JPH10247750A - Ｌｅｄランプ - Google Patents
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- JPH10247750A JPH10247750A JP6904297A JP6904297A JPH10247750A JP H10247750 A JPH10247750 A JP H10247750A JP 6904297 A JP6904297 A JP 6904297A JP 6904297 A JP6904297 A JP 6904297A JP H10247750 A JPH10247750 A JP H10247750A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＬＥＤディスプレイ、バックライト光源、信
号機、光センサー、照光式スイッチ及び各種インジケー
タなどに利用される高輝度、高均一に発光可能なＬＥＤ
ランプを提供すること。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体を発光層に有する
半導体発光素子１０２と、半導体発光素子からの光によ
って励起され且つ発光するセリウムで付活されたイット
リウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質を含む被覆部１
０１と、を有するＬＥＤランプであって、蛍光物質がＢ
ａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれ
る少なくとも一種の元素成分及び／又はＳｉ元素成分を
含有するＬＥＤランプである。
号機、光センサー、照光式スイッチ及び各種インジケー
タなどに利用される高輝度、高均一に発光可能なＬＥＤ
ランプを提供すること。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体を発光層に有する
半導体発光素子１０２と、半導体発光素子からの光によ
って励起され且つ発光するセリウムで付活されたイット
リウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質を含む被覆部１
０１と、を有するＬＥＤランプであって、蛍光物質がＢ
ａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれ
る少なくとも一種の元素成分及び／又はＳｉ元素成分を
含有するＬＥＤランプである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、ＬＥＤディスプ
レイ、バックライト光源、信号機、光センサー、照光式
スイッチ及び各種インジケータなどに利用されるＬＥＤ
ランプに係わり、特に半導体発光素子（以下、ＬＥＤチ
ップともいう。）からの発光を変換して発光させる蛍光
物質を有し、高輝度、高均一に発光可能なＬＥＤランプ
に関する。
レイ、バックライト光源、信号機、光センサー、照光式
スイッチ及び各種インジケータなどに利用されるＬＥＤ
ランプに係わり、特に半導体発光素子（以下、ＬＥＤチ
ップともいう。）からの発光を変換して発光させる蛍光
物質を有し、高輝度、高均一に発光可能なＬＥＤランプ
に関する。
【０００２】
【従来技術】ＬＥＤランプ（以下、発光ダイオードとも
いう）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光をする。
また、ＬＥＤランプに用いられるＬＥＤチップは、半導
体素子であるため球切れなどの心配がない。初期駆動特
性が優れ、振動やON／OFF点灯の繰り返しに強いという
特徴を有する。また、使用される発光層の半導体材料、
形成条件などによって紫外から赤外まで種々の発光波長
を放出させることが可能である。また、優れた単色性ピ
ーク波長を有する。そのため各種インジケータや種々の
光源として利用されている。
いう）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光をする。
また、ＬＥＤランプに用いられるＬＥＤチップは、半導
体素子であるため球切れなどの心配がない。初期駆動特
性が優れ、振動やON／OFF点灯の繰り返しに強いという
特徴を有する。また、使用される発光層の半導体材料、
形成条件などによって紫外から赤外まで種々の発光波長
を放出させることが可能である。また、優れた単色性ピ
ーク波長を有する。そのため各種インジケータや種々の
光源として利用されている。
【０００３】しかしながら、発光ダイオードは優れた単
色性ピーク波長を有するが故に白色系発光光源などとさ
せるためには、ＲＧＢ（赤色、緑色、青色）などが発光
可能な各ＬＥＤチップをそれぞれ近接して発光させ拡散
混色させる必要がある。このような発光ダイオードは、
種々の色を自由に発光させることができる。他方、白色
系のみを発光させる場合においてもＲＧＢなどのＬＥＤ
チップをそれぞれ使用せざるを得ない。本出願人は先に
ＬＥＤチップの発光色を蛍光物質で色変換させた発光ダ
イオードとして特開平５−１５２６０９号公報、特開平
７−９９３４５号公報などに記載された発光ダイオード
を提案した。このようなＬＥＤチップからの光と、この
光によって励起され発光する蛍光物質を利用することに
よって、１種類のＬＥＤチップのみを用いた場合であっ
ても白色系など種々の発光色をえることができる。
色性ピーク波長を有するが故に白色系発光光源などとさ
せるためには、ＲＧＢ（赤色、緑色、青色）などが発光
可能な各ＬＥＤチップをそれぞれ近接して発光させ拡散
混色させる必要がある。このような発光ダイオードは、
種々の色を自由に発光させることができる。他方、白色
系のみを発光させる場合においてもＲＧＢなどのＬＥＤ
チップをそれぞれ使用せざるを得ない。本出願人は先に
ＬＥＤチップの発光色を蛍光物質で色変換させた発光ダ
イオードとして特開平５−１５２６０９号公報、特開平
７−９９３４５号公報などに記載された発光ダイオード
を提案した。このようなＬＥＤチップからの光と、この
光によって励起され発光する蛍光物質を利用することに
よって、１種類のＬＥＤチップのみを用いた場合であっ
ても白色系など種々の発光色をえることができる。
【０００４】
【発明が解決する課題】しかしながら、ＬＥＤチップ周
辺に近接して配置された蛍光物質は、太陽光よりも約３
０倍から４０倍にも及ぶ強照射強度の光線やＬＥＤチッ
プの昇温などに伴う高温、更には直流電界にさらされ
る。特に、ＬＥＤチップを高エネルギーバンドギャップ
を有する窒化物系化合物半導体を用いた場合などにおい
ては、ＬＥＤチップから発光した光エネルギーが必然的
に高くなる。この場合、発光強度を更に高め長期に渡っ
て使用すると、蛍光物質自体が劣化し、発光した光の色
調がずれる或いは外部取り出し効率が低下する蛍光物質
もある。さらに、ＬＥＤランプは、一般的に樹脂モール
ドに被覆されてはいるものの外部環境からの水分の進入
などを完全に防ぐことや製造時に付着した水分を完全に
除去することはできない。蛍光物質によっては、このよ
うな水分が発光素子からの高エネルギー光や熱によって
蛍光物質の劣化を促進する場合もある。そこで、本発明
者らは、鋭意研究の結果、窒化物系化合物半導体を発光
層に有する半導体発光素子を用いる場合、蛍光物質にセ
リウムで付活したイットリウム・アルミニウム酸化物系
蛍光物質を用いることによって十分な発光輝度を安定し
て発光することを見出した。本発明は特に、蛍光物質に
セリウムで付活したイットリウム・アルミニウム酸化物
系蛍光物質を用いるＬＥＤランプにおいて、更なる発光
特性の向上を図り、より高輝度、高均一なＬＥＤランプ
を提供することを目的とする。
辺に近接して配置された蛍光物質は、太陽光よりも約３
０倍から４０倍にも及ぶ強照射強度の光線やＬＥＤチッ
プの昇温などに伴う高温、更には直流電界にさらされ
る。特に、ＬＥＤチップを高エネルギーバンドギャップ
を有する窒化物系化合物半導体を用いた場合などにおい
ては、ＬＥＤチップから発光した光エネルギーが必然的
に高くなる。この場合、発光強度を更に高め長期に渡っ
て使用すると、蛍光物質自体が劣化し、発光した光の色
調がずれる或いは外部取り出し効率が低下する蛍光物質
もある。さらに、ＬＥＤランプは、一般的に樹脂モール
ドに被覆されてはいるものの外部環境からの水分の進入
などを完全に防ぐことや製造時に付着した水分を完全に
除去することはできない。蛍光物質によっては、このよ
うな水分が発光素子からの高エネルギー光や熱によって
蛍光物質の劣化を促進する場合もある。そこで、本発明
者らは、鋭意研究の結果、窒化物系化合物半導体を発光
層に有する半導体発光素子を用いる場合、蛍光物質にセ
リウムで付活したイットリウム・アルミニウム酸化物系
蛍光物質を用いることによって十分な発光輝度を安定し
て発光することを見出した。本発明は特に、蛍光物質に
セリウムで付活したイットリウム・アルミニウム酸化物
系蛍光物質を用いるＬＥＤランプにおいて、更なる発光
特性の向上を図り、より高輝度、高均一なＬＥＤランプ
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々の実
験の結果、可視光域における光エネルギーが比較的高い
窒化物系化合物半導体を発光層に有する半導体発光素子
を用いる場合、半導体発光素子からの光によって励起さ
れ且つ発光するセリウムで付活されたイットリウム・ア
ルミニウム酸化物系蛍光物質が、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃ
ａおよびＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の
元素成分及び／又はＳｉ元素成分を含有すると、より高
輝度、高均一なＬＥＤランプが得られることを見い出し
完成したもので、窒化物系化合物半導体を発光層に有す
る半導体発光素子と、半導体発光素子からの光によって
励起され且つ発光するセリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム酸化物系蛍光物質とを有するＬＥＤラ
ンプであって、蛍光物質がＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａおよ
びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素成
分及び／又はＳｉ元素成分を含有するＬＥＤランプにあ
る。
験の結果、可視光域における光エネルギーが比較的高い
窒化物系化合物半導体を発光層に有する半導体発光素子
を用いる場合、半導体発光素子からの光によって励起さ
れ且つ発光するセリウムで付活されたイットリウム・ア
ルミニウム酸化物系蛍光物質が、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃ
ａおよびＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の
元素成分及び／又はＳｉ元素成分を含有すると、より高
輝度、高均一なＬＥＤランプが得られることを見い出し
完成したもので、窒化物系化合物半導体を発光層に有す
る半導体発光素子と、半導体発光素子からの光によって
励起され且つ発光するセリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム酸化物系蛍光物質とを有するＬＥＤラ
ンプであって、蛍光物質がＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａおよ
びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素成
分及び／又はＳｉ元素成分を含有するＬＥＤランプにあ
る。
【０００６】さらに、本発明はさらに、マウント・リー
ドのカップ内に配置され且つ電気的に接続された窒化物
系化合物半導体の半導体発光素子と、半導体発光素子と
導電性ワイヤーを用いて電気的に接続させたインナー・
リードと、カップ内に充填させセリウムで付活されたイ
ットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質が含有され
たコーティング部材と、コーティング部材、半導体発光
素子、導電性ワイヤー及びマウント・リードとインナー
・リードの少なくとも一部を被覆するモールド部材と、
を有するＬＥＤランプであって、蛍光物質がＢａ、Ｓ
ｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少な
くとも一種の元素成分及び／又はＳｉ元素成分を含有す
るＬＥＤランプを提供するものでもある。
ドのカップ内に配置され且つ電気的に接続された窒化物
系化合物半導体の半導体発光素子と、半導体発光素子と
導電性ワイヤーを用いて電気的に接続させたインナー・
リードと、カップ内に充填させセリウムで付活されたイ
ットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質が含有され
たコーティング部材と、コーティング部材、半導体発光
素子、導電性ワイヤー及びマウント・リードとインナー
・リードの少なくとも一部を被覆するモールド部材と、
を有するＬＥＤランプであって、蛍光物質がＢａ、Ｓ
ｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少な
くとも一種の元素成分及び／又はＳｉ元素成分を含有す
るＬＥＤランプを提供するものでもある。
【０００７】
【発明の実施の形態】本願発明は、半導体発光素子から
の光をセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウ
ム・酸化物系蛍光物質によって色変換させるＬＥＤラン
プにおいて、イットリウム・アルミニウム酸化物にＢ
ａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種及び／又
はＳｉを含有させることによりＬＥＤランプの輝度、均
一性が向上させるものである。その理由は定かではない
が、上記元素成分の少なくとも一種が窒化物系化合物半
導体から放出される光に対して反応性の良い蛍光物質の
種結晶などとなり、結晶性が著しく向上するためと考え
られる。特に、半導体発光素子から放出された光は、蛍
光物質によって、吸収、反射や散乱が高密度に生ずるた
め蛍光物質の結晶性や粒径などがＬＥＤランプの発光特
性に大きく寄与するものと考えられる。
の光をセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウ
ム・酸化物系蛍光物質によって色変換させるＬＥＤラン
プにおいて、イットリウム・アルミニウム酸化物にＢ
ａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種及び／又
はＳｉを含有させることによりＬＥＤランプの輝度、均
一性が向上させるものである。その理由は定かではない
が、上記元素成分の少なくとも一種が窒化物系化合物半
導体から放出される光に対して反応性の良い蛍光物質の
種結晶などとなり、結晶性が著しく向上するためと考え
られる。特に、半導体発光素子から放出された光は、蛍
光物質によって、吸収、反射や散乱が高密度に生ずるた
め蛍光物質の結晶性や粒径などがＬＥＤランプの発光特
性に大きく寄与するものと考えられる。
【０００８】具体的なＬＥＤランプの一例として、チッ
プタイプＬＥＤを図２に示す。チップタイプＬＥＤの筐
体２０４内にサファイア基板を用いた窒化ガリウム系半
導体を発光層に用いた半導体発光素子２０２（ＬＥＤチ
ップ）をＡｇ含有のエポキシ樹脂などを用いて固定させ
る。また、導電性ワイヤー２０３として金線を半導体発
光素子２０２（ＬＥＤチップ）の各電極と筐体２０４に
設けられた配線にそれぞれ電気的に接続させてある。Ｍ
ｇが含有され且つセリウムで付活されたイットリウム・
アルミニウム酸化物系蛍光物質をシリコーン樹脂中に混
合分散させたものをＬＥＤチップ、導電性ワイヤーなど
を外部応力などから保護するモールド部材兼コーティン
グ部材として均一に硬化させてコーティング部２０１を
形成する。このようなＬＥＤランプに配線２０５を介し
て電力を供給させることによってＬＥＤチップ２０２を
発光させる。半導体発光素子２０２（ＬＥＤチップ）か
らの光と、その光によって励起され発光する蛍光物質か
らの光との混色により白色系などが発光可能なＬＥＤラ
ンプとすることができる。また、他の具体例として、図
３に面状発光タイプのＬＥＤランプの概略断面図を示
す。図３のＬＥＤランプは、フォトルミネッセンス蛍光
体をコーティング部３００や導光板３０８の一方の主面
上に設けられた散乱シート３０１に含有させる。あるい
は、バインダー樹脂と共に散乱シート３０１に塗布して
もよい。具体的には、絶縁層及び導電性パターンが形成
されたコの字型の金属基板３０４の内側の底部にＬＥＤ
チップ３０２を固定する。ＬＥＤチップ３０２と導電性
パターンとの電気的導通をとった後、フォトルミネッセ
ンス蛍光体をエポキシ樹脂と混合撹拌しＬＥＤチップ３
０２が搭載されたコの字型の金属基板３０４の内側に充
填させる。こうしてＬＥＤチップが固定された金属基板
３０４は、アクリル製導光板３０８の一方の端面にエポ
キシ樹脂等で固定される。また、導光板３０８の他方の
主面上には、蛍現象防止のための白色散乱剤が含有され
たフィルム状の反射部材３０７を配置させ、ＬＥＤチッ
プ３０２が設けられていない他方の端面上にも反射部材
３０７を設ける。すなわち、金属基板３０４が取り付け
られた端面及び散乱シート３０１が形成された部分を除
いて、導光板３０８を覆うように反射部材３０７を形成
して、発光効率を向上させてある。以上のように構成す
ることにより、図３のＬＥＤランプは、例えばＬＥＤの
バックライトとして十分な明るさが得られる。またさら
に異なる具体例として、図１に示す、インナーリード１
０６及びマウントリード１０５とを用いたリードタイプ
のＬＥＤランプ（詳細は、実施例１の説明において記述
する。）等もあり、本発明は、上述の図１〜図３のＬＥ
Ｄランプを含む種々のＬＥＤランプに適用することがで
きる。
プタイプＬＥＤを図２に示す。チップタイプＬＥＤの筐
体２０４内にサファイア基板を用いた窒化ガリウム系半
導体を発光層に用いた半導体発光素子２０２（ＬＥＤチ
ップ）をＡｇ含有のエポキシ樹脂などを用いて固定させ
る。また、導電性ワイヤー２０３として金線を半導体発
光素子２０２（ＬＥＤチップ）の各電極と筐体２０４に
設けられた配線にそれぞれ電気的に接続させてある。Ｍ
ｇが含有され且つセリウムで付活されたイットリウム・
アルミニウム酸化物系蛍光物質をシリコーン樹脂中に混
合分散させたものをＬＥＤチップ、導電性ワイヤーなど
を外部応力などから保護するモールド部材兼コーティン
グ部材として均一に硬化させてコーティング部２０１を
形成する。このようなＬＥＤランプに配線２０５を介し
て電力を供給させることによってＬＥＤチップ２０２を
発光させる。半導体発光素子２０２（ＬＥＤチップ）か
らの光と、その光によって励起され発光する蛍光物質か
らの光との混色により白色系などが発光可能なＬＥＤラ
ンプとすることができる。また、他の具体例として、図
３に面状発光タイプのＬＥＤランプの概略断面図を示
す。図３のＬＥＤランプは、フォトルミネッセンス蛍光
体をコーティング部３００や導光板３０８の一方の主面
上に設けられた散乱シート３０１に含有させる。あるい
は、バインダー樹脂と共に散乱シート３０１に塗布して
もよい。具体的には、絶縁層及び導電性パターンが形成
されたコの字型の金属基板３０４の内側の底部にＬＥＤ
チップ３０２を固定する。ＬＥＤチップ３０２と導電性
パターンとの電気的導通をとった後、フォトルミネッセ
ンス蛍光体をエポキシ樹脂と混合撹拌しＬＥＤチップ３
０２が搭載されたコの字型の金属基板３０４の内側に充
填させる。こうしてＬＥＤチップが固定された金属基板
３０４は、アクリル製導光板３０８の一方の端面にエポ
キシ樹脂等で固定される。また、導光板３０８の他方の
主面上には、蛍現象防止のための白色散乱剤が含有され
たフィルム状の反射部材３０７を配置させ、ＬＥＤチッ
プ３０２が設けられていない他方の端面上にも反射部材
３０７を設ける。すなわち、金属基板３０４が取り付け
られた端面及び散乱シート３０１が形成された部分を除
いて、導光板３０８を覆うように反射部材３０７を形成
して、発光効率を向上させてある。以上のように構成す
ることにより、図３のＬＥＤランプは、例えばＬＥＤの
バックライトとして十分な明るさが得られる。またさら
に異なる具体例として、図１に示す、インナーリード１
０６及びマウントリード１０５とを用いたリードタイプ
のＬＥＤランプ（詳細は、実施例１の説明において記述
する。）等もあり、本発明は、上述の図１〜図３のＬＥ
Ｄランプを含む種々のＬＥＤランプに適用することがで
きる。
【０００９】以下、本願発明の構成部材について詳述す
る。 （蛍光物質）本願発明に用いられる蛍光物質は、窒化物
系化合物半導体を発光層とする半導体発光素子から発光
された光で励起されて発光できるセリウムで付活された
イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベース
としたものである。具体的なイットリウム・アルミニウ
ム酸化物系蛍光物質としては、ＹＡｌＯ3：Ｃｅ、Ｙ3Ａ
ｌ5Ｏ12：ＣｅやＹ4Ａl2Ｏ9：Ｃｅ、更には、これらの
混合物などが挙げられる。イットリウム・アルミニウム
酸化物系蛍光物質にＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少
なくとも一種を含有させるためには、これらの元素成分
が含有された化合物などを蛍光物質の焼成時に混合させ
ることによって蛍光物質に含有させることができる。具
体的には、蛍光物質として、Ｙ、Ｃｅ及びＡｌの原料と
しての酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を
使用し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得
る。又は、Ｙ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶
解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる
共沈酸化物と、酸化アルミニウムとを混合して混合原料
を得る。これらの原料とＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ
の少なくとも一種を含有する化合物とを適量混合して坩
堝に詰め、空気中約１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲
で２〜５時間焼成して焼成品を得、次に焼成品を水中で
ボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すこ
とで得ることができる。
る。 （蛍光物質）本願発明に用いられる蛍光物質は、窒化物
系化合物半導体を発光層とする半導体発光素子から発光
された光で励起されて発光できるセリウムで付活された
イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベース
としたものである。具体的なイットリウム・アルミニウ
ム酸化物系蛍光物質としては、ＹＡｌＯ3：Ｃｅ、Ｙ3Ａ
ｌ5Ｏ12：ＣｅやＹ4Ａl2Ｏ9：Ｃｅ、更には、これらの
混合物などが挙げられる。イットリウム・アルミニウム
酸化物系蛍光物質にＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少
なくとも一種を含有させるためには、これらの元素成分
が含有された化合物などを蛍光物質の焼成時に混合させ
ることによって蛍光物質に含有させることができる。具
体的には、蛍光物質として、Ｙ、Ｃｅ及びＡｌの原料と
しての酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を
使用し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得
る。又は、Ｙ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶
解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる
共沈酸化物と、酸化アルミニウムとを混合して混合原料
を得る。これらの原料とＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ
の少なくとも一種を含有する化合物とを適量混合して坩
堝に詰め、空気中約１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲
で２〜５時間焼成して焼成品を得、次に焼成品を水中で
ボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すこ
とで得ることができる。
【００１０】本願発明においてＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ
およびＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種が結
晶性を向上させる元素成分となるが、通常化合物の形態
で添加される。この種化合物としては、ＢａＦ2、Ｂａ
Ｃｌ2、ＢａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＣＯ3、
ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＣＯ3、ＣａＦ2、ＣａＣ
ｌ2、ＣａＣＯ3、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＣＯ3など
が好適に挙げられる。セリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム酸化物系蛍光物質に含有されるＢａ、
Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ及びＺｎから選択される少なくとも一
種の元素は、０．０１〜１０．０％含有されることが好
ましく、０．１〜５．０％含有させることがより好まし
い。
およびＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種が結
晶性を向上させる元素成分となるが、通常化合物の形態
で添加される。この種化合物としては、ＢａＦ2、Ｂａ
Ｃｌ2、ＢａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＣＯ3、
ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＣＯ3、ＣａＦ2、ＣａＣ
ｌ2、ＣａＣＯ3、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＣＯ3など
が好適に挙げられる。セリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム酸化物系蛍光物質に含有されるＢａ、
Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ及びＺｎから選択される少なくとも一
種の元素は、０．０１〜１０．０％含有されることが好
ましく、０．１〜５．０％含有させることがより好まし
い。
【００１１】また、蛍光物質の励起スペクトルを窒化物
系化合物半導体の発光波長に合わせて調整したり、蛍光
物質からの発光スペクトルを所望の発光波長とするため
にイットリウムの少なくとも一部をＬｕ、Ｓｃ、Ｌａ、
Ｇｄ、Ｓｍに置換することもできる。同様に、アルミニ
ウムの少なくとも一部をＩｎ、Ｂ、Ｔｌ、Ｇａに置換す
ることもできる。この場合も、上記蛍光物質の原料にこ
れらの元素成分を含む酸化物などを所望量に応じて混合
させ焼成させることによって得ることができる。ここ
で、Ｇｄ等が加えられるほど蛍光物質の励起スペクトル
及び発光スペクトルが長波長側にずれ、Ａｌ等が加えら
れるほど、蛍光物質の励起スペクトル及び発光スペクト
ルが短波長側にずれる傾向にある。なお、励起スペクト
ルの波長のずれは、発光スペクトルの波長のずれに比べ
て小さいので発光効率を維持したまま発光色を変調する
ことができる。さらに、所望に応じて付活剤として働く
Ｃｅに加えＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎ
ｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｅｕを含有させることも
できる。
系化合物半導体の発光波長に合わせて調整したり、蛍光
物質からの発光スペクトルを所望の発光波長とするため
にイットリウムの少なくとも一部をＬｕ、Ｓｃ、Ｌａ、
Ｇｄ、Ｓｍに置換することもできる。同様に、アルミニ
ウムの少なくとも一部をＩｎ、Ｂ、Ｔｌ、Ｇａに置換す
ることもできる。この場合も、上記蛍光物質の原料にこ
れらの元素成分を含む酸化物などを所望量に応じて混合
させ焼成させることによって得ることができる。ここ
で、Ｇｄ等が加えられるほど蛍光物質の励起スペクトル
及び発光スペクトルが長波長側にずれ、Ａｌ等が加えら
れるほど、蛍光物質の励起スペクトル及び発光スペクト
ルが短波長側にずれる傾向にある。なお、励起スペクト
ルの波長のずれは、発光スペクトルの波長のずれに比べ
て小さいので発光効率を維持したまま発光色を変調する
ことができる。さらに、所望に応じて付活剤として働く
Ｃｅに加えＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎ
ｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｅｕを含有させることも
できる。
【００１２】また、セリウムで付活されたイットリウム
・アルミニウム酸化物系化合物にＳｉを含有させること
によって、結晶成長の反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃
えることができる。本願発明においては、Ｂａ、Ｓｒ、
Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少なくと
も一種の添加により結晶性の優れた蛍光物質を形成する
ことを主眼とするが、結晶粒径が大きすぎると半導体発
光素子からの光量を増やしても蛍光物質からの光量が増
加しにくくバラツキが大きくなる傾向がある。そのた
め、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から
選ばれる少なくとも一種に代えてＳｉを添加してもよ
い。または、それらの１種と併用して結晶性の優れた蛍
光物質を形成すると同時に、Ｓｉを本願発明の蛍光物質
に含有させることによって結晶成長を制御し、蛍光物質
の粒子を揃えるようにしてもよい。
・アルミニウム酸化物系化合物にＳｉを含有させること
によって、結晶成長の反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃
えることができる。本願発明においては、Ｂａ、Ｓｒ、
Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少なくと
も一種の添加により結晶性の優れた蛍光物質を形成する
ことを主眼とするが、結晶粒径が大きすぎると半導体発
光素子からの光量を増やしても蛍光物質からの光量が増
加しにくくバラツキが大きくなる傾向がある。そのた
め、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から
選ばれる少なくとも一種に代えてＳｉを添加してもよ
い。または、それらの１種と併用して結晶性の優れた蛍
光物質を形成すると同時に、Ｓｉを本願発明の蛍光物質
に含有させることによって結晶成長を制御し、蛍光物質
の粒子を揃えるようにしてもよい。
【００１３】本願発明において、Ｓｉを含有させるため
には、原材料としてＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣなどを
混合させることによって形成させることができる。セリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系
蛍光物質に含有されるＳｉは、０．００１〜５．０％含
有されることが好ましく、より好ましくは、０．０１〜
３．０％である。
には、原材料としてＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣなどを
混合させることによって形成させることができる。セリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系
蛍光物質に含有されるＳｉは、０．００１〜５．０％含
有されることが好ましく、より好ましくは、０．０１〜
３．０％である。
【００１４】本願発明に利用される蛍光物質の平均粒径
は、よりすぐれた発光特性とするために１．０から２０
μｍが好ましく、３．０から１５．０μｍがより好まし
い。
は、よりすぐれた発光特性とするために１．０から２０
μｍが好ましく、３．０から１５．０μｍがより好まし
い。
【００１５】形成された蛍光物質から放出された光と、
窒化物系化合物半導体を発光層に用いた半導体発光素子
から発光した光とが補色関係などにある場合、混色を利
用して白色系の発光色の表示を行うことができる。この
場合、ＬＥＤランプ外部には、ＬＥＤチップからの光と
蛍光物質からの光とがそれぞれ放出される必要がある。
したがって、蛍光物質のバルク層内などにＬＥＤチップ
を閉じこめ、蛍光物質のバルクにＬＥＤチップからの光
が透過する開口部を１乃至２以上有する構成や蛍光物質
をＬＥＤチップからの光が外部に放出される程度の薄膜
とした構成のＬＥＤランプとしても良い。また、蛍光物
質の粉体を樹脂や硝子中に含有させＬＥＤチップからの
光が透過する程度に薄く形成させても良い。蛍光物質と
樹脂などとの比率や塗布、充填量を種々調整すること及
び発光素子の発光波長を選択することにより白色を含め
電球色など任意の色調を提供させることができる。
窒化物系化合物半導体を発光層に用いた半導体発光素子
から発光した光とが補色関係などにある場合、混色を利
用して白色系の発光色の表示を行うことができる。この
場合、ＬＥＤランプ外部には、ＬＥＤチップからの光と
蛍光物質からの光とがそれぞれ放出される必要がある。
したがって、蛍光物質のバルク層内などにＬＥＤチップ
を閉じこめ、蛍光物質のバルクにＬＥＤチップからの光
が透過する開口部を１乃至２以上有する構成や蛍光物質
をＬＥＤチップからの光が外部に放出される程度の薄膜
とした構成のＬＥＤランプとしても良い。また、蛍光物
質の粉体を樹脂や硝子中に含有させＬＥＤチップからの
光が透過する程度に薄く形成させても良い。蛍光物質と
樹脂などとの比率や塗布、充填量を種々調整すること及
び発光素子の発光波長を選択することにより白色を含め
電球色など任意の色調を提供させることができる。
【００１６】さらに、蛍光物質の含有分布は、混色性や
耐久性にも影響する。すなわち、蛍光物質が含有された
コーティング部やモールド部材の表面側からＬＥＤチッ
プに向かって蛍光物質の分布濃度が高い場合は、外部環
境からの水分などの影響をより受けにくく水分による劣
化を抑制しやすい。他方、蛍光物質の含有分布をＬＥＤ
チップからモールド部材表面側に向かって分布濃度が高
くなると外部環境からの水分の影響を受けやすいがＬＥ
Ｄチップからの発熱、照射強度などの影響がより少なく
蛍光物質などの劣化を抑制することができる。このよう
な、蛍光物質の分布は、蛍光物質を含有する部材、形成
温度、粘度や蛍光物質の形状、粒度分布などを調整させ
ることによって種々形成させることができる。したがっ
て、使用条件などにより蛍光物質の分布濃度を、種々選
択することができる。
耐久性にも影響する。すなわち、蛍光物質が含有された
コーティング部やモールド部材の表面側からＬＥＤチッ
プに向かって蛍光物質の分布濃度が高い場合は、外部環
境からの水分などの影響をより受けにくく水分による劣
化を抑制しやすい。他方、蛍光物質の含有分布をＬＥＤ
チップからモールド部材表面側に向かって分布濃度が高
くなると外部環境からの水分の影響を受けやすいがＬＥ
Ｄチップからの発熱、照射強度などの影響がより少なく
蛍光物質などの劣化を抑制することができる。このよう
な、蛍光物質の分布は、蛍光物質を含有する部材、形成
温度、粘度や蛍光物質の形状、粒度分布などを調整させ
ることによって種々形成させることができる。したがっ
て、使用条件などにより蛍光物質の分布濃度を、種々選
択することができる。
【００１７】本願発明の蛍光物質は、特にＬＥＤチップ
と接する或いは近接して配置され放射照度として（Ｅ
ｅ）＝３Ｗ・ｃｍ-2以上１０Ｗ・ｃｍ-2以下においても
高効率に十分な耐光性有するＬＥＤランプとすることが
できる。
と接する或いは近接して配置され放射照度として（Ｅ
ｅ）＝３Ｗ・ｃｍ-2以上１０Ｗ・ｃｍ-2以下においても
高効率に十分な耐光性有するＬＥＤランプとすることが
できる。
【００１８】本願発明のＬＥＤランプにおいてこのよう
な蛍光物質は、組成の異なる２種類以上のセリウムで付
活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質
を混合させてもよい。これによって、発光色や、励起光
が種々選択できるセンサーやＲＧＢの波長成分を有する
ＬＥＤランプとすることができる。
な蛍光物質は、組成の異なる２種類以上のセリウムで付
活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質
を混合させてもよい。これによって、発光色や、励起光
が種々選択できるセンサーやＲＧＢの波長成分を有する
ＬＥＤランプとすることができる。
【００１９】（半導体発光素子）本願発明に用いられる
半導体発光素子としてとは、セリウムで付活されたイッ
トリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質を効率良く励
起できる窒化物系化合物半導体を発光層に用いたものが
挙げられる。半導体発光素子としては、ＨＤＶＰＥ法や
ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＩｎＧａＮやＧａＮ等の
窒化物系化合物半導体を発光層として形成させる。半導
体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合
などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテ
ロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶
度によって発光波長を種々選択することができる。ま
た、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた
単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもでき
る。
半導体発光素子としてとは、セリウムで付活されたイッ
トリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質を効率良く励
起できる窒化物系化合物半導体を発光層に用いたものが
挙げられる。半導体発光素子としては、ＨＤＶＰＥ法や
ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＩｎＧａＮやＧａＮ等の
窒化物系化合物半導体を発光層として形成させる。半導
体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合
などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテ
ロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶
度によって発光波長を種々選択することができる。ま
た、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた
単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもでき
る。
【００２０】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い
窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用
いることがより好ましい。また、サファイヤ基板上に
は、単結晶を形成させる場合よりも低温でＧａＮ、Ａｌ
Ｎ等のバッファー層を形成することが好ましい。
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い
窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用
いることがより好ましい。また、サファイヤ基板上に
は、単結晶を形成させる場合よりも低温でＧａＮ、Ａｌ
Ｎ等のバッファー層を形成することが好ましい。
【００２１】なお、窒化物系化合物半導体は、不純物を
ドープしない状態でＮ型導電性を示す。発光効率を向上
させるなど所望のＮ型窒化ガリウム半導体を形成させる
場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔ
ｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、Ｐ型窒
化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ型ドーパンド
であるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープ
させる。窒化ガリウム系化合物半導体は、Ｐ型ドーパン
トをドープしただけではＰ型化しにくいためＰ型ドーパ
ント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズ
マ照射等によりアニールすることでＰ型化させることが
好ましい。
ドープしない状態でＮ型導電性を示す。発光効率を向上
させるなど所望のＮ型窒化ガリウム半導体を形成させる
場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔ
ｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。一方、Ｐ型窒
化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ型ドーパンド
であるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープ
させる。窒化ガリウム系化合物半導体は、Ｐ型ドーパン
トをドープしただけではＰ型化しにくいためＰ型ドーパ
ント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズ
マ照射等によりアニールすることでＰ型化させることが
好ましい。
【００２２】絶縁性基板を用いた半導体発光素子の場合
は、絶縁性基板の一部を除去する、或いは半導体表面側
からＰ型半導体及びＮ型半導体の露出面をエッチングす
ることなどによりＰ型及びＮ型用の電極面を形成するこ
とができる。各半導体の電極面上にスパッタリング法や
真空蒸着法などを用いて所望の形状の各電極を形成させ
る。発光面側に設ける電極は、全被覆せずに発光領域を
取り囲むようにパターニングするか、或いは金属薄膜や
金属酸化物などの透光性電極を用いることができる。こ
のように形成された半導体発光素子をそのまま利用する
こともできるし、個々に分割したＬＥＤチップとして使
用しても良い。
は、絶縁性基板の一部を除去する、或いは半導体表面側
からＰ型半導体及びＮ型半導体の露出面をエッチングす
ることなどによりＰ型及びＮ型用の電極面を形成するこ
とができる。各半導体の電極面上にスパッタリング法や
真空蒸着法などを用いて所望の形状の各電極を形成させ
る。発光面側に設ける電極は、全被覆せずに発光領域を
取り囲むようにパターニングするか、或いは金属薄膜や
金属酸化物などの透光性電極を用いることができる。こ
のように形成された半導体発光素子をそのまま利用する
こともできるし、個々に分割したＬＥＤチップとして使
用しても良い。
【００２３】個々に分割されたＬＥＤチップとして使用
する場合は、形成された半導体ウエハー等をダイヤモン
ド製の刃先を有するブレードが回転するダイシングソー
により直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い幅
の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によって半
導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモンド針
が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハー
に極めて細いスクライブライン（経線）を例えば碁盤目
状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導体ウエ
ハーからチップ状にカットする。このようにしてＬＥＤ
チップを形成させることができる。
する場合は、形成された半導体ウエハー等をダイヤモン
ド製の刃先を有するブレードが回転するダイシングソー
により直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広い幅
の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によって半
導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモンド針
が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハー
に極めて細いスクライブライン（経線）を例えば碁盤目
状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導体ウエ
ハーからチップ状にカットする。このようにしてＬＥＤ
チップを形成させることができる。
【００２４】本願発明のＬＥＤランプにおいて白色系を
発光させる場合は、蛍光物質との補色関係や樹脂劣化等
を考慮して発光素子の発光波長は４００ｎｍ以上５３０
ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下が
より好ましい。ＬＥＤチップと蛍光物質との効率をそれ
ぞれより向上させるためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎ
ｍ以下がさらに好ましい。
発光させる場合は、蛍光物質との補色関係や樹脂劣化等
を考慮して発光素子の発光波長は４００ｎｍ以上５３０
ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下が
より好ましい。ＬＥＤチップと蛍光物質との効率をそれ
ぞれより向上させるためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎ
ｍ以下がさらに好ましい。
【００２５】（導電性ワイヤー）導電性ワイヤーとして
は、半導体発光素子の電極とのオーミック性、機械的接
続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが好ましい。
熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以
上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ２／
ｃｍ／℃以上である。また、作業性などを考慮して導電
性ワイヤーの直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ
４５μｍ以下である。このような導電性ワイヤーとして
具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及び
それらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。こ
のような導電性ワイヤーは、各半導体発光素子であるＬ
ＥＤチップの電極と、インナー・リード及びマウント・
リードなどと、をワイヤーボンディング機器によって容
易に接続させることができる。
は、半導体発光素子の電極とのオーミック性、機械的接
続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが好ましい。
熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以
上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ２／
ｃｍ／℃以上である。また、作業性などを考慮して導電
性ワイヤーの直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ
４５μｍ以下である。このような導電性ワイヤーとして
具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及び
それらの合金を用いた導電性ワイヤーが挙げられる。こ
のような導電性ワイヤーは、各半導体発光素子であるＬ
ＥＤチップの電極と、インナー・リード及びマウント・
リードなどと、をワイヤーボンディング機器によって容
易に接続させることができる。
【００２６】（マウント・リード）マウント・リードと
しては、ＬＥＤチップを配置させるものであり、ダイボ
ンド機器などで積載するのに十分な大きさがあれば良
い。また、ＬＥＤチップを複数設置しマウント・リード
をＬＥＤチップの共通電極として利用する場合において
は、十分な電気伝導性とボンディングワイヤー等との接
続性が求められる。また、マウント・リード上のカップ
内にＬＥＤチップを配置すると共に蛍光物質を内部に充
填させる場合は、近接して配置させた別のＬＥＤランプ
などからの光により疑似励起されることを防止すること
ができる。
しては、ＬＥＤチップを配置させるものであり、ダイボ
ンド機器などで積載するのに十分な大きさがあれば良
い。また、ＬＥＤチップを複数設置しマウント・リード
をＬＥＤチップの共通電極として利用する場合において
は、十分な電気伝導性とボンディングワイヤー等との接
続性が求められる。また、マウント・リード上のカップ
内にＬＥＤチップを配置すると共に蛍光物質を内部に充
填させる場合は、近接して配置させた別のＬＥＤランプ
などからの光により疑似励起されることを防止すること
ができる。
【００２７】ＬＥＤチップとマウント・リードのカップ
との接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができ
る。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド
樹脂などが挙げられる。また、フェースダウンＬＥＤチ
ップなどによりマウント・リードと接着させると共に電
気的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペー
スト、金属バンプ等を用いることができる。さらに、Ｌ
ＥＤランプの光利用効率を向上させるためにＬＥＤチッ
プが配置されるマウント・リードの表面を鏡面状とし、
表面に反射機能を持たせても良い。この場合の表面粗さ
は、０．１Ｓ以上０．８Ｓ以下が好ましい。また、マウ
ント・リードの具体的な電気抵抗としては３００μΩｃ
ｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μΩｃｍ以下で
ある。また、マウント・リード上に複数のＬＥＤチップ
を積載する場合は、ＬＥＤチップからの発熱量が多くな
るため熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、
０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましく、よ
り好ましくは ０．５ｃａｌ／ｃｍ２／ｃｍ／℃以上で
ある。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄
入り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラミック
等が挙げられる。
との接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができ
る。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド
樹脂などが挙げられる。また、フェースダウンＬＥＤチ
ップなどによりマウント・リードと接着させると共に電
気的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペー
スト、金属バンプ等を用いることができる。さらに、Ｌ
ＥＤランプの光利用効率を向上させるためにＬＥＤチッ
プが配置されるマウント・リードの表面を鏡面状とし、
表面に反射機能を持たせても良い。この場合の表面粗さ
は、０．１Ｓ以上０．８Ｓ以下が好ましい。また、マウ
ント・リードの具体的な電気抵抗としては３００μΩｃ
ｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μΩｃｍ以下で
ある。また、マウント・リード上に複数のＬＥＤチップ
を積載する場合は、ＬＥＤチップからの発熱量が多くな
るため熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、
０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましく、よ
り好ましくは ０．５ｃａｌ／ｃｍ２／ｃｍ／℃以上で
ある。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄
入り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラミック
等が挙げられる。
【００２８】（インナー・リード）インナー・リードと
しては、マウント・リード上に配置されたＬＥＤチップ
接続された導電性ワイヤーとの接続を図るものである。
マウント・リード上に複数のＬＥＤチップを設けた場合
は、各導電性ワイヤー同士が接触しないよう配置できる
構成とする必要がある。具体的には、マウント・リード
から離れるに従って、インナー・リードのワイヤーボン
ディングさせる端面の面積を大きくする或は、マウント
リードから離れるに従って、インナーリードを低くする
ことなどによってマウント・リードからより離れたイン
ナー・リードと接続させる導電性ワイヤーの接触を防ぐ
ことができる。導電性ワイヤーとの接続端面の粗さは、
密着性を考慮して１．６Ｓ以上１０Ｓ以下が好ましい。
インナー・リードの先端部を種々の形状に形成させるた
めには、あらかじめリードフレームの形状を型枠で決め
て打ち抜き形成させてもよく、或いは全てのインナー・
リードを形成させた後にインナー・リード上部の一部を
削ることによって形成させても良い。さらには、インナ
ー・リードを打ち抜き形成後、端面方向から加圧するこ
とにより所望の端面の面積と端面高さを同時に形成させ
ることもできる。
しては、マウント・リード上に配置されたＬＥＤチップ
接続された導電性ワイヤーとの接続を図るものである。
マウント・リード上に複数のＬＥＤチップを設けた場合
は、各導電性ワイヤー同士が接触しないよう配置できる
構成とする必要がある。具体的には、マウント・リード
から離れるに従って、インナー・リードのワイヤーボン
ディングさせる端面の面積を大きくする或は、マウント
リードから離れるに従って、インナーリードを低くする
ことなどによってマウント・リードからより離れたイン
ナー・リードと接続させる導電性ワイヤーの接触を防ぐ
ことができる。導電性ワイヤーとの接続端面の粗さは、
密着性を考慮して１．６Ｓ以上１０Ｓ以下が好ましい。
インナー・リードの先端部を種々の形状に形成させるた
めには、あらかじめリードフレームの形状を型枠で決め
て打ち抜き形成させてもよく、或いは全てのインナー・
リードを形成させた後にインナー・リード上部の一部を
削ることによって形成させても良い。さらには、インナ
ー・リードを打ち抜き形成後、端面方向から加圧するこ
とにより所望の端面の面積と端面高さを同時に形成させ
ることもできる。
【００２９】インナー・リードは、導電性ワイヤーであ
るボンディングワイヤー等との接続性及び電気伝導性が
良いことが求められる。具体的な電気抵抗としては、３
００μΩｃｍ以下が好ましく、より好ましくは３μΩｃ
ｍ以下である。これらの条件を満たす材料としては、
鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀などをメッ
キしたアルミニウム、鉄や銅等が挙げられる。
るボンディングワイヤー等との接続性及び電気伝導性が
良いことが求められる。具体的な電気抵抗としては、３
００μΩｃｍ以下が好ましく、より好ましくは３μΩｃ
ｍ以下である。これらの条件を満たす材料としては、
鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀などをメッ
キしたアルミニウム、鉄や銅等が挙げられる。
【００３０】（コーティング部）コーティング部とは、
モールド部材とは別にマウント・リードのカップに設け
られるものでありＬＥＤチップの発光を変換する蛍光物
質が含有されるものである。コーティング部の具体的材
料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹
脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用
いられる。また、蛍光物質と共に拡散剤を含有させても
良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸
化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用い
られる。また、光安定化剤や着色剤を含有させても良
い。半導体発光素子は、単色性ピーク波長であるが、あ
る程度の波長幅を持つ。そのため主発光ピークが紫外光
に近付くにつれ紫外光成分を含む場合もある。ＬＥＤラ
ンプを構成するコーティング部やモールド部材が樹脂等
で形成されている場合、半導体発光素子からの紫外光成
分によって劣化が生じ着色などする場合がある。したが
って、主発光ピークが紫外光に近ければ近いほど光安定
化剤としての紫外線吸収材を含有させることが望まし
い。
モールド部材とは別にマウント・リードのカップに設け
られるものでありＬＥＤチップの発光を変換する蛍光物
質が含有されるものである。コーティング部の具体的材
料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹
脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用
いられる。また、蛍光物質と共に拡散剤を含有させても
良い。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸
化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用い
られる。また、光安定化剤や着色剤を含有させても良
い。半導体発光素子は、単色性ピーク波長であるが、あ
る程度の波長幅を持つ。そのため主発光ピークが紫外光
に近付くにつれ紫外光成分を含む場合もある。ＬＥＤラ
ンプを構成するコーティング部やモールド部材が樹脂等
で形成されている場合、半導体発光素子からの紫外光成
分によって劣化が生じ着色などする場合がある。したが
って、主発光ピークが紫外光に近ければ近いほど光安定
化剤としての紫外線吸収材を含有させることが望まし
い。
【００３１】（モールド部材）モールド部材は、発光ダ
イオードの使用用途に応じてＬＥＤチップ、導電性ワイ
ヤー、蛍光物質が含有されたコーティング部などを外部
から保護するために所望に応じて設けることができる。
本願発明において、蛍光物質を含有させることにより視
野角を増やすことができるが、樹脂モールドに拡散剤を
含有させることによってＬＥＤチップからの指向性を緩
和させ視野角をさらに増やすことができる。更にまた、
モールド部材を所望の形状にすることによってＬＥＤチ
ップからの発光を集束させたり拡散させたりするレンズ
効果を持たせることができる。従って、モールド部材は
複数積層した構造でもよい。具体的には、凸レンズ形
状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形
状やそれらを複数組み合わせた物である。モールド部材
の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア
樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や
硝子などが好適に用いられる。また、拡散剤としては、
チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸
化珪素等が好適に用いられる。さらに、拡散剤に加えて
モールド部材中にも着色剤、紫外線吸収剤や蛍光物質を
含有させることもできる。蛍光物質はモールド部材中に
含有させてもそれ以外のコーティング部などに含有させ
て用いてもよい。また、コーティング部を蛍光物質が含
有された樹脂、モールド部材を硝子などとした異なる部
材を用いて形成させても良い。この場合、より水分など
の影響が少ない発光ダイオードとすることができる。ま
た、屈折率を考慮してモールド部材とコーティング部と
を同じ部材を用いて形成させても良い。以下、本願発明
の実施例について説明するが、本願発明は具体的実施例
のみに限定されるものではないことは言うまでもない。
イオードの使用用途に応じてＬＥＤチップ、導電性ワイ
ヤー、蛍光物質が含有されたコーティング部などを外部
から保護するために所望に応じて設けることができる。
本願発明において、蛍光物質を含有させることにより視
野角を増やすことができるが、樹脂モールドに拡散剤を
含有させることによってＬＥＤチップからの指向性を緩
和させ視野角をさらに増やすことができる。更にまた、
モールド部材を所望の形状にすることによってＬＥＤチ
ップからの発光を集束させたり拡散させたりするレンズ
効果を持たせることができる。従って、モールド部材は
複数積層した構造でもよい。具体的には、凸レンズ形
状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形
状やそれらを複数組み合わせた物である。モールド部材
の具体的材料としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア
樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や
硝子などが好適に用いられる。また、拡散剤としては、
チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸
化珪素等が好適に用いられる。さらに、拡散剤に加えて
モールド部材中にも着色剤、紫外線吸収剤や蛍光物質を
含有させることもできる。蛍光物質はモールド部材中に
含有させてもそれ以外のコーティング部などに含有させ
て用いてもよい。また、コーティング部を蛍光物質が含
有された樹脂、モールド部材を硝子などとした異なる部
材を用いて形成させても良い。この場合、より水分など
の影響が少ない発光ダイオードとすることができる。ま
た、屈折率を考慮してモールド部材とコーティング部と
を同じ部材を用いて形成させても良い。以下、本願発明
の実施例について説明するが、本願発明は具体的実施例
のみに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００３２】
（実施例１）実施例１のＬＥＤランプは、図１に示すよ
うにリードタイプのＬＥＤランプであって、発光ピーク
が４６０ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体発光層を有する
半導体発光素子１０２を用いた。半導体発光素子１０２
（以下、ＬＥＤチップ１０２ともいう。）は、洗浄させ
たサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガ
ス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガス、窒素ガス
及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣ
ＶＤ法で窒化物系化合物半導体を成膜させることにより
形成させた。ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇ
と、を切り替えることによってＮ型導電性やＰ型導電性
を有する窒化物系化合物半導体を形成させる。半導体発
光素子１０２としては、Ｎ型導電性を有する窒化ガリウ
ム半導体であるコンタクト層と、Ｐ型導電性を有する窒
化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層、Ｐ型
導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層
を形成させた。Ｎ型導電性を有するコンタクト層とＰ型
導電性を有するクラッド層との間に厚さ約３ｎｍであ
り、単一量子井戸構造とされるノンドープＩｎＧａＮの
活性層を形成した。（なお、サファイア基板上には低温
で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせてあ
る。また、Ｐ型導電性を有する半導体は、成膜後４００
℃以上でアニールさせてある。）
うにリードタイプのＬＥＤランプであって、発光ピーク
が４６０ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体発光層を有する
半導体発光素子１０２を用いた。半導体発光素子１０２
（以下、ＬＥＤチップ１０２ともいう。）は、洗浄させ
たサファイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガ
ス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガス、窒素ガス
及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣ
ＶＤ法で窒化物系化合物半導体を成膜させることにより
形成させた。ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇ
と、を切り替えることによってＮ型導電性やＰ型導電性
を有する窒化物系化合物半導体を形成させる。半導体発
光素子１０２としては、Ｎ型導電性を有する窒化ガリウ
ム半導体であるコンタクト層と、Ｐ型導電性を有する窒
化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層、Ｐ型
導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層
を形成させた。Ｎ型導電性を有するコンタクト層とＰ型
導電性を有するクラッド層との間に厚さ約３ｎｍであ
り、単一量子井戸構造とされるノンドープＩｎＧａＮの
活性層を形成した。（なお、サファイア基板上には低温
で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層とさせてあ
る。また、Ｐ型導電性を有する半導体は、成膜後４００
℃以上でアニールさせてある。）
【００３３】エッチングによりサファイア基板上のＰＮ
各半導体表面を露出させた後、スパッタリングにより各
電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導
体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により
分割させ発光素子としてＬＥＤチップ１０２を形成させ
た。
各半導体表面を露出させた後、スパッタリングにより各
電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導
体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により
分割させ発光素子としてＬＥＤチップ１０２を形成させ
た。
【００３４】銀メッキした銅製リードフレームの先端に
カップを有するマウント・リード１０５にＬＥＤチップ
１０２をＡｇが含有されたエポキシ樹脂でダイボンディ
ングした。ＬＥＤチップ１０２の各電極とマウント・リ
ード１０５及びインナー・リード１０６と、をそれぞれ
導電性ワイヤー１０３（金線）でワイヤーボンディング
し電気的導通を取った。
カップを有するマウント・リード１０５にＬＥＤチップ
１０２をＡｇが含有されたエポキシ樹脂でダイボンディ
ングした。ＬＥＤチップ１０２の各電極とマウント・リ
ード１０５及びインナー・リード１０６と、をそれぞれ
導電性ワイヤー１０３（金線）でワイヤーボンディング
し電気的導通を取った。
【００３５】一方、蛍光物質は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土
類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈
させた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化ア
ルミニウムと混合して混合原料を得る。これにＢａＦ2
を混合して坩堝に詰め、空気中１４００°Ｃの温度で３
時間焼成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミル
して、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して形成させ
た。
類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈
させた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化ア
ルミニウムと混合して混合原料を得る。これにＢａＦ2
を混合して坩堝に詰め、空気中１４００°Ｃの温度で３
時間焼成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミル
して、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して形成させ
た。
【００３６】Ｂａが３．１％含有されたセリウム付活の
イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質として
（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光物質を８０重量
部、シリコーン樹脂１００重量部をよく混合してスラリ
ーとさせた。このスラリーをＬＥＤチップが配置された
マウント・リード１０５上のカップ内に注入させた。注
入後、蛍光物質が含有された樹脂を１３０℃１時間で硬
化させた。こうしてＬＥＤチップ上に厚さ１００μの蛍
光物質が含有されたコーティング部１０１が形成され
た。その後、さらにＬＥＤチップ１０２や蛍光物質を外
部応力、水分及び塵芥などから保護する目的でモールド
部材として透光性エポキシ樹脂を形成させた。モールド
部材は、砲弾型の型枠の中にコーティング部１０２が形
成されたリード・フレームを挿入し透光性エポシキ樹脂
を混入後、１５０℃５時間にて硬化させた。
イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質として
（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光物質を８０重量
部、シリコーン樹脂１００重量部をよく混合してスラリ
ーとさせた。このスラリーをＬＥＤチップが配置された
マウント・リード１０５上のカップ内に注入させた。注
入後、蛍光物質が含有された樹脂を１３０℃１時間で硬
化させた。こうしてＬＥＤチップ上に厚さ１００μの蛍
光物質が含有されたコーティング部１０１が形成され
た。その後、さらにＬＥＤチップ１０２や蛍光物質を外
部応力、水分及び塵芥などから保護する目的でモールド
部材として透光性エポキシ樹脂を形成させた。モールド
部材は、砲弾型の型枠の中にコーティング部１０２が形
成されたリード・フレームを挿入し透光性エポシキ樹脂
を混入後、１５０℃５時間にて硬化させた。
【００３７】以上のようにして得られたＬＥＤランプの
発光スペクトルを図４に示し、また、該ＬＥＤランプに
用いたＬＥＤチップからの発光スペクトルを図５に示
し、蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルとを図
６に示す。また、こうして得られた白色系が発光可能な
ＬＥＤランプの１００個平均の色度点、演色性指数を測
定した。それぞれ、色度点（ｘ＝０．３０２、ｙ＝０．
３０１）、Ｒａ（演色性指数）＝８７．５を示した。
発光スペクトルを図４に示し、また、該ＬＥＤランプに
用いたＬＥＤチップからの発光スペクトルを図５に示
し、蛍光物質の発光スペクトルと励起スペクトルとを図
６に示す。また、こうして得られた白色系が発光可能な
ＬＥＤランプの１００個平均の色度点、演色性指数を測
定した。それぞれ、色度点（ｘ＝０．３０２、ｙ＝０．
３０１）、Ｒａ（演色性指数）＝８７．５を示した。
【００３８】蛍光物質形成時にＢａＦ2を含有させない
以外は、同様にしてイットリウム・アルミニウム酸化物
である（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅを形成させ
た。この蛍光物質を用い同様にしてＬＥＤランプを１０
０個形成させた。Ｂａ含有のＬＥＤランプは、含有させ
なかったＬＥＤランプと比較して平均約１８％の輝度が
向上していた。また、色度のバラツキも平均約２％以上
低減されていた。
以外は、同様にしてイットリウム・アルミニウム酸化物
である（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅを形成させ
た。この蛍光物質を用い同様にしてＬＥＤランプを１０
０個形成させた。Ｂａ含有のＬＥＤランプは、含有させ
なかったＬＥＤランプと比較して平均約１８％の輝度が
向上していた。また、色度のバラツキも平均約２％以上
低減されていた。
【００３９】（実施例２）ＢａＦ2の代わりにＳｒＣｌ2
を用い各原料の混合量を変えた以外実施例１と同様にし
てセリウム付活のイットリウム・アルミニウム酸化物蛍
光物質を形成させた。形成された蛍光物質は、Ｓｒが
０．１％含有された（Ｙ0.6Ｇｄ0.4）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ
蛍光物質である。この蛍光物質を用いて実施例１と同様
にＬＥＤランプを１００個形成させた。Ｓｒ含有のＬＥ
Ｄランプは、含有させなかったＬＥＤランプと比較して
平均約１５％の輝度の向上があった。また、色度のバラ
ツキも平均約５％以上低減されていた。
を用い各原料の混合量を変えた以外実施例１と同様にし
てセリウム付活のイットリウム・アルミニウム酸化物蛍
光物質を形成させた。形成された蛍光物質は、Ｓｒが
０．１％含有された（Ｙ0.6Ｇｄ0.4）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ
蛍光物質である。この蛍光物質を用いて実施例１と同様
にＬＥＤランプを１００個形成させた。Ｓｒ含有のＬＥ
Ｄランプは、含有させなかったＬＥＤランプと比較して
平均約１５％の輝度の向上があった。また、色度のバラ
ツキも平均約５％以上低減されていた。
【００４０】（実施例３）実施例１の半導体発光素子を
発光ピークが４５０ｎｍのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎに代え
た。ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にＴ
ＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチル
インジュウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキ
ャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物系化合物
半導体を成膜させることにより形成させた。ドーパント
ガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇと、を切り替えることに
よってＮ型導電性やＰ型導電性を有する窒化物系化合物
半導体を形成させる。半導体発光素子としては、Ｎ型導
電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層、
クラッド層、Ｐ型導電性を有するクラッド層、コンタク
ト層を形成させた。Ｎ型導電性を有するクラッド層とＰ
型導電性を有するクラッド層との間にダブルヘテロ接合
となるＺｎドープＩｎＧａＮの活性層を形成した。な
お、サファイア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を
形成させバッファ層とさせてある。また、Ｐ型導電性を
有する半導体は、成膜後４００℃以上でアニールさせて
ある。
発光ピークが４５０ｎｍのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎに代え
た。ＬＥＤチップは、洗浄させたサファイヤ基板上にＴ
ＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチル
インジュウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキ
ャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物系化合物
半導体を成膜させることにより形成させた。ドーパント
ガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇと、を切り替えることに
よってＮ型導電性やＰ型導電性を有する窒化物系化合物
半導体を形成させる。半導体発光素子としては、Ｎ型導
電性を有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層、
クラッド層、Ｐ型導電性を有するクラッド層、コンタク
ト層を形成させた。Ｎ型導電性を有するクラッド層とＰ
型導電性を有するクラッド層との間にダブルヘテロ接合
となるＺｎドープＩｎＧａＮの活性層を形成した。な
お、サファイア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を
形成させバッファ層とさせてある。また、Ｐ型導電性を
有する半導体は、成膜後４００℃以上でアニールさせて
ある。
【００４１】エッチングによりサファイア基板上のＰＮ
各半導体表面を露出させた後、スパッタリングにより各
電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導
体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により
分割させ発光素子としてＬＥＤチップを形成させた。一
方、蛍光物質を、Ｙ、Ｃｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量
論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させた。これを
焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムと混
合して混合原料を得る。これにＳｉＯ2を混合して坩堝
に詰め、空気中１４５０°Ｃの温度で約３時間焼成して
焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、
分離、乾燥、最後に篩を通して形成させた。
各半導体表面を露出させた後、スパッタリングにより各
電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導
体ウエハーをスクライブラインを引いた後、外力により
分割させ発光素子としてＬＥＤチップを形成させた。一
方、蛍光物質を、Ｙ、Ｃｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量
論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させた。これを
焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムと混
合して混合原料を得る。これにＳｉＯ2を混合して坩堝
に詰め、空気中１４５０°Ｃの温度で約３時間焼成して
焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、
分離、乾燥、最後に篩を通して形成させた。
【００４２】形成された蛍光物質は、Ｓｉが０．７％含
有された（Ｙ0.4Ｇｄ0.6）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅであった。
このように形成された蛍光物質を用いて実施例１と同様
にしてＬＥＤランプを１００個形成させた。蛍光物質形
成時にＳｉＯ2を含有させない以外は実施例１と同様に
してイットリウム・アルミニウム酸化物系である（Ｙ
0.4Ｇｄ0.6）3Ａｌ5：Ｃｅを形成させた。この蛍光物質
を用い同様にしてＬＥＤランプ１００個形成させた。Ｓ
ｉ含有のＬＥＤランプは、含有させなかったＬＥＤラン
プと比較して輝度自体の変化は少なかったが色度のバラ
ツキが平均１８％以上低減された。
有された（Ｙ0.4Ｇｄ0.6）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅであった。
このように形成された蛍光物質を用いて実施例１と同様
にしてＬＥＤランプを１００個形成させた。蛍光物質形
成時にＳｉＯ2を含有させない以外は実施例１と同様に
してイットリウム・アルミニウム酸化物系である（Ｙ
0.4Ｇｄ0.6）3Ａｌ5：Ｃｅを形成させた。この蛍光物質
を用い同様にしてＬＥＤランプ１００個形成させた。Ｓ
ｉ含有のＬＥＤランプは、含有させなかったＬＥＤラン
プと比較して輝度自体の変化は少なかったが色度のバラ
ツキが平均１８％以上低減された。
【００４３】（実施例４）実施例１で形成させたＬＥＤ
チップをタングステンの導電パターンが形成されたセラ
ミック基板上に配置した。ＬＥＤチップの電極と導電パ
ターンとをＡｇを用いて電気的に接続させた。これをア
クリル性導光板の端部に光学的に接続させた。
チップをタングステンの導電パターンが形成されたセラ
ミック基板上に配置した。ＬＥＤチップの電極と導電パ
ターンとをＡｇを用いて電気的に接続させた。これをア
クリル性導光板の端部に光学的に接続させた。
【００４４】一方、蛍光物質として、Ｙ、Ｃｅの希土類
元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈さ
せた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アル
ミニウム及び酸化ガリウムと混合して混合原料を得る。
これにＺｎＣｌ2を混合して坩堝に詰め、空気中１３５
０°Ｃの温度で約３時間焼成して焼成品を得た。焼成品
を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩
を通して形成させた。
元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈さ
せた。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アル
ミニウム及び酸化ガリウムと混合して混合原料を得る。
これにＺｎＣｌ2を混合して坩堝に詰め、空気中１３５
０°Ｃの温度で約３時間焼成して焼成品を得た。焼成品
を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩
を通して形成させた。
【００４５】形成された蛍光物質は、Ｚｎが０．１８％
含有されたＹ3（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）5Ｏ12：Ｃｅであっ
た。この蛍光物質をペット樹脂に混入しシート形状に形
成させた。導光板上にシート形状に形成させたものを配
置しＬＥＤランプを形成させた。これにより、液晶装置
のバックライト光源などとして十分な明るさを得られる
白色系が発光可能なＬＥＤランプとすることができる。
含有されたＹ3（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）5Ｏ12：Ｃｅであっ
た。この蛍光物質をペット樹脂に混入しシート形状に形
成させた。導光板上にシート形状に形成させたものを配
置しＬＥＤランプを形成させた。これにより、液晶装置
のバックライト光源などとして十分な明るさを得られる
白色系が発光可能なＬＥＤランプとすることができる。
【００４６】（実施例５）実施例５のＬＥＤランプは、
図７に示すように、実施例１に類似したリードタイプの
ＬＥＤランプであって、主発光ピークが４３０ｎｍのＧ
ａＮ半導体発光層を有する半導体発光素子７０２を用い
た。実施例５のＬＥＤチップは、導電性を有するＳｉＣ
（６Ｈ−ＳｉＣ）基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、窒
素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、
ＭＯＣＶＤ法で窒化物系化合物半導体を形成させた。ド
ーパントガスとしてＳｉＦ4とＣｐ2Ｍｇと、を切り替え
ることによりＮ型導電性やＰ型導電性を有する窒化物系
化合物半導体を形成させる。半導体発光素子７０２とし
ては、Ｎ型導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半
導体であるクラッド層と、Ｐ型導電性を有する窒化ガリ
ウムアルミニウム半導体であるクラッド層との間に発光
層となる窒化ガリウムを形成させた。（なお、ＳｉＣ基
板上には、低温で形成させた窒化ガリウムアルミニウム
半導体を形成させバッファ層とさせてある。また、Ｐ型
導電性を有する半導体は、成膜後４００℃以上でアニー
ルさせてある。）ＳｉＣ基板及び発光層を介してＳｉＣ
基板と対向する面側の半導体表面上にそれぞれ電極を形
成させた。
図７に示すように、実施例１に類似したリードタイプの
ＬＥＤランプであって、主発光ピークが４３０ｎｍのＧ
ａＮ半導体発光層を有する半導体発光素子７０２を用い
た。実施例５のＬＥＤチップは、導電性を有するＳｉＣ
（６Ｈ−ＳｉＣ）基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、窒
素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、
ＭＯＣＶＤ法で窒化物系化合物半導体を形成させた。ド
ーパントガスとしてＳｉＦ4とＣｐ2Ｍｇと、を切り替え
ることによりＮ型導電性やＰ型導電性を有する窒化物系
化合物半導体を形成させる。半導体発光素子７０２とし
ては、Ｎ型導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半
導体であるクラッド層と、Ｐ型導電性を有する窒化ガリ
ウムアルミニウム半導体であるクラッド層との間に発光
層となる窒化ガリウムを形成させた。（なお、ＳｉＣ基
板上には、低温で形成させた窒化ガリウムアルミニウム
半導体を形成させバッファ層とさせてある。また、Ｐ型
導電性を有する半導体は、成膜後４００℃以上でアニー
ルさせてある。）ＳｉＣ基板及び発光層を介してＳｉＣ
基板と対向する面側の半導体表面上にそれぞれ電極を形
成させた。
【００４７】銀メッキをした銅製リードフレームの先端
にカップを有するマウント・リード７０５に半導体発光
素子７０２（ＬＥＤチップ７０５）をＡｇが含有された
エポキシ樹脂でダイボンディングさせると共に電気的に
接続させた。また、ＬＥＤチップ７０５の他方の電極を
導電性ワイヤー７０３（金線）を用いてインナー・リー
ド７０６とワイヤーボンディングし電気的導通を取っ
た。
にカップを有するマウント・リード７０５に半導体発光
素子７０２（ＬＥＤチップ７０５）をＡｇが含有された
エポキシ樹脂でダイボンディングさせると共に電気的に
接続させた。また、ＬＥＤチップ７０５の他方の電極を
導電性ワイヤー７０３（金線）を用いてインナー・リー
ド７０６とワイヤーボンディングし電気的導通を取っ
た。
【００４８】一方、蛍光物質は、Ｙ、Ｃｅの希土類元素
を化学量論比で酸に溶解した熔解液を蓚酸で共沈させ
た。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミ
ニウムとを混合して混合原料を得る。これにＳｉＯ2及
びＣａＣｌ2を混合して坩堝に詰め、空気中１３５０℃
の温度で３時間焼成して焼成品を得た。焼成品を水中で
ボールミル粉砕して、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通
して形成させた。
を化学量論比で酸に溶解した熔解液を蓚酸で共沈させ
た。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミ
ニウムとを混合して混合原料を得る。これにＳｉＯ2及
びＣａＣｌ2を混合して坩堝に詰め、空気中１３５０℃
の温度で３時間焼成して焼成品を得た。焼成品を水中で
ボールミル粉砕して、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通
して形成させた。
【００４９】Ｓｉ及びＣａがそれぞれ０．８３％、０．
２０％含有させたセリウム付活のイットリウム・アルミ
ニウム酸化物系蛍光物質としてＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+：
蛍光物質を５０重量部、エポキシ樹脂８０重量部を良く
混合してスラリーとした。なお、スラリーには、光安定
化剤である紫外線吸収材を混入させた。このスラリーを
ＬＥＤチップが配置されたマウント・リード上のカップ
内に注入させた。注入後１３０℃１時間で硬化させた。
こうしてＬＥＤチップ上にコーティング部が形成され
る。この後、コーティング部が形成されたリードフレー
ムの先端を砲弾型の型枠の中に入れ透光性エポキシ樹脂
を用いてモールド部材を形成させた。以上のようにし
て、図７の模式的断面図に示す実施例５のＬＥＤランプ
が形成される。また、発光スペクトルを図８に示す。
２０％含有させたセリウム付活のイットリウム・アルミ
ニウム酸化物系蛍光物質としてＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+：
蛍光物質を５０重量部、エポキシ樹脂８０重量部を良く
混合してスラリーとした。なお、スラリーには、光安定
化剤である紫外線吸収材を混入させた。このスラリーを
ＬＥＤチップが配置されたマウント・リード上のカップ
内に注入させた。注入後１３０℃１時間で硬化させた。
こうしてＬＥＤチップ上にコーティング部が形成され
る。この後、コーティング部が形成されたリードフレー
ムの先端を砲弾型の型枠の中に入れ透光性エポキシ樹脂
を用いてモールド部材を形成させた。以上のようにし
て、図７の模式的断面図に示す実施例５のＬＥＤランプ
が形成される。また、発光スペクトルを図８に示す。
【００５０】この蛍光物質を用いて実施例１と同様にＬ
ＥＤランプを１００個形成して評価した結果、Ｃａ及び
Ｓｉ含有のＬＥＤランプは、Ｇａ及びＳｉを含有させな
かったＬＥＤランプと比較して平均７％の輝度の向上が
あった。また、色度のバラツキも平均１５％以上低減さ
れた。なお、Ｃａを含有させＳｉを含有させなかったＬ
ＥＤランプに比べ輝度は平均１０％ほど低下したが、バ
ラツキが平均１８％ほど小さくなった。逆にＳｉを含有
させＣａを含有させなかったＬＥＤランプに比べ輝度は
平均１４％ほど向上していたが、バラツキが平均約５％
ほど大きくなった。
ＥＤランプを１００個形成して評価した結果、Ｃａ及び
Ｓｉ含有のＬＥＤランプは、Ｇａ及びＳｉを含有させな
かったＬＥＤランプと比較して平均７％の輝度の向上が
あった。また、色度のバラツキも平均１５％以上低減さ
れた。なお、Ｃａを含有させＳｉを含有させなかったＬ
ＥＤランプに比べ輝度は平均１０％ほど低下したが、バ
ラツキが平均１８％ほど小さくなった。逆にＳｉを含有
させＣａを含有させなかったＬＥＤランプに比べ輝度は
平均１４％ほど向上していたが、バラツキが平均約５％
ほど大きくなった。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、窒化物系化合物半導体
を発光層に有する半導体発光素子と、該半導体発光素子
からの光によって励起され且つ発光するセリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質と
を有するＬＥＤランプにおいて、前記蛍光物質がＢａ、
Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少
なくとも一種の元素成分を含有するので、より高輝度且
つ高均一なＬＥＤランプとすることができる。このよう
なＬＥＤランプは、ＬＥＤディスプレイやＬＥＤ信号機
など種々の分野に有効に利用することができる。
を発光層に有する半導体発光素子と、該半導体発光素子
からの光によって励起され且つ発光するセリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質と
を有するＬＥＤランプにおいて、前記蛍光物質がＢａ、
Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少
なくとも一種の元素成分を含有するので、より高輝度且
つ高均一なＬＥＤランプとすることができる。このよう
なＬＥＤランプは、ＬＥＤディスプレイやＬＥＤ信号機
など種々の分野に有効に利用することができる。
【００５２】さらに、前記蛍光物質が更にＳｉ元素成分
を含有することにより、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａおよび
Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素成分
と相俟ってＬＥＤランプの均一発光性をさらに向上させ
ることができる。
を含有することにより、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａおよび
Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素成分
と相俟ってＬＥＤランプの均一発光性をさらに向上させ
ることができる。
【００５３】また、上記蛍光物質はＳｉ元素成分のみを
含有していてもよく、それによりＬＥＤランプの均一発
光性を向上させることができる。
含有していてもよく、それによりＬＥＤランプの均一発
光性を向上させることができる。
【００５４】なお、マウント・リードのカップ内に配置
させた窒化物系化合物半導体の半導体発光素子と、該半
導体発光素子と導電性ワイヤーを用いて電気的に接続さ
せたインナー・リードと、前記カップ内に充填させイッ
トリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質が含有された
コーティング部材と、該コーティング部材、半導体発光
素子、導電性ワイヤー及びマウント・リードとインナー
・リードの少なくとも一部を被覆するモールド部材とを
有するＬＥＤランプにおいて、前記蛍光物質がＢａ、Ｓ
ｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少な
くとも一種の元素成分及び／又はＳｉ元素成分を含有す
ることによりより小型で高輝度且つ高均一なＬＥＤラン
プとすることができる。
させた窒化物系化合物半導体の半導体発光素子と、該半
導体発光素子と導電性ワイヤーを用いて電気的に接続さ
せたインナー・リードと、前記カップ内に充填させイッ
トリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質が含有された
コーティング部材と、該コーティング部材、半導体発光
素子、導電性ワイヤー及びマウント・リードとインナー
・リードの少なくとも一部を被覆するモールド部材とを
有するＬＥＤランプにおいて、前記蛍光物質がＢａ、Ｓ
ｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎからなる群から選ばれる少な
くとも一種の元素成分及び／又はＳｉ元素成分を含有す
ることによりより小型で高輝度且つ高均一なＬＥＤラン
プとすることができる。
【図１】本願発明のＬＥＤランプの模式的断面図であ
る。
る。
【図２】本願発明の他のＬＥＤランプの模式的断面図で
ある。
ある。
【図３】本願発明の別のＬＥＤランプの模式的断面図で
ある。
ある。
【図４】実施例１のＬＥＤランプの発光スペクトルを示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】実施例１のＬＥＤランプに用いたＬＥＤチップ
からの発光スペクトルを示すグラフである。
からの発光スペクトルを示すグラフである。
【図６】（ａ）は実施例１のＬＥＤランプに用いた蛍光
物質の励起スペクトルを示すグラフであり、（ｂ）は実
施例１のＬＥＤランプに用いた蛍光物質の発光スペクト
ルを示すグラフである。
物質の励起スペクトルを示すグラフであり、（ｂ）は実
施例１のＬＥＤランプに用いた蛍光物質の発光スペクト
ルを示すグラフである。
【図７】実施例５のＬＥＤランプの模式的断面図であ
る。
る。
【図８】実施例５のＬＥＤランプの発光スペクトルを示
すグラフである。
すグラフである。
１０１、２０１、７０１…特定の元素を有するイットリ
ウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質含有のコーティン
グ部、１０２、２０２、３０２、７０２…半導体発光素
子 １０３、２０３、７０３…導電性ワイヤー、１０４、７
０４…モールド部材、１０５、７０５…マウント・リー
ド、１０６、７０６…インナー・リード、２０４…筐
体、２０５…筐体に設けられた配線、３０１…特定の元
素を有するイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物
質含有の色変換部、３０７…反射部材、３０８…導光板
ウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質含有のコーティン
グ部、１０２、２０２、３０２、７０２…半導体発光素
子 １０３、２０３、７０３…導電性ワイヤー、１０４、７
０４…モールド部材、１０５、７０５…マウント・リー
ド、１０６、７０６…インナー・リード、２０４…筐
体、２０５…筐体に設けられた配線、３０１…特定の元
素を有するイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物
質含有の色変換部、３０７…反射部材、３０８…導光板
Claims (4)
- 【請求項１】 窒化物系化合物半導体を発光層に有する
半導体発光素子と、該半導体発光素子からの光によって
励起され且つ発光するセリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム酸化物系蛍光物質と、を有するＬＥＤ
ランプであって、 前記蛍光物質がＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎから
なる群から選ばれる少なくとも一種の元素成分を含有す
ることを特徴とするＬＥＤランプ。 - 【請求項２】 前記蛍光物質が更にＳｉ元素成分を含有
する請求項１記載のＬＥＤランプ。 - 【請求項３】 窒化物系化合物半導体を発光層に有する
半導体発光素子と、該半導体発光素子からの光によって
励起され且つ発光するセリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム酸化物系蛍光物質と、を有するＬＥＤ
ランプであって、 前記蛍光物質がＳｉ元素成分を含有することを特徴とす
るＬＥＤランプ。 - 【請求項４】 マウント・リードのカップ内に配置され
且つ電気的に接続された窒化物系化合物半導体の半導体
発光素子と、該半導体発光素子と導電性ワイヤーを用い
て電気的に接続させたインナー・リードと、前記カップ
内に充填させセリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム酸化物系蛍光物質が含有されたコーティング部
材と、該コーティング部材、半導体発光素子、導電性ワ
イヤー及びマウント・リードとインナー・リードの少な
くとも一部を被覆するモールド部材と、を有するＬＥＤ
ランプであって、 前記蛍光物質がＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＺｎから
なる群から選ばれる少なくとも一種の元素成分及び／又
はＳｉ元素成分を含有することを特徴とするＬＥＤラン
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6904297A JP3246386B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6904297A JP3246386B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247750A true JPH10247750A (ja) | 1998-09-14 |
| JP3246386B2 JP3246386B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=13391145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6904297A Expired - Lifetime JP3246386B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246386B2 (ja) |
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192655A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-07-17 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 光源用の発光物質及び該発光物質を含む光源 |
| JP2002043625A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Koha Co Ltd | Ｌｅｄ装置 |
| JP2002050798A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Stanley Electric Co Ltd | 白色ｌｅｄランプ |
| JP2003505582A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 光源用発光物質および発光物質を有する光源 |
| JP2003526212A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光変換素子を備えた、光を放射する半導体ボディの製造方法 |
| JP2003298120A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Idec Izumi Corp | 光源装置および蛍光パターンシート、それらの製造方法、ならびにそれを用いた液晶ディスプレイ装置、照明装置、掲示灯、表示灯および押しボタンスイッチ |
| JP2005101651A (ja) * | 1999-07-23 | 2005-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 波長変換注入成形材 |
| US7029602B2 (en) | 2002-09-25 | 2006-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Inorganic oxide and phosphor |
| KR100562488B1 (ko) * | 1997-07-15 | 2006-06-08 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 발광소자 |
| JP2006173581A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| WO2006093015A1 (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体及びその製造方法並びにその応用 |
| JP2007515527A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源 |
| JP2007189239A (ja) * | 2000-12-28 | 2007-07-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子を備えた光源 |
| US7332106B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-02-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device and phosphor |
| JP2008205511A (ja) * | 2001-10-12 | 2008-09-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| KR100886784B1 (ko) | 2007-06-04 | 2009-03-04 | 박기운 | 발광 다이오드용 리드 프레임 및 발광 다이오드 |
| WO2009041297A1 (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ |
| JP2009079094A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ |
| JP2011066462A (ja) * | 2005-03-11 | 2011-03-31 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| JP2012041538A (ja) * | 2011-09-20 | 2012-03-01 | Fujifilm Corp | 無機化合物及びこれを含む組成物と成形体、発光装置、固体レーザ装置 |
| US8733959B2 (en) | 2006-03-21 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Backlight device and display device |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| KR20150058196A (ko) | 2012-09-21 | 2015-05-28 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 복합파장변환분체, 복합파장변환분체 함유 수지조성물 및 발광장치 |
| JP2015124386A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 奇美實業股▲ふん▼有限公司 | 蛍光体、蛍光体の作製方法及び発光装置 |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| JP2015180741A (ja) * | 2010-07-14 | 2015-10-15 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 一般用途及びバックライト照明用途の緑色放出ガーネット系蛍光体 |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| US9428690B2 (en) | 2006-10-20 | 2016-08-30 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
| JP2019048765A (ja) * | 2013-01-23 | 2019-03-28 | ユニバーシティ オブ テネシー リサーチ ファウンデーション | ガーネット型シンチレータのシンチレーション及び光学特性を改変するための共ドーピング方法 |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| JP2021172668A (ja) * | 2020-04-17 | 2021-11-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体およびそれを使用した発光装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4190258B2 (ja) | 2002-11-08 | 2008-12-03 | 星和電機株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
| JP4733402B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2011-07-27 | 株式会社Ｋｒｉ | 調光光学要素 |
| JP4669713B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-04-13 | 株式会社リコー | 画像読取装置及び画像形成装置 |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP6904297A patent/JP3246386B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100562488B1 (ko) * | 1997-07-15 | 2006-06-08 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 발광소자 |
| US7063807B2 (en) | 1999-07-23 | 2006-06-20 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Phosphor for light sources and associated light source |
| US7261837B2 (en) | 1999-07-23 | 2007-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Arrangement of luminescent materials, wavelength-converting casting compound and light source |
| US7132786B1 (en) | 1999-07-23 | 2006-11-07 | Osram Gmbh | Luminescent array, wavelength-converting sealing material and light source |
| JP2003505582A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 光源用発光物質および発光物質を有する光源 |
| US7115217B2 (en) | 1999-07-23 | 2006-10-03 | Patent - Treuhand - Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Phosphor for light sources and associated light source |
| JP2005101651A (ja) * | 1999-07-23 | 2005-04-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 波長変換注入成形材 |
| US6998771B2 (en) | 1999-07-23 | 2006-02-14 | Osram Gmbh | Arrangement of luminescent materials, wavelength-converting casting compound and light source |
| JP4639351B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2011-02-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 波長変換注入成形材 |
| JP2001192655A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-07-17 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 光源用の発光物質及び該発光物質を含む光源 |
| JP2003526212A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-09-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光変換素子を備えた、光を放射する半導体ボディの製造方法 |
| JP2002043625A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Koha Co Ltd | Ｌｅｄ装置 |
| JP2002050798A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Stanley Electric Co Ltd | 白色ｌｅｄランプ |
| US7679101B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-03-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2007189239A (ja) * | 2000-12-28 | 2007-07-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子を備えた光源 |
| US7259396B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-08-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light source with a light-emitting element |
| JP2008205511A (ja) * | 2001-10-12 | 2008-09-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2003298120A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Idec Izumi Corp | 光源装置および蛍光パターンシート、それらの製造方法、ならびにそれを用いた液晶ディスプレイ装置、照明装置、掲示灯、表示灯および押しボタンスイッチ |
| US7029602B2 (en) | 2002-09-25 | 2006-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Inorganic oxide and phosphor |
| US7704410B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-04-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device and phosphor |
| US7332106B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-02-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device and phosphor |
| US9105817B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10546978B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10164158B2 (en) | 2003-09-18 | 2018-12-25 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| JP4838727B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-12-14 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源 |
| JP2007515527A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源 |
| JP2006173581A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| WO2006093015A1 (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体及びその製造方法並びにその応用 |
| JP2011066462A (ja) * | 2005-03-11 | 2011-03-31 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| US8937326B2 (en) | 2005-03-11 | 2015-01-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8733959B2 (en) | 2006-03-21 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Backlight device and display device |
| US9428690B2 (en) | 2006-10-20 | 2016-08-30 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
| US9458378B2 (en) | 2006-10-20 | 2016-10-04 | Intermatix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| KR100886784B1 (ko) | 2007-06-04 | 2009-03-04 | 박기운 | 발광 다이오드용 리드 프레임 및 발광 다이오드 |
| JP2009079094A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ |
| WO2009041297A1 (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| JP2015180741A (ja) * | 2010-07-14 | 2015-10-15 | インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 一般用途及びバックライト照明用途の緑色放出ガーネット系蛍光体 |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| JP2012041538A (ja) * | 2011-09-20 | 2012-03-01 | Fujifilm Corp | 無機化合物及びこれを含む組成物と成形体、発光装置、固体レーザ装置 |
| US9487697B2 (en) | 2012-09-21 | 2016-11-08 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Composite wavelength conversion powder, resin composition containing composite wavelength conversion powder, and light emitting device |
| KR20190025742A (ko) | 2012-09-21 | 2019-03-11 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 복합파장변환분체, 복합파장변환분체 함유 수지조성물 및 발광장치 |
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| JP2019048765A (ja) * | 2013-01-23 | 2019-03-28 | ユニバーシティ オブ テネシー リサーチ ファウンデーション | ガーネット型シンチレータのシンチレーション及び光学特性を改変するための共ドーピング方法 |
| US11584885B2 (en) | 2013-01-23 | 2023-02-21 | University Of Tennessee Research Foundation | Codoping method for modifying the scintillation and optical properties of garnet-type scintillators |
| JP2015124386A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 奇美實業股▲ふん▼有限公司 | 蛍光体、蛍光体の作製方法及び発光装置 |
| JP2021172668A (ja) * | 2020-04-17 | 2021-11-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体およびそれを使用した発光装置 |
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