
分布不均一がすべて発光色の色温度変化として顕著に現
れる。このような問題を以下の本発明によって解決する
ことができる。即ち、本発明は、基板上に配置された発
光素子と、蛍光物質を含有された透光性樹脂とを有する
発光ダイオードである。特に、透光性樹脂は発光素子か
らの発光波長の少なくとも一部を吸収して蛍光を発光す
る蛍光物質を有し、且つ孔版印刷によって前記発光素子
を封止してなる発光ダイオードである。これによって制
御性よく均一発光可能な発光ダイオードとすることがで
きる。
からの可視蛍光との混色光を発光させる発光ダイオード
においては、蛍光物質の含有量変化及び封止樹脂内での
分布不均一がすべて発光色の色温度変化として顕著に現
れる。このような問題を以下の本発明によって解決する
ことができる。即ち、本発明は、基板上に配置された発
光素子と、蛍光物質を含有された透光性樹脂とを有する
発光ダイオードである。特に、透光性樹脂は発光素子か
らの発光波長の少なくとも一部を吸収して蛍光を発光す
る蛍光物質を有し、且つ孔版印刷によって前記発光素子
を封止してなる発光ダイオードである。これによって制
御性よく均一発光可能な発光ダイオードとすることがで
きる。
【００１１】また、本発明の請求項２に記載の発光ダイ
オードは、発光素子は少なくとも発光層が可視光を発光
する窒化物半導体であると共に蛍光体がＹ、Ｌｕ、Ｓ
ｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍの群から選択された少なくとも
１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの群から選択される
少なくとも１つの元素とを有するセリウムで付活された
ガーネット系蛍光体の発光ダイオードである。これによ
り均一発光可能な白色発光ダイオードを形成することが
できる。
オードは、発光素子は少なくとも発光層が可視光を発光
する窒化物半導体であると共に蛍光体がＹ、Ｌｕ、Ｓ
ｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍの群から選択された少なくとも
１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの群から選択される
少なくとも１つの元素とを有するセリウムで付活された
ガーネット系蛍光体の発光ダイオードである。これによ
り均一発光可能な白色発光ダイオードを形成することが
できる。
【００１２】また、本発明の請求項３に記載の発光ダイ
オードの形成方法は、貫通孔があいたマスク兼側壁をガ
ラスエポキシ樹脂とするものである。
オードの形成方法は、貫通孔があいたマスク兼側壁をガ
ラスエポキシ樹脂とするものである。
【００１３】また、本発明の請求項４に記載の発光ダイ
オードの形成方法は、孔版印刷を減圧又は加圧下で行う
発光ダイオードの形成方法である。これにより、気泡等
をなくし、より形成された発光ダイオード間のバラツキ
がより少なく発光むらや色むらの少ない白色光などが発
光可能な発光ダイオードを形成させることができる。特
に蛍光物質に加えて拡散材を添加させることにより、光
の行路長を長くし均一な混色光を発光させる場合におい
ては、蛍光物質、拡散材及び透光性樹脂の比重の違いに
よっても色むらが生じやすい為、本発明の効果が大き
い。
オードの形成方法は、孔版印刷を減圧又は加圧下で行う
発光ダイオードの形成方法である。これにより、気泡等
をなくし、より形成された発光ダイオード間のバラツキ
がより少なく発光むらや色むらの少ない白色光などが発
光可能な発光ダイオードを形成させることができる。特
に蛍光物質に加えて拡散材を添加させることにより、光
の行路長を長くし均一な混色光を発光させる場合におい
ては、蛍光物質、拡散材及び透光性樹脂の比重の違いに
よっても色むらが生じやすい為、本発明の効果が大き
い。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施態様例による発光ダ
イオードとして図１に、白色発光可能なチップタイプＬ
ＥＤの模式的断面図を示してある。表面に所望の銅箔パ
ターンが形成された基板上にＬＥＤチップ１０３を搭載
する。搭載されたＬＥＤチップは単体では単色性ピーク
波長である青色系の可視光を発光する発光素子１０３で
あり、マウント部材１０８となるエポキシ樹脂によりマ
ウント固着されている。発光素子の各電極は、金等より
なるワイヤ１０７で基板上に設けられた各リード電極１
０５、１０６となる銅箔パターンとワイヤボンド結合し
ている。
イオードとして図１に、白色発光可能なチップタイプＬ
ＥＤの模式的断面図を示してある。表面に所望の銅箔パ
ターンが形成された基板上にＬＥＤチップ１０３を搭載
する。搭載されたＬＥＤチップは単体では単色性ピーク
波長である青色系の可視光を発光する発光素子１０３で
あり、マウント部材１０８となるエポキシ樹脂によりマ
ウント固着されている。発光素子の各電極は、金等より
なるワイヤ１０７で基板上に設けられた各リード電極１
０５、１０６となる銅箔パターンとワイヤボンド結合し
ている。
【００１５】次に、発光素子３０３及びワイヤ３０７が
配置された絶縁性基板３０４上に、これら発光素子など
が内部に配置されるように貫通孔があいたマスク３１１
を被覆させる。続いて、青色系の可視光を照射すると黄
色系の可視蛍光を発する無機蛍光体３０２としてＣｅで
付活されたＹＡＧ蛍光体を約５質量％及び有機拡散材と
してＣＴＵグアナミン樹脂２％を混合させた脂環式エポ
キシ樹脂組成物（粘度１０，０００）３０１を印刷する
インキとして利用しマスク３１１上から図３如く流し込
み孔版印刷成形させる。なお、これらの工程中減圧又は
加圧下にて孔版印刷成形させると、極めて簡単に気泡な
どを脱泡させることができる。特に本発明においては、
無機蛍光体であるＹＡＧ：Ｃｅが含有されているために
混合中に気泡が入りやすい傾向にある。
配置された絶縁性基板３０４上に、これら発光素子など
が内部に配置されるように貫通孔があいたマスク３１１
を被覆させる。続いて、青色系の可視光を照射すると黄
色系の可視蛍光を発する無機蛍光体３０２としてＣｅで
付活されたＹＡＧ蛍光体を約５質量％及び有機拡散材と
してＣＴＵグアナミン樹脂２％を混合させた脂環式エポ
キシ樹脂組成物（粘度１０，０００）３０１を印刷する
インキとして利用しマスク３１１上から図３如く流し込
み孔版印刷成形させる。なお、これらの工程中減圧又は
加圧下にて孔版印刷成形させると、極めて簡単に気泡な
どを脱泡させることができる。特に本発明においては、
無機蛍光体であるＹＡＧ：Ｃｅが含有されているために
混合中に気泡が入りやすい傾向にある。
【００１６】このような気泡は、発光素子であるＬＥＤ
チップからの光や蛍光体からの蛍光を屈折等させるため
に色むらや輝度むらとなって顕著に観測され易い。その
ため、減圧又は加圧下にて印刷形成させることは特に大
きな効果がある。また、蛍光物質の分散均一性を保持す
るためにある程度の粘度（Ｂ型粘度計で５，０００ＰＳ
以上１００，０００ＰＳ以下が好ましく、より好ましく
は９,０００ＰＳ以上３０,０００ＰＳ以下である。）が
必要となり、簡単には脱泡しない。このような粘度は透
光性樹脂の種類や溶剤を選択させることによって種々調
整させることができる。そのため、本発明においては減
圧或いは加圧下において孔版印刷させることがより好ま
しい。なお、このような粘度の調整は樹脂組成を選択す
るほか、液状透光性樹脂内に固形状の透光性樹脂を所望
量含有させることによって調整させることができる。同
様に、溶媒の量によっても調整させることができる。次
に、この状態で約１５０℃にて硬化させる。硬化後マス
クを除去させることによって、発光素子１０３が配置さ
れた基板１０４上に蛍光物質１０２が含有された透光性
樹脂１０１で封止させたチップタイプＬＥＤ１００を形
成させることができる。
チップからの光や蛍光体からの蛍光を屈折等させるため
に色むらや輝度むらとなって顕著に観測され易い。その
ため、減圧又は加圧下にて印刷形成させることは特に大
きな効果がある。また、蛍光物質の分散均一性を保持す
るためにある程度の粘度（Ｂ型粘度計で５，０００ＰＳ
以上１００，０００ＰＳ以下が好ましく、より好ましく
は９,０００ＰＳ以上３０,０００ＰＳ以下である。）が
必要となり、簡単には脱泡しない。このような粘度は透
光性樹脂の種類や溶剤を選択させることによって種々調
整させることができる。そのため、本発明においては減
圧或いは加圧下において孔版印刷させることがより好ま
しい。なお、このような粘度の調整は樹脂組成を選択す
るほか、液状透光性樹脂内に固形状の透光性樹脂を所望
量含有させることによって調整させることができる。同
様に、溶媒の量によっても調整させることができる。次
に、この状態で約１５０℃にて硬化させる。硬化後マス
クを除去させることによって、発光素子１０３が配置さ
れた基板１０４上に蛍光物質１０２が含有された透光性
樹脂１０１で封止させたチップタイプＬＥＤ１００を形
成させることができる。
【００１７】発光ダイオードは同一基板上に複数の発光
素子をドットマトリックス状に配置させることにより白
色ＬＥＤディスプレイの如く構成することもできるし、
ドットマトリックス状に形成させた後、個々に分割させ
て量産性よく発光ダイオードを形成させることもでき
る。また、基板上の所望の箇所に発光ダイオードを配置
させることによりセグメント表示器などを構成させるこ
ともできる。
素子をドットマトリックス状に配置させることにより白
色ＬＥＤディスプレイの如く構成することもできるし、
ドットマトリックス状に形成させた後、個々に分割させ
て量産性よく発光ダイオードを形成させることもでき
る。また、基板上の所望の箇所に発光ダイオードを配置
させることによりセグメント表示器などを構成させるこ
ともできる。
【００１８】本発明で透光性樹脂は、成型前状態の状態
は比較的高い粘度で保持することができる。そのため、
粘度の低い液体のように、樹脂中の蛍光物質が自由に沈
降あるいは浮遊することはない。そのため、蛍光物質の
混合状態は比較的良好に維持することができる。また、
成形時に透光性樹脂が溶融し液体で存在する期間は数分
から数十秒と、キャビティ中に流し込んで熱硬化形成す
る方法の数時間と比較して極めて短い。さらに、固化ま
での時間も極めて短く樹脂と蛍光物質との分離もほとん
ど発生しない。
は比較的高い粘度で保持することができる。そのため、
粘度の低い液体のように、樹脂中の蛍光物質が自由に沈
降あるいは浮遊することはない。そのため、蛍光物質の
混合状態は比較的良好に維持することができる。また、
成形時に透光性樹脂が溶融し液体で存在する期間は数分
から数十秒と、キャビティ中に流し込んで熱硬化形成す
る方法の数時間と比較して極めて短い。さらに、固化ま
での時間も極めて短く樹脂と蛍光物質との分離もほとん
ど発生しない。
【００１９】すなわち、成形前及び成形後固化までの間
に樹脂と蛍光物質との分離が極めて発生し難い。これに
より本発明の発光ダイオードでは、透光性樹脂と蛍光物
質の比重差によらず樹脂中に均一分散させることができ
る。そのため、発光ダイオード内の蛍光物質の分布均一
だけでなく、製造ロットごとの蛍光物質の含有量バラツ
キも極めて少なく量産性の高い発光ダイオードを形成さ
せることができる。
に樹脂と蛍光物質との分離が極めて発生し難い。これに
より本発明の発光ダイオードでは、透光性樹脂と蛍光物
質の比重差によらず樹脂中に均一分散させることができ
る。そのため、発光ダイオード内の蛍光物質の分布均一
だけでなく、製造ロットごとの蛍光物質の含有量バラツ
キも極めて少なく量産性の高い発光ダイオードを形成さ
せることができる。
【００２０】特にＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を蛍光物質として
含有した白色発光が可能な発光ダイオードとした場合、
透光性樹脂に較べ比重の大きいＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体でも
常時極めて均一な分布のものができる。そのため色温度
の均一な発光ダイオードが安定して形成し得る。なお、
マスクをとった後で硬化させることにより蛍光物質が含
有された透光性樹脂の表面を表面張力により凸レンズ形
状とさせることもできる。以下、本発明に用いられる各
構成について詳述する。
含有した白色発光が可能な発光ダイオードとした場合、
透光性樹脂に較べ比重の大きいＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体でも
常時極めて均一な分布のものができる。そのため色温度
の均一な発光ダイオードが安定して形成し得る。なお、
マスクをとった後で硬化させることにより蛍光物質が含
有された透光性樹脂の表面を表面張力により凸レンズ形
状とさせることもできる。以下、本発明に用いられる各
構成について詳述する。
【００２１】（透光性樹脂）本発明に用いられる透光性
樹脂は蛍光物質を内部に含有させ孔版印刷により発光素
子上などに配置させることができるものである。具体的
には、脂環式エポキシ樹脂、含窒素エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂を好適に利用することができる。これらの透
光性樹脂中に蛍光物質を分散させることで孔版印刷に利
用可能な材料とすることができる。これらの透光性樹脂
には所望の波長をカットする着色剤、所望の光を拡散さ
せる酸化チタン、酸化アルミニウムなどの無機拡散材や
メラニン樹脂、ＣＴＵグアナミン樹脂、ベンゾグアナミ
ン樹脂などの有機拡散材、樹脂の耐光性を高める紫外線
吸収剤、酸化防止剤や有機カルボン酸亜鉛、酸無水物、
亜鉛キレート化合物などの硬化促進剤を種々の添加剤の
一つして含有させることもできる。
樹脂は蛍光物質を内部に含有させ孔版印刷により発光素
子上などに配置させることができるものである。具体的
には、脂環式エポキシ樹脂、含窒素エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂を好適に利用することができる。これらの透
光性樹脂中に蛍光物質を分散させることで孔版印刷に利
用可能な材料とすることができる。これらの透光性樹脂
には所望の波長をカットする着色剤、所望の光を拡散さ
せる酸化チタン、酸化アルミニウムなどの無機拡散材や
メラニン樹脂、ＣＴＵグアナミン樹脂、ベンゾグアナミ
ン樹脂などの有機拡散材、樹脂の耐光性を高める紫外線
吸収剤、酸化防止剤や有機カルボン酸亜鉛、酸無水物、
亜鉛キレート化合物などの硬化促進剤を種々の添加剤の
一つして含有させることもできる。
【００２２】（蛍光物質）本発明に用いられる蛍光物質
としては、発光素子から発光された電磁波で励起されて
蛍光を発する蛍光物質をいう。蛍光物質は一般に発光波
長よりも励起波長の方が短波長であれば効率が良いた
め、発光素子からの発光波長よりも長波長の蛍光を発す
る蛍光物質を用いることが好ましい。具体的蛍光物質と
して青色の発光素子との混色により白色を発光させるた
めには、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット系蛍光体、ペリレン系誘導体、銅で付
活されたセレン化亜鉛など種々のものが挙げられる。特
に、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体
は、発光素子に窒化物半導体を用いた場合、耐光性や効
率などの観点から特に好ましい。
としては、発光素子から発光された電磁波で励起されて
蛍光を発する蛍光物質をいう。蛍光物質は一般に発光波
長よりも励起波長の方が短波長であれば効率が良いた
め、発光素子からの発光波長よりも長波長の蛍光を発す
る蛍光物質を用いることが好ましい。具体的蛍光物質と
して青色の発光素子との混色により白色を発光させるた
めには、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット系蛍光体、ペリレン系誘導体、銅で付
活されたセレン化亜鉛など種々のものが挙げられる。特
に、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体
は、発光素子に窒化物半導体を用いた場合、耐光性や効
率などの観点から特に好ましい。
【００２３】セリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット系蛍光体として、Ｙ、Ｌｕ、Ｓ
ｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍの群から選択された少なくとも
１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの群から選択される
少なくとも１つの元素とを有するセリウムで付活された
ガーネット系蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光
及び水分に強く、励起スペクトルのピークが４５０ｎｍ
付近にさせることができる。また、発光ピークも５３０
ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光
スペクトルを持たすことができる。この蛍光体の組成を
変化させることで発光色を連続的に調節することが可能
である。即ち、長波長側の強度がＧｄの組成比で連続的
に変えられるなど窒化物半導体の青色系発光を白色系発
光に変換するための理想条件を備えている。同様に、Ｌ
ｕ、Ｌｃ、ＳｃやＳｍなどを加えて所望の特性を得るよ
うにしても良い。
ミニウム・ガーネット系蛍光体として、Ｙ、Ｌｕ、Ｓ
ｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍの群から選択された少なくとも
１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの群から選択される
少なくとも１つの元素とを有するセリウムで付活された
ガーネット系蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光
及び水分に強く、励起スペクトルのピークが４５０ｎｍ
付近にさせることができる。また、発光ピークも５３０
ｎｍ付近にあり７００ｎｍまで裾を引くブロードな発光
スペクトルを持たすことができる。この蛍光体の組成を
変化させることで発光色を連続的に調節することが可能
である。即ち、長波長側の強度がＧｄの組成比で連続的
に変えられるなど窒化物半導体の青色系発光を白色系発
光に変換するための理想条件を備えている。同様に、Ｌ
ｕ、Ｌｃ、ＳｃやＳｍなどを加えて所望の特性を得るよ
うにしても良い。
【００２４】このようなセリウムで付活されたイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙ、Ｇ
ｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａ、Ａｌ及びＧａの原料として酸化
物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、そ
れらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。又は、
Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの希土類元素を化学量論比
で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して
得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウ
ムとを混合して混合原料を得る。これにフラックスとし
てフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝
に詰め、空気中１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２
〜５時間焼成して焼成品を得、次に焼成品を水中でボー
ルミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで
得ることができる。
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙ、Ｇ
ｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａ、Ａｌ及びＧａの原料として酸化
物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、そ
れらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。又は、
Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｌａの希土類元素を化学量論比
で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して
得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウ
ムとを混合して混合原料を得る。これにフラックスとし
てフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝
に詰め、空気中１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２
〜５時間焼成して焼成品を得、次に焼成品を水中でボー
ルミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで
得ることができる。
【００２５】本発明の発光ダイオードにおいて、このよ
うな蛍光物質を２種類以上混合させてもよい。具体的に
は、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ及びＧｄ、ＬａやＳｍの含有量が異
なる２種類以上のセリウムで付活されたイットリウム・
アルミニウム・ガーネット系蛍光体を混合させてＲＧＢ
の波長成分を増やすことなどができる。このような場
合、異なる蛍光物質間の比重が異なっていても量産性よ
く発光特性の均一な発光ダイオードを形成することがで
きる。
うな蛍光物質を２種類以上混合させてもよい。具体的に
は、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ及びＧｄ、ＬａやＳｍの含有量が異
なる２種類以上のセリウムで付活されたイットリウム・
アルミニウム・ガーネット系蛍光体を混合させてＲＧＢ
の波長成分を増やすことなどができる。このような場
合、異なる蛍光物質間の比重が異なっていても量産性よ
く発光特性の均一な発光ダイオードを形成することがで
きる。
【００２６】（発光素子）本発明に用いられる発光素子
とは、蛍光物質を励起可能な発光波長を発光できる発光
層を有する半導体発光素子である。このような半導体発
光素子としてＺｎＳｅやＧａＮなど種々の半導体を挙げ
ることができるが、蛍光物質を効率良く励起できる短波
長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げ
られる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接
合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるい
はダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材
料やその混晶度によって発光波長を種々選択することが
できる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に
形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とする
こともできる。
とは、蛍光物質を励起可能な発光波長を発光できる発光
層を有する半導体発光素子である。このような半導体発
光素子としてＺｎＳｅやＧａＮなど種々の半導体を挙げ
ることができるが、蛍光物質を効率良く励起できる短波
長が発光可能な窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げ
られる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接
合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるい
はダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材
料やその混晶度によって発光波長を種々選択することが
できる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に
形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とする
こともできる。
【００２７】窒化物半導体を使用した場合、半導体用基
板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等
の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体
を量産性よく形成させるためにはサファイヤ基板を用い
ることが好ましい。このサファイヤ基板上にＭＯＣＶＤ
法などを用いて窒化物半導体を形成させることができ
る。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡＩＮ等
のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒化
物半導体を形成させる。
板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等
の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体
を量産性よく形成させるためにはサファイヤ基板を用い
ることが好ましい。このサファイヤ基板上にＭＯＣＶＤ
法などを用いて窒化物半導体を形成させることができ
る。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡＩＮ等
のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒化
物半導体を形成させる。
【００２８】窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する
発光素子例として、バッファ層上に、ｎ型窒化ガリウム
で形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム
・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化インジ
ウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニウ
ム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化ガ
リウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させた
ダブルへテロ構成などが挙げられる。
発光素子例として、バッファ層上に、ｎ型窒化ガリウム
で形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム
・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化インジ
ウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニウ
ム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化ガ
リウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させた
ダブルへテロ構成などが挙げられる。
【００２９】窒化物半導体は、不純物をドープしない状
態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望
のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパン
トとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入する
ことが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形成させる
場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化物半導体は、ｐ
型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいため
ｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射
等により低抵抗化させることが好ましい。電極形成後、
半導体ウエハーからチップ状にカットさせることで窒化
物半導体からなる発光素子を形成させることができる。
態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望
のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパン
トとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入する
ことが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形成させる
場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化物半導体は、ｐ
型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいため
ｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射
等により低抵抗化させることが好ましい。電極形成後、
半導体ウエハーからチップ状にカットさせることで窒化
物半導体からなる発光素子を形成させることができる。
【００３０】本発明の発光ダイオードにおいて白色系を
発光させる場合は、蛍光物質からの発光波長との補色関
係や透光性樹脂の劣化等を考慮して発光素子の発光波長
は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎ
ｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。発光素子と蛍光
物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるため
には、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好まし
い。なお、４００ｎｍより短い紫外域の波長を利用でき
ることは言うまでもない。
発光させる場合は、蛍光物質からの発光波長との補色関
係や透光性樹脂の劣化等を考慮して発光素子の発光波長
は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎ
ｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。発光素子と蛍光
物質との励起、発光効率をそれぞれより向上させるため
には、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好まし
い。なお、４００ｎｍより短い紫外域の波長を利用でき
ることは言うまでもない。
【００３１】（リード電極）リード電極としては、発光
素子と外部とを電気的に接続させるものであり、十分な
電気伝導性とボンディングワイヤ等との接続性が求めら
れる。リード電極と発光素子とを電気的に接続させるた
めにはＡｇペースト、Ｃｕペースト、カーボンペース
ト、金属バンプや金属酸化物が含有された樹脂等を用い
ることができる。同様にワイヤとしては、発光素子の電
極とのオーミック性、密着性、電気伝導性及び熱伝導性
がよいものが求められる。熱伝導度としては０．０１ｃ
ａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましく、より好ましく
は０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。また、
作業性などを考慮してワイヤの直径は、好ましくは、Φ
１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下である。このようなワイ
ヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の
金属及びそれらの合金を用いたワイヤが挙げられる。
素子と外部とを電気的に接続させるものであり、十分な
電気伝導性とボンディングワイヤ等との接続性が求めら
れる。リード電極と発光素子とを電気的に接続させるた
めにはＡｇペースト、Ｃｕペースト、カーボンペース
ト、金属バンプや金属酸化物が含有された樹脂等を用い
ることができる。同様にワイヤとしては、発光素子の電
極とのオーミック性、密着性、電気伝導性及び熱伝導性
がよいものが求められる。熱伝導度としては０．０１ｃ
ａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましく、より好ましく
は０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。また、
作業性などを考慮してワイヤの直径は、好ましくは、Φ
１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下である。このようなワイ
ヤとして具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の
金属及びそれらの合金を用いたワイヤが挙げられる。
【００３２】リード電極の具体的な電気抵抗としては３
００μΩ・ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは３μΩ
・ｃｍ以下である。また、リード電極上に発光素子を積
載する場合は、発光素子からの発熱を外部に逃すために
熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、０．０
１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより好まし
くは ０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これ
らの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫
入り銅、メタライズパターン付きセラミック等が挙げら
れる。以下、本発明の具体的実施例について詳述するが
これのみに限定されないことは言うまでもない。
００μΩ・ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは３μΩ
・ｃｍ以下である。また、リード電極上に発光素子を積
載する場合は、発光素子からの発熱を外部に逃すために
熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、０．０
１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより好まし
くは ０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これ
らの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫
入り銅、メタライズパターン付きセラミック等が挙げら
れる。以下、本発明の具体的実施例について詳述するが
これのみに限定されないことは言うまでもない。
【００３３】
【実施例】（実施例１）図２に示すように表面実装型の
発光ダイオードを形成させた。ＬＥＤチップ３０３は、
発光層として単色性発光ピークが可視光である４７５ｎ
ｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体を有する窒化物半導体素子
を用いた。より具体的にはＬＥＤチップは、洗浄させた
サファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガ
ス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）ガス、窒素ガス及
びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶ
Ｄ法で窒化物半導体を成膜させることにより形成させる
ことができる。ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍ
ｇを切り替えることによってｎ型窒化物半導体やｐ型窒
化物半導体となる層を形成させる。
発光ダイオードを形成させた。ＬＥＤチップ３０３は、
発光層として単色性発光ピークが可視光である４７５ｎ
ｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体を有する窒化物半導体素子
を用いた。より具体的にはＬＥＤチップは、洗浄させた
サファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガ
ス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）ガス、窒素ガス及
びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶ
Ｄ法で窒化物半導体を成膜させることにより形成させる
ことができる。ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍ
ｇを切り替えることによってｎ型窒化物半導体やｐ型窒
化物半導体となる層を形成させる。
【００３４】ＬＥＤチップの素子構造としてはサファイ
ア基板上に、アンドープの窒化物半導体であるｎ型Ｇａ
Ｎ層、Ｓｉドープのｎ型電極が形成されｎ型コンタクト
層となるＧａＮ層、アンドープの窒化物半導体であるｎ
型ＧａＮ層、次に発光層を構成するバリア層となるＧａ
Ｎ層、井戸層を構成するＩｎＧａＮ層、バリア層となる
ＧａＮ層を１セットとしＧａＮ層に挟まれたＩｎＧａＮ
層を５層積層させた多重量子井戸構造としてある。発光
層上にはＭｇがドープされたｐ型クラッド層としてＡｌ
ＧａＮ層、Ｍｇがドープされたｐ型コンタクト層である
ＧａＮ層を順次積層させた構成としてある。（なお、サ
ファイヤ基板上には低温でＧａＮ層を形成させバッファ
層とさせてある。また、ｐ型半導体は、成膜後４００℃
以上でアニールさせてある。） エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同
一面側で、ｐｎ各コンタクト層表面を露出させる。各コ
ンタクト層上に、スパッタリング法を用いて正負各台座
電極をそれぞれ形成させた。なお、ｐ型窒化物半導体上
の全面には金属薄膜を透光性電極として形成させた後
に、透光性電極の一部に台座電極を形成させてある。出
来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた
後、外力により分割させ半導体発光素子であるＬＥＤチ
ップを形成させた。
ア基板上に、アンドープの窒化物半導体であるｎ型Ｇａ
Ｎ層、Ｓｉドープのｎ型電極が形成されｎ型コンタクト
層となるＧａＮ層、アンドープの窒化物半導体であるｎ
型ＧａＮ層、次に発光層を構成するバリア層となるＧａ
Ｎ層、井戸層を構成するＩｎＧａＮ層、バリア層となる
ＧａＮ層を１セットとしＧａＮ層に挟まれたＩｎＧａＮ
層を５層積層させた多重量子井戸構造としてある。発光
層上にはＭｇがドープされたｐ型クラッド層としてＡｌ
ＧａＮ層、Ｍｇがドープされたｐ型コンタクト層である
ＧａＮ層を順次積層させた構成としてある。（なお、サ
ファイヤ基板上には低温でＧａＮ層を形成させバッファ
層とさせてある。また、ｐ型半導体は、成膜後４００℃
以上でアニールさせてある。） エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同
一面側で、ｐｎ各コンタクト層表面を露出させる。各コ
ンタクト層上に、スパッタリング法を用いて正負各台座
電極をそれぞれ形成させた。なお、ｐ型窒化物半導体上
の全面には金属薄膜を透光性電極として形成させた後
に、透光性電極の一部に台座電極を形成させてある。出
来上がった半導体ウエハーをスクライブラインを引いた
後、外力により分割させ半導体発光素子であるＬＥＤチ
ップを形成させた。
【００３５】一方、エッチングにより一対の銅箔パター
ンをガラスエポキシ樹脂上に形成させることによって、
リード電極を持った基板３０４を形成する。基板には、
マスクとしても機能する側壁３１１が形成されている。
ＬＥＤチップはエポキシ樹脂を用いてガラスエポキシ樹
脂上にダイボンドした。ＬＥＤチップの各電極と、各リ
ード電極とをそれぞれ金線３０７でワイヤボンディング
し電気的導通を取った。
ンをガラスエポキシ樹脂上に形成させることによって、
リード電極を持った基板３０４を形成する。基板には、
マスクとしても機能する側壁３１１が形成されている。
ＬＥＤチップはエポキシ樹脂を用いてガラスエポキシ樹
脂上にダイボンドした。ＬＥＤチップの各電極と、各リ
ード電極とをそれぞれ金線３０７でワイヤボンディング
し電気的導通を取った。
【００３６】また、蛍光物質３０２は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ
の希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸
で共沈させた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、
酸化アルミニウムと混合して混合原料を得る。これにフ
ラックスとしてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰
め、空気中１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品
を得た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、
乾燥、最後に篩を通して形成させた。形成された（Ｙ
0.6Ｇｄ0.4）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光物質２５重量部、脂
環式エポキシ樹脂１００重量部と酸無水物、硬化化促進
剤及び拡散材としてＳｉＯ2を６５℃で十分撹拌させ粘
度が約１１，０００ＰＳとさせた透光性のエポキシ樹脂
組成物３０１を形成させる。
の希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸
で共沈させた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、
酸化アルミニウムと混合して混合原料を得る。これにフ
ラックスとしてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰
め、空気中１４００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品
を得た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、
乾燥、最後に篩を通して形成させた。形成された（Ｙ
0.6Ｇｄ0.4）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光物質２５重量部、脂
環式エポキシ樹脂１００重量部と酸無水物、硬化化促進
剤及び拡散材としてＳｉＯ2を６５℃で十分撹拌させ粘
度が約１１，０００ＰＳとさせた透光性のエポキシ樹脂
組成物３０１を形成させる。
【００３７】次に、ＬＥＤチップとリード電極とを導通
を取ったガラスエポキシ樹脂基板上にマスク兼側壁とし
てとして貫通孔があいたガラスエポキシ樹脂をエポキシ
樹脂により固定配置させる。この状態で真空装置内に配
置させると共に発光素子が配置されたガラスエポキシ樹
脂基板上に蛍光物質を含有させた透光性樹脂組成物をイ
ンキとして配置させる。減圧下でスクリーン印刷と同様
にして貫通孔を利用したキャビティ内に透光性樹脂を押
し込む。この状態で、蛍光体が含有された透光性樹脂を
１５０℃５分で一時硬化させた。次に、加圧下で発光ダ
イオードを１５０℃４時間で二次硬化させた。蛍光物質
が含有された透光性樹脂は、ＬＥＤチップが配置された
キャビティ内部に形成させることができた。各ＬＥＤチ
ップごとに分割させることでチップタイプＬＥＤを５０
０個形成させバラツキを測定した。得られた白色系が発
光可能な発光ダイオードの色度点を測定しＣＩＥ座標上
にプロットした。また、一個ずつの発光ダイオードにお
いて外観上の発光むらがないことを確認した。
を取ったガラスエポキシ樹脂基板上にマスク兼側壁とし
てとして貫通孔があいたガラスエポキシ樹脂をエポキシ
樹脂により固定配置させる。この状態で真空装置内に配
置させると共に発光素子が配置されたガラスエポキシ樹
脂基板上に蛍光物質を含有させた透光性樹脂組成物をイ
ンキとして配置させる。減圧下でスクリーン印刷と同様
にして貫通孔を利用したキャビティ内に透光性樹脂を押
し込む。この状態で、蛍光体が含有された透光性樹脂を
１５０℃５分で一時硬化させた。次に、加圧下で発光ダ
イオードを１５０℃４時間で二次硬化させた。蛍光物質
が含有された透光性樹脂は、ＬＥＤチップが配置された
キャビティ内部に形成させることができた。各ＬＥＤチ
ップごとに分割させることでチップタイプＬＥＤを５０
０個形成させバラツキを測定した。得られた白色系が発
光可能な発光ダイオードの色度点を測定しＣＩＥ座標上
にプロットした。また、一個ずつの発光ダイオードにお
いて外観上の発光むらがないことを確認した。
【００３８】（比較例）大気圧下で粘度を約１０００ｃ
ｐｓとした以外は同様にして形成させた蛍光物質４０２
が含有された透光性エポキシ樹脂組成物４１１を図４の
如き細管４１０から発光素子４０３が配置された基板の
キャビティ４０９内に流し込み硬化形成した以外は実施
例１と同様のチップタイプＬＥＤを形成させた。形成さ
れた発光ダイオードの５００個平均と実施例１の発光ダ
イオードとを比較して色温度の製造バラツキを調べた。
比較例の発光ダイオードの色度図上の面積と比較して実
施例の発光ダイオードは、色温度の製造バラツキが約２
割ほど小さくなった。
ｐｓとした以外は同様にして形成させた蛍光物質４０２
が含有された透光性エポキシ樹脂組成物４１１を図４の
如き細管４１０から発光素子４０３が配置された基板の
キャビティ４０９内に流し込み硬化形成した以外は実施
例１と同様のチップタイプＬＥＤを形成させた。形成さ
れた発光ダイオードの５００個平均と実施例１の発光ダ
イオードとを比較して色温度の製造バラツキを調べた。
比較例の発光ダイオードの色度図上の面積と比較して実
施例の発光ダイオードは、色温度の製造バラツキが約２
割ほど小さくなった。
【００３９】
【発明の効果】本発明によって、発光特性が安定した蛍
光物質を有する白色系が発光可能な発光ダイオードを量
産性良く製造させることができる。また、長時間量産時
においても最初に形成された発光ダイオードと、後に形
成された発光ダイオード間の発光ばらつきが極めて小さ
くさせることができる。さらに、比較的簡便に形成され
た発光ダイオード内における発光むらを低減させること
ができるため量産性と歩留りを向上させることができ
る。
光物質を有する白色系が発光可能な発光ダイオードを量
産性良く製造させることができる。また、長時間量産時
においても最初に形成された発光ダイオードと、後に形
成された発光ダイオード間の発光ばらつきが極めて小さ
くさせることができる。さらに、比較的簡便に形成され
た発光ダイオード内における発光むらを低減させること
ができるため量産性と歩留りを向上させることができ
る。
【図１】 図１は本発明の発光ダイオードを示す模式的
断面図である。
断面図である。
【図２】 図２は本発明の他の発光ダイオードを示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図３】 図３は本発明の孔版印刷による形成を示した
模式的工程断面図である。
模式的工程断面図である。
【図４】 図４は本発明と比較のために示す発光ダイオ
ードの形成を示した模式的工程断面図である。
ードの形成を示した模式的工程断面図である。
１００・・・チップタイプＬＥＤ
１０１・・・透光性樹脂
１０２・・・蛍光物質
１０３・・・発光素子
１０４・・・基板
１０５、１０６・・・リード電極
１０７・・・ワイヤ
１０８・・・マウント樹脂
２００・・・チップタイプＬＥＤ
２０１・・・透光性樹脂
２０２・・・蛍光物質
２０３・・・発光素子
２０４・・・基板
２０５、２０６・・・リード電極
２０７・・・ワイヤ
２０８・・・マウント樹脂
２０９・・・基板の側壁
３０１・・・透光性樹脂
３０２・・・蛍光物質
３０３・・・発光素子
３０４・・・基板
３０７・・・ワイヤ
３１０・・・ヘラ
３１１・・・マスクとなる側壁
４０２・・・蛍光物質
４０３・・・発光素子
４０９・・・キャビティ
４１０・・・細管
４１１・・・ノズルから突出させた透光性樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に配置された発光素子と、蛍光物
質が含有された透光性樹脂とを有する発光ダイオードの
形成方法であって、前記基板上に貫通孔があいたマスク兼側壁を固定配置す
る工程と、 前記基板及びマスクからなるキャビティ内に孔版印刷に
よって発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収
して可視の蛍光を発光する蛍光物質を有する透光性樹脂
で発光素子を封止する工程とを有することを特徴とする
発光ダイオードの形成方法。 - 【請求項２】 前記発光素子は少なくとも発光層が可視
光を発光する窒化物半導体であると共に前記蛍光体が
Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍの群から選択され
た少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの群か
ら選択される少なくとも１つの元素とを有するセリウム
で付活されたガーネット系蛍光体である請求項１に記載
の発光ダイオードの形成方法。 - 【請求項３】 前記貫通孔があいたマスク兼側壁はガラ
スエポキシ樹脂からなる請求項１乃至請求項２に記載の
発光ダイオードの形成方法。 - 【請求項４】 前記孔版印刷を減圧又は加圧下で行う請
求項１乃至請求項３に記載の発光ダイオードの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02554599A JP3367096B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 発光ダイオードの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02554599A JP3367096B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 発光ダイオードの形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002137637A Division JP2003008082A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 発光ダイオード及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223750A JP2000223750A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3367096B2 true JP3367096B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=12168962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02554599A Expired - Lifetime JP3367096B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 発光ダイオードの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3367096B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091257A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ光源装置の製造方法 |
| CN101789482B (zh) * | 2003-03-10 | 2013-04-17 | 丰田合成株式会社 | 固体元件装置及其制造方法 |
| US9219014B2 (en) | 2011-05-24 | 2015-12-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting elements, and manufacturing apparatus of light emitting elements |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076445A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| MY131962A (en) | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2002226551A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP4101468B2 (ja) | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2003031848A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 固体発光ランプ及び固体発光ランプの製造方法 |
| JP3910517B2 (ja) | 2002-10-07 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | Ｌｅｄデバイス |
| TW200414572A (en) | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lamp |
| JP4542329B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | Ｌｅｄ照明光源 |
| JP2004311791A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Sharp Corp | 照明装置、バックライト装置および表示装置 |
| JP4617761B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2011-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP4627177B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2011-02-09 | スタンレー電気株式会社 | Ｌｅｄの製造方法 |
| JP4733402B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-07-27 | 株式会社Ｋｒｉ | 調光光学要素 |
| KR100665121B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 파장변환형 발광 다이오드 패키지 제조방법 |
| US7687823B2 (en) | 2006-12-26 | 2010-03-30 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of producing the same |
| WO2013190778A1 (ja) | 2012-06-21 | 2013-12-27 | パナソニック株式会社 | 発光装置および投写装置 |
| JP2016225374A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 四国計測工業株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP02554599A patent/JP3367096B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101789482B (zh) * | 2003-03-10 | 2013-04-17 | 丰田合成株式会社 | 固体元件装置及其制造方法 |
| JP2011091257A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄ光源装置の製造方法 |
| US9219014B2 (en) | 2011-05-24 | 2015-12-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Manufacturing method of light emitting elements, and manufacturing apparatus of light emitting elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000223750A (ja) | 2000-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3367096B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP3617587B2 (ja) | 発光ダイオード及びその形成方法 | |
| JP3589187B2 (ja) | 発光装置の形成方法 | |
| JP3541709B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP4932078B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP3407608B2 (ja) | 発光ダイオード及びその形成方法 | |
| JPH10242513A (ja) | 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置 | |
| JPH10247750A (ja) | Ｌｅｄランプ | |
| JP2010103522A (ja) | 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール | |
| JP3282176B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP3729001B2 (ja) | 発光装置、砲弾型発光ダイオード、チップタイプｌｅｄ | |
| JP3511993B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2005136420A (ja) | 発光効率が高い発光デバイス | |
| JP2003115614A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JP2000216434A5 (ja) | ||
| JP5077282B2 (ja) | 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 | |
| JP2003273408A (ja) | 発光装置 | |
| JP5606342B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP3604298B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP3858829B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 | |
| JP3087828B2 (ja) | Ｌｅｄ表示器 | |
| JP2002050800A (ja) | 発光装置及びその形成方法 | |
| JP2003224307A5 (ja) | ||
| JPH11243232A (ja) | Ｌｅｄ表示装置 | |
| JP3399342B2 (ja) | 発光ダイオードの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071108 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131108 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |