JPH11233832A - 発光ダイオードの形成方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光素子からの発光を波長変換して発光可能な
蛍光体を有する発光ダイオードの発光方位、色調ムラを
改善した形成方法を提供するものである。 【解決手段】基体上に配された発光素子と、発光素子上
に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍
光を発する蛍光体を配置してある発光ダイオードの形成
方法である。特に、基体上に配された発光素子２０２と
間隙を介して対向する帯電部２１１に正又は負に帯電さ
せた蛍光体２０１を保持させる工程と、基体上に配され
た発光素子２０２と帯電部２１１との間に電圧を印加
し、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異なる負極又は正
極にさせる工程を持つ。これにより蛍光体を発光素子上
に配置させる発光ダイオードの形成方法である。
蛍光体を有する発光ダイオードの発光方位、色調ムラを
改善した形成方法を提供するものである。 【解決手段】基体上に配された発光素子と、発光素子上
に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収し蛍
光を発する蛍光体を配置してある発光ダイオードの形成
方法である。特に、基体上に配された発光素子２０２と
間隙を介して対向する帯電部２１１に正又は負に帯電さ
せた蛍光体２０１を保持させる工程と、基体上に配され
た発光素子２０２と帯電部２１１との間に電圧を印加
し、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異なる負極又は正
極にさせる工程を持つ。これにより蛍光体を発光素子上
に配置させる発光ダイオードの形成方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤディスプレ
イ、バックライト光源、信号機、照光式スイッチ、各種
センサーや各種インジケータなどに利用される発光ダイ
オードに係わり、特に発光素子からの発光波長を変換し
て蛍光を発する蛍光体を有する発光ダイオードにおい
て、発光方位、色調ムラや発光ダイオード間における発
光特性のバラツキを改善した発光ダイオードの形成方法
に関する。
イ、バックライト光源、信号機、照光式スイッチ、各種
センサーや各種インジケータなどに利用される発光ダイ
オードに係わり、特に発光素子からの発光波長を変換し
て蛍光を発する蛍光体を有する発光ダイオードにおい
て、発光方位、色調ムラや発光ダイオード間における発
光特性のバラツキを改善した発光ダイオードの形成方法
に関する。
【０００２】
【従来技術】発光ダイオード（以下、ＬＥＤとも呼
ぶ。）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光をする。
また、半導体素子であるため球切れなどの心配がない。
初期駆動特性が優れ、振動やON／OFF点灯の繰り返しに
強いという特徴を有する。そのため各種インジケータや
種々の光源として利用されている。しかしながら、ＬＥ
Ｄは優れた単色性ピーク波長を有するが故に白色系など
の発光波長を発光することができない。
ぶ。）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光をする。
また、半導体素子であるため球切れなどの心配がない。
初期駆動特性が優れ、振動やON／OFF点灯の繰り返しに
強いという特徴を有する。そのため各種インジケータや
種々の光源として利用されている。しかしながら、ＬＥ
Ｄは優れた単色性ピーク波長を有するが故に白色系など
の発光波長を発光することができない。
【０００３】そこで、本出願人は発光素子と蛍光物質に
より発光素子からの発光を色変換させて他の色などが発
光可能な発光ダイオードとして、特開平５−１５２６０
９号公報、特開平７−９９３４５号公報などに記載され
た発光ダイオードを開発した。これらの発光ダイオード
によって、１種類の発光チップを用いて白色系や青色が
発光可能な発光チップを用いた緑色など他の発光色を発
光させることができる。
より発光素子からの発光を色変換させて他の色などが発
光可能な発光ダイオードとして、特開平５−１５２６０
９号公報、特開平７−９９３４５号公報などに記載され
た発光ダイオードを開発した。これらの発光ダイオード
によって、１種類の発光チップを用いて白色系や青色が
発光可能な発光チップを用いた緑色など他の発光色を発
光させることができる。
【０００４】具体的には、青色発光チップをリードフレ
ームの先端に設けられたカップ上などに配置する。発光
チップはメタルステムやメタルポストとそれぞれ電気的
に接続させる。そして、発光チップを被覆する樹脂モー
ルド部材中などに発光チップからの光を吸収し波長変換
する蛍光物質を含有させて発光ダイオードを形成させて
ある。蛍光物質が含有された樹脂は混合しながら発光チ
ップ上に塗布することで比較的簡単に蛍光物質が含有の
発光ダイオードを形成することができる。特に、青色系
を発光するＬＥＤチップと、その発光を吸収し黄色系を
発光する蛍光体を選択することにより、これらの発光の
混色を利用して白色系を発光させることができる。この
ような発光ダイオードは、白色系を発光する発光ダイオ
ードとして利用した場合においても十分な輝度を発光す
る発光ダイオードとして利用することができる。
ームの先端に設けられたカップ上などに配置する。発光
チップはメタルステムやメタルポストとそれぞれ電気的
に接続させる。そして、発光チップを被覆する樹脂モー
ルド部材中などに発光チップからの光を吸収し波長変換
する蛍光物質を含有させて発光ダイオードを形成させて
ある。蛍光物質が含有された樹脂は混合しながら発光チ
ップ上に塗布することで比較的簡単に蛍光物質が含有の
発光ダイオードを形成することができる。特に、青色系
を発光するＬＥＤチップと、その発光を吸収し黄色系を
発光する蛍光体を選択することにより、これらの発光の
混色を利用して白色系を発光させることができる。この
ような発光ダイオードは、白色系を発光する発光ダイオ
ードとして利用した場合においても十分な輝度を発光す
る発光ダイオードとして利用することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、形成さ
れた各発光ダイオードの色が所望通りに観測されにくい
傾向にある。すなわち、発光ダイオードを複数量産させ
た場合、各発光ダイオードがそれぞれ所望の色度範囲に
形成させることが難しく歩留りが低下する傾向にある。
また、発光ダイオードに用いられるマウント・リード上
に単に、ＬＥＤチップ及び蛍光物質が含有された樹脂を
塗布しモールド部材を形成させると、発光ダイオードの
発光観測面において色むらを生じる場合がある。具体的
には、発光観測面側から見て発光素子であるＬＥＤチッ
プが配置された中心部が青色ぽく、その周囲方向にリン
グ状に黄、緑や赤色ぽい部分が観測される場合がある。
人間の色調感覚は、白色において特に敏感である。その
ため、わずかな色調差でも赤ぽい白、緑色ぽい白、黄色
っぽい白等と感じる。
れた各発光ダイオードの色が所望通りに観測されにくい
傾向にある。すなわち、発光ダイオードを複数量産させ
た場合、各発光ダイオードがそれぞれ所望の色度範囲に
形成させることが難しく歩留りが低下する傾向にある。
また、発光ダイオードに用いられるマウント・リード上
に単に、ＬＥＤチップ及び蛍光物質が含有された樹脂を
塗布しモールド部材を形成させると、発光ダイオードの
発光観測面において色むらを生じる場合がある。具体的
には、発光観測面側から見て発光素子であるＬＥＤチッ
プが配置された中心部が青色ぽく、その周囲方向にリン
グ状に黄、緑や赤色ぽい部分が観測される場合がある。
人間の色調感覚は、白色において特に敏感である。その
ため、わずかな色調差でも赤ぽい白、緑色ぽい白、黄色
っぽい白等と感じる。
【０００６】このような発光観測面を直視することによ
って生ずる色むらは、品質上好ましくないばかりでなく
表示装置に利用したときの表示面における色むらや、光
センサーなど精密機器における誤差を生ずることにもな
る。本発明は上記問題点を解決し発光観測面における色
むら、発光むらや発光ダイオードごとのバラツキが極め
て少なく、量産性の良い発光ダイオードの形成方法を提
供することにある。
って生ずる色むらは、品質上好ましくないばかりでなく
表示装置に利用したときの表示面における色むらや、光
センサーなど精密機器における誤差を生ずることにもな
る。本発明は上記問題点を解決し発光観測面における色
むら、発光むらや発光ダイオードごとのバラツキが極め
て少なく、量産性の良い発光ダイオードの形成方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は基体上に配され
た発光素子と、発光素子上に発光素子からの発光波長の
少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体を配置して
ある発光ダイオードの形成方法である。特に、蛍光体の
発光素子上への配置に際し、基体上に配された発光素子
と間隙を介して対向する帯電部に正又は負に帯電させた
蛍光体を保持する工程と、基体上に配された発光素子と
帯電部との間に電圧を印加し、発光素子側を前記蛍光体
の帯電と異なる負極又は正極にさせることにより、蛍光
体を発光素子上に配置させる工程とを有する発光ダイオ
ードの形成方法である。
た発光素子と、発光素子上に発光素子からの発光波長の
少なくとも一部を吸収し蛍光を発する蛍光体を配置して
ある発光ダイオードの形成方法である。特に、蛍光体の
発光素子上への配置に際し、基体上に配された発光素子
と間隙を介して対向する帯電部に正又は負に帯電させた
蛍光体を保持する工程と、基体上に配された発光素子と
帯電部との間に電圧を印加し、発光素子側を前記蛍光体
の帯電と異なる負極又は正極にさせることにより、蛍光
体を発光素子上に配置させる工程とを有する発光ダイオ
ードの形成方法である。
【０００８】本発明では蛍光体の帯電量、蛍光体付着面
と帯電部との距離、帯電部と対向する塗布面との印加電
圧（電界の強さ）を変えて付着量を制御することができ
る。帯電量や印加電圧を定めてしまえば付着量を一定に
させることができ、色むら、発光むらや発光ダイオード
ごとのバラツキを減少させ歩留まりを向上させることが
できる。
と帯電部との距離、帯電部と対向する塗布面との印加電
圧（電界の強さ）を変えて付着量を制御することができ
る。帯電量や印加電圧を定めてしまえば付着量を一定に
させることができ、色むら、発光むらや発光ダイオード
ごとのバラツキを減少させ歩留まりを向上させることが
できる。
【０００９】本発明の請求項２に記載の形成方法は、発
光素子上に予め設けられた結着剤上に蛍光体を飛翔させ
る。即ち、蛍光体を発光素子に積載させる前に予め発光
素子の上に結着剤を形成させる工程を追加させるもので
ある。これにより蛍光体の飛翔時に発光素子上に設けら
れたワイヤなどへの損傷を防ぐことができると共に蛍光
体を固着させることができる。さらに、結着剤表面にお
いては帯電を略均一にさせることができるため蛍光体の
付着量バラツキを低減させることができる。また、予め
形成された結着剤の形状に沿って蛍光体の付着を制御で
きるため発光素子の形状によらず蛍光体の分布を均一に
することができる。
光素子上に予め設けられた結着剤上に蛍光体を飛翔させ
る。即ち、蛍光体を発光素子に積載させる前に予め発光
素子の上に結着剤を形成させる工程を追加させるもので
ある。これにより蛍光体の飛翔時に発光素子上に設けら
れたワイヤなどへの損傷を防ぐことができると共に蛍光
体を固着させることができる。さらに、結着剤表面にお
いては帯電を略均一にさせることができるため蛍光体の
付着量バラツキを低減させることができる。また、予め
形成された結着剤の形状に沿って蛍光体の付着を制御で
きるため発光素子の形状によらず蛍光体の分布を均一に
することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明者は種々の実験の結果、帯
電させた蛍光体を電界により飛翔させ発光素子上に配置
させることによって発光観測面における色調むらや発光
ダイオードごとのバラツキを改善できることを見出し本
発明を成すに到った。
電させた蛍光体を電界により飛翔させ発光素子上に配置
させることによって発光観測面における色調むらや発光
ダイオードごとのバラツキを改善できることを見出し本
発明を成すに到った。
【００１１】本発明による特性向上は定かでないが、蛍
光体の帯電量と、付着面となる発光素子等及び帯電部間
の印加電圧の電圧により付着量を簡便に制御することが
できるため発光素子上に蛍光体を均一に配置できる。そ
のため特性が安定できると考えられる。
光体の帯電量と、付着面となる発光素子等及び帯電部間
の印加電圧の電圧により付着量を簡便に制御することが
できるため発光素子上に蛍光体を均一に配置できる。そ
のため特性が安定できると考えられる。
【００１２】即ち、発光観測面における色調むらや発光
ダイオードごとのバラツキは、蛍光体を所望量塗布する
ことが難しいことに起因している。具体的には、発光素
子上に厚さ約１２０μｍ程度の蛍光体含有した樹脂の膜
を形成させることで蛍光体含有の発光ダイオードを形成
させることができる。しかし、蛍光体を樹脂中に混合さ
せて発光素子上に塗布させる場合、蛍光体の混合量を適
宜調整し適量塗布することが極めて難しいだけでなく、
蛍光体と樹脂の比重、粘度（温度変化や硬化による粘度
変化）など種々のパラメータがあり一定の発光特性を持
った発光ダイオードを量産性よく形成させることが難し
い。
ダイオードごとのバラツキは、蛍光体を所望量塗布する
ことが難しいことに起因している。具体的には、発光素
子上に厚さ約１２０μｍ程度の蛍光体含有した樹脂の膜
を形成させることで蛍光体含有の発光ダイオードを形成
させることができる。しかし、蛍光体を樹脂中に混合さ
せて発光素子上に塗布させる場合、蛍光体の混合量を適
宜調整し適量塗布することが極めて難しいだけでなく、
蛍光体と樹脂の比重、粘度（温度変化や硬化による粘度
変化）など種々のパラメータがあり一定の発光特性を持
った発光ダイオードを量産性よく形成させることが難し
い。
【００１３】本発明は蛍光体を発光素子上への積載させ
る時のパラメータを簡略化させると共に蛍光体を保持硬
化させる樹脂とは別体に配置させることができる。その
ため、蛍光体の配置時に生じる蛍光体のバラツキから生
ずる悪影響を極力抑えることができ均一発光することが
できると考えられる。
る時のパラメータを簡略化させると共に蛍光体を保持硬
化させる樹脂とは別体に配置させることができる。その
ため、蛍光体の配置時に生じる蛍光体のバラツキから生
ずる悪影響を極力抑えることができ均一発光することが
できると考えられる。
【００１４】具体的な実施態様例としては、金属メッシ
ュ上に帯電させた蛍光体を配置させる一方、金属メッシ
ュと対向して配置させたチップタイプＬＥＤの電極とを
電圧印加手段に接続させる。帯電させた蛍光体と逆極性
をＬＥＤ側に印加させることにより帯電させた蛍光体を
チップタイプＬＥＤ側に付着させることができる。以
下、本発明の構成部材や工程について詳述する。
ュ上に帯電させた蛍光体を配置させる一方、金属メッシ
ュと対向して配置させたチップタイプＬＥＤの電極とを
電圧印加手段に接続させる。帯電させた蛍光体と逆極性
をＬＥＤ側に印加させることにより帯電させた蛍光体を
チップタイプＬＥＤ側に付着させることができる。以
下、本発明の構成部材や工程について詳述する。
【００１５】（蛍光体１０１、２０１、３０１）本発明
に用いられる蛍光体としては、少なくとも発光素子１０
２の半導体発光層からの発光波長で励起され蛍光を発す
る蛍光体１０１をいう。窒化物半導体を用いた発光素子
から発光した光と、蛍光体が発する蛍光が補色関係など
にある場合や発光素子からの発光波長とそれによって励
起され発光する蛍光体の光とがそれぞれ光の３原色（赤
色系、緑色系、青色系）に相当する場合、それらの光を
混色表示させると白色系の発光表示を行うことができ
る。そのため発光ダイオードの外部には、発光素子から
の発光や蛍光体からの発光が効率よく取り出せることが
好ましい。
に用いられる蛍光体としては、少なくとも発光素子１０
２の半導体発光層からの発光波長で励起され蛍光を発す
る蛍光体１０１をいう。窒化物半導体を用いた発光素子
から発光した光と、蛍光体が発する蛍光が補色関係など
にある場合や発光素子からの発光波長とそれによって励
起され発光する蛍光体の光とがそれぞれ光の３原色（赤
色系、緑色系、青色系）に相当する場合、それらの光を
混色表示させると白色系の発光表示を行うことができ
る。そのため発光ダイオードの外部には、発光素子から
の発光や蛍光体からの発光が効率よく取り出せることが
好ましい。
【００１６】半導体発光層からの発光波長や発光ダイオ
ードとして得られる所望の光によって種々の蛍光体が挙
げられる。発光素子から放出される発光波長が紫外線の
場合、窒化物半導体を発光層に用いた発光素子からの発
光波長を受けて青色が発光可能な具体的な蛍光体として
は、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ、
（ＳｒＣａＢａ）3（ＰＯ4）6Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ2Ａ
ｌ16Ｏ27：Ｅｕ、ＳｒＯ・Ｐ2Ｏ5・Ｂ2Ｏ5：Ｅｕ、（Ｂ
ａＣａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕなどが好適に挙げられ
る。同様に緑色が発光可能な蛍光体としてＺｎＳｉ
Ｏ4：Ｍｎ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＬａＰＯ4：Ｔｂ、Ｓ
ｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕなどが好適に挙げられる。同様に赤色
が発光可能な蛍光体としては３．５ＭｇＯ・０．５Ｍｇ
Ｆ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ、ＣａＴｉＯ3：Ｐｒ、Ｙ（ＰＶ）
Ｏ4：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕなどが好適
に挙げられる。同様に白色が発光可能な蛍光体としてＹ
ＶＯ4：Ｄｙなどが好適に挙げられる。
ードとして得られる所望の光によって種々の蛍光体が挙
げられる。発光素子から放出される発光波長が紫外線の
場合、窒化物半導体を発光層に用いた発光素子からの発
光波長を受けて青色が発光可能な具体的な蛍光体として
は、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ、
（ＳｒＣａＢａ）3（ＰＯ4）6Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ2Ａ
ｌ16Ｏ27：Ｅｕ、ＳｒＯ・Ｐ2Ｏ5・Ｂ2Ｏ5：Ｅｕ、（Ｂ
ａＣａ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕなどが好適に挙げられ
る。同様に緑色が発光可能な蛍光体としてＺｎＳｉ
Ｏ4：Ｍｎ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＬａＰＯ4：Ｔｂ、Ｓ
ｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕなどが好適に挙げられる。同様に赤色
が発光可能な蛍光体としては３．５ＭｇＯ・０．５Ｍｇ
Ｆ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ、ＣａＴｉＯ3：Ｐｒ、Ｙ（ＰＶ）
Ｏ4：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕなどが好適
に挙げられる。同様に白色が発光可能な蛍光体としてＹ
ＶＯ4：Ｄｙなどが好適に挙げられる。
【００１７】また、発光素子から放出される発光波長が
可視光の場合、ペリレン系の誘導体、Ｍｇ5Ｌｉ6Ｓｂ2
Ｏ13：Ｍｎ、Ｍｇ2ＴｉＯ4：Ｍｎ、３．５ＭｇＯ・０．
５ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：ＭｎやＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅなどの
セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体が挙げられる。特に、混色により白色
系を高輝度かつ長時間の発光させる場合においてはセリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット系蛍光体である（Ｒｅ1-xＳｍx）3（Ａｌ1 -yＧ
ａy）5Ｏ12：Ｃｅ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ただし、
Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａからなる群より選択される少な
くとも一種の元素である。）を用いることが好ましい。
（ＲＥ1-xＳｍx）3（Ａｌ1-yＧａy）5Ｏ12：Ｃｅを用い
た場合には、発光素子であるＬＥＤチップと接する或い
は近接して配置され放射照度として（Ｅｅ）＝３Ｗ・ｃ
ｍ-2以上１０Ｗ・ｃｍ-2以下においても高効率に十分な
耐光性を有する発光ダイオードとすることができる。
可視光の場合、ペリレン系の誘導体、Ｍｇ5Ｌｉ6Ｓｂ2
Ｏ13：Ｍｎ、Ｍｇ2ＴｉＯ4：Ｍｎ、３．５ＭｇＯ・０．
５ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：ＭｎやＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅなどの
セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット系蛍光体が挙げられる。特に、混色により白色
系を高輝度かつ長時間の発光させる場合においてはセリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット系蛍光体である（Ｒｅ1-xＳｍx）3（Ａｌ1 -yＧ
ａy）5Ｏ12：Ｃｅ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ただし、
Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａからなる群より選択される少な
くとも一種の元素である。）を用いることが好ましい。
（ＲＥ1-xＳｍx）3（Ａｌ1-yＧａy）5Ｏ12：Ｃｅを用い
た場合には、発光素子であるＬＥＤチップと接する或い
は近接して配置され放射照度として（Ｅｅ）＝３Ｗ・ｃ
ｍ-2以上１０Ｗ・ｃｍ-2以下においても高効率に十分な
耐光性を有する発光ダイオードとすることができる。
【００１８】（ＲＥ1-xＳｍx）3（Ａｌ1-yＧａy）
5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光
及び水分に強く、励起スペクトルのピークが４７０ｎｍ
付近などにさせることができる。また、発光ピークも５
３０ｎｍ付近にあり７２０ｎｍまで裾を引くブロードな
発光スペクトルを持たせることができる。しかも、組成
のＡｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波長
にシフトし、また組成のＹの一部をＧｄで置換すること
で、発光波長が長波長へシフトする。このように組成を
変化することで発光色を連続的に調節することが可能で
ある。したがって、長波長側の強度がＧｄの組成比で連
続的に変えられるなど窒化物半導体の青色系発光を利用
して白色系発光に変換するための理想条件を備えてい
る。
5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光
及び水分に強く、励起スペクトルのピークが４７０ｎｍ
付近などにさせることができる。また、発光ピークも５
３０ｎｍ付近にあり７２０ｎｍまで裾を引くブロードな
発光スペクトルを持たせることができる。しかも、組成
のＡｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波長
にシフトし、また組成のＹの一部をＧｄで置換すること
で、発光波長が長波長へシフトする。このように組成を
変化することで発光色を連続的に調節することが可能で
ある。したがって、長波長側の強度がＧｄの組成比で連
続的に変えられるなど窒化物半導体の青色系発光を利用
して白色系発光に変換するための理想条件を備えてい
る。
【００１９】このような蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓ
ｍ、Ａｌ、Ｌａ及びＧａの原料として酸化物、又は高温
で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量
論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃ
ｅ、Ｓｍの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解
液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物
と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合
原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウ
ム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中１３
５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼成して焼
成品を得る。次に焼成品を水中でボールミルして、洗
浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで所望の蛍光体を
得ることができる。
ｍ、Ａｌ、Ｌａ及びＧａの原料として酸化物、又は高温
で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量
論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃ
ｅ、Ｓｍの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解
液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物
と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合
原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウ
ム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中１３
５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼成して焼
成品を得る。次に焼成品を水中でボールミルして、洗
浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで所望の蛍光体を
得ることができる。
【００２０】また、蛍光体は２種類以上混合させてもよ
い。即ち、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｌａ及びＧｄやＳｍの含有
量が異なる２種類以上の（ＲＥ1-xＳｍx）3（Ａｌ1-yＧ
ａy）5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体を混合させてＲＧＢの波長成分
を増やすことができる。これに、カラーフィルターを用
いることによりフルカラー液晶表示装置用としても利用
できる。また、２種類以上の蛍光体を混合調整させて所
望の白色系光などを得ることができる。具体的には、発
光素子の発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光体量を
調整し含有させることでその蛍光体間と発光素子で結ば
れる色度図上の任意点を発光させることができる。
い。即ち、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｌａ及びＧｄやＳｍの含有
量が異なる２種類以上の（ＲＥ1-xＳｍx）3（Ａｌ1-yＧ
ａy）5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体を混合させてＲＧＢの波長成分
を増やすことができる。これに、カラーフィルターを用
いることによりフルカラー液晶表示装置用としても利用
できる。また、２種類以上の蛍光体を混合調整させて所
望の白色系光などを得ることができる。具体的には、発
光素子の発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光体量を
調整し含有させることでその蛍光体間と発光素子で結ば
れる色度図上の任意点を発光させることができる。
【００２１】このような蛍光体を図２及び図３に示す如
き、装置により発光素子上に配置させることができる。
図２は本発明の装置の概略を説明する模式的上面図であ
る。図２において、発光素子２０２がマウント・リード
上に配置されタイバー２０６などによりインナー・リー
ドと同電位で電圧印加手段２０９と接続されている。電
圧印加手段２０９の他方は、帯電された蛍光体２０１が
保持される帯電部２１１となるローラと接続されてい
る。図３は図２のｘｘにおける模式的断面図である。こ
の装置の内部では、撹拌ローラ３２１が回転撹拌するこ
とにより蛍光体３０１を比較的容易に摩擦帯電させるこ
とができる。帯電させた蛍光体３０１はローラ３１１に
付着して回転され装置外部に露出される。なお、ローラ
３１１の回転中にブラシ３２２などを利用してローラに
付着している蛍光体の量を一定に制御させることができ
る。露出されたローラ３１１は帯電部として構成する一
方、帯電させた蛍光体が保持された帯電部と空間を介し
て発光素子が対向配置されている。また、ローラ３１１
と発光素子が配置された基板（リード端子）３０４との
間に電圧印加手段３０９により電圧を印加する。これに
より矢印の如き、電界が生じ帯電させた蛍光体が電界に
沿って発光素子側に飛翔する。印加される電圧は蛍光体
等の帯電系列により正極側とするか負極側とするかを判
断すればよい。また、印加される電圧の印加時間や電圧
の高さにより蛍光体の飛翔量を制御することができる。
飛翔した蛍光体はそのままの状態で発光素子側に付着し
ているが、固着をより強固のものにするために結着剤と
なる種々のバインダーを予め塗布させた発光素子上に蛍
光体を固定させることもできる。
き、装置により発光素子上に配置させることができる。
図２は本発明の装置の概略を説明する模式的上面図であ
る。図２において、発光素子２０２がマウント・リード
上に配置されタイバー２０６などによりインナー・リー
ドと同電位で電圧印加手段２０９と接続されている。電
圧印加手段２０９の他方は、帯電された蛍光体２０１が
保持される帯電部２１１となるローラと接続されてい
る。図３は図２のｘｘにおける模式的断面図である。こ
の装置の内部では、撹拌ローラ３２１が回転撹拌するこ
とにより蛍光体３０１を比較的容易に摩擦帯電させるこ
とができる。帯電させた蛍光体３０１はローラ３１１に
付着して回転され装置外部に露出される。なお、ローラ
３１１の回転中にブラシ３２２などを利用してローラに
付着している蛍光体の量を一定に制御させることができ
る。露出されたローラ３１１は帯電部として構成する一
方、帯電させた蛍光体が保持された帯電部と空間を介し
て発光素子が対向配置されている。また、ローラ３１１
と発光素子が配置された基板（リード端子）３０４との
間に電圧印加手段３０９により電圧を印加する。これに
より矢印の如き、電界が生じ帯電させた蛍光体が電界に
沿って発光素子側に飛翔する。印加される電圧は蛍光体
等の帯電系列により正極側とするか負極側とするかを判
断すればよい。また、印加される電圧の印加時間や電圧
の高さにより蛍光体の飛翔量を制御することができる。
飛翔した蛍光体はそのままの状態で発光素子側に付着し
ているが、固着をより強固のものにするために結着剤と
なる種々のバインダーを予め塗布させた発光素子上に蛍
光体を固定させることもできる。
【００２２】なお、図３では蛍光体自体をローラ３１１
に保持させたが、樹脂中に鉄粉を含有させた磁性体等を
利用してマグネットローラに一定量付着させることもで
きる。図３と同様、マグネットローラ（不示図）に磁性
体で付着された蛍光体を装置外部に露出させ帯電部を構
成することもできる。
に保持させたが、樹脂中に鉄粉を含有させた磁性体等を
利用してマグネットローラに一定量付着させることもで
きる。図３と同様、マグネットローラ（不示図）に磁性
体で付着された蛍光体を装置外部に露出させ帯電部を構
成することもできる。
【００２３】本発明の方法においては、蛍光体などの帯
電量、印加電圧や印加時間や蛍光体と電圧が印加される
表面の帯電系列を種々調整すること及び発光素子の発光
波長を選択することにより白色を含め電球色など任意の
色調を提供させることができる。また、蛍光体の帯電量
が少ない場合などは、有機樹脂や無機材料で蛍光体をコ
ーティングさせることもできる。
電量、印加電圧や印加時間や蛍光体と電圧が印加される
表面の帯電系列を種々調整すること及び発光素子の発光
波長を選択することにより白色を含め電球色など任意の
色調を提供させることができる。また、蛍光体の帯電量
が少ない場合などは、有機樹脂や無機材料で蛍光体をコ
ーティングさせることもできる。
【００２４】（発光素子１０２、２０２）本発明に用い
られる発光素子とは、蛍光体を励起し蛍光を発光可能な
ものである。発光素子は、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法
等により基板上にＩｎＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、Ｇ
ａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＮ等の半導体を発光層として
形成させたものが挙げられる。蛍光体を効率良く励起で
きる比較的短波長が効率よく発光可能な半導体としては
窒化物半導体（ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦
ｙ、ｘ＋ｙ≦１）が好適に用いられる。半導体の構造と
しては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有す
るホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のも
のが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって
発光波長を種々選択することができる。また、半導体活
性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸
構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
られる発光素子とは、蛍光体を励起し蛍光を発光可能な
ものである。発光素子は、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法
等により基板上にＩｎＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、Ｇ
ａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＮ等の半導体を発光層として
形成させたものが挙げられる。蛍光体を効率良く励起で
きる比較的短波長が効率よく発光可能な半導体としては
窒化物半導体（ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦
ｙ、ｘ＋ｙ≦１）が好適に用いられる。半導体の構造と
しては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有す
るホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のも
のが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって
発光波長を種々選択することができる。また、半導体活
性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸
構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
【００２５】窒化物半導体を使用した場合、半導体基板
にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、Ｇ
ａＮ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物
半導体を量産性よく形成させるためにはサファイヤ基板
を用いることがより好ましい。サファイヤ基板上に半導
体膜を成長させる場合、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等
のバッファ層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒化物
半導体を形成させることが好ましい。また、サファイア
基板上にＳｉＯ2などをマスクとして選択成長させたＧ
ａＮ単結晶自体を基板として利用することもできる。こ
の場合、各半導体層を形成後ＳｉＯ2をエッチング除去
させることによって発光素子とサファイア基板とを分離
させることもできる。窒化物半導体は、不純物をドープ
しない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させる
など所望のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型
ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜
導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形
成させる場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。
にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、Ｇ
ａＮ等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物
半導体を量産性よく形成させるためにはサファイヤ基板
を用いることがより好ましい。サファイヤ基板上に半導
体膜を成長させる場合、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等
のバッファ層を形成しその上にｐｎ接合を有する窒化物
半導体を形成させることが好ましい。また、サファイア
基板上にＳｉＯ2などをマスクとして選択成長させたＧ
ａＮ単結晶自体を基板として利用することもできる。こ
の場合、各半導体層を形成後ＳｉＯ2をエッチング除去
させることによって発光素子とサファイア基板とを分離
させることもできる。窒化物半導体は、不純物をドープ
しない状態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させる
など所望のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型
ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜
導入することが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形
成させる場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。
【００２６】窒化物半導体は、ｐ型ドーパントをドープ
しただけでは低抵抗なｐ型とし難いためｐ型ドーパント
導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照
射等により低抵抗化させることが好ましい。具体的な発
光素子の層構成としては、窒化ガリウム、窒化アルミニ
ウムなどを低温で形成させたバッファ層を有するサファ
イア基板や炭化珪素上に、窒化ガリウム半導体であるｎ
型コンタクト層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体で
あるｎ型クラッド層、Ｚｎ及びＳｉをドープさせた窒化
インジウム・ガリウム半導体である活性層、窒化アルミ
ニウム・ガリウム半導体であるｐ型クラッド層、窒化ガ
リウム半導体であるｐ型コンタクト層を積層させたもの
が好適に挙げられる。
しただけでは低抵抗なｐ型とし難いためｐ型ドーパント
導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照
射等により低抵抗化させることが好ましい。具体的な発
光素子の層構成としては、窒化ガリウム、窒化アルミニ
ウムなどを低温で形成させたバッファ層を有するサファ
イア基板や炭化珪素上に、窒化ガリウム半導体であるｎ
型コンタクト層、窒化アルミニウム・ガリウム半導体で
あるｎ型クラッド層、Ｚｎ及びＳｉをドープさせた窒化
インジウム・ガリウム半導体である活性層、窒化アルミ
ニウム・ガリウム半導体であるｐ型クラッド層、窒化ガ
リウム半導体であるｐ型コンタクト層を積層させたもの
が好適に挙げられる。
【００２７】サファイア基板を有する発光素子の場合、
サファイア基板が絶縁性であるためエッチングなどによ
り同一面側からｐ型半導体及びｎ型半導体の露出面を形
成させた後、ｐ型及びｎ型半導体層上にスパッタリング
法や真空蒸着法などを用いて所望の形状のｐ型電極及び
ｎ型電極を形成させることができる。ＳｉＣ基板やＧａ
Ｎ単結晶基板の場合、基板自体の導電性を利用して一対
の電極を形成させることもできる。
サファイア基板が絶縁性であるためエッチングなどによ
り同一面側からｐ型半導体及びｎ型半導体の露出面を形
成させた後、ｐ型及びｎ型半導体層上にスパッタリング
法や真空蒸着法などを用いて所望の形状のｐ型電極及び
ｎ型電極を形成させることができる。ＳｉＣ基板やＧａ
Ｎ単結晶基板の場合、基板自体の導電性を利用して一対
の電極を形成させることもできる。
【００２８】次に、形成された半導体ウエハ等をダイヤ
モンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシング
ソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広
い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によっ
て半導体ウエハを割る。或いは、先端のダイヤモンド針
が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハに
極めて細いスクライブライン（経線）を例えば碁盤目状
に引いた後、外力によって半導体ウエハを割り半導体ウ
エハからチップ状にカットする。このようにして窒化物
半導体である発光素子を形成させることができる。
モンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシング
ソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも広
い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によっ
て半導体ウエハを割る。或いは、先端のダイヤモンド針
が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウエハに
極めて細いスクライブライン（経線）を例えば碁盤目状
に引いた後、外力によって半導体ウエハを割り半導体ウ
エハからチップ状にカットする。このようにして窒化物
半導体である発光素子を形成させることができる。
【００２９】本発明の発光ダイオードにおいて白色系を
発光させる場合は、蛍光体との補色等を考慮して発光素
子の主発光波長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ま
しく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。
発光素子と蛍光体との効率をそれぞれより向上させるた
めには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好まし
い。
発光させる場合は、蛍光体との補色等を考慮して発光素
子の主発光波長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ま
しく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましい。
発光素子と蛍光体との効率をそれぞれより向上させるた
めには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好まし
い。
【００３０】（導電性ワイヤ１０３）導電性ワイヤ１０
３としては、発光素子の電極とのオーミック性、密着
性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。
熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以
上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／
ｃｍ／℃以上である。また、作業性などを考慮して導電
性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４
５μｍ以下である。このような導電性ワイヤとして具体
的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれ
らの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。このよう
な導電性ワイヤは、各発光素子の電極と、インナー・リ
ード及びマウント・リードなどとをワイヤボンディング
機器によって容易に接続させることができる。
３としては、発光素子の電極とのオーミック性、密着
性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。
熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以
上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／
ｃｍ／℃以上である。また、作業性などを考慮して導電
性ワイヤの直径は、好ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４
５μｍ以下である。このような導電性ワイヤとして具体
的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれ
らの合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。このよう
な導電性ワイヤは、各発光素子の電極と、インナー・リ
ード及びマウント・リードなどとをワイヤボンディング
機器によって容易に接続させることができる。
【００３１】（マウント・リード１０４）マウント・リ
ード１０４としては、発光素子を配置させるものであ
り、ダイボンド機器などで積載するのに十分な大きさが
あれば良い。また、発光素子を複数設置しマウント・リ
ードを発光素子の共通電極として利用する場合において
は、十分な電気伝導性とボンディングワイヤ等との接続
性が求められる。また、マウント・リード上のカップ内
に発光素子を配置すると共に蛍光体を内部に充填させる
場合は、近接して配置させた別の発光ダイオードからの
光により疑似点灯することを防止することができる。
ード１０４としては、発光素子を配置させるものであ
り、ダイボンド機器などで積載するのに十分な大きさが
あれば良い。また、発光素子を複数設置しマウント・リ
ードを発光素子の共通電極として利用する場合において
は、十分な電気伝導性とボンディングワイヤ等との接続
性が求められる。また、マウント・リード上のカップ内
に発光素子を配置すると共に蛍光体を内部に充填させる
場合は、近接して配置させた別の発光ダイオードからの
光により疑似点灯することを防止することができる。
【００３２】発光素子とマウント・リードのカップとの
接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具
体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂な
どが挙げられる。また、フリップチップ型の発光素子に
よりマウント・リードと接着させると共に電気的に接続
させるためにはＡｇペースト、Ｃｕペースト、カーボン
ペースト、金属バンプや金属酸化物が含有された樹脂等
を用いることができる。また、マウント・リードの具体
的な電気抵抗としては３００μΩ・ｃｍ以下が好まし
く、より好ましくは、３μΩ・ｃｍ以下である。また、
マウント・リード上に複数の発光素子を積載する場合
は、発光素子からの発熱量が多くなるため熱伝導度がよ
いことが求められる。具体的には、０．０１ｃａｌ／ｃ
ｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより好ましくは ０．５ｃ
ａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これらの条件を満
たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅、メタ
ライズパターン付きセラミック等が挙げられる。
接着は熱硬化性樹脂などによって行うことができる。具
体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂な
どが挙げられる。また、フリップチップ型の発光素子に
よりマウント・リードと接着させると共に電気的に接続
させるためにはＡｇペースト、Ｃｕペースト、カーボン
ペースト、金属バンプや金属酸化物が含有された樹脂等
を用いることができる。また、マウント・リードの具体
的な電気抵抗としては３００μΩ・ｃｍ以下が好まし
く、より好ましくは、３μΩ・ｃｍ以下である。また、
マウント・リード上に複数の発光素子を積載する場合
は、発光素子からの発熱量が多くなるため熱伝導度がよ
いことが求められる。具体的には、０．０１ｃａｌ／ｃ
ｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより好ましくは ０．５ｃ
ａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これらの条件を満
たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅、メタ
ライズパターン付きセラミック等が挙げられる。
【００３３】（インナー・リード１０５）インナー・リ
ードとしては、マウント・リード上に配置された発光素
子と導電性ワイヤなどを介して電気的に接続を図るもの
である。
ードとしては、マウント・リード上に配置された発光素
子と導電性ワイヤなどを介して電気的に接続を図るもの
である。
【００３４】インナー・リードは、ボンディングワイヤ
等との接続性及び電気伝導性が良いことが求められる。
具体的な電気抵抗としては、３００μΩ・ｃｍ以下が好
ましく、より好ましくは３μΩ・ｃｍ以下である。これ
らの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫
入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、
銅等が挙げられる。
等との接続性及び電気伝導性が良いことが求められる。
具体的な電気抵抗としては、３００μΩ・ｃｍ以下が好
ましく、より好ましくは３μΩ・ｃｍ以下である。これ
らの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫
入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、
銅等が挙げられる。
【００３５】マウント・リード１０４及びインナー・リ
ード１０５は平板金属を打ち抜き、マウント・リードの
カップを加圧することで比較的簡単に形成することがで
きる。本発明においては、発光素子１０２が積載された
リード端子に電圧を印加させ蛍光体を付着させる。その
ため、印加電圧で発光素子が破壊されないようにマウン
ト・リード１０４及びインナー・リード１０５をタイバ
ー１０６、２０６などが接続され同電位に保持された状
態で蛍光体を付着させることが好ましい。したがって、
蛍光体を付着させた後にタイバーを切断させることによ
り量産性よく個々の発光ダイオードを形成させることが
できる。
ード１０５は平板金属を打ち抜き、マウント・リードの
カップを加圧することで比較的簡単に形成することがで
きる。本発明においては、発光素子１０２が積載された
リード端子に電圧を印加させ蛍光体を付着させる。その
ため、印加電圧で発光素子が破壊されないようにマウン
ト・リード１０４及びインナー・リード１０５をタイバ
ー１０６、２０６などが接続され同電位に保持された状
態で蛍光体を付着させることが好ましい。したがって、
蛍光体を付着させた後にタイバーを切断させることによ
り量産性よく個々の発光ダイオードを形成させることが
できる。
【００３６】（モールド部材１０７）モールド部材１０
７は、発光ダイオードの使用用途に応じて発光素子１０
２、導電性ワイヤ１０３、蛍光体１０１などを外部から
保護するために設けることができる。モールド部材は、
一般には樹脂を用いて形成させることができる。また、
蛍光体を含有させることによって視野角を増やすことが
できるが、樹脂モールドに拡散剤を含有させることによ
って発光素子からの指向性を緩和させ視野角をさらに増
やすことができる。更にまた、モールド部材を所望の形
状にすることによって発光素子からの発光を集束させた
り拡散させたりするレンズ効果を持たせることができ
る。したがって、モールド部材は複数積層した構造でも
よい。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらに
は、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合
わせた物である。モールド部材の具体的材料としては、
主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂な
どの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いら
れる。また、拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化
チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いら
れる。また、屈折率差を考慮してモールド部材と結着剤
とを同じ材質のものを用いて形成させても良い。
７は、発光ダイオードの使用用途に応じて発光素子１０
２、導電性ワイヤ１０３、蛍光体１０１などを外部から
保護するために設けることができる。モールド部材は、
一般には樹脂を用いて形成させることができる。また、
蛍光体を含有させることによって視野角を増やすことが
できるが、樹脂モールドに拡散剤を含有させることによ
って発光素子からの指向性を緩和させ視野角をさらに増
やすことができる。更にまた、モールド部材を所望の形
状にすることによって発光素子からの発光を集束させた
り拡散させたりするレンズ効果を持たせることができ
る。したがって、モールド部材は複数積層した構造でも
よい。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらに
は、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合
わせた物である。モールド部材の具体的材料としては、
主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂な
どの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好適に用いら
れる。また、拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化
チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いら
れる。また、屈折率差を考慮してモールド部材と結着剤
とを同じ材質のものを用いて形成させても良い。
【００３７】（結着剤１０８）本発明に好適に用いられ
る結着剤１０８とは、発光素子１０２上に設けられ発光
素子からの発光波長を変換する蛍光体を好適に保持させ
る樹脂や硝子などである。結着剤の表面は、ＬＥＤチッ
プの形状や厚みに係わらず基体上に一定の平滑面を形成
することができる。そのため、結着剤上には帯電された
蛍光体を均一量付着させることができる。
る結着剤１０８とは、発光素子１０２上に設けられ発光
素子からの発光波長を変換する蛍光体を好適に保持させ
る樹脂や硝子などである。結着剤の表面は、ＬＥＤチッ
プの形状や厚みに係わらず基体上に一定の平滑面を形成
することができる。そのため、結着剤上には帯電された
蛍光体を均一量付着させることができる。
【００３８】結着剤の具体的主材料の一つとしては、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭＳｉＯ3などの透光性無機部材やエ
ポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性
に優れた透光性有機樹脂が好適に用いられる。また、結
着剤では発光素子が配置された基板により発光素子から
放出される高エネルギー光が反射もされるため高密度に
なる。さらに、蛍光体によっても反射散乱される。その
ため結着剤が高密度の高エネルギー光にさらされる場合
がある。なお、結着剤中に、フィルター効果を持つ着色
剤、指向角を増加させる拡散剤や樹脂劣化を低減させる
紫外線吸収剤などを含有させても良い。以下、本発明の
実施例について説明するが、本発明は具体的実施例のみ
に限定されるものではないことは言うまでもない。
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭＳｉＯ3などの透光性無機部材やエ
ポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性
に優れた透光性有機樹脂が好適に用いられる。また、結
着剤では発光素子が配置された基板により発光素子から
放出される高エネルギー光が反射もされるため高密度に
なる。さらに、蛍光体によっても反射散乱される。その
ため結着剤が高密度の高エネルギー光にさらされる場合
がある。なお、結着剤中に、フィルター効果を持つ着色
剤、指向角を増加させる拡散剤や樹脂劣化を低減させる
紫外線吸収剤などを含有させても良い。以下、本発明の
実施例について説明するが、本発明は具体的実施例のみ
に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００３９】
【実施例】（実施例１）発光素子として主発光ピークが
４６０ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体である発光層のＬ
ＥＤチップを用いた。ＬＥＤチップは、洗浄させたサフ
ァイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、Ｔ
ＭＩ（トリメチルインジウム）ガス、窒素ガス及びドー
パントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で
窒化物半導体を成膜させることにより形成させた。ドー
パントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇとを切り替えるこ
とによってｎ型導電性を有する窒化物半導体とｐ型導電
性を有する窒化物半導体を形成しｐｎ接合を形成させ
る。半導体発光素子としては、ｎ型導電性を有する窒化
ガリウム半導体であるコンタクト層と、ｐ型導電性を有
する窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド
層、ｐ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコン
タクト層を形成させた。ｎ型導電性を有するコンタクト
層とｐ型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約３ｎ
ｍであり、単一量子井戸構造とされるアンドープＩｎＧ
ａＮの活性層を形成させた。（なお、サファイア基板上
には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層と
させてある。また、ｐ型不純物を有する半導体は、成膜
後４００℃以上でアニールさせてある。）エッチングに
よりサファイア基板上のｐｎ各半導体表面を露出させた
後、スパッタリングにより各コンタクト層上に電極をそ
れぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハ
をスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発
光素子として３５０μｍ角のＬＥＤチップを形成させ
た。
４６０ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ半導体である発光層のＬ
ＥＤチップを用いた。ＬＥＤチップは、洗浄させたサフ
ァイヤ基板上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、Ｔ
ＭＩ（トリメチルインジウム）ガス、窒素ガス及びドー
パントガスをキャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法で
窒化物半導体を成膜させることにより形成させた。ドー
パントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇとを切り替えるこ
とによってｎ型導電性を有する窒化物半導体とｐ型導電
性を有する窒化物半導体を形成しｐｎ接合を形成させ
る。半導体発光素子としては、ｎ型導電性を有する窒化
ガリウム半導体であるコンタクト層と、ｐ型導電性を有
する窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド
層、ｐ型導電性を有する窒化ガリウム半導体であるコン
タクト層を形成させた。ｎ型導電性を有するコンタクト
層とｐ型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約３ｎ
ｍであり、単一量子井戸構造とされるアンドープＩｎＧ
ａＮの活性層を形成させた。（なお、サファイア基板上
には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッファ層と
させてある。また、ｐ型不純物を有する半導体は、成膜
後４００℃以上でアニールさせてある。）エッチングに
よりサファイア基板上のｐｎ各半導体表面を露出させた
後、スパッタリングにより各コンタクト層上に電極をそ
れぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハ
をスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発
光素子として３５０μｍ角のＬＥＤチップを形成させ
た。
【００４０】一方、金属板の打ち抜きによりタイバーで
接続されたリード端子を加圧してＬＥＤチップが配置さ
れるマウント・リードのカップを形成させた。カップ内
にＬＥＤチップをエポキシ樹脂を用いてマウント固定さ
せてる。導電性ワイヤとして金線をＬＥＤチップの各電
極とマウント・リード及びインナー・リードにそれぞれ
ワイヤボンディングさせ電気的に接続させてある。
接続されたリード端子を加圧してＬＥＤチップが配置さ
れるマウント・リードのカップを形成させた。カップ内
にＬＥＤチップをエポキシ樹脂を用いてマウント固定さ
せてる。導電性ワイヤとして金線をＬＥＤチップの各電
極とマウント・リード及びインナー・リードにそれぞれ
ワイヤボンディングさせ電気的に接続させてある。
【００４１】蛍光体は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素を
化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させた。
これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウ
ムと混合して混合原料を得る。これにフラックスとして
フッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中１４
００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得た。焼成品
を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩
を通して形成させた。こうして（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5
Ｏ12：Ｃｅ蛍光体が形成される。
化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させた。
これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウ
ムと混合して混合原料を得る。これにフラックスとして
フッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中１４
００°Ｃの温度で３時間焼成して焼成品を得た。焼成品
を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩
を通して形成させた。こうして（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5
Ｏ12：Ｃｅ蛍光体が形成される。
【００４２】次に、発光素子が積載されたカップ内にエ
ポキシ樹脂を塗布させて発光素子上が平滑面にとなる結
着剤を配置させた。マウント・リード及びインナー・リ
ードがタイバーで接続された状態で電源の負極に接続さ
せる一方、帯電部となる蛍光体が保持されるローラを電
源の正極と接続させてある。
ポキシ樹脂を塗布させて発光素子上が平滑面にとなる結
着剤を配置させた。マウント・リード及びインナー・リ
ードがタイバーで接続された状態で電源の負極に接続さ
せる一方、帯電部となる蛍光体が保持されるローラを電
源の正極と接続させてある。
【００４３】上述の（Ｙ0.8Ｇｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ
蛍光体を帯電装置内部に入れ撹拌ローラで撹拌させるこ
とにより蛍光体を帯電させることができる。帯電された
蛍光体は静電気により撹拌ローラとは別のローラに付着
し装置外部の表面に露出され帯電部を構成する。この
時、タイバーで接続されたリード端子及び蛍光体が付着
されたローラ間に電圧を印加させると蛍光体が飛翔して
ＬＥＤチップが配置された結着剤上に付着される。
蛍光体を帯電装置内部に入れ撹拌ローラで撹拌させるこ
とにより蛍光体を帯電させることができる。帯電された
蛍光体は静電気により撹拌ローラとは別のローラに付着
し装置外部の表面に露出され帯電部を構成する。この
時、タイバーで接続されたリード端子及び蛍光体が付着
されたローラ間に電圧を印加させると蛍光体が飛翔して
ＬＥＤチップが配置された結着剤上に付着される。
【００４４】さらに、ＬＥＤチップや蛍光体を外部応
力、水分及び塵芥などから保護する目的で蛍光体が積載
されたリード端子を内部が空洞で砲弾型のキャスティン
グケース中に配置させる。キャスティングケース中に透
光性エポシキ樹脂を注型後、１５０℃５時間にて硬化さ
せた。こうして図１の如き発光装置である発光ダイオー
ドを３３４１個形成させた。
力、水分及び塵芥などから保護する目的で蛍光体が積載
されたリード端子を内部が空洞で砲弾型のキャスティン
グケース中に配置させる。キャスティングケース中に透
光性エポシキ樹脂を注型後、１５０℃５時間にて硬化さ
せた。こうして図１の如き発光装置である発光ダイオー
ドを３３４１個形成させた。
【００４５】こうして得られた発光ダイオードに電力を
供給させることによって白色系を発光させることができ
る。ＣＩＥ色度図上のｘ，ｙ＝（０．３０５，０．３１
５）±０．０３で囲まれた範囲内に、３１７４個の各発
光ダイオードが配置されており歩留りは、約９５％であ
った。なお、本発明は砲弾型の発光ダイオードについて
示したがチップタイプＬＥＤにおいても同様に形成でき
ることは言うまでもない。
供給させることによって白色系を発光させることができ
る。ＣＩＥ色度図上のｘ，ｙ＝（０．３０５，０．３１
５）±０．０３で囲まれた範囲内に、３１７４個の各発
光ダイオードが配置されており歩留りは、約９５％であ
った。なお、本発明は砲弾型の発光ダイオードについて
示したがチップタイプＬＥＤにおいても同様に形成でき
ることは言うまでもない。
【００４６】（比較例１）エポキシ樹脂中に（Ｙ0.8Ｇ
ｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体を混合させてノズルか
ら突出させ結着剤を形成させた以外は、実施例１と同様
にして発光ダイオードを形成させた。形成された発光ダ
イオードの断面は、結着剤の端面がはい上がっていると
共に蛍光体の量が不均一であった。こうして形成された
発光ダイオードの色度点を実施例１と同様に測定した。
形成された発光ダイオードの色度点は、発光素子の発光
波長と蛍光体の発光波長を結んだ線上に略位置していた
が実施例と同一の色度範囲では歩留りが約６１％にしか
過ぎなかった。
ｄ0.2）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ蛍光体を混合させてノズルか
ら突出させ結着剤を形成させた以外は、実施例１と同様
にして発光ダイオードを形成させた。形成された発光ダ
イオードの断面は、結着剤の端面がはい上がっていると
共に蛍光体の量が不均一であった。こうして形成された
発光ダイオードの色度点を実施例１と同様に測定した。
形成された発光ダイオードの色度点は、発光素子の発光
波長と蛍光体の発光波長を結んだ線上に略位置していた
が実施例と同一の色度範囲では歩留りが約６１％にしか
過ぎなかった。
【００４７】
【発明の効果】本発明の形成方法によれば、比較的簡単
な構成で量産性よく発光むら、輝度むらや発光ダイオー
ド間のバラツキが少ない発光ダイオードを形成できる。
特に、本発明の請求項１に記載の方法は、量産性よく発
光特性の優れた発光ダイオードを形成することができ
る。
な構成で量産性よく発光むら、輝度むらや発光ダイオー
ド間のバラツキが少ない発光ダイオードを形成できる。
特に、本発明の請求項１に記載の方法は、量産性よく発
光特性の優れた発光ダイオードを形成することができ
る。
【００４８】本発明の請求項２に記載の方法は蛍光体
と、バインダーとして機能する結着剤とを別工程で発光
素子上に配置させる。これにより、バラツキの少ない発
光ダイオードを提供することができる。
と、バインダーとして機能する結着剤とを別工程で発光
素子上に配置させる。これにより、バラツキの少ない発
光ダイオードを提供することができる。
【図１】本発明の発光ダイオードの模式的断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の発光ダイオードを形成させる形成装置
の模式的上面図である。
の模式的上面図である。
【図３】本発明の発光ダイオードを形成させる形成装置
の原理を示した図２のｘｘ断面における模式的断面図で
ある。
の原理を示した図２のｘｘ断面における模式的断面図で
ある。
１０１・・・蛍光体 １０２・・・発光素子 １０３・・・ワイヤ １０４・・・マウント・リード １０５・・・インナー・リード １０６・・・切断されたタイバー １０７・・・モールド部材 １０８・・・結着剤 ２０１、３０１・・・帯電された蛍光体 ２０２・・・発光素子 ２０６・・・タイバー ２０９、３０９・・・電圧印加手段 ２１１・・・帯電部 ３０４・・・発光素子が配置されたリード端子 ３１１・・・帯電部を構成するローラ ３２１・・・撹拌ローラ ３２２・・・ブラシ
Claims (2)
- 【請求項１】 基体上に配された発光素子と、該発光素
子上に発光素子からの発光波長の少なくとも一部を吸収
し蛍光を発する蛍光体を配置してある発光ダイオードの
形成方法であって、 前記基体上に配された発光素子(202)と間隙を介して対
向する帯電部(211)に正又は負に帯電させた蛍光体(201)
を保持する工程と、 前記基体上に配された発光素子(202)と帯電部(211)との
間に電圧を印加し、発光素子側を前記蛍光体の帯電と異
なる負極又は正極にさせることにより、前記蛍光体を発
光素子上に配置させる工程とを有することを特徴とする
発光ダイオードの形成方法。 - 【請求項２】 蛍光体を発光素子上に配置させる前に、
予め前記発光素子の上に結着剤を形成させる工程を有す
る請求項１に記載の発光ダイオードの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3527298A JPH11233832A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 発光ダイオードの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3527298A JPH11233832A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 発光ダイオードの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233832A true JPH11233832A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12437164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3527298A Pending JPH11233832A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 発光ダイオードの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233832A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359404A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体を用いた発光装置 |
| JP2003197976A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| KR100687374B1 (ko) * | 2002-10-02 | 2007-02-27 | 솔리드라이트 코퍼레이션 | 3파장 백색 발광다이오드를 제작하는 방법 |
| US7679101B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-03-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2012527118A (ja) * | 2009-05-15 | 2012-11-01 | ペイチン リン， | 表面に蛍光材料の均一粒子層を形成する方法及び装置 |
| JP2013516074A (ja) * | 2009-12-26 | 2013-05-09 | アクロラックス インコーポレイテッド | 発光波長を変換する均一膜層構造及びその形成方法 |
| JP2015523738A (ja) * | 2012-07-30 | 2015-08-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP3527298A patent/JPH11233832A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7679101B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-03-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2002359404A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体を用いた発光装置 |
| JP2003197976A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| KR100687374B1 (ko) * | 2002-10-02 | 2007-02-27 | 솔리드라이트 코퍼레이션 | 3파장 백색 발광다이오드를 제작하는 방법 |
| JP2012527118A (ja) * | 2009-05-15 | 2012-11-01 | ペイチン リン， | 表面に蛍光材料の均一粒子層を形成する方法及び装置 |
| JP2013516074A (ja) * | 2009-12-26 | 2013-05-09 | アクロラックス インコーポレイテッド | 発光波長を変換する均一膜層構造及びその形成方法 |
| JP2015523738A (ja) * | 2012-07-30 | 2015-08-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
| US9537063B2 (en) | 2012-07-30 | 2017-01-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic component |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050222 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050901 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051101 |