JP5426484B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

半導体発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5426484B2
JP5426484B2 JP2010130332A JP2010130332A JP5426484B2 JP 5426484 B2 JP5426484 B2 JP 5426484B2 JP 2010130332 A JP2010130332 A JP 2010130332A JP 2010130332 A JP2010130332 A JP 2010130332A JP 5426484 B2 JP5426484 B2 JP 5426484B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
resin
emitting device
semiconductor light
wavelength conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010130332A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011258658A (ja
Inventor
具道 中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010130332A priority Critical patent/JP5426484B2/ja
Priority to US13/153,886 priority patent/US20110297985A1/en
Publication of JP2011258658A publication Critical patent/JP2011258658A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5426484B2 publication Critical patent/JP5426484B2/ja
Priority to US14/491,719 priority patent/US9246065B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Description

本発明の実施形態は、導体発光装置の製造方法に関する。
窒化ガリウム(GaN)などのIII族窒化物半導体を用い、高輝度の青色光を発光する半導体発光装置が知られている。そして、青色光を発光する半導体発光装置に波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部を設けることで白色光を出射させる技術が提案されている。 ここで、複数の半導体発光装置を一体的に形成した後、各半導体発光装置を個片化するようにすれば生産性を向上させることができる。しかしながら、蛍光体を含む波長変換部が設けられている場合には、各半導体発光装置を個片化する際に波長変換部から蛍光体が脱離するおそれがある。
特開2006−303154号公報
本発明の実施形態は、波長変換部から蛍光体が脱離することを抑制することができる導体発光装置の製造方法を提供する。
施形態によれば、第1主面と、前記第1主面の反対面である第2主面と、前記第2主面上に形成された第1電極部および第2電極部を有する発光部と、前記第1主面側に設けられた透光部と、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体が混合された樹脂から形成された波長変換部と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、複数の半導体発光装置を一体的に形成する工程と、前記一体的に形成された複数の半導体発光装置を個片化する工程と、を有し、前記複数の半導体発光装置を一体的に形成する工程、基板上に前記発光部を形成する工程と、前記基板から前記発光部を剥離する工程と、前記剥離した発光部上に前記透光部を形成する工程と、前記透光部を覆い、前記個片化する際の切断ラインを含むように前記波長変換部を設ける工程と、を有し、前記透光部を形成する工程において、前記波長変換部の内部における光路長が前記発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるように、前記透光部の形状を変更し、前記波長変換部を設ける工程において、前記発光部上に形成された前記透光部により、前記波長変換部の内部における光路長が前記度ずれが抑制される長さとなるように前記波長変換部の厚み寸法を変化させ、前記波長変換部を設ける工程において、前記樹脂の硬度をショアD硬度で30以上とすることで、前記個片化する際に前記波長変換部に含まれる前記蛍光体が前記樹脂から脱離するのを抑制すること、を特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。
本実施の形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。 発光部の発光特性を例示するための模式図である。 比較例に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。 色度ずれを例示するための模式グラフ図である。 (a)〜(d)は蛍光体の脱離の様子を例示するための模式図である。 本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をするためのフローチャートである。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本実施の形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
図1に示すように、半導体発光装置1には、発光部2、透光部3、波長変換部4、、第1導電部6、第1接続部材7、第2導電部9、第2接続部材10、絶縁部11、封止部12が設けられている。
発光部2は、第1主面M1と、第1主面M1の反対面である第2主面M2と、を有する。また、第2主面M2上に形成された第1電極部5および第2電極部8を有する。
発光部2には、半導体部2a、活性部2b、半導体部2cが設けられている。
半導体部2aは、n形となるようにドープされた半導体(n形半導体)からなるものとすることができる。この場合、n形の窒化物半導体からなるものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、GaN(窒化ガリウム)、AlN(窒化アルミニウム)、AlGaN(窒化アルミニウムガリウム)、InGaN(窒化インジウムガリウム)などを例示することができる。
活性部2bは、半導体部2aと半導体部2cとの間に設けられている。
活性部2bは、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層(クラッド層)と、によって構成された量子井戸構造とすることができる。
この場合、単一量子井戸(SQW;Single Quantum Well)構造としてもよいし、多重量子井戸(MQW;Multiple Quantum Well)構造としてもよい。また、単一量子井戸構造のものを複数積層するようにしてもよい。
例えば、単一量子井戸構造のものとしては、GaN(窒化ガリウム)からなる障壁層、InGaN(窒化インジウムガリウム)からなる井戸層、GaN(窒化ガリウム)からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。
多重量子井戸構造のものとしては、GaN(窒化ガリウム)からなる障壁層、InGaN(窒化インジウムガリウム)からなる井戸層、GaN(窒化ガリウム)からなる障壁層、InGaN(窒化インジウムガリウム)からなる井戸層、GaN(窒化ガリウム)からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。
この場合、前述した半導体部2aを障壁層とすることもできる。
なお、活性部2bは量子井戸構造に限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜選択することができる。
半導体部2cは、p形となるようにドープされた半導体(p形半導体)からなるものとすることができる。この場合、p形の窒化物半導体からなるものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、GaN(窒化ガリウム)、AlN(窒化アルミニウム)、AlGaN(窒化アルミニウムガリウム)、InGaN(窒化インジウムガリウム)などを例示することができる。
発光部2は、例えば、ピークの発光波長が380nm〜530nmの発光ダイオードとすることができる。また、例えば、発光波長の帯域が350nm〜600nmの発光ダイオードとすることもできる。
透光部3は、発光部2の第1主面M1上に形成されている。
透光部3は、発光部2から出射した光を透過させるとともに、色度ずれを抑制する。
発光部2から出射した光を透過させやすいように透光部3の透過率は、例えば、420nm〜720nmの波長領域において90%以上となるようにすることができる。また、透光部3の屈折率は1.2以上、1.9以下となるようにすることができる。
透光部3は、半導体発光装置1を見る方向によって色度が異なるものとなる色度ずれを抑制するために設けられている。すなわち、透光部3を設けることで、波長変換部4の内部における光路長が発光部2の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるようになっている。なお、色度ずれの抑制に関する詳細は後述する。
透光部3を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂、SiO、TiOなどを例示することができる。
この場合、発光部2から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には透光部3を形成する材料が劣化するおそれがある。そのため、透光部3を形成する材料としては、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が1.5程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどを例示することができる。
ただし、例示をしたこれらの材料に限定されるわけではなく適宜変更することができる。この場合、透光部3に設けられた凹状の面3aの開口部分の直径寸法(いわば波長変換部4の寸法)は、発光部2の寸法よりも大きくなるようにすることが好ましい。
波長変換部4は、発光部2の第1主面M1側に設けられ、後述する蛍光体を含有している。波長変換部4は、透光部3を覆うように設けられている。
波長変換部4は、波長変換可能な蛍光体が混合された樹脂から形成されるものとすることができる。
蛍光体は、例えば、粒子状とすることができ、その粒子径を10μm以下とすることができる。
波長変換部4は、440nm以上470nm以下(青色)、500nm以上555nm以下(緑色)、560nm以上580nm以下(黄色)、600nm以上670nm以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体の少なくとも1つ以上を含むものとすることができる。 また、発光波長の帯域が380nm〜720nmの蛍光体を含むものとすることができる。
蛍光体としては、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ゲルマニウム(Ge)、燐(P)、ホウ素(B)、イットリウム(Y)、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素からなる群から選択される少なくとも1種の元素が含まれるものとすることができる。
赤色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
S:Eu、
S:Eu+顔料、
:Eu、
Zn(PO:Mn、
(Zn,Cd)S:Ag+In
(Y,Gd,Eu)BO
(Y,Gd,Eu)
YVO:Eu、
LaS:Eu,Sm、
LaSi:Eu2+
α−sialon:Eu2+
CaAlSiN:Eu2+
CaSiN:Eu2+
CaSiN:Ce2+
Si:Eu2+
CaAlSiN:Eu2+
(SrCa)AlSiN:EuX+
Sr(SiAl(ON):EuX+
緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
ZnS:Cu,Al、
ZnS:Cu,Al+顔料、
(Zn,Cd)S:Cu,Al、
ZnS:Cu,Au,Al,+顔料、
Al12:Tb、
(Al,Ga)12:Tb、
SiO:Tb、
ZnSiO:Mn、
(Zn,Cd)S:Cu、
ZnS:Cu、
ZnSiO:Mn、
ZnS:Cu+ZnSiO:Mn、
GdS:Tb、
(Zn,Cd)S:Ag、
ZnS:Cu,Al、
S:Tb、
ZnS:Cu,Al+In
(Zn,Cd)S:Ag+In
(Zn,Mn)SiO
BaAl1219:Mn、
(Ba,Sr,Mg)O・aAl:Mn、
LaPO:Ce,Tb、
ZnSiO:Mn、
ZnS:Cu、
3(Ba,Mg,Eu,Mn)O・8Al
La・0.2SiO・0.9P:Ce,Tb、
CeMgAl1119:Tb、
CaSc:Ce、
(BrSr)SiO:Eu、
α−sialon:Yb2+
β−sialon:Eu2+
(SrBa)YSi:Eu2+
(CaSr)Si:Eu2+
Sr(SiAl)(ON):Ce
青色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
ZnS:Ag、
ZnS:Ag+顔料、
ZnS:Ag,Al、
ZnS:Ag,Cu,Ga,Cl、
ZnS:Ag+In
ZnS:Zn+In
(Ba,Eu)MgAl1017
(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO)6Cl:Eu、
Sr10(PO)6Cl:Eu、
(Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al1017
10(Sr,Ca,Ba,Eu)・6PO・Cl
BaMgAl1625:Eu
黄色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
Li(Eu,Sm)W
(Y,Gd),(Al,Ga)12:Ce3+
LiSrSiO:Eu2+
(Sr(Ca,Ba))SiO:Eu2+
SrSiON2.7:Eu2+
黄緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄緑色の蛍光を発する蛍光体は、これに限定されない。
SrSiON2.7:Eu2+
蛍光体の混合比率を少なくすると色調が青色に近づき(色温度10000K付近)、蛍光体の混合比率を多くすると色調が黄色に近づく(色温度6500K〜2800K)。なお、混合する蛍光体は1種類である必要はなく、複数種類の蛍光体が混合されるようにしてもよい。例えば、赤色の蛍光を発する蛍光体と、緑色の蛍光を発する蛍光体と、青色の蛍光を発する蛍光体と、黄色の蛍光を発する蛍光体と、黄緑色の蛍光を発する蛍光体と、が混合されるようにしてもよい。また、青味がかった白色光、黄味がかった白色光などのように色味を変えるために複数種類の蛍光体の混合割合を変えるようにすることもできる。
蛍光体が混合される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などを例示することができる。
蛍光体が混合される樹脂の屈折率は蛍光体の屈折率以下とすることが好ましい。また、蛍光体が混合される樹脂の透過率は90%以上とすることが好ましい。
この場合、発光部2から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には波長変換部4を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部4を形成する樹脂としては、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が1.5程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などを例示することができる。
ただし、蛍光体が混合される樹脂としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
ここで、本実施の形態においては、波長変換部4から蛍光体が脱離することを抑制するために波長変換部4の樹脂部分における硬化後の硬度が所定の範囲となるようになっている。例えば、JIS K 6253に準拠したデュロメータタイプD(ショアD)で測定したショアD硬度が10を超えるものとなるようになっている。
この場合、波長変換部4の樹脂部分における硬化後のショアD硬度は、例えば、硬化剤などの添加剤を添加することで制御するようにすることができる。
硬化剤などの添加剤を添加して、樹脂の架橋点を増加させることができれば波長変換部4の樹脂部分における硬化後のショアD硬度を高くすることができる。そのため、硬化剤などの添加剤の種類や添加量などを適宜変更することで、波長変換部4の樹脂部分における硬化後のショアD硬度を制御することができる。
なお、蛍光体の脱離の抑制に関する詳細は後述する。
第1電極部5は、半導体部2aに設けられ、Ni(ニッケル)/Au(金)の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ni(ニッケル)層の厚みを1μm程度、Au(金)層の厚みを1μm程度とすることができる。ただし、第1電極部5の材質や厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第1電極部5の形状は、例えば、円形とすることができる。ただし、第1電極部5の形状は円形に限定されるわけではなく、後述する第1接続部6aの断面形状、大きさなどに応じて適宜変更することができる。
第1導電部6は、凹部12aの底面と封止部12の端面との間を貫通するようにして設けられている。第1導電部6は、例えば、円柱状を呈しCu(銅)などの金属材料からなるものとすることができる。また、第1導電部6には断面積の小さな第1接続部6aが設けられている。そして、第1接続部6aは第1電極部5に設けられ、第1電極部5を介して第1導電部6と半導体部2aとが電気的に接続されている。ただし、第1導電部6、第1接続部6aの形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
第1接続部材7は、封止部12から露出する第1導電部6の一方の端面を覆うようにして設けられている。第1接続部材7は、いわゆるはんだバンプとすることができる。第1接続部材7をはんだバンプとする場合には、第1接続部材7の形状を半球形とし、その材質を表面実装に使用されるはんだ材料とすることができる。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Sn−3.0Ag−0.5Cuはんだ、Sn−0.8Cuはんだ、Sn−3.5Agはんだなどとすることができる。
ただし、第1接続部材7の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置1を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第1接続部材7の形状を薄膜状とし、Ni(ニッケル)/Au(金)の二重層などからなるものとすることができる。
また、第1接続部材7は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置1を実装する方法などに応じて適宜設けるようにすればよい。
第2電極部8は、半導体部2cに設けられ、Ni(ニッケル)/Au(金)の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ni(ニッケル)層の厚みを1μm程度、Au(金)層の厚みを1μm程度とすることができる。ただし、第2電極部8の材質や厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第2電極部8の形状は、例えば、円形とすることができる。ただし、第2電極部8の形状は円形に限定されるわけではなく、後述する第2接続部9aの断面形状、大きさなどに応じて適宜変更することができる。
第2導電部9は、凹部12aの底面と封止部12の端面との間を貫通するようにして設けられている。第2導電部9は、例えば、円柱状を呈しCu(銅)などの金属材料からなるものとすることができる。また、第2導電部9には断面積の小さな第2接続部9aが設けられている。そして、第2接続部9aは第2電極部8に設けられ、第2電極部8を介して第2導電部9と半導体部2cとが電気的に接続されている。ただし、第2導電部9、第2接続部9aの形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
第2接続部材10は、封止部12から露出する第2導電部9の一方の端面を覆うようにして設けられている。第2接続部材10は、いわゆるはんだバンプとすることができる。第2接続部材10をはんだバンプとする場合には、第2接続部材10の形状を半球形とし、その材質を表面実装に使用されるはんだ材料とすることができる。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Sn−3.0Ag−0.5Cuはんだ、Sn−0.8Cuはんだ、Sn−3.5Agはんだなどとすることができる。
ただし、第2接続部材10の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置1を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第2接続部材10の形状を薄膜状とし、Ni(ニッケル)/Au(金)の二重層などからなるものとすることができる。
また、第2接続部材10は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置1を実装する方法などに応じて適宜設けるようにすればよい。
絶縁部11は、封止部12に設けられた凹部12aを埋め込むようにして設けられている。絶縁部11は、絶縁材料から形成されている。例えば、絶縁部11がSiOなどの無機材料や、樹脂などから形成されるものとすることができる。
この場合、発光部2から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には絶縁部11を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、絶縁部11が樹脂から形成される場合には、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が1.5程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどを例示することができる。
封止部12は、第2主面M2側に設けられ、第1導電部6の端部および第2導電部9の端部を露出させつつ第1導電部6および第2導電部9を封止する。
封止部12は、熱硬化性樹脂などから形成されるものとすることができる。封止部12は、発光部2、第1電極部5、第2電極部8をも封止する役割を有している。なお、封止部12と絶縁部11とが一体的に形成されているようにすることもできる。
次に、色度ずれの抑制に関してさらに例示をする。
図2は、発光部2の発光特性を例示するための模式図である。なお、発光特性はモノトーン色の濃淡で表し、青色となる程濃く、黄色となる程淡くなるように表示した。
図2に例示をしたものの場合には、発光部2の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となっている。
この様に発光部2の発光特性に分布があると、半導体発光装置1を見る方向によって色度が異なるものとなる色度ずれが大きくなるおそれがある。
本発明者の得た知見によれば、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて変化させるようにすれば色度ずれを抑制することができる。
以下においては、一例として、発光部2の発光特性が図2に例示をしたものの場合について例示をする。すなわち、発光部2の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となる場合について例示をする。この様な発光特性を有する発光部2としては、例えば、GaN(窒化ガリウム)などの窒化物半導体からなるものを例示することができる。
図3は、比較例に係る半導体発光装置100を例示する模式断面図である。
図3に示すように、半導体発光装置100には、発光部2、波長変換部104、第1電極部5、第1導電部6、第1接続部材7、第2電極部8、第2導電部9、第2接続部材10、絶縁部11、封止部12が設けられている。すなわち、半導体発光装置100は透光部3が形成されていない場合である。
図4は、色度ずれを例示するための模式グラフ図である。
なお、図4は所定の位置から出射し波長変換部を透過した光をシミュレーション分析したものである。図4における横軸は視野角度を表しており、0°は半導体発光装置の正面側から見た場合、90°、−90°は半導体発光装置の側面側から見た場合である。図4における縦軸は色度を表しており、図中の上側になるほど黄色となり、図中の下側になるほど青色となる。また、色度ずれは、視野角度に対する色度の差で表される。そのため、例えば、0°における色度と、90°または−90°における色度との差が小さくなるほど色度ずれが小さいことになる。
図4に示すように、透光部3が形成されていない平板状の波長変換部104とすれば、色度ずれが大きくなることがわかる。
ここで、本発明者の得た知見によれば、波長変換部の内部における光路長が発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有した波長変換部とすれば、色度ずれを抑制することができる。すなわち、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化すれば色度ずれを抑制することができる。
そのため、本実施の形態においては、透光部を設けることで波長変換部が色度ずれを抑制することができる形状となるようにしている。例えば、図1に例示をしたものの場合には、凹状の面3aを有する透光部3を設けることで波長変換部4に凸状の面4aを形成させ、波長変換部4の内部における光路長を発光部2の発光特性に応じて適正化するようにしている。この場合、面4aの曲率半径Rを変化させることで色度ずれの抑制を制御することができる。
なお、透光部を設けることで形成される波長変換部の形状は凸状の形状を有するものに限定されるわけではない。例えば、凸状の形状を有する透光部を設けることで凹状の形状を有する波長変換部を形成させたり、凸状の形状の周縁に平坦面を有する透光部を設けることで凹状の形状の周縁に平坦面を有する波長変換部を形成させたりすることもできる。また、凸状の形状、凹状の形状、平坦面を適宜組み合わせたものであってもよい。また、曲率半径を適宜変化させたものであってもよい。すなわち、波長変換部の内部における光路長が発光部2の発光特性に応じて適正化されるような波長変換部の形状が形成されればよい。
なお、曲率半径を変化させる場合には、凸状の形状の曲率半径を250nm以上とすることが好ましい。また、凹状の形状の曲率半径を200nm以上とすることが好ましい。
また、波長変換部の面内における蛍光体の種類とその割合の分布を変えるようにすれば色度ずれをさらに抑制することができる。例えば、図2に例示をしたもののように、発光部2の周縁になるにしたがい青色となるものの場合には、波長変換部の周縁になるほど黄色の蛍光を発する蛍光体の割合が多くなるようにすることで、波長変換部のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。
次に、蛍光体の脱離の抑制に関してさらに例示をする。
複数の半導体発光装置1を一体的に形成した後、各半導体発光装置1を個片化するようにすれば生産性を向上させることができる。しかしながら、蛍光体を含む波長変換部4が設けられている場合には、各半導体発光装置1を個片化する際に波長変換部4から蛍光体が脱離するおそれがある。
本発明者の得た知見によれば、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度を所定の範囲とすれば、半導体発光装置を個片化する際に波長変換部から蛍光体が脱離することを抑制することができる。
表1は、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度と、蛍光体の脱離との関係を例示するものである。
また、図5は、蛍光体の脱離の様子を例示するための模式図である。
なお、図5は、ブレードダイシング法を用いて半導体発光装置を個片化した際の割断面の様子を例示するものである。この場合、ダイシングブレードの回転数は40000rpmとした。
表1におけるサンプル番号1は、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度がショアA硬度で34(ショアD硬度で10以下)の場合である。
この様な場合には、図5(a)に示すように割断面に凹部110が生じ蛍光体が脱離したことが分かる。
サンプル番号2は、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度がショアD硬度で74の場合である。
サンプル番号3は、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度がショアA硬度で87(ショアD硬度で30)の場合である。
サンプル番号4は、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度がショアD硬度で60〜70の場合である。
すなわち、サンプル番号2〜4は、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度がショアD硬度で10を超えるものの場合である。
この様な場合には、図5(b)〜(d)に示すように割断面に凹部110が生じておらず、蛍光体の脱離を抑制することができることが分かる。
すなわち、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度をショアD硬度で10を超えるものとすれば、蛍光体の脱離を抑制することができる。
また、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度をショアD硬度で30以上とすれば、蛍光体の脱離をさらに抑制することができる。
次に、半導体発光装置1の作用について例示をする。
第1導電部6に電圧が印加されると、第1電極部5を介して半導体部2aに電位が与えられる。また、第2導電部9に電圧が印加されると、第2電極部8を介して半導体部2cに電位が与えられる。そして、半導体部2aと半導体部2cとに電位が与えられると、活性部2bにおいて正孔および電子が再結合して光が発生する。活性部2bから出射した光の一部は、半導体部2a、透光部3を透過して波長変換部4に入射する。波長変換部4に入射した光は蛍光体により波長が変換され波長変換部4から外部に向けて出射される。例えば、活性部2bから出射した青色光と、その光により励起された光(黄色、あるいは、赤色及び緑色)とが混合され、白色光として波長変換部4から外部に向けて出射される。 本実施の形態においては、波長変換部4の内部における光路長を発光部2の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、所定の形状を有する透光部3を設けることで、内部における光路長が発光部2の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような面4aを有した波長変換部4が形成されている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置1を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部4のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。
また、波長変換部4の樹脂部分における硬化後の硬度がショアD硬度で10を超えるものとされているので、半導体発光装置1を個片化する際に波長変換部4から蛍光体が脱離することを抑制することができる。
次に、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をする。
図6は、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をするためのフローチャートである。
なお、複数の半導体発光装置を一体的に形成した後、各半導体発光装置を個片化する場合である。
まず、サファイアなどからなる基板上に所定の形状の半導体部2a、活性部2b、半導体部2cをこの順で積層させる(ステップS1)。
この場合、既知の気相成長法などを用いてこれらの積層を行うようにすることができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、ハイドライド気相成長(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)法、分子線エピタキシャル成長(MBE;Molecular Beam Epitaxy)法などを例示することができる。
次に、半導体部2a上に第1電極部5を形成し、半導体部2c上に第2電極部8を形成する(ステップS2)。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長(PVD:Physical Vapor Deposition)法、各種の化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第1電極部5、第2電極部8を形成するようにすることができる。
次に、この様にして基板上に積層された積層体を覆うようにして所定の形状の絶縁部11を形成する(ステップS3)。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長(PVD:Physical Vapor Deposition)法、各種の化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで絶縁部11を形成するようにすることができる。
次に、絶縁部11を覆うようにして所定の形状の封止部12を形成する(ステップS4)。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長(PVD:Physical Vapor Deposition)法、各種の化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで封止部12を形成するようにすることができる。
次に、第1導電部6、第2導電部9を形成する(ステップS5)。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長(PVD:Physical Vapor Deposition)法、各種の化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第1導電部6、第2導電部9を形成するようにすることができる。
次に、第1導電部6の端面に第1接続部材7を形成し、第2導電部9の端面に第2接続部材10を形成する(ステップS6)。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長(PVD:Physical Vapor Deposition)法、各種の化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、メッキ法などと、リソグラフィ技術などとを組み合わせることで第1接続部材7、第2接続部材10を形成するようにすることができる。
次に、この様にして形成された積層体を基板から剥離させる(ステップS7)。
この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体を基板から剥離させるようにすることができる。
次に、剥離させた積層体を反転させ、半導体部2a上に所定の形状の透光部3を形成する(ステップS8)。
この場合、樹脂などを塗布し、これを成形することで透光部3を形成するようにすることができる。
例えば、ナノインプリント法やモールド法を用いて透光部3を形成するようにすることができる。
ここで、UVナノインプリント法を用いる場合には、成形型を樹脂に押し付けた状態で紫外線が照射され、成形された樹脂を硬化させることで透光部3が形成される。なお、UVナノインプリント法を用いる場合には、成形型は紫外線が透過可能な材料から形成され、樹脂は紫外線硬化性樹脂とされる。
また、モールド法を用いる場合には、成形型を樹脂に押し付けた状態で加熱が行われ、成形された樹脂を硬化させることで透光部3が形成される。なお、モールド法を用いる場合には、成形型などには加熱ヒータなどが設けられ、樹脂は熱硬化性樹脂とされる。
なお、成形型の成形面の形状を変えることで種々の形状を有する透光部を形成することができる。
また、透光部の形成はナノインプリント法やモールド法に限定されるわけではなく適宜変更することができる。
例えば、インクジェット法やディスペンス法などの微少液滴塗布方法などを用いて樹脂などを所定の形状に積層させることで透光部を形成するようにしてもよい。
次に、透光部3を覆うようにして波長変換部4を形成する(ステップS9)。
例えば、透光部3を覆うようにして所定の蛍光体が混合された樹脂を塗布し、平板状に成形した後、これを硬化させることで波長変換部4を形成するようにすることができる。 この場合、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度がショアD硬度で10を超えるようにされている。
例えば、前述したように硬化剤などの添加剤を適宜添加することで硬化後の硬度がショアD硬度で10を超えるものとなるようにされている。
蛍光体が混合された樹脂の塗布と成形には、例えば、スキージ法、スクリーン法やスピン法などの印刷および塗布方法などを用いることができる。
この場合、所定の形状の透光部を設けるようにしているので、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化することができる。
すなわち、波長変換部が形成される工程において、内部における光路長が発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状が波長変換部に形成される。
そのため、色度ずれを抑制することができる。
次に、一体的に形成された複数の半導体発光装置を個片化する(ステップS10)。
この場合、ブレードダイシング法などを用いて半導体発光装置を個片化するようにすることができる。
この場合、波長変換部が切断されることになるが、波長変換部の樹脂部分における硬化後の硬度がショアD硬度で10を超えるものとなるようにされているので、半導体発光装置を個片化する際に蛍光体が波長変換部から脱離することを抑制することができる。
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、半導体発光装置1が備える各要素の形状、寸法、材料、数、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
1 半導体発光装置、2 発光部、2a 半導体部、2b 活性部、2c 半導体部、3 透光部、3a 面、4 波長変換部、4a 面、5 第1電極部、6 第1導電部、7 第1接続部材、8 第2電極部、9 第2導電部、10 第2接続部材、11 絶縁部、12 封止部、M1 第1主面、M2 第2主面

Claims (9)

  1. 第1主面と、前記第1主面の反対面である第2主面と、前記第2主面上に形成された第1電極部および第2電極部を有する発光部と、前記第1主面側に設けられた透光部と、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体が混合された樹脂から形成された波長変換部と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、
    複数の半導体発光装置を一体的に形成する工程と、
    前記一体的に形成された複数の半導体発光装置を個片化する工程と、
    を有し、
    前記複数の半導体発光装置を一体的に形成する工程
    基板上に前記発光部を形成する工程と
    前記基板から前記発光部を剥離する工程と
    前記剥離した発光部上に前記透光部を形成する工程と
    前記透光部を覆い、前記個片化する際の切断ラインを含むように前記波長変換部を設ける工程と、
    を有し、
    前記透光部を形成する工程において、前記波長変換部の内部における光路長が前記発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるように、前記透光部の形状を変更し、
    前記波長変換部を設ける工程において、前記発光部上に形成された前記透光部により、前記波長変換部の内部における光路長が前記度ずれが抑制される長さとなるように前記波長変換部の厚み寸法を変化させ、
    前記波長変換部を設ける工程において、前記樹脂の硬度をショアD硬度で30以上とすることで、前記個片化する際に前記波長変換部に含まれる前記蛍光体が前記樹脂から脱離するのを抑制すること、を特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  2. 前記個片化する工程において、ブレードダイシング法を用いて前記波長変換部を切断すること、を特徴とする請求項1記載の半導体発光装置の製造方法。
  3. 記波長変換部を設ける工程において、前記蛍光体が混合された樹脂を塗布し、平板状に成形した後、これを硬化させること、を特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置の製造方法。
  4. 前記透光部を形成する工程において、ナノインプリント法、モールド法、微少液滴塗布方法からなる群より選ばれた1種を用いて前記透光部が形成されること、を特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
  5. 前記樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種であること、を特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
  6. 前記蛍光体は、380nm以上、720nm以下の発光波長を有し、
    ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ゲルマニウム(Ge)、燐(P)、ホウ素(B)、イットリウム(Y)、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素からなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
  7. 前記波長変換部を設ける工程において、前記波長変換部は、前記発光部の側面を覆うことなく設けられる請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
  8. 前記透光部を形成する工程において、前記発光部の寸法よりも大きな開口部分の直径寸法を有する凹状の面が設けられた前記透光部が形成される請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
  9. 前記波長変換部を設ける工程において、前記発光部の上に、前記透光部を内部に有する外観が平板状の前記波長変換部を形成する請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
JP2010130332A 2010-06-07 2010-06-07 半導体発光装置の製造方法 Active JP5426484B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010130332A JP5426484B2 (ja) 2010-06-07 2010-06-07 半導体発光装置の製造方法
US13/153,886 US20110297985A1 (en) 2010-06-07 2011-06-06 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
US14/491,719 US9246065B2 (en) 2010-06-07 2014-09-19 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010130332A JP5426484B2 (ja) 2010-06-07 2010-06-07 半導体発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011258658A JP2011258658A (ja) 2011-12-22
JP5426484B2 true JP5426484B2 (ja) 2014-02-26

Family

ID=45063793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010130332A Active JP5426484B2 (ja) 2010-06-07 2010-06-07 半導体発光装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20110297985A1 (ja)
JP (1) JP5426484B2 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US9263658B2 (en) * 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US9240524B2 (en) 2012-03-05 2016-01-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP5684751B2 (ja) 2012-03-23 2015-03-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2013211399A (ja) 2012-03-30 2013-10-10 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP5832956B2 (ja) 2012-05-25 2015-12-16 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2014053506A (ja) 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 半導体発光装置及び発光モジュール
KR101367918B1 (ko) 2012-09-24 2014-02-28 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지
JP6118575B2 (ja) * 2013-02-12 2017-04-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6136649B2 (ja) 2013-06-28 2017-05-31 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光装置
JP6608359B2 (ja) * 2013-07-19 2019-11-20 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 基板キャリアを有さず光学素子を有するpcled
TWI677113B (zh) 2014-12-24 2019-11-11 晶元光電股份有限公司 發光元件以及其製造方法
JP6179555B2 (ja) 2015-06-01 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN107464859A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管结构、组件及其制造方法
DE102016116744A1 (de) * 2016-09-07 2018-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
CN109712967B (zh) * 2017-10-25 2020-09-29 隆达电子股份有限公司 一种发光二极管装置及其制造方法
DE102018104778A1 (de) * 2018-03-02 2019-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteilverbund aus optischen Bauteilen, Verfahren zur Herstellung eines Bauteilverbunds und Bauelement mit einem optischen Bauteil
EP3830478A4 (en) * 2018-07-27 2022-06-01 Optomak, Inc. COMPACT HIGH SPECTRAL RADIANCE LIGHT SOURCE INCLUDING PARABOLIC MIRROR AND PLANE-CONVEX FLUORESCENT BODY
KR102341319B1 (ko) * 2020-03-16 2021-12-21 (주) 헥사이노힐 저출력 레이저 치료 요법(lllt)을 위한 일체형 칩온보드 타입의 의료용 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용한 의료용 발광 소자

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3065263B2 (ja) * 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたled表示器
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP3589187B2 (ja) * 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
JP3328647B2 (ja) * 2000-08-22 2002-09-30 サンユレック株式会社 光電子部品の製造方法
MY145695A (en) 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP4360595B2 (ja) * 2002-10-18 2009-11-11 ペルノックス株式会社 光電変換装置
US7397177B2 (en) * 2003-09-25 2008-07-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp and method for manufacturing the same
DE10361801A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4857596B2 (ja) * 2004-06-24 2012-01-18 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法
JP2006303154A (ja) 2005-04-20 2006-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP4325645B2 (ja) * 2006-06-14 2009-09-02 日亜化学工業株式会社 トランスファーモールド用タブレット、その製造方法、発光装置及びその製造方法
JP4991191B2 (ja) 2006-06-30 2012-08-01 株式会社東芝 液滴噴射ヘッド及び液滴噴射装置
JP2008166782A (ja) 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP5043554B2 (ja) * 2007-08-07 2012-10-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2010114218A (ja) 2008-11-05 2010-05-20 Toshiba Corp 発光デバイス
US20100109025A1 (en) 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
JP2010135763A (ja) 2008-11-05 2010-06-17 Toshiba Corp Ledデバイスの製造装置、ledデバイスの製造方法及びledデバイス
JP4799606B2 (ja) 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP2011159767A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Ledパッケージ及びその製造方法
EP2857479B1 (en) * 2010-05-14 2016-08-24 Lightscape Materials Inc. Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20110297985A1 (en) 2011-12-08
US9246065B2 (en) 2016-01-26
US20150044793A1 (en) 2015-02-12
JP2011258658A (ja) 2011-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5426484B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
US9099619B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP6515716B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR102180388B1 (ko) 파장 변환 반도체 발광 디바이스
JP5442666B2 (ja) 発光素子
JP6248431B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP6419077B2 (ja) 波長変換発光デバイス
KR102082499B1 (ko) 반도체 구조를 프로세싱하는 방법
US20070228931A1 (en) White light emitting device
US20150280078A1 (en) White flip chip light emitting diode (fc led) and fabrication method
JP2015191911A (ja) 半導体発光装置
US8722433B2 (en) Method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
JP2013084889A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2011258657A (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP5451534B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2010219377A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
KR102227866B1 (ko) 두꺼운 금속 층들을 갖는 반도체 발광 디바이스
KR20150138479A (ko) 발광 소자 패키지의 제조 방법
US20120235177A1 (en) Semiconductor light emitting device wafer and method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP5562888B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP5455854B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR102463880B1 (ko) 발광소자 패키지
JP6432654B2 (ja) 半導体発光装置
JP7227528B2 (ja) 半導体発光装置
CN102844894A (zh) 形成发光二极管的波长转换层的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120813

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120815

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130530

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130726

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131128

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5426484

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250