DE102011011378A1 - Trägersubstrat und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur (2) ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (3) mit einem Trägersubstrat angegeben.
Description
- Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Trägersubstrat, einen Halbleiterchip mit einem aus einem Trägersubstrat gebildeten Träger sowie ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips.
- Bei optoelektronischen Halbleiterchips wie Leuchtdioden kann es beispielsweise zur einzelnen Ansteuerung gewünscht sein, dass der Strahlung erzeugende Bereich der Halbleiterchips von einem Montageelement, an dem die Halbleiterchips befestigt sind, elektrisch isoliert ist. Elektrische Isolatoren weisen jedoch oftmals auch eine vergleichsweise geringe Wärmeleitfähigkeit auf, so dass ein derartiges Material zwischen dem Strahlung erzeugenden Bereich und dem Montageelement eine effiziente Abfuhr der im Betrieb erzeugten Abwärme erschwert. Dies kann zu Leistungseinbußen und/oder einer reduzierten Lebensdauer führen.
- Eine Aufgabe ist es, eine effiziente Wärmeabfuhr bei gleichzeitiger elektrischer Isolation zu erzielen. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem effiziente Halbleiterchips einfach und zuverlässig hergestellt werden können.
- Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
- Gemäß einer Ausführungsform weist ein Trägersubstrat für eine Halbleiterschichtenfolge eine erste Hauptfläche und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche auf. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert.
- Mit anderen Worten ist ein elektrischer Stromfluss in einer zur ersten Hauptfläche senkrecht verlaufenden Richtung mittels der Diodestruktur zumindest unidirektional unterbunden.
- Zweckmäßigerweise ist das Trägersubstrat so ausgebildet, dass zwischen einem beliebigen Punkt auf der ersten Hauptfläche und einem beliebigen Punkt auf der zweiten Hauptfläche zumindest bezüglich einer Polarität kein die Punkte verbindender elektrischer Strompfad durch das Trägersubstrat besteht.
- Vorzugsweise ist die Diodenstruktur vollflächig, insbesondere in einer parallel oder im Wesentlichen parallel zur ersten Hauptfläche verlaufenden Ebene, im Trägersubstrat ausgebildet. In Aufsicht auf das Trägersubstrat ist die Diodenstruktur also unstrukturiert und erstreckt sich über die gesamte laterale Ausdehnung des Trägersubstrats.
- Das Trägersubstrat ist vorzugsweise dafür vorgesehen, dass während der Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips eine Halbleiterschichtenfolge auf dem Trägersubstrat angeordnet oder ausgebildet wird, insbesondere vor der Vereinzelung in Halbleiterchips. Mittels der Diodenstruktur ist eine auf der ersten Hauptfläche des Trägersubstrats angeordnete Halbleiterschichtenfolge von der zweiten Hauptfläche des Trägersubstrats elektrisch isoliert.
- In einer bevorzugten Ausgestaltung isoliert die Diodenstruktur die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche für beide Polaritäten, insbesondere vollflächig. Die elektrische Isolation ist also bidirektional ausgebildet und ist unabhängig von der Polarität der elektrischen Spannung.
- In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist die Diodenstruktur eine erste Diode und eine zweite Diode auf. Die erste Diode und die zweite Dioden sind zweckmäßigerweise in vertikaler Richtung übereinander angeordnet. Die erste Diode und die zweite Diode sind bezüglich ihrer Durchlassrichtung vorzugsweise zueinander entgegengesetzt orientiert.
- In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung enthält das Trägersubstrat ein vorzugsweise einkristallines Halbleitermaterial. Halbleitermaterialien zeichnen sich durch eine vergleichsweise hohe thermische Leitfähigkeit aus. Insbesondere eignet sich Silizium, Germanium oder Galliumarsenid.
- In einer bevorzugten Weiterbildung ist die Diodenstruktur mittels einer schichtweisen Dotierung des Trägersubstrats gebildet. Unter Schichten des Trägersubstrats werden in diesem Zusammenhang allgemein Bereiche des Trägersubstrats verstanden, die in vertikaler Richtung übereinander angeordnet sind.
- Vorzugsweise weist die Diodenstruktur mindestens zwei Schichten mit voneinander verschiedenem Leitungstyp auf. Ein pn-Übergang als Diode ist so auf einfache Weise realisiert.
- Für die elektrische Isolation der ersten Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche kann die Diodenstruktur grundsätzlich in vertikaler Richtung an jeder Stelle angeordnet sein. Die Diodenstruktur kann also von der ersten Hauptfläche und/oder von der zweiten Hauptfläche in vertikaler Richtung beabstandet sein.
- Weiterhin kann eine der dotierten Schichten der Diodenstruktur unmittelbar an die erste oder an die zweite Hauptfläche des Trägersubstrats angrenzen. Beispielsweise kann eine an die erste Hauptfläche angrenzende dotierte Schicht auch für die elektrische Kontaktierung vorgesehen sein.
- In einer bevorzugten Weiterbildung weist die Diodenstruktur zumindest drei aufeinander folgende Schichten auf, die bezüglich ihres Leitungstyps alternierend ausgebildet sind, etwa in Form einer pnp- oder npn-Schichtabfolge. Zwei in Serie verschaltete pn-Übergänge mit zueinander entgegengesetzten Durchlassrichtungen sind so auf einfache Weise realisiert. Die dotierten Schichten der Diodenstruktur können unmittelbar aneinander angrenzen. Durch eine Erhöhung der Anzahl der Dioden in vertikaler Richtung kann weiterhin die Durchbruchfeldstärke in Sperrrichtung gesteigert werden.
- Zumindest eine Schicht des Trägersubstrats kann nominell undotiert sein. Insbesondere kann zwischen zumindest zwei der dotierten Schichten eine nominell undotierte Schicht angeordnet sein, so dass diese dotierten Schichten voneinander beabstandet sind.
- In einer bevorzugten Ausgestaltung ist in dem Trägersubstrat eine Schutzdiode ausgebildet. Vorzugsweise weist das Trägersubstrat in jedem Bereich, der als Träger für einen Halbleiterchip vorgesehen ist, eine Schutzdiode auf. Die Schutzdiode kann einen Halbleiterchip mit einem solchen Träger vor einer Schädigung aufgrund elektrostatischer Entladung (electrostatic discharge, ESD) schützen. Die Schutzdiode ist vorzugsweise zwischen der ersten Hauptfläche und der Diodenstruktur angeordnet.
- Ein vorzugsweise optoelektronischer Halbleiterchip weist gemäß einer Ausführungsform einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge und einen Träger mit einer ersten Hauptfläche und einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche auf. Der Halbleiterkörper ist auf der ersten Hauptfläche des Trägers angeordnet. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert.
- Vorzugsweise weist die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von kohärenter, teilkohärenter oder inkohärenter Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf. Der Halbleiterchip kann insbesondere als eine Lumineszenzdiode, etwa als eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode ausgebildet sein. Alternativ oder ergänzend kann der Halbleiterchip auch als ein Strahlungsempfänger ausgebildet sein.
- Im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte Wärme kann über den Träger abgeführt werden. Weiterhin ist der aktive Bereich mittels der Sperrschicht von einem an der zweiten Hauptfläche des Trägers anliegenden elektrischen Potential elektrisch isoliert.
- Die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers ist vorzugsweise epitaktisch, etwa mittels MOCVD oder MBE, auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden.
- In einer Ausgestaltungsvariante ist der Träger das Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge.
- In einer alternativen Ausgestaltungsvariante ist der Träger von dem Aufwachssubstrat verschieden. Der Träger dient insbesondere der mechanischen Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge, so dass das Aufwachssubstrat nicht mehr erforderlich ist und entfernt werden kann.
- Ein Halbleiterchip, bei dem das Aufwachssubstrat entfernt ist, wird auch als Dünnfilm-Halbleiterchip bezeichnet. Ein Dünnfilm-Halbleiterchip, insbesondere ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip zeichnet sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale aus:
- – an einer zu dem Träger hin gewandten ersten Hauptfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
- – die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf; und
- – die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, d. h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
- Ein Grundprinzip eines Dünnschicht-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
- Ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip ist in guter Näherung ein Lambert'scher Oberflächenstrahler und eignet sich von daher besonders gut für die Anwendung in einem Scheinwerfer.
- Der Träger ist vorzugsweise stoffschlüssig mit der Halbleiterschichtenfolge verbunden. Bei einer stoffschlüssigen Verbindung werden die, bevorzugt vorgefertigten, Verbindungspartner mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte zusammengehalten. Eine stoffschlüssige Verbindung kann beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht, etwa einer Klebeschicht oder einer Lotschicht, erzielt werden. In der Regel geht eine Trennung der Verbindung mit einer Zerstörung der Verbindungsschicht und/oder zumindest eines der Verbindungspartner einher.
- In einer bevorzugten Ausgestaltung ist eine Seitenfläche des Trägers mit einer Passivierungsschicht versehen. Die Gefahr einer ungewollten elektrischen Überbrückung der Diodenstruktur, beispielsweise aufgrund eines Lots oder eines elektrisch leitfähigen Klebemittels bei der Montage des Halbleiterchips, kann so vermieden werden. Weiterhin bevorzugt ist die Passivierungsschicht für elektromagnetische Strahlung, insbesondere für Strahlung, deren Energie oberhalb einer Bandlückenenergie des Trägers liegt, beispielsweise für Strahlung im infraroten, sichtbaren und/oder im ultravioletten Spektralbereich, undurchlässig, insbesondere absorbierend, ausgebildet. Eine ungewollte Verringerung des elektrischen Widerstands der Diodenstruktur aufgrund von strahlungsinduzierter Photoleitung kann so vermieden oder zumindest vermindert werden. Davon abweichend kann die Seitenfläche des Trägers freiliegen. Die Herstellung des Trägers ist dadurch vereinfacht.
- Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips wird gemäß einer Ausführungsform ein Trägersubstrat mit einer ersten Hauptfläche und einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche bereitgestellt. Eine Diodenstruktur wird zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ausgebildet, wobei die Diodenstruktur die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Auf der ersten Hauptfläche des Trägersubstrats wird eine Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Das Trägersubstrat mit der Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterchips vereinzelt. Beim Vereinzeln geht aus dem Trägersubstrat für jeden Halbleiterchip ein Träger hervor, auf dem ein Halbleiterkörper angeordnet ist.
- In einer Ausgestaltungsvariante wird die Diodenstruktur vor dem Vereinzeln, insbesondere vor dem Anordnen der Halbleiterschichtenfolge, ausgebildet. Die Halbleiterchips weisen also schon bei der Vereinzelung die Diodenstruktur auf.
- In einer alternativen Ausgestaltungsvariante erfolgt das Ausbilden der Diodenstruktur erst nach dem Vereinzeln. So können gezielt nur diejenigen Halbleiterchips mit. einer Diodenstruktur versehen werden, bei denen die Halbleiterschichtenfolge von der zweiten Hauptfläche des Trägers elektrisch isoliert ausgeführt sein soll.
- In einer bevorzugten Ausgestaltung wird die Diodenstruktur mittels einer vollflächigen Dotierung des Trägersubstrats ausgebildet. Dies kann beispielsweise mittels Legierung, Diffusion oder Implantation erfolgen. Auf eine beispielsweise photolithographische Maskierung zur lateralen Strukturierung kann für die vollflächige Ausbildung der Dotierung verzichtet werden.
- In einer Ausgestaltungsvariante wird die Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden und das Aufwachssubstrat wird nach dem Anordnen an dem Trägersubstrat entfernt.
- In einer alternativen Ausgestaltungsvariante wird die Halbleiterschichtenfolge epitaktisch auf dem Trägersubstrat abgeschieden. Das Trägersubstrat dient also als Aufwachssubstrat.
- Für das Verfahren ist das beschriebene Trägersubstrat besonders geeignet. Weiterhin eignet sich das Verfahren besonders zur Herstellung eines beschriebenen Halbleiterchips. Im Zusammenhang mit dem Trägersubstrat oder dem Halbleiterchip ausgeführte Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
- Weitere Merkmale, vorteilhafte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
- Es zeigen:
-
1 ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Trägersubstrat in schematischer Schnittansicht; - die
2 ,3 und4 ein erstes, zweites beziehungsweise drittes Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterchip mit einem Träger jeweils in schematischer Schnittansicht; - die
5A und5B einen Ausschnitt eines zweiten Ausführungsbeispiels für ein Trägersubstrat in schematischer Aufsicht (5A ) und zugehöriger Schnittansicht (5B ); -
6 ein viertes Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterchip in schematischer Schnittansicht; - die
7 und8 ein erstes beziehungsweise zweites Ausführungsbeispiel für ein Bauelement in schematischer Schnittansicht; und - die
9A bis9C ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips anhand von schematisch in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten. - Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
- Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Trägersubstrat ist in
1 in schematischer Schnittansicht gezeigt. Das Trägersubstrat10 erstreckt sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer ersten Hauptfläche11 und einer zur ersten Hauptfläche parallel verlaufenden zweiten Hauptfläche12 . - Zwischen den Hauptflächen ist eine Diodenstruktur
2 ausgebildet, die sich in lateraler Richtung vollflächig über das Trägersubstrat10 erstreckt. - Die Diodenstruktur
2 weist eine erste Schicht21 , eine zweite Schicht22 und eine dritte Schicht23 auf. Die erste Schicht bildet die erste Hauptfläche des Trägersubstrats. Die erste Schicht21 und die dritte Schicht23 sind exemplarisch jeweils p-leitend dotiert und die zweite Schicht22 n-leitend dotiert. Mittels der pn-Übergänge zwischen diesen Schichten ist eine erste Diode24 beziehungsweise eine zweite Diode25 gebildet. Die Dioden24 ,25 sind bezüglich ihrer Durchlassrichtung zueinander entgegengesetzt orientiert. Der übrige Teil des Trägersubstrats10 kann dotiert oder undotiert sein. - Mittels der Diodenstruktur
2 sind die erste Hauptfläche11 und die zweite Hauptfläche12 elektrisch voneinander isoliert, wobei die elektrische Isolation mittels der Dioden24 ,25 unabhängig von einer Polarität einer anliegenden elektrischen Spannung gegeben ist. - Das Trägersubstrat
10 basiert vorzugsweise auf einem Halbleitermaterial. Beispielsweise eignet sich Silizium, Germanium oder Galliumarsenid. - In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Diodenstruktur mittels einer bezüglich des Leitungstyps alternierenden Abfolge von unmittelbar aneinander angrenzenden Schichten gebildet. Davon abweichend kann zwischen zumindest zwei dotierten Schichten auch eine nominell undotierte Schicht angeordnet sein. Weiterhin kann die Diodenstruktur auch mehr als zwei Dioden aufweisen, die zweckmäßigerweise zueinander in Serie verschaltet sind.
- Ein erstes Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterchip, der exemplarisch als ein LED-Halbleiterchip ausgeführt ist, ist in
2 in schematischer Schnittansicht dargestellt. Der Halbleiterchip3 weist einen Träger1 auf, der bei der Herstellung des Halbleiterchips3 aus einem Trägersubstrat hervorgeht, das wie im Zusammenhang mit1 beschrieben ausgeführt ist. - Der Halbleiterchip
3 weist einen Halbleiterkörper4 auf. Eine den Halbleiterkörper bildende Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich40 , der zwischen einer ersten Halbleiterschicht41 und einer zweiten Halbleiterschicht42 angeordnet ist. - Ein Aufwachssubstrat für den epitaktischen Halbleiterkörper
4 ist entfernt und deshalb in2 nicht dargestellt. Der Halbleiterchip3 ist also als ein Dünnfilm-Halbleiterchip ausgebildet, bei dem die Diodenstruktur2 in den Träger1 des Dünnfilm-Halbleiterchips integriert ist. - Der Halbleiterkörper
4 ist mittels einer Verbindungsschicht6 , beispielsweise einer Lotschicht oder einer Klebeschicht mit der ersten Hauptfläche11 des Trägers mechanisch und elektrisch leitend verbunden. - Im Betrieb des Halbleiterchips
3 können durch Anlegen einer externen elektrischen Spannung zwischen einem ersten Kontakt51 und einem zweiten Kontakt52 des Halbleiterchips3 Ladungsträger von verschiedenen Seiten in den aktiven Bereich40 injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren. - Der erste Kontakt
51 ist auf der ersten Hauptfläche11 des Trägers2 ausgebildet, so dass die Ladungsträger über die erste Schicht21 des Trägers1 in den Halbleiterkörper4 injiziert werden. Mittels der Diodenstruktur2 kann also trotz eines Stromflusses durch den Träger1 eine elektrische Isolation gegenüber der zweiten Hauptfläche12 des Trägers erzielt werden. - Weiterhin zeichnet sich der Träger
1 insbesondere im Vergleich zu einem Träger aus einem elektrisch isolierenden Material wie Saphir durch eine hohe thermische Leitfähigkeit aus, so dass im Betrieb des Halbleiterchips3 im Halbleiterkörper4 entstehende Verlustwärme effizient aus dem Halbleiterkörper abgeführt werden kann. - Zwischen dem Halbleiterkörper
4 und dem Träger1 ist eine Spiegelschicht7 angeordnet. Die vorzugsweise metallische Spiegelschicht ist dafür vorgesehen, im aktiven Bereich erzeugte und in Richtung des Trägers1 abgestrahlte Strahlung zu reflektieren, so dass dieser Strahlungsanteil durch eine vom Träger1 abgewandte Strahlungsaustrittsfläche45 des Halbleiterkörpers4 austreten kann. Im sichtbaren Spektralbereich eignen sich beispielsweise Silber oder Aluminium für die Spiegelschicht7 , im infraroten Spektralbereich weist Gold eine hohe Reflektivität auf. - Eine den Träger
1 in lateraler Richtung begrenzende Seitenfläche13 des Trägers liegt in diesem Ausführungsbeispiel frei. Eine Beschichtung der beim Vereinzeln des Trägersubstrats entstandenen Seitenfläche13 ist also nicht erforderlich. Zum Schutz vor einer ungewollten elektrischen Überbrückung der Diodenstruktur2 bei der Montage des Halbleiterchips3 kann davon abweichend aber eine Beschichtung, beispielsweise in Form einer Passivierungsschicht vorgesehen sein. - Das in
3 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterchip entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit2 beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist der Träger1 eine Diodenstruktur2 mit nur einer Diode auf. Bezüglich ihrer Durchlassrichtung ist die Diode so ausgebildet, dass sie bei einer an den Kontakten51 ,52 anliegenden Betriebsspannung in Sperrrichtung orientiert ist. Eine elektrische Isolation der ersten Hauptfläche11 von der zweiten Hauptfläche12 des Trägers1 ist somit bezüglich einer Polarität gewährleistet. Weiterhin ist der erste Kontakt51 im Unterschied zu ersten Ausführungsbeispiel auf der ersten Halbleiterschicht41 angeordnet. Die Injektion von Ladungsträgern vom ersten Kontakt in die erste Halbleiterschicht kann somit unabhängig vom Träger1 erfolgen. - Ein drittes Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterchip ist in
4 in schematischer Schnittansicht dargestellt. Im Unterschied zu den im Zusammenhang mit den2 und3 beschriebenen Ausführungsbeispielen bildet der Träger1 das Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers4 . Der Halbleiterkörper ist also nicht stoffschlüssig mit dem Träger1 verbunden, sondern epitaktisch auf dem Träger abgeschieden. Zur Erhöhung der aus der Strahlungsaustrittsfläche45 austretenden Strahlungsleistung kann in dem Halbleiterkörper4 ein Spiegel ausgebildet sein, beispielsweise in Form eines Bragg-Spiegels (nicht explizit dargestellt). - In den
5A und5B ist ein Ausschnitt eines Trägersubstrats gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel gezeigt. Der Ausschnitt entspricht einem Bereich des Trägersubstrats10 , der als Träger eines Halbleiterkörpers vorgesehen ist. Zweckmäßigerweise weist das Trägersubstrat eine Vielzahl solcher, vorzugsweise matrixförmig angeordneter, Bereiche auf. - Das Trägersubstrat
10 weist zusätzlich zur Diodenstruktur2 eine Schutzdiode18 auf. Die Schutzdiode ist zwischen der ersten Hauptfläche11 und der Diodenstruktur2 im Trägersubstrat10 ausgebildet. Die Schutzdiode18 ist mittels eines ersten Teilbereichs181 und eines zweiten Teilbereichs182 gebildet. Die Teilbereiche sind bezüglich des Leitungstyps voneinander unterschiedlich, so dass zwischen den Teilbereichen ein pn-Übergang entsteht. Der zweite Teilbereich182 ist vollständig vom ersten Teilbereich181 umgeben. - Auf der ersten Hauptfläche
11 ist eine Isolationsschicht17 ausgebildet. Die Isolationsschicht kann beispielsweise ein Oxid, etwa Siliziumoxid, ein Nitrid, etwa Siliziumnitrid oder ein Oxinitrid, etwa Siliziumoxinitrid enthalten oder aus einem solchen Material bestehen. Die Isolationsschicht17 weist eine erste Öffnung191 und eine zweite Öffnung192 auf. In Aufsicht auf das Trägersubstrat10 überlappt die erste Öffnung191 mit dem ersten Teilbereich181 und die zweite Öffnung192 mit dem zweiten Teilbereich182 . Auf der Isolationsschicht sind eine erste Anschlussfläche15 und eine zweite Anschlussfläche16 angeordnet, die durch die Öffnungen hindurch mit dem zweiten Teilbereich182 beziehungsweise dem ersten Teilbereich181 elektrisch leitend verbunden sind. - Die Diodenstruktur
2 grenzt an die zweite Hauptfläche12 des Trägersubstrats10 an. Davon abweichend kann die Diodenstruktur aber auch von der zweiten Hauptfläche beabstandet sein. - Ein Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterchip, bei dem der Träger aus einem Trägersubstrat gemäß dem im Zusammenhang mit den
5A und5B beschriebenen Ausführungsbeispiel ausgeführt ist, ist in6 dargestellt. Wie im Zusammenhang mit2 beschrieben ist der Halbleiterkörper4 mittels einer Verbindungsschicht6 an dem Träger1 befestigt. Der Halbleiterkörper4 weist eine Ausnehmung47 auf, die sich von dem Träger1 her durch die erste Halbleiterschicht41 und den aktiven Bereich40 hindurch in die zweite Halbleiterschicht42 hinein erstreckt. Zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses des aktiven Bereichs40 ist eine Seitenfläche der Ausnehmung47 von einer Isolationsschicht48 bedeckt. Zwischen dem Halbleiterkörper4 und dem Träger1 ist eine erste Anschlussschicht43 angeordnet, die an die dem Träger zugewandte erste Halbleiterschicht41 angrenzt und elektrisch leitend mit dieser verbunden ist. Auf der ersten Anschlussschicht43 ist ein erster Kontakt51 des Halbleiterchips3 angeordnet. Die zweite Halbleiterschicht42 ist elektrisch leitend mit einer zweiten Anschlussschicht44 verbunden, die sich durch die Ausnehmung47 hindurch erstreckt. - Die erste Anschlussschicht
43 verläuft bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper4 und der zweiten Anschlussschicht44 . Zwischen den Anschlussschicht43 ,44 ist zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses die Isolationsschicht48 ausgebildet. Auf der zweiten Anschlussschicht44 ist ein zweiter Kontakt52 ausgebildet. Die elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips3 erfolgt also mittels zweier lateral vom Halbleiterkörper4 beabstandeter elektrischer Kontakte51 ,52 . Die Strahlungsaustrittsfläche45 des Halbleiterkörpers ist frei von elektrischen Kontakten, so dass eine Abschattung der Strahlungsaustrittsfläche vermieden wird. - Zur Erhöhung der ausgekoppelten Strahlungsleistung ist die Strahlungsaustrittsfläche
45 mit einer Strukturierung46 , beispielsweise einer Aufrauhung versehen. - Die Kontakte
51 ,52 sind weiterhin mit der Schutzdiode18 verbunden. Der aktive Bereich40 und die Schutzdiode18 sind bezüglich ihrer Durchlassrichtung antiparallel zueinander verschaltet. Beispielsweise kann die an den zweiten Kontakt52 angrenzende zweite Halbleiterschicht42 n-leitend und der erste Teilbereich181 p-leitend ausgeführt sein oder umgekehrt. Im Falle einer bezogen auf den aktiven Bereich40 in Sperrrichtung anliegenden Spannung können Ladungsträger über die Schutzdiode abfließen. In den Halbleiterchip3 , insbesondere in den Träger1 als Teil des Halbleiterchips, ist also eine Schutzdiode integriert, die den Halbleiterkörper vor einer Schädigung durch elektrostatische Entladung schützt. - Der erste Kontakt
51 ist über die erste Anschlussschicht43 , die Verbindungsschicht6 und die erste Anschlussfläche15 mit dem zweiten Teilbereich182 der Schutzdiode18 verbunden. Der zweite Kontakt52 ist über die zweite Anschlussschicht44 , die Verbindungsschicht6 und die zweite Anschlussfläche16 elektrisch leitend mit dem ersten Teilbereich181 der Schutzdiode18 verbunden. Zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses ist zwischen einer mit der ersten Anschlussschicht43 verbundenen Teilschicht431 und der zweiten Anschlussschicht44 ein Zwischenraum85 ausgebildet. - Die Seitenflächen
13 des Trägers1 sind mit einer Passivierungsschicht8 versehen. Die Gefahr eines elektrischen Kurzschlusses der Diodenstruktur2 bei der Montage des Halbleiterchips3 , beispielsweise mittels eines Lots oder eines elektrisch leitfähigen Klebemittels, ist so vermindert. Weiterhin ist die Passivierungsschicht strahlungsundurchlässig, insbesondere absorbierend, ausgebildet, so dass eine Verringerung des elektrischen Widerstands der Diodenstruktur2 aufgrund von strahlungsinduzierter Photoleitung vermieden oder zumindest vermindert werden kann. Für die Passivierungsschicht eignet sich insbesondere eines der im Zusammenhang mit der Isolationsschicht17 genannten Materialien. Beispielsweise kann Siliziumnitrid eine vergleichsweise geringe Transmission für Strahlung im ultravioletten und im sichtbaren Spektralbereich aufweisen. Die Passivierungsschicht8 kann selbstverständlich auch in einem Halbleiterchip gemäß den weiteren beschriebenen Ausführungsbeispielen vorgesehen sein. - Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Bauelement ist in
7 in schematischer Schnittansicht dargestellt. Der Halbleiterchip3 des Bauelements9 kann insbesondere wie im Zusammenhang mit den vorbeschriebenen Ausführungsbeispielen beschrieben ausgebildet sein. - Das oberflächenmontierbar ausgeführte Bauelement (surface mounted device, SMD)
9 weist einen Gehäusekörper90 auf, der einen Leiterrahmen mit einem ersten Anschlussleiter91 und einem zweiten Anschlussleiter92 umformt. Der Gehäusekörper kann beispielsweise als ein Kunststoff-Formkörper ausgebildet sein. - Der Gehäusekörper
90 umformt weiterhin einen thermischen Anschlussleiter93 . Der thermische Anschlussleiter93 kann beispielsweise ein Metall, etwa Kupfer enthalten. Auf dem thermischen Anschlussleiter ist der Halbleiterchip3 befestigt. Die Kontakte51 ,52 des Halbleiterchips3 sind über Verbindungsleiter94 , etwa Drahtbondverbindungen mit den Anschlussleitern91 ,92 elektrisch leitend verbunden. Alternativ zu Drahtbondverbindungen kann auch eine Kontaktierungsart Anwendung finden, beispielsweise mittels Lotkugeln, mittels Durchkontaktierungen, mittels einer planaren, schichtförmigen Kontaktstruktur oder mittels so genannter Castellations. - Der Halbleiterchip
3 ist in lateraler Richtung von einer zweckmäßigerweise elektrisch isolierenden Reflektorschicht98 , beispielsweise aus einem mit reflektierenden Partikeln, etwa Titanoxid-Partikeln, versehenen Kunststoff, etwa ein Epoxid oder ein Silikon, umgeben. Die insgesamt aus der Strahlungsaustrittsfläche45 des Halbleiterchips austretende Strahlungsleistung kann dadurch weitergehend erhöht werden. Weiterhin verhindert die Reflektorschicht, dass von außerhalb des Halbleiterchips in den Träger1 eingekoppelte Photonen in der Diodenstruktur2 die Leitfähigkeit erhöhen und so die elektrische Isolation durch die Diodenstruktur beeinträchtigen. - Der Gehäusekörper
90 ist auf einer Montageplatte95 angeordnet, die Anschlussbereiche96 aufweist. Die Montageplatte kann beispielsweise als eine gedruckte Leiterplatte (Printed Circuit Board, PCB) oder als eine Metallkern-Leiterplatte (Metal Core Printed Circuit Board, MCPCB) ausgebildet sein. - Die Anschlussleiter
91 ,92 sind jeweils mit einem Anschlussbereich96 elektrisch leitend verbunden. Weiterhin kann auch der thermische Anschlussleiter93 mit einem Anschlussbereich verbunden sein. Die Abfuhr von Verlustleistung an die Umgebung kann dadurch verbessert werden. Im Unterschied zu den Anschlussleitern91 ,92 dienen der thermische Anschlussleiter93 und der daran angrenzende Anschlussbereich jedoch nicht der elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips3 , sondern einer effizienten Wärmeabfuhr aus dem Halbleiterchip. Der zur Erzeugung von Strahlung vorgesehene aktive Bereich des Halbleiterchips3 ist mittels der Diodenstruktur2 von der Montageplatte95 elektrisch isoliert. - Ein zweites Ausführungsbeispiel für ein Bauelement ist in
8 schematisch in Schnittansicht dargestellt. Im Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel ist das Bauelement9 als ein Modul ausgebildet, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterchips3 ungehäust an der Montageplatte95 befestigt ist. - Zur elektrischen Isolation der Anschlussbereiche
96 ist zwischen der Montageplatte95 und den Anschlussbereichen96 eine Isolationsschicht97 ausgebildet. Mittels der Isolationsschicht97 ist gewährleistet, dass die Halbleiterchips3 auch bei einer elektrisch leitfähigen Montageplatte, beispielsweise einer Metallplatte, einzeln elektrisch kontaktierbar sind. Davon abweichend können die Halbleiterchips zumindest teilweise elektrisch miteinander verschaltet sein, beispielsweise in einer Parallelschaltung oder in einer Serienschaltung. - Die Halbleiterchips
3 können dagegen unmittelbar an der Montageplatte95 befestigt werden, da die elektrische Isolation der aktiven Bereiche der Halbleiterchips durch die Diodenstruktur2 der Halbleiterchips gewährleistet ist. Auf eine Isolationsschicht zwischen den Halbleiterchips und der Montageplatte kann also verzichtet werden, so dass der Wärmewiderstand verringert und somit die Wärmeabfuhr aus dem Halbleiterchip verbessert wird. - Ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips ist in den
9A bis9C anhand von schematisch in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten gezeigt, wobei exemplarisch ein Halbleiterchip hergestellt wird, der wie im Zusammenhang mit2 beschrieben ausgeführt ist. - Wie in
9A dargestellt, wird ein Trägersubstrat10 bereitgestellt, das eine Diodenstruktur2 aufweist. Zur vereinfachten Darstellung ist lediglich ein Bereich des Trägersubstrats10 dargestellt, aus dem bei der Herstellung genau ein Träger für einen Halbleiterchip hervorgeht. - Eine Halbleiterschichtenfolge
400 mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich40 , der zwischen einer ersten Halbleiterschicht41 und einer zweiten Halbleiterschicht42 angeordnet ist, wird epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat49 abgeschieden, beispielsweise mittels MOVPE oder MBE. - Das Ausbilden der Diodenstruktur
2 erfolgt durch ein vollflächiges Dotieren des Trägersubstrats10 . Die dotierten Schichten des Trägersubstrats10 können beispielsweise mittels Legierung, Diffusion und/oder Implantation hergestellt werden. - Wie in
9B dargestellt, wird die Halbleiterschichtenfolge400 mittels einer Verbindungsschicht6 mechanisch stabil mit dem Trägersubstrat10 verbunden. Nach der Befestigung dient das Trägersubstrat der mechanischen Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge, so dass das Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge entfernt werden kann. Dies kann beispielsweise mittels kohärenter Strahlung, etwa mittels eines Laser-Ablöseverfahrens (Laser-Lift-Off), mechanisch, etwa mittels Schleifens, Läppens oder Polierens oder chemisch, etwa mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens, erfolgen. - Zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht
41 wird die Halbleiterschichtenfolge bereichsweise entfernt, so dass die erste Hauptfläche11 des Trägersubstrats10 freigelegt wird. Die elektrischen Kontakte51 ,52 können beispielsweise mittels Aufdampfens oder Sputterns aufgebracht werden. - Zur Vereinzelung in Halbleiterchips wird die Halbleiterschichtenfolge
400 zusammen mit dem Trägersubstrat10 zerteilt, so dass Halbleiterchips3 hervorgehen, die jeweils einen Halbleiterkörper4 und einen Träger1 aufweisen. Die Vereinzelung kann beispielsweise mittels kohärenter Strahlung, etwa mittels eines Lasertrennverfahrens, mechanisch, etwa mittels Sägens, Brechens oder Spaltens, oder chemisch, etwa mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens erfolgen. Ein fertig gestellter Halbleiterchip ist in9C gezeigt. - Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend kann das Ausbilden der Diodenstruktur
2 auch erst nach dem Anordnen der Halbleiterschichtenfolge400 auf dem Trägersubstrat10 erfolgen. Insbesondere kann die Diodenstruktur auch erst nach dem Vereinzeln in Halbleiterchips erfolgen. Auf diese Weise kann die Diodenstruktur nur in solchen Halbleiterchips ausgebildet werden, bei denen der Halbleiterkörper4 von der zweiten Hauptfläche12 des Trägers1 elektrisch isoliert ausgestaltet sein soll. Weiterhin kann das Trägersubstrat10 auch als Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge400 dienen. Auf einen Transfer auf ein vom Aufwachssubstrat verschiedenen Träger kann in diesem Fall verzichtet werden. - Mit dem beschriebenen Verfahren können die Halbleiterkörper
4 der Halbleiterchips durch die Ausbildung der Diodenstruktur elektrisch von einer Montagefläche für die Halbleiterchips isoliert werden, ohne dass sich der Wärmewiderstand signifikant erhöht, da beispielsweise die elektrisch isolierende Verarmungszone in einem pn-Übergang nur eine geringfügige Reduktion der thermischen Leitfähigkeit bewirkt. - Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 [0027]
Claims (15)
- Trägersubstrat (
10 ) für eine Halbleiterschichtenfolge, das eine erste Hauptfläche (11 ) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12 ) aufweist, wobei zwischen der ersten Hauptfläche (11 ) und der zweiten Hauptfläche (12 ) eine Diodenstruktur (2 ) ausgebildet ist, die die erste Hauptfläche (11 ) von der zweiten Hauptfläche (12 ) zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. - Trägersubstrat nach Anspruch 1, bei dem die Diodenstruktur die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche für beide Polaritäten elektrisch isoliert.
- Trägersubstrat nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Diodenstruktur eine erste Diode (
24 ) und eine zweite Diode (25 ) aufweist, wobei die erste Diode und die zweite Diode bezüglich ihrer Durchlassrichtung zueinander entgegengesetzt orientiert sind. - Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Trägersubstrat ein Halbleitermaterial enthält.
- Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Diodenstruktur mittels einer schichtweisen Dotierung des Trägersubstrats gebildet ist.
- Trägersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Diodenstruktur zumindest drei aufeinander folgende Schichten (
21 ,22 ,23 ) aufweist, die bezüglich ihres Leitungstyps alternierend ausgebildet sind. - Halbleiterchip (
3 ), der einen Halbleiterkörper (4 ) mit einer Halbleiterschichtenfolge und einen Träger (1 ) mit einer ersten Hauptfläche (11 ) und einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (12 ) aufweist, wobei der Halbleiterkörper auf der ersten Hauptfläche des Trägers angeordnet ist und zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche eine Diodenstruktur (2 ) ausgebildet ist, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. - Halbleiterchip nach Anspruch 7, bei dem der Träger stoffschlüssig mit der Halbleiterschichtenfolge verbunden ist.
- Halbleiterchip nach Anspruch 7 oder 8, bei dem eine Seitenfläche des Trägers mit einer Passivierungsschicht (
8 ) versehen ist. - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (
3 ) mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Trägersubstrats (10 ) mit einer ersten Hauptfläche (11 ) und einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (12 ); b) Ausbilden einer Diodenstruktur (2 ) zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche, wobei die Diodenstruktur die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert; c) Anordnen einer Halbleiterschichtenfolge (400 ) auf der ersten Hauptfläche des Trägersubstrats; und d) Vereinzeln des Trägersubstrats mit der Halbleiterschichtenfolge in eine Mehrzahl von Halbleiterchips. - Verfahren nach Anspruch 10, bei dem Schritt b) vor Schritt d) durchgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei dem Schritt b) nach Schritt d) durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem die Diodenstruktur mittels einer vollflächigen Dotierung des Trägersubstrats ausgebildet wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden wird und das Aufwachssubstrat nach Schritt c) entfernt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem die Halbleiterschichtenfolge in Schritt b) epitaktisch auf dem Trägersubstrat abgeschieden wird.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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