JP2011159767A - Ledパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Ledパッケージ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011159767A
JP2011159767A JP2010019769A JP2010019769A JP2011159767A JP 2011159767 A JP2011159767 A JP 2011159767A JP 2010019769 A JP2010019769 A JP 2010019769A JP 2010019769 A JP2010019769 A JP 2010019769A JP 2011159767 A JP2011159767 A JP 2011159767A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
transparent resin
led package
led
package according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010019769A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Watari
元 渡
Tetsuo Komatsu
哲郎 小松
Hiroaki Oshio
博明 押尾
Satoshi Shimizu
聡 清水
Teruo Takeuchi
輝雄 竹内
Kazuhisa Iwashita
和久 岩下
Tatsuro Toyakan
達郎 刀禰館
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010019769A priority Critical patent/JP2011159767A/ja
Priority to US12/868,107 priority patent/US8338845B2/en
Priority to TW099129498A priority patent/TW201126766A/zh
Priority to CN2010102780052A priority patent/CN102142506A/zh
Publication of JP2011159767A publication Critical patent/JP2011159767A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12035Zener diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Abstract

【課題】耐久性が高く、コストが低いLEDパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属材料からなるリードフレームシート上にLEDチップ14を搭載する。次に、リードフレームシート上に、ショアD硬度が25以上の樹脂材料によって形成され、LEDチップ14を埋め込む透明樹脂板を形成する。次に、リードフレームシート及び透明樹脂板におけるダイシング領域に配置された部分をダイシングによって除去する。これにより、リードフレームシートが切り分けられてリードフレーム11及び12となり、透明樹脂板が切り分けられて透明樹脂体17となり、LEDパッケージ1が製造される。
【選択図】図1

Description

本発明は、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)パッケージ及びその製造方法に関する。
従来、LEDチップを搭載するLEDパッケージにおいては、配光性を制御し、LEDパッケージからの光の取出効率を高めることを目的として、白色樹脂からなる椀状の外囲器を設け、外囲器の底面上にLEDチップを搭載し、外囲器の内部に透明樹脂を封入してLEDチップを埋め込んでいた。そして、外囲器は、ポリアミド系の熱可塑性樹脂によって形成されることが多かった(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、近年、LEDパッケージの適用範囲の拡大に伴い、LEDパッケージに対して、より高い耐久性が要求されるようになってきている。一方、LEDチップの高出力化に伴い、LEDチップから放射される光及び熱が増加し、LEDチップを封止する樹脂部分の劣化が進みやすくなっている。また、LEDパッケージの適用範囲の拡大に伴い、より一層のコストの低減が要求されている。
特開2004−274027号公報
本発明の目的は、耐久性が高く、コストが低いLEDパッケージ及びその製造方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、金属材料からなり、同一平面上に配置され、相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続されたLEDチップと、ショアD硬度が25以上の樹脂材料からなり、前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記LEDチップを埋め込み、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた透明樹脂体と、を備えたことを特徴とするLEDパッケージが提供される。
本発明の他の一態様によれば、金属材料からなる導電シートから前記金属材料を選択的に除去することにより、複数の素子領域がマトリクス状に配列され、各前記素子領域においては相互に離隔した第1及び第2のリードフレームを含む基本パターンが形成され、前記素子領域間のダイシング領域においては前記金属材料が隣り合う前記素子領域間をつなぐように残留したリードフレームシートを形成する工程と、前記リードフレームシート上に、前記素子領域毎にLEDチップを搭載すると共に、前記LEDチップの一方の端子を前記第1のリードフレームに接続し、他方の端子を前記第2のリードフレームに接続する工程と、前記リードフレームシート上に、ショアD硬度が25以上の樹脂材料によって形成され、前記リードフレームシートの前記素子領域における上面全体及び下面の一部を覆い、前記LEDチップを埋め込む透明樹脂板を形成する工程と、前記リードフレームシート及び前記透明樹脂板における前記ダイシング領域に配置された部分をダイシングによって除去する工程と、を備えたことを特徴とするLEDパッケージの製造方法が提供される。
本発明によれば、耐久性が高く、コストが低いLEDパッケージ及びその製造方法を実現することができる。
本発明の第1の実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図である。 (a)は、第1の実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図であり、(b)は、リードフレームを例示する平面図である。 第1の実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示するフローチャート図である。 (a)〜(d)は、第1の実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示する工程断面図である。 (a)〜(c)は、第1の実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示する工程断面図である。 (a)及び(b)は、第1の実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示する工程断面図である。 (a)は、第1の実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、(b)は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。 (a)〜(h)は、第1の実施形態の変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図である。 第2の実施形態に係るLEDパッケージを例示する側面図である。 本発明の第3の実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図である。 第3の実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。 本発明の第4の実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図である。 第4の実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。 本発明の第5の実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図である。 第5の実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。 本発明の第6の実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図である。 第6の実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図2(a)は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図であり、(b)は、リードフレームを例示する平面図である。
図1及び図2に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、一対のリードフレーム11及び12が設けられている。リードフレーム11及び12の形状は平板状であり、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム11及び12は同じ金属材料によって形成されている。なお、金属材料には、純金属及び合金が含まれる。また、リードフレーム11及び12は、複数の金属材料から構成されていてもよい。例えば、リードフレーム11及び12は、ある金属材料からなる金属板の表面に、他の金属材料からなる金属めっき層が形成されたものであってもよい。本実施形態においては、リードフレーム11及び12は、銅板の上面及び下面に銀めっき層が形成されて構成されている。なお、リードフレーム11及び12の端面上には銀めっき層は形成されておらず、銅板が露出している。
以下、本明細書においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。リードフレーム11及び12の上面に対して平行な方向のうち、リードフレーム11からリードフレーム12に向かう方向を+X方向とし、リードフレーム11及び12の上面に対して垂直な方向のうち、上方、すなわち、リードフレームから見て後述するLEDチップ14が搭載されている方向を+Z方向とし、+X方向及び+Z方向の双方に対して直交する方向のうち一方を+Y方向とする。なお、+X方向、+Y方向及び+Z方向の反対方向を、それぞれ、−X方向、−Y方向及び−Z方向とする。また、例えば、「+X方向」及び「−X方向」を総称して、単に「X方向」ともいう。
リードフレーム11においては、Z方向から見て矩形のベース部11aが1つ設けられており、このベース部11aから4本の吊ピン11b、11c、11d、11eが延出している。吊ピン11bは、ベース部11aの+Y方向に向いた端縁のX方向中央部から+Y方向に向けて延出している。吊ピン11cは、ベース部11aの−Y方向に向いた端縁のX方向中央部から−Y方向に向けて延出している。このように、吊ピン11b〜11eは、ベース部11aの相互に異なる3辺からそれぞれ延出している。X方向における吊ピン11b及び11cの位置は相互に同一である。吊ピン11d及び11eは、ベース部11aの−X方向に向いた端縁の両端部から−X方向に向けて延出している。
リードフレーム12は、リードフレーム11と比較して、X方向の長さが短く、Y方向の長さは同じである。リードフレーム12においては、Z方向から見て矩形のベース部12aが1つ設けられており、このベース部12aから4本の吊ピン12b、12c、12d、12eが延出している。吊ピン12bは、ベース部12aの+Y方向に向いた端縁の−X方向側の端部から+Y方向に向けて延出している。吊ピン12cは、ベース部12aの−Y方向に向いた端縁の−X方向側の端部から−Y方向に向けて延出している。吊ピン12d及び12eは、ベース部12aの+X方向に向いた端縁の両端部から+X方向に向けて延出している。このように、吊ピン12b〜12eは、ベース部12aの相互に異なる3辺からそれぞれ延出している。リードフレーム11の吊ピン11d及び11eの幅は、リードフレーム12における吊ピン12d及び12eの幅と同一でもよく、異なっていてもよい。但し、吊ピン11d及び11eの幅と吊ピン12d及び12eの幅とを異ならせれば、アノードとカソードの判別が容易になる。
リードフレーム11の下面11fにおけるベース部11aのX方向中央部には、凸部11gが形成されている。このため、リードフレーム11の厚さは2水準の値をとり、ベース部11aのX方向中央部、すなわち、凸部11gが形成されている部分は相対的に厚く、ベース部11aのX方向両端部及び吊ピン11b〜11eは相対的に薄い。図2(b)においては、ベース部11aにおける凸部11gが形成されていない部分を、薄板部11tとして示す。同様に、リードフレーム12の下面12fにおけるベース部12aのX方向中央部には、凸部12gが形成されている。これにより、リードフレーム12の厚さも2水準の値をとし、ベース部12aのX方向中央部は凸部12gが形成されているため相対的に厚く、ベース部12aのX方向両端部及び吊ピン12b〜12eは相対的に薄い。図2(b)においては、ベース部12aにおける凸部12gが形成されていない部分を、薄板部12tとして示す。換言すれば、ベース部11a及び12aのX方向両端部の下面には、それぞれ、ベース部11a及び12aの端縁に沿ってY方向に延びる切欠が形成されている。なお、図2(b)においては、リードフレーム11及び12における相対的に薄い部分、すなわち、各薄板部及び各吊りピンは、破線のハッチングを付して示している。
凸部11g及び12gは、リードフレーム11及び12における相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、これらの端縁を含む領域は、薄板部11t及び12tとなっている。リードフレーム11の上面11hとリードフレーム12の上面12hは同一平面上にあり、リードフレーム11の凸部11gの下面とリードフレーム12の凸部12gの下面は同一平面上にある。Z方向における各吊ピンの上面の位置は、リードフレーム11及び12の上面の位置と一致している。従って、各吊ピンは同一のXY平面上に配置されている。
リードフレーム11の上面11hのうち、ベース部11aに相当する領域の一部には、ダイマウント材13が被着されている。本実施形態においては、ダイマウント材13は導電性であっても絶縁性であってもよい。ダイマウント材13が導電性である場合は、ダイマウント材13は例えば、銀ペースト、半田又は共晶半田等により形成されている。ダイマウント材13が絶縁性である場合は、ダイマウント材13は例えば、透明樹脂ペーストにより形成されている。
ダイマウント材13上には、LEDチップ14が設けられている。すなわち、ダイマウント材がLEDチップ14をリードフレーム11に固着させることにより、LEDチップ14がリードフレーム11に搭載されている。LEDチップ14は、例えば、サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)等からなる半導体層が積層されたものであり、その形状は例えば直方体であり、その上面に端子14a及び14bが設けられている。LEDチップ14は、端子14aと端子14bとの間に電圧が供給されることによって、例えば青色の光を出射する。
LEDチップ14の端子14aにはワイヤ15の一端が接合されている。ワイヤ15は端子14aから+Z方向(直上方向)に引き出され、−X方向と−Z方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ15の他端はリードフレーム11の上面11hに接合されている。これにより、端子14aはワイヤ15を介してリードフレーム11に接続されている。一方、端子14bにはワイヤ16の一端が接合されている。ワイヤ16は端子14bから+Z方向に引き出され、+X方向と−Z方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ16の他端はリードフレーム12の上面12hに接合されている。これにより、端子14bはワイヤ16を介してリードフレーム12に接続されている。ワイヤ15及び16は金属、例えば、金又はアルミニウムによって形成されている。
また、LEDパッケージ1には、透明樹脂体17が設けられている。透明樹脂体17を形成する樹脂材料のショアD硬度は25以上であり、50以上であることが好ましく、80以上であることがより好ましい。透明樹脂体17は、例えば、シリコーン樹脂によって形成されている。なお、「ショアD硬度」とは、JIS(Japanese Industrial Standar:日本工業規格) K 6253のデュロメータ タイプDによって規定されている硬度である。透明樹脂体17の外形は直方体であり、リードフレーム11及び12、ダイマウント材13、LEDチップ14、ワイヤ15及び16を埋め込んでおり、透明樹脂体17の外形がLEDパッケージ1の外形となっている。リードフレーム11の一部及びリードフレーム12の一部は、透明樹脂体17の下面及び側面において露出している。
より詳細には、リードフレーム11の下面11fのうち、凸部11gの下面は透明樹脂体17の下面において露出しており、吊ピン11b〜11eの先端面は透明樹脂体17の側面において露出している。一方、リードフレーム11の上面11hの全体、下面11fのうち凸部11g以外の領域、凸部11gの側面、ベース部11aの端面は、透明樹脂体17によって覆われている。同様に、リードフレーム12の凸部12gの下面は透明樹脂体17の下面において露出しており、吊ピン12b〜12eの先端面は透明樹脂体17の側面において露出しており、上面12hの全体、下面12fのうち凸部12g以外の領域、凸部12gの側面、ベース部12aの端面は、透明樹脂体17によって覆われている。LEDパッケージ1においては、透明樹脂体17の下面において露出した凸部11g及び12gの下面が、外部電極パッドとなる。
透明樹脂体17の内部には、多数の蛍光体18が分散されている。各蛍光体18は粒状であり、LEDチップ14から出射された光を吸収して、より波長が長い光を発光する。例えば、蛍光体18は、LEDチップ14から出射された青色の光の一部を吸収し、黄色の光を発光する。これにより、LEDパッケージ1からは、LEDチップ14が出射し、蛍光体18に吸収されなかった青色の光と、蛍光体18から発光された黄色の光とが出射され、出射光は全体として白色となる。このような蛍光体18としては、例えば、YAG:Ceを使用することができる。なお、図示の便宜上、図1及び図3以降の図においては、蛍光体18を示していない。また、図2においては、蛍光体18を実際よりも大きく且つ少なく示している。
このような蛍光体18としては、例えば、黄緑色、黄色又はオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体を使用することができる。シリケート系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO・aPbAlcBdGeO:yEu2+
但し、0<x、0.005<y<0.5、x+y≦1.6、0≦a、b、c、d<0.5、0<u、0<v、u+v=1である。
また、黄色蛍光体として、YAG系の蛍光体を使用することもできる。YAG系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
(RE1−xSm(AlGa1−y12:Ce
但し、0≦x<1、0≦y≦1、REはY及びGdから選択される少なくとも1種の元素である。
又は、蛍光体18として、サイアロン系の赤色蛍光体及び緑色蛍光体を混合して使用することもできる。
サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
(M1−x,Ra1AlSib1c1d1
但し、MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca及びSrの少なくとも一方であることが望ましい。Rは発光中心元素であり、特にEuが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7である。
このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。
SrSiAlON13:Eu2+
サイアロン系の緑色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
(M1−x,Ra2AlSib2c2d2
但し、MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特にCa及びSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特にEuが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11である。
このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。
SrSi13Al21:Eu2+
次に、本実施形態に係るLEDパッケージの製造方法について説明する。
図3は、本実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図4(a)〜(d)、図5(a)〜(c)、図6(a)及び(b)は、本実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示する工程断面図であり、
図7(a)は、本実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、(b)は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。
先ず、図4(a)に示すように、金属材料からなる導電シート21を用意する。この導電シート21は、例えば、短冊状の銅板21aの上下面に銀めっき層21bが施されたものである。次に、この導電シート21の上下面上に、マスク22a及び22bを形成する。マスク22a及び22bには、選択的に開口部22cが形成されている。マスク22a及び22bは、例えば印刷法によって形成することができる。
次に、マスク22a及び22bが被着された導電シート21をエッチング液に浸漬することにより、導電シート21をウェットエッチングする。これにより、導電シート21のうち、開口部22c内に位置する部分がエッチングされて選択的に除去される。このとき、例えば浸漬時間を調整することによってエッチング量を制御し、導電シート21の上面側及び下面側からのエッチングがそれぞれ単独で導電シート21を貫通する前に、エッチングを停止させる。これにより、上下面側からハーフエッチングを施す。但し、上面側及び下面側の双方からエッチングされた部分は、導電シート21を貫通するようにする。その後、マスク22a及び22bを除去する。
これにより、図3及び図4(b)に示すように、導電シート21から銅板21a及び銀めっき層21bが選択的に除去されて、リードフレームシート23が形成される。なお、図示の便宜上、図4(b)以降の図においては、銅板21a及び銀めっき層21bを区別せずに、リードフレームシート23として一体的に図示する。図7(a)に示すように、リードフレームシート23においては、例えば3つのブロックBが設定されており、各ブロックBには例えば1000個程度の素子領域Pが設定されている。図7(b)に示すように、素子領域Pはマトリクス状に配列されており、素子領域P間は格子状のダイシング領域Dとなっている。各素子領域Pにおいては、相互に離隔したリードフレーム11及び12を含む基本パターンが形成されている。ダイシング領域Dにおいては、導電シート21を形成していた金属材料が、隣り合う素子領域P間をつなぐように残留している。
すなわち、素子領域P内においては、リードフレーム11とリードフレーム12とは相互に離隔しているが、ある素子領域Pに属するリードフレーム11は、この素子領域Pから見て−X方向に位置する隣の素子領域Pに属するリードフレーム12に連結されており、両フレームの間には、+X方向に向いた凸字状の開口部23aが形成されている。また、Y方向において隣り合う素子領域Pに属するリードフレーム11同士は、ブリッジ23bを介して連結されている。同様に、Y方向において隣り合う素子領域Pに属するリードフレーム12同士は、ブリッジ23cを介して連結されている。これにより、リードフレーム11及び12のベース部11a及び12aから、3方向に向けて4本の導電部材が延出している。更に、リードフレームシート23の下面側からのエッチングをハーフエッチングとすることにより、リードフレーム11及び12の下面にそれぞれ凸部11g及び12g(図2参照)が形成される。
次に、図3及び図4(c)に示すように、リードフレームシート23の下面に、例えばポリイミドからなる補強テープ24を貼付する。そして、リードフレームシート23の各素子領域Pに属するリードフレーム11上に、ダイマウント材13を被着させる。例えば、ペースト状のダイマウント材13を、吐出器からリードフレーム11上に吐出させるか、機械的な手段によりリードフレーム11上に転写する。次に、ダイマウント材13上にLEDチップ14をマウントする。次に、ダイマウント材13を焼結するための熱処理(マウントキュア)を行う。これにより、リードフレームシート23の各素子領域Pにおいて、リードフレーム11上にダイマウント材13を介してLEDチップ14が搭載される。
次に、図3及び図4(d)に示すように、例えば超音波接合により、ワイヤ15の一端をLEDチップ14の端子14aに接合し、他端をリードフレーム11の上面に接合する。また、ワイヤ16の一端をLEDチップ14の端子14bに接合し、他端をリードフレーム12の上面12hに接合する。これにより、端子14aがワイヤ15を介してリードフレーム11に接続され、端子14bがワイヤ16を介してリードフレーム12に接続される。
次に、図3及び図5(a)に示すように、下金型101を用意する。下金型101は後述する上金型102と共に一組の金型を構成するものであり、下金型101の上面には、直方体形状の凹部101aが形成されている。一方、透明な樹脂材料に蛍光体18(図2参照)を混合し、撹拌することにより、液状又は半液状の蛍光体含有樹脂材料26を調製する。このとき、樹脂材料には、硬化後にショアD硬度が25以上となる材料を使用する。好ましくは、ショアD硬度が50以上、より好ましくは、ショアD硬度が80以上となる材料を使用する。例えば、樹脂材料としてシリコーン樹脂を使用する。そして、ディスペンサ103により、下金型101の凹部101a内に、蛍光体含有樹脂材料26を供給する。
次に、図3及び図5(b)に示すように、上述のLEDチップ14を搭載したリードフレームシート23を、LEDチップ14が下方に向くように、上金型102の下面に装着する。そして、上金型102を下金型101に押し付け、金型を型締めする。これにより、リードフレームシート23が蛍光体含有樹脂材料26に押し付けられる。このとき、蛍光体含有樹脂材料26はLEDチップ14、ワイヤ15及び16を覆い、リードフレームシート23におけるエッチングによって除去された部分内にも侵入する。このようにして、蛍光体含有樹脂材料26がモールドされる。
次に、図3及び図5(c)に示すように、蛍光体含有樹脂材料26にリードフレームシート23の上面を押し付けた状態で熱処理(モールドキュア)を行い、蛍光体含有樹脂材料26を硬化させる。その後、図6(a)に示すように、上金型102を下金型101から引き離す。これにより、リードフレームシート23上に、リードフレームシート23の上面全体及び下面の一部を覆い、LEDチップ14等を埋め込む透明樹脂板29が形成される。硬化後の透明樹脂板29のショアD硬度は25以上となる。透明樹脂板29には、蛍光体18(図2参照)が分散されている。
次に、図3及び図6(b)に示すように、リードフレームシート23から補強テープ24を引き剥がす。これにより、透明樹脂板29の表面においてリードフレーム11及び12の凸部11g及び12g(図2参照)の下面が露出する。次に、ブレード104により、リードフレームシート23及び透明樹脂板29からなる結合体を、リードフレームシート23側からダイシングする。すなわち、−Z方向側から+Z方向に向けてダイシングする。これにより、リードフレームシート23及び透明樹脂板29におけるダイシング領域Dに配置された部分が除去される。この結果、リードフレームシート23及び透明樹脂板29における素子領域Pに配置された部分が個片化され、図1及び図2に示すLEDパッケージ1が製造される。
ダイシング後の各LEDパッケージ1においては、リードフレームシート23からリードフレーム11及び12が分離される。また、透明樹脂板29が分断されて、透明樹脂体17となる。そして、ダイシング領域DにおけるY方向に延びる部分が、リードフレームシート23の開口部23aを通過することにより、リードフレーム11及び12にそれぞれ吊ピン11d、11e、12d、12eが形成される。また、ブリッジ23bが分断されることにより、リードフレーム11に吊ピン11b及び11cが形成され、ブリッジ23cが分断されることにより、リードフレーム12に吊ピン12b及び12cが形成される。吊ピン11b〜11e及び12b〜12eの先端面は、透明樹脂体17の側面において露出する。
次に、図3に示すように、LEDパッケージ1について、各種のテストを行う。このとき、吊ピン11b〜11e及び12b〜12eの先端面をテスト用の端子として使用することも可能である。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、図6(b)に示すダイシング工程において、ブレード104により、リードフレームシート23及び透明樹脂板29からなる結合体をダイシングしている。このとき、相対的に硬い金属材料からなるリードフレームシート23と、相対的に柔らかい樹脂材料からなる透明樹脂板29とを一括してダイシングしているため、一般にはダイシング条件の設定が困難である。
すなわち、相対的に硬い金属材料に合わせてダイシング条件を最適化すると、相対的に柔らかい樹脂材料を切断したときにダイシング面が粗くなる。一方、相対的に柔らかい樹脂材料に合わせてダイシング条件を最適化すると、相対的に硬い金属材料を切断したときにバリが発生しやすくなると共に、ブレードの磨耗が顕著になる。樹脂材料のダイシング面、すなわち、透明樹脂体17の側面の表面粗さが大きくなると、LEDパッケージの光学特性が低下すると共に、透明樹脂体17とリードフレーム11及び12とが剥離しやすくなり、耐久性及び信頼性が低下する。また、金属材料のダイシング面、すなわち、リードフレーム11及び12の端面にバリが発生すると、LEDパッケージの実装性が低下する。更に、ブレードの磨耗が顕著になると、加工コストが増加し、ひいてはLEDパッケージのコストが増加する。
このため、本実施形態においては、透明樹脂板29を形成する樹脂材料として、ショアD硬度が25以上の比較的硬い樹脂材料を使用する。これにより、樹脂材料と金属材料との硬度差が小さくなり、ダイシングが容易になる。この結果、透明樹脂体17の側面が平滑であり、リードフレーム11及び12の端面のバリが少ないため、品質が良好であり、耐久性及び信頼性が高いLEDパッケージを製造することができる。また、ブレードの磨耗を抑えることができるため、低いコストでLEDパッケージを製造することができる。
以下、この効果を具体的に説明する。
透明樹脂板29を形成する樹脂材料として、硬度が相互に異なる複数の種類の樹脂材料を用意し、上述の方法により、リードフレームシート23及び透明樹脂板29からなる結合体を作製した。そして、この結合体をダイシングした。このとき、ダイシング条件はリードフレームシート23に合わせて調整した。ダイシング後、透明樹脂板29のダイシング面を光学顕微鏡によって観察し、表面粗さを評価した。評価結果を表1に示す。表1に示す「△」は、実用上問題のないぎりぎりの表面粗さを表し、「○」は実用上十分な平滑性を実現する表面粗さを表し、「◎」は特に平滑な表面粗さを表す。
Figure 2011159767
表1に示すように、樹脂材料のショアD硬度が高いほど、透明樹脂板29のダイシング面は平滑になった。換言すれば、透明樹脂板29のダイシング面において、実用上問題がない一定水準以上の平滑性を実現しようとするとき、樹脂材料のショアD硬度が高いほど、ダイシング条件の制約が緩くなる。表1に示す実験結果より、透明樹脂板29を形成する樹脂材料のショアD硬度は、25以上であることが必要であり、50以上であることが好ましく、80以上であることがより好ましいことがわかる。
また、本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、透明樹脂体17をシリコーン樹脂によって形成している。シリコーン樹脂は光及び熱に対する耐久性が高いため、これによっても、LEDパッケージ1の耐久性が向上する。
更に、本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、白色樹脂からなる外囲器が設けられていないため、外囲器がLEDチップ14から生じる光及び熱を吸収して劣化することがない。特に、外囲器がポリアミド系の熱可塑性樹脂によって形成されている場合は劣化が進行しやすいが、本実施形態においてはその虞がない。このため、本実施形態に係るLEDパッケージ1は、耐久性が高い。従って、本実施形態に係るLEDパッケージ1は寿命が長く、信頼性が高く、幅広い用途に適用可能である。
更にまた、本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、透明樹脂体17の側面を覆う外囲器が設けられていないため、広い角度に向けて光が出射される。このため、本実施形態に係るLEDパッケージ1は、広い角度で光を出射する必要がある用途、例えば、照明及び液晶テレビのバックライトとして使用する際に有利である。
更にまた、本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、透明樹脂体17がリードフレーム11及び12の下面の一部及び端面の大部分を覆うことにより、リードフレーム11及び12の周辺部を保持している。このため、リードフレーム11及び12の凸部11g及び12gの下面を透明樹脂体17から露出させて外部電極パッドを実現しつつ、リードフレーム11及び12の保持性を高めることができる。すなわち、ベース部11a及び12aのX方向中央部に凸部11g及び12gを形成することによって、ベース部11a及び12aの下面のX方向の両端部に切欠を実現する。そして、この切欠内に透明樹脂体17が回り込むことによって、リードフレーム11及び12を強固に保持することができる。これにより、ダイシングの際に、リードフレーム11及び12が透明樹脂体17から剥離しにくくなり、LEDパッケージ1の歩留まりを向上させることができる。
更にまた、本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、リードフレーム11及び12の上面及び下面に銀めっき層が形成されている。銀めっき層は光の反射率が高いため、本実施形態に係るLEDパッケージ1は光の取出効率が高い。
更にまた、本実施形態においては、1枚の導電性シート21から、多数、例えば、数千個程度のLEDパッケージ1を一括して製造することができる。これにより、LEDパッケージ1個当たりの製造コストを低減することができる。また、外囲器が設けられていないため、部品点数及び工程数が少なく、コストが低い。
更にまた、本実施形態においては、リードフレームシート23をウェットエッチングによって形成している。このため、新たなレイアウトのLEDパッケージを製造する際には、マスクの原版のみを用意すればよく、金型によるプレス等の方法によってリードフレームシート23を形成する場合と比較して、初期コストを低く抑えることができる。
更にまた、本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、リードフレーム11及び12のベース部11a及び12aから、それぞれ吊ピンが延出している。これにより、ベース部自体が透明樹脂体17の側面において露出することを防止し、リードフレーム11及び12の露出面積を低減することができる。この結果、リードフレーム11及び12が透明樹脂体17から剥離することを防止できる。また、リードフレーム11及び12の腐食も抑制できる。
この効果を製造方法の点から見ると、図7(b)に示すように、リードフレームシート23において、ダイシング領域Dに介在するように、開口部23a、ブリッジ23b及び23cを設けることにより、ダイシング領域Dに介在する金属部分を減らしている。これにより、ダイシングが容易になり、ダイシングブレードの磨耗を抑えることができる。また、本実施形態においては、リードフレーム11及び12のそれぞれから、3方向に4本の吊ピンが延出している。これにより、図4(c)に示すLEDチップ14のマウント工程において、リードフレーム11が隣の素子領域Pのリードフレーム11及び12によって3方向から確実に支持されるため、マウント性が高い。同様に、図4(d)に示すワイヤボンディング工程においても、ワイヤの接合位置が3方向から確実に支持されるため、例えば超音波接合の際に印加した超音波が逃げることが少なく、ワイヤをリードフレーム及びLEDチップに良好に接合することができる。
更にまた、本実施形態においては、図6(b)に示すダイシング工程において、リードフレームシート23側からダイシングを行っている。これにより、リードフレーム11及び12の切断端部を形成する金属材料が、透明樹脂体17の側面上を+Z方向に延伸する。このため、この金属材料が透明樹脂体17の側面上を−Z方向に延伸してLEDパッケージ1の下面から突出し、バリが発生することがない。従って、LEDパッケージ1を実装する際に、バリに起因して実装不良となることがない。
次に、本実施形態の変形例について説明する。
本変形例は、リードフレームシートの形成方法の変形例である。
すなわち、本変形例においては、図4(a)に示すリードフレームシートの形成方法が、前述の第1の実施形態と異なっている。
図8(a)〜(h)は、本変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。
先ず、図8(a)に示すように、銅板21aを用意し、これを洗浄する。次に、図8(b)に示すように、銅板21aの両面に対してレジストコーティングを施し、その後乾燥させて、レジスト膜111を形成する。次に、図8(c)に示すように、レジスト膜111上にマスクパターン112を配置し、紫外線を照射して露光する。これにより、レジスト膜111の露光部分が硬化し、レジストマスク111aが形成される。次に、図8(d)に示すように、現像を行い、レジスト膜111における硬化していない部分を洗い流す。これにより、銅板21aの上下面上にレジストパターン111aが残留する。次に、図8(e)に示すように、レジストパターン111aをマスクとしてエッチングを施し、銅板21aにおける露出部分を両面から除去する。このとき、エッチング深さは、銅板21aの板厚の半分程度とする。これにより、片面側からのみエッチングされた領域はハーフエッチングされ、両面側からエッチングされた領域は貫通する。次に、図8(f)に示すように、レジストパターン111aを除去する。次に、図8(g)に示すように、銅板21aの端部をマスク113によって覆い、めっきを施す。これにより、銅板21の端部以外の部分の表面上に、銀めっき層21bが形成される。次に、図8(h)に示すように、洗浄してマスク113を除去する。その後、検査を行う。このようにして、リードフレームシート23が作製される。本変形例における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図9は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図10は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する側面図である。
図9及び図10に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ2においては、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)と比較して、リードフレーム11(図1参照)がX方向において2枚のリードフレーム31及び32に分割されている点が異なっている。リードフレーム32はリードフレーム31とリードフレーム12との間に配置されている。そして、リードフレーム31には、リードフレーム11の吊ピン11d及び11e(図1参照)に相当する吊ピン31d及び31eが形成されており、また、ベース部31aから+Y方向及び−Y方向にそれぞれ延出した吊ピン31b及び31cが形成されている。吊ピン31b及び31cのX方向における位置は、相互に同一である。更に、リードフレーム31にはワイヤ15が接合されている。一方、リードフレーム32には、リードフレーム11の吊ピン11b及び11c(図1参照)に相当する吊ピン32b及び32cが形成されており、ダイマウント材13を介してLEDチップ14が搭載されている。また、リードフレーム11の凸部11gに相当する凸部は、凸部31g及び32gとしてリードフレーム31及び32に分割して形成されている。
本実施形態においては、リードフレーム31及び12は外部から電位が印加されることにより、外部電極として機能する。一方、リードフレーム32には電位を印加する必要はなく、ヒートシンク専用のリードフレームとして使用することができる。これにより、1つのモジュールに複数個のLEDパッケージ2を搭載する場合に、リードフレーム32を共通のヒートシンクに接続することができる。なお、リードフレーム32には、接地電位を印加してもよく、浮遊状態としてもよい。また、LEDパッケージ2をマザーボードに実装する際に、リードフレーム31、32及び12にそれぞれ半田ボールを接合することにより、所謂マンハッタン現象を抑制することができる。マンハッタン現象とは、複数個の半田ボール等を介して基板にデバイス等を実装するときに、リフロー炉における半田ボールの融解のタイミングのずれ及び半田の表面張力に起因して、デバイスが起立してしまう現象をいい、実装不良の原因となる現象である。本実施形態によれば、リードフレームのレイアウトをX方向において対称とし、半田ボールをX方向において密に配置することにより、マンハッタン現象が生じにくくなる。
また、本実施形態においては、リードフレーム31が吊ピン31b〜31eによって3方向から支持されているため、ワイヤ15のボンディング性が良好である。同様に、リードフレーム12が吊ピン12b〜12eによって3方向から支持されているため、ワイヤ16のボンディング性が良好である。
このようなLEDパッケージ2は、前述の図4(a)に示す工程において、リードフレームシート23の各素子領域Pの基本パターンを変更することにより、前述の第1の実施形態と同様な方法で製造することができる。すなわち、前述の第1の実施形態において説明した製造方法によれば、マスク22a及び22bのパターンを変更するだけで、種々のレイアウトのLEDパッケージを製造することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図11は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図12は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
図11及び図12に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ3においては、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)の構成に加えて、ツェナーダイオードチップ36等が設けられており、リードフレーム11とリードフレーム12との間に接続されている。すなわち、リードフレーム12の上面上に半田又は銀ペースト等の導電性材料からなるダイマウント材37が被着されており、その上にツェナーダイオードチップ36が設けられている。これにより、ツェナーダイオードチップ36がダイマウント材37を介してリードフレーム12上に搭載されると共に、ツェナーダイオードチップ36の下面端子(図示せず)が、ダイマウント材37を介してリードフレーム12に接続されている。また、ツェナーダイオードチップ36の上面端子36aは、ワイヤ38を介してリードフレーム11に接続されている。すなわち、ワイヤ38の一端はツェナーダイオードチップ36の上面端子36aに接続されており、ワイヤ38は上面端子36aから+Z方向に引き出され、−Z方向と−X方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ38の他端はリードフレーム11の上面に接合されている。
これにより、本実施形態においては、ツェナーダイオードチップ36をLEDチップ14に対して並列に接続することができる。この結果、ESD(Electrostatic Discharge:静電気放電)に対する耐性が向上する。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図13は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図14は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
図13及び図14に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ4は、前述の第3の実施形態に係るLEDパッケージ3(図11参照)と比較して、ツェナーダイオードチップ36がリードフレーム11に搭載されている点が異なっている。この場合、ツェナーダイオードチップ36の下面端子はダイマウント材37を介してリードフレーム11に接続されており、上面端子はワイヤ38を介してリードフレーム12に接続されている。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第3の実施形態と同様である。
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。
図15は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図16は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
図15及び図16に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ5は、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)と比較して、上面端子型のLEDチップ14の代わりに、上下導通タイプのLEDチップ41が設けられている点が異なっている。すなわち、本実施形態に係るLEDパッケージ5においては、リードフレーム11の上面上に、半田又は銀ペースト等の導電性材料からなるダイマウント材42が形成されており、ダイマウント材42を介してLEDチップ41が搭載されている。そして、LEDチップ41の下面端子(図示せず)はダイマウント材42を介してリードフレーム11に接続されている。一方、LEDチップ41の上面端子41aは、ワイヤ43を介してリードフレーム12に接続されている。
本実施形態においては、上下導通タイプのLEDチップ41を採用し、ワイヤの本数を1本とすることにより、ワイヤ同士の接触を確実に防止すると共に、ワイヤボンディング工程を簡略化することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
次に、本発明の第6の実施形態について説明する。
図17は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する斜視図であり、
図18は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する断面図である。
図17及び図18に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ6は、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)と比較して、上面端子型のLEDチップ14の代わりに、フリップタイプのLEDチップ46が設けられている点が異なっている。すなわち、本実施形態に係るLEDパッケージ6においては、LEDチップ46の下面に2つの端子が設けられている。また、LEDチップ46はリードフレーム11とリードフレーム12とを跨ぐようにブリッジ状に配置されている。LEDチップ46の一方の下面端子はリードフレーム11に接続されており、他方の下面端子はリードフレーム12に接続されている。
本実施形態においては、フリップタイプのLEDチップ46を採用してワイヤをなくすことにより、上方への光の取出効率を高めると共に、ワイヤボンディング工程を省略することができる。また、透明樹脂体17の熱応力に起因してワイヤが破断することも防止できる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。また、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
例えば、前述の第1の実施形態においては、リードフレームシート23をウェットエッチングによって形成する例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えばプレス等の機械的な手段によって形成してもよい。また、前述の各実施形態においては、1つのLEDパッケージに1個のLEDチップを搭載する例を示したが、本発明はこれに限定されず、1つのLEDパッケージに複数個のLEDチップを搭載してもよい。更に、リードフレームの上面におけるダイマウント材を形成する予定の領域とワイヤを接合する予定の領域との間に、溝を形成してもよい。又は、リードフレームの上面におけるダイマウント材を形成する予定の領域に凹部を形成してもよい。これにより、ダイマウント材の供給量又は供給位置がばらついても、ダイマウント材がワイヤの接合予定領域まで流出することを防止でき、ワイヤの接合が阻害されることを防止できる。
更にまた、前述の第1の実施形態においては、リードフレームにおいて、銅板の上下面上に銀めっき層が形成されている例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、銅板の上下面上に銀めっき層が形成され、少なくとも一方の銀めっき層上にロジウム(Rh)めっき層が形成されていてもよい。また、銅板と銀めっき層との間に銅(Cu)めっき層が形成されていてもよい。更に、銅板の上下面上にニッケル(Ni)めっき層が形成されており、ニッケルめっき層上に金と銀との合金(Au−Ag合金)めっき層が形成されていてもよい。
更にまた、前述の各実施形態においては、LEDチップを青色の光を出射するチップとし、蛍光体を青色に光を吸収して黄色の光を発光する蛍光体とし、LEDパッケージから出射される光の色を白色とする例を示したが、本発明はこれに限定されない。LEDチップは青色以外の色の可視光を出射するものであってもよく、紫外線又は赤外線を出射するものであってもよい。蛍光体も、黄色光を発光する蛍光体には限定されず、例えば、青色光、緑色光又は赤色光を発光する蛍光体であってもよい。
青色光を発光する蛍光体としては、例えば以下のものを挙げることができる。
(RE1−xSm(AlGa1−y12:Ce
但し、0≦x<1、0≦y≦1であり、REは、Y及びGdから選択される少なくとも1種である。
ZnS:Ag
ZnS:Ag+Pigment
ZnS:Ag,Al
ZnS:Ag,Cu,Ga,Cl
ZnS:Ag+In
ZnS:Zn+In
(Ba,Eu)MgAl1017
(Sr,Ca,Ba,Mg)10(POCl:Eu
Sr10(POl2:Eu
(Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al1017
10(Sr,Ca,Ba,Eu)・6PO・Cl
BaMgAl1625:Eu
緑色光を発光する蛍光体としては、前述のサイアロン系の緑色蛍光体の他に、例えば以下のものを挙げることができる。
ZnS:Cu,Al
ZnS:Cu,Al+Pigment
(Zn,Cd)S:Cu,Al
ZnS:Cu,Au,Al,+Pigment
Al12:Tb
(Al,Ga)12:Tb
SiO:Tb
ZnSiO:Mn
(Zn,Cd)S:Cu
ZnS:Cu
ZnSiO:Mn
ZnS:Cu+ZnSiO:Mn
sGdS:Tb
(Zn,Cd)S:Ag
ZnS:Cu,Al
S:Tb
ZnS:Cu,Al+In
(Zn,Cd)S:Ag+In
(Zn,Mn)SiO
BaAl1219:Mn
(Ba,Sr,Mg)O・aAl:Mn
LaPO:Ce,Tb
ZnSiO:Mn
ZnS:Cu
3(Ba,Mg,Eu,Mn)O・8Al
La・0.2SiO・0.9P:Ce,Tb
CeMgAl1119:Tb
赤色光を発光する蛍光体としては、前述のサイアロン系の赤色蛍光体の他に、例えば次のものを用いることができる。
CaAlSiN:Eu2+
S:Eu
S:Eu+Pigment
:Eu
Zn(PO:Mn
(Zn,Cd)S:Ag+In
(Y,Gd,Eu)BO
(Y,Gd,Eu)
YVO:Eu
LaS:Eu,Sm
黄色光を発光する蛍光体としては、前述のシリケート系の蛍光体の他に、例えば、一般式:MeSi12−(m+n)Al(m+n)16−n:Re1Re2(但し、式中のx,y,z,m及びnは係数である)で表され、アルファサイアロンに固溶する金属Me(MeはCa及びYのうち1種又は2種)の一部又は全てが、発光の中心となるランタニド金属Re1(Re1は、Pr、Eu、Tb、Yb及びErのうち1種以上)又は2種類のランタニド金属Re1及び共付活剤としてのRe2(Re2はDy)で置換された蛍光体を使用することができる。
また、LEDパッケージ全体が出射する光の色も、白色には限定されない。上述のような赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体について、それらの重量比R:G:Bを調節することにより、任意の色調を実現できる。例えば、白色電球色から白色蛍光灯色までの白色発光は、R:G:B重量比が、1:1:1〜7:1:1及び1:1:1〜1:3:1及び1:1:1〜1:1:3のいずれかとすることで実現できる。
更に、LEDパッケージには、蛍光体が設けられていなくてもよい。この場合は、LEDチップから出射された光が、LEDパッケージから出射される。
1、2、3、4、5、6 LEDパッケージ、11 リードフレーム、11a ベース部、11b〜11e 吊ピン、11f 下面、11g 凸部、11h 上面、11t 薄板部、12 リードフレーム、12a ベース部、12b〜12e 吊ピン、12f 下面、12g 凸部、12h 上面、12t 薄板部、13 ダイマウント材、14 LEDチップ、14a、14b 端子、15、16 ワイヤ、17 透明樹脂体、17a〜17d 側面、18 蛍光体、21 導電シート、21a 銅板、21b 銀めっき層、22a、22b マスク、22c 開口部、23 リードフレームシート、23a 開口部、23b、23c ブリッジ、24 補強テープ、26 蛍光体含有樹脂材料、29 透明樹脂板、31 リードフレーム、31d、31e 吊ピン、31g 凸部、32 リードフレーム、32b、32c 吊ピン、32g 凸部、36 ツェナーダイオードチップ、36a 上面端子、37 ダイマウント材、38 ワイヤ、41 LEDチップ、41a 上面端子、42 ダイマウント材、43 ワイヤ、46 LEDチップ、101 下金型、101a 凹部、102 上金型、103 ディスペンサ、104 ブレード、111 レジスト膜、111a レジストマスク、112 マスクパターン、113 マスク、B ブロック、D ダイシング領域、P 素子領域

Claims (15)

  1. 金属材料からなり、同一平面上に配置され、相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、
    前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続されたLEDチップと、
    ショアD硬度が25以上の樹脂材料からなり、前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記LEDチップを埋め込み、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた透明樹脂体と、
    を備えたことを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 前記樹脂材料のショアD硬度が50以上であることを特徴とする請求項1記載のLEDパッケージ。
  3. 前記樹脂材料のショアD硬度が80以上であることを特徴とする請求項2記載のLEDパッケージ。
  4. 前記樹脂材料がシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  5. 前記第1のリードフレームの下面及び前記第2のリードフレームの下面にはそれぞれ凸部が形成されており、
    前記凸部の下面は前記透明樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記透明樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  6. 前記凸部は、前記第1及び第2のリードフレームにおける相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されていることを特徴とする請求項5記載のLEDパッケージ。
  7. 前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
    ベース部と、
    前記ベース部から相互に異なる方向に延出し、その下面が前記透明樹脂体によって覆われ、その先端面が前記透明樹脂体の側面に露出した3本の吊ピンと、
    を有し、
    前記ベース部の端面は前記透明樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  8. 上方から見て、前記透明樹脂体の形状は矩形であり、
    前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
    端面が前記透明樹脂体によって覆われたベース部と、
    前記ベース部から延出し、その下面が前記透明樹脂体によって覆われ、その先端面が前記透明樹脂体の相互に異なる3つの側面に露出した複数本の吊ピンと、
    を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  9. 前記透明樹脂体内に配置された蛍光体をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
  10. 金属材料からなる導電シートから前記金属材料を選択的に除去することにより、複数の素子領域がマトリクス状に配列され、各前記素子領域においては相互に離隔した第1及び第2のリードフレームを含む基本パターンが形成され、前記素子領域間のダイシング領域においては前記金属材料が隣り合う前記素子領域間をつなぐように残留したリードフレームシートを形成する工程と、
    前記リードフレームシート上に、前記素子領域毎にLEDチップを搭載すると共に、前記LEDチップの一方の端子を前記第1のリードフレームに接続し、他方の端子を前記第2のリードフレームに接続する工程と、
    前記リードフレームシート上に、ショアD硬度が25以上の樹脂材料によって形成され、前記リードフレームシートの前記素子領域における上面全体及び下面の一部を覆い、前記LEDチップを埋め込む透明樹脂板を形成する工程と、
    前記リードフレームシート及び前記透明樹脂板における前記ダイシング領域に配置された部分をダイシングによって除去する工程と、
    を備えたことを特徴とするLEDパッケージの製造方法。
  11. 前記樹脂材料のショアD硬度を50以上とすることを特徴とする請求項10記載のLEDパッケージの製造方法。
  12. 前記樹脂材料のショアD硬度を80以上とすることを特徴とする請求項11記載のLEDパッケージの製造方法。
  13. 前記樹脂材料をシリコーン樹脂とすることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1つに記載のLEDパッケージの製造方法。
  14. 前記透明樹脂板を形成する工程は、
    型の凹部内に液状又は半液状の透明樹脂を供給する工程と、
    前記透明樹脂に前記リードフレームシートの上面を押し付けた状態で、前記透明樹脂を硬化させる工程と、
    を有することを特徴とする請求項10〜13のいずれか1つに記載のLEDパッケージの製造方法。
  15. 前記リードフレームシート及び前記透明樹脂板における前記ダイシング領域に配置された部分を除去する工程において、前記リードフレームシートの下面側からダイシングを行うことを特徴とする請求項10〜14のいずれか1つに記載のLEDパッケージの製造方法。
JP2010019769A 2010-01-29 2010-01-29 Ledパッケージ及びその製造方法 Pending JP2011159767A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010019769A JP2011159767A (ja) 2010-01-29 2010-01-29 Ledパッケージ及びその製造方法
US12/868,107 US8338845B2 (en) 2010-01-29 2010-08-25 LED package and method for manufacturing the same
TW099129498A TW201126766A (en) 2010-01-29 2010-09-01 LED package and method for manufacturing the same
CN2010102780052A CN102142506A (zh) 2010-01-29 2010-09-10 Led封装及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010019769A JP2011159767A (ja) 2010-01-29 2010-01-29 Ledパッケージ及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011159767A true JP2011159767A (ja) 2011-08-18

Family

ID=44340846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010019769A Pending JP2011159767A (ja) 2010-01-29 2010-01-29 Ledパッケージ及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8338845B2 (ja)
JP (1) JP2011159767A (ja)
CN (1) CN102142506A (ja)
TW (1) TW201126766A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011258658A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2014112615A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
KR101513359B1 (ko) * 2012-09-21 2015-04-17 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR101513358B1 (ko) * 2012-09-21 2015-04-21 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 발광 다이오드 및 그 제작방법
KR101750954B1 (ko) 2015-03-26 2017-06-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
JP2019087703A (ja) * 2017-11-10 2019-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ledモジュール
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ledパッケージ
KR101824886B1 (ko) * 2011-03-25 2018-03-14 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN103178190B (zh) 2011-12-22 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源及其封装方法
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ledモジュール
CN103378276B (zh) * 2012-04-19 2016-02-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其光分配结构
DE102013202904A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
US9748164B2 (en) * 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
CN103855277B (zh) * 2014-01-26 2017-05-10 上海瑞丰光电子有限公司 Led封装方法
TW201543720A (zh) * 2014-05-06 2015-11-16 Genesis Photonics Inc 封裝結構及其製備方法
CN105870293B (zh) * 2015-01-30 2019-12-13 日亚化学工业株式会社 载带以及包装体
JP6264366B2 (ja) * 2015-01-30 2018-01-24 日亜化学工業株式会社 キャリアテープ及び梱包体
CN106571383B (zh) * 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
EP3888140B1 (en) * 2018-11-29 2022-08-24 Lumileds LLC Light-emitting device and method of packaging the same
US11600754B2 (en) 2018-11-29 2023-03-07 Lumileds Llc Light-emitting device and method of packaging the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174347A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体装置
JP2004241509A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led光源、led照明装置、およびled表示装置
JP2007519233A (ja) * 2003-12-30 2007-07-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ビーム発光型及び/又はビーム受光型半導体構成素子
JP2008106180A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置
WO2008153043A1 (ja) * 2007-06-14 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
WO2009072757A2 (en) * 2007-12-03 2009-06-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim led package

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0387051A (ja) 1989-06-23 1991-04-11 Fuji Electric Co Ltd 面実装型二端子半導体装置
EP1441395B9 (de) 1996-06-26 2012-08-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2003110080A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Citizen Electronics Co Ltd 半導体装置
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
JP4522049B2 (ja) 2003-02-14 2010-08-11 三洋電機株式会社 半導体装置
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2006093672A (ja) 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2007027281A (ja) 2005-07-13 2007-02-01 Toshiba Corp 半導体装置
EP2011164B1 (en) * 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
JP4306772B2 (ja) 2006-10-05 2009-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4993349B2 (ja) * 2007-01-29 2012-08-08 キヤノン株式会社 電位測定装置、及び画像形成装置
JP5232394B2 (ja) 2007-02-28 2013-07-10 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP4733077B2 (ja) 2007-06-29 2011-07-27 川崎重工業株式会社 2サイクルエンジンのシリンダとその製造方法
JP4694533B2 (ja) 2007-06-29 2011-06-08 豊田合成株式会社 燃料遮断弁
JP2009246334A (ja) 2008-03-12 2009-10-22 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
CA2731251C (en) * 2008-07-20 2017-05-30 Cardiomems, Inc. Physical property sensor with active electronic circuit and wireless power and data transmission
CN101634720B (zh) * 2008-07-25 2011-09-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 金属探测装置及方法
US8044420B2 (en) * 2009-01-15 2011-10-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting diode package structure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174347A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体装置
JP2004241509A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led光源、led照明装置、およびled表示装置
JP2007519233A (ja) * 2003-12-30 2007-07-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ビーム発光型及び/又はビーム受光型半導体構成素子
JP2008106180A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置
WO2008153043A1 (ja) * 2007-06-14 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
WO2009072757A2 (en) * 2007-12-03 2009-06-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Slim led package

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011258658A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR101513359B1 (ko) * 2012-09-21 2015-04-17 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR101513358B1 (ko) * 2012-09-21 2015-04-21 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 발광 다이오드 및 그 제작방법
JP2014112615A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
KR101750954B1 (ko) 2015-03-26 2017-06-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
JP2019087703A (ja) * 2017-11-10 2019-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201126766A (en) 2011-08-01
US8338845B2 (en) 2012-12-25
US20110186886A1 (en) 2011-08-04
CN102142506A (zh) 2011-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011159767A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
JP4886886B2 (ja) Ledパッケージの製造方法
JP5010693B2 (ja) Ledパッケージ
JP4764519B1 (ja) Ledパッケージ
JP4951090B2 (ja) Ledパッケージ
JP5383611B2 (ja) Ledパッケージ
JP2011253882A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2012114286A (ja) Ledパッケージ
JP2012142426A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
JP2012114311A (ja) Ledモジュール
JP2011165833A (ja) Ledモジュール
JP2012114284A (ja) Ledモジュール及び照明装置
JP2012113919A (ja) 照明装置
JP2012080026A (ja) Ledパッケージ
JP4929418B2 (ja) Ledパッケージ
JP2012114107A (ja) Ledパッケージ
JP2011204790A (ja) 半導体発光装置
JP2011181603A (ja) Ledパッケージ
JP2011171769A (ja) Ledパッケージの包装材
JP2012004596A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
JP5039242B2 (ja) Ledパッケージ
JP2013008979A (ja) 半導体パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130327

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130521

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130719