JP2006086300A - 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 p型半導体層13、活性層14、n型半導体層15を含む発光用半導体領域1の一方の主面17に第1の電極2を配置する。発光用半導体領域1の他方の主面18に導電性を有する光反射層3を配置する。光反射層3に貼合せ金属層6を介して保護素子用の半導体基板5を貼合せる。半導体基板5に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのn型半導体領域21とp型半導体領域22とを設ける。導体9によってツェナーダイオードを発光素子に並列接続する。
【選択図】 図1
Description
しかし、保護素子とは別にフリップチップ型の発光素子を用意することが必要になり、保護素子を有する半導体発光装置のコストが必然的に高くなる。
一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有し且つ前記一方の主面側に配置された第1導電型半導体層と前記他方の主面側に配置された第2導電型半導体層とを含んでいる発光用半導体領域と、
前記第1導電型半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
前記発光用半導体領域の他方の主面に電気的及び機械的に結合された導体層と、
前記導体層に接続された第2の電極と、
前記発光用半導体領域を保護する機能を有し且つ前記導体層に電気的及び機械的に結合されている保護素子と
から成る保護素子を有する半導体発光装置に係わるものである。
なお、本発明における光は発光用半導体領域から放射される光を意味する。
また、前記半導体基板は、保護ダイオードを形成するために第1導電型を有する第1の半導体領域と、第1導電型と反対の第2導電型を有し且つ前記第1の半導体領域に隣接配置されている第2の半導体領域とを備え、前記第1の半導体領域は前記導体層に貼り付けられ、前記第2の半導体領域は導体によって前記第1の電極に接続されていることが望ましい。
また、前記半導体基板の前記一方の主面に配置された貼合せ導体層を有し、前記半導体基板の前記一方の主面は前記貼合せ導体層を介して前記発光用半導体領域側の前記導体層に貼り付けられていることが望ましい。
また、前記第1の電極は前記発光用半導体領域の前記一方の主面から光を取り出すことを許すように形成され、前記導体層は光反射性を有する光反射層であることが望ましい。
成長用基板を用意する工程と、
前記成長用基板上に発光機能を有する発光用半導体領域を気相成長法で形成する工程と、
前記発光用半導体領域の前記成長用基板に接している一方の主面に対して反対側に配置されている他方の主面に導体層を形成する工程と、
保護素子を用意する工程と、
前記保護素子を前記導体層に貼り付ける工程と、
前記保護素子を前記導体層に対する貼り付ける工程の後又は前に前記成長用基板を除去する工程とを有していることが望ましい。
また、本発明の好ましい実施例では、導体層が光反射機能を有するので、発光効率の改善とコストの低減との両方を容易に達成することができる。
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)
とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1、
を満足する数値、
で示される材料にn型不純物をドーピングしたn型窒化物半導体で形成される。即ち、第1の層16aはGaN、InGaN、InBGaN、AlGaN、AlInGaN、AlInBGaN等で形成される。この実施例の第1の層16aは上記化学式のa及びbが零のn型GaN(窒化ガリウム)から成り、エネルギーバンド図において活性層14よりも大きいバンドギャップを有し且つ25nmの厚さを有する。第1の層16aの厚さは好ましくは15〜500nmから選択される。第1の層16aの厚みが15nmよりも小さくなると、第1の層16aに2次元電子ガス即ち2DEG層を生じさせる効果を十分に得ることができなくなる。また、第1の層16aが5000nmよりも厚くなると、ここでの光吸収が大きくなり、光取り出し効率が低下する。
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)
とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
a<x
を満足する数値、
で示される材料にn型不純物をドーピングしたn型窒化物半導体で形成される。即ち、この第2の層16bは第1の層16aに対してヘテロ接合を形成する材料であって、例えばAlN、AlGaN、AlInGaN、AlInBGaN等から成り、第1の層16aに2次元電子ガス層を形成できるものから成る。この実施例の第2の層16bは上記化学式のx=1、y=0に相当するAlN(窒化アルミニウム)から成り、活性層14よりも大きいバンドギャップを有し且つ第1の層16aよりも薄いと共に量子力学的トンネル効果を得ることができる5nmの厚さを有する。第2の層16bの厚みは、好ましくは0.5〜5nmの値から選択される。第2の層16bの厚みが0.5nmよりも小さくなると、2次元電子ガス層を良好に形成できなくなる。また、第2の層16bの厚みが5nmよりも大きくなると、トンネル効果を得ることができなくなり、第2の層16bの厚み方向の抵抗が大きくなる。
前記Ag合金は、
Ag 90〜99.5重量%
添加元素 0.5〜10重量%
から成るAgを主成分とする合金であることが望ましい。
前記添加元素は、合金元素とも呼ばれるものであって、好ましくは、Cu(銅)、Au(金)、Pd(パラジウム)、Nd(ネオジウム)、Si(シリコン)、Ir(イリジウム)、Ni(ニッケル)、W(タングステン)、Zn(亜鉛)、Ga(ガリウム)、Ti(チタン)、Mg(マグネシウム)、Y(イットリウム)、In(インジウム)、及びSn(スズ)から選択された1つ又は複数から成ることが望ましい。
(1) 発光効率の向上に寄与する光反射層3が導電性を有して保護素子としての半導体基板5の電気的及び機械的結合に使用されているので、発光素子部分と保護素子部分との結合を容易に達成することができ、保護素子を有する半導体発光装置の低コスト化を達成できる。
(2) 保護素子としての半導体基板5がシリコンから成り、シリコンが窒化物半導体から成る発光用半導体領域1よりも大きい熱伝導率を有し、且つ半導体基板5が光反射層3と貼合せ金属層6とを介して発光半導体領域1の他方の主面18の実質的に全部に密着している。従って、半導体基板5が放熱基板として機能し、発光用半導体領域1の放熱性が改善される。
(3) 発光用半導体領域1の機械的支持基板として機能するシリコン半導体基板5に保護素子としてのツェナーダイオードを形成したので、保護素子を有する半導体発光装置のコストの低減及び小型化を図ることができる。
(4) 貼合せ金属層6がツェナーダイオードの一方の電極としても使用されるので、保護素子のコストの低減及び小型化が達成できる。
(5) 光反射層3がAg又はAg合金から成るので、オーミック接触機能と光反射機能との両方を得ることができ、発光素子10の構成の単純化及び低コスト化を図ることができる。
(6) 電流拡散層16の第1及び第2の層16a、16bはヘテロ接合を形成しており、2次元電子ガスを生成し、図1において横方向に電流が流れ易い。このために活性層14の第1の電極2に対向していない外周側部分の電流を増大させることができ、第1の電極2によって光取り出しが妨害されない外周側部分の発光量を大きくすることができ、光取り出し効率が向上する。また、活性層14における電流分布の均一性が向上する。
(7) 発光素子10とツェナーダイオード11とを接続するための接続導体9が絶縁層8を介して発光半導体領域1及び半導体基板5に一体的に形成されているので、半導体発光装置の小型化及び低コスト化を図ることができる。
(8)上述から明らかなように過電圧保護、発光効率の向上、コストの低減、及び放熱性の改善の要求の全てに応えることができる。
(1) 発光用半導体領域1の一方の主面17に周知の光透過性電極を形成し、ここに第1の電極2を接続することができる。
(2) n型半導体層15とn型電流拡散層16との一方又は両方を図1において活性層14よりも外側に突出させ、この突出した部分の下面に第1の電極2を配置することができる。
(3)図7及び図8においてバリスタ11a及びコンデンサ11bの上面の面積を発光半導体領域1の下面の面積よりも大きく形成することができる。
(4) 図7及び図8のバリスタ11a及びコンデンサ11bを保護素子として使用する場合においても、これ等の接続を図1、図5、図6、図11、図12に示すように変形することができる。
(5) 図1、図5〜図8の光反射層3の第1の電極2に対向する部分の少なくとも一部に開口を設け、ここに絶縁物を配置するか、空隙として活性層14の第1の電極2に対向する部分への電流を抑制することができる。このように光反射層3に開口を設けると、この開口が周知の電流ブロック層と同様に機能し、発光効率が向上する。
(6) 図9及び図10のオーミックコンタクト層60の第1の電極2に対向する部分に開口を形成し、活性層14の第1の電極2に対向する部分への電流を抑制することができる。
(7) 発光用半導体領域1,1aの材料を窒化物半導体以外の3−5族化合物半導体とすることができる。
(8) 保護素子用の半導体基板5、磁器素体40、50をシリコン半導体、半導体磁器以外の半導体材料、例えばSiC、又は3−5族化合物半導体等にすることができる。
(9) 発光用半導体領域1及び半導体基板5,5aの各部の導電型を図1、図5、図6、図11、図12と逆にすることができる。
(10) 貼合せ金属層6を省いて半導体基板5を光反射層3に直接に熱圧着させることができる。
(11) 半導体基板5の一方の主面19に光反射層3を予め設け、この光反射層3に発光半導体領域1の他方に主面18を熱圧着させることができる。
(12) ツェナーダイオード11の代わりにこれと同様な機能を有するアバランシュエダイオード等の所定電圧で降伏するダイオードを構成することができる。また、発光素子10の順方向の保護と逆方向の保護とのいずれか一方のみを達成する保護素子を構成することができる。
2 第1の電極
3 光反射層
4 第2の電極
5 半導体基板
6 貼合せ金属層
7 電極金属層
8 絶縁層
9 接続導体
Claims (14)
- 一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有し且つ前記一方の主面側に配置された第1導電型半導体層と前記他方の主面側に配置された第2導電型半導体層とを含んでいる発光用半導体領域と、
前記第1導電型半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
前記発光用半導体領域の他方の主面に電気的及び機械的に結合された導体層と、
前記導体層に接続された第2の電極と、
前記発光用半導体領域を保護する機能を有し且つ前記導体層に電気的及び機械的に結合されている保護素子と
から成る保護素子を有する半導体発光装置。 - 前記保護素子は前記発光用半導体領域を過電圧から保護する機能を有し且つ一方の主面と他方の主面とを有する半導体基板から成り、前記半導体基板の前記一方の主面が前記導体層に貼り付けられていることを特徴とする請求項1記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記半導体基板は、保護ダイオードを形成するために第1導電型を有する第1の半導体領域と、第1導電型と反対の第2導電型を有し且つ前記第1の半導体領域に隣接配置されている第2の半導体領域とを備え、前記第1の半導体領域は前記導体層に貼り付けられ、前記第2の半導体領域は導体によって前記第1の電極に接続されていることを特徴とする請求項2記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 更に、前記半導体基板の前記一方の主面に配置された貼合せ導体層を有し、前記半導体基板の前記一方の主面は前記貼合せ導体層を介して前記導体層に貼り付けられていることを特徴とする請求項2又は3記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記第1の電極は前記発光用半導体領域の前記一方の主面から光を取り出すことを許すように形成され、前記導体層は光反射性を有する光反射層であることを特徴とする請求項1記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記発光用半導体領域と前記導体層と前記保護ダイオードの第1及び第2の半導体領域とが互いに重ねて配置され、前記発光用半導体領域の一方の主面から前記第2の半導体領域の表面に至る孔又は溝を有し、前記第2の半導体領域と前記第1の電極とを電気的に接続するための導体が前記孔又は溝の中に配置されていることを特徴とする請求項3記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記半導体基板は前記発光半導体領域よりも熱伝導率の高い半導体材料から成ることを特徴とする請求項2記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記導体層はAg又はAg合金から成ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記第1の電極は前記発光用半導体領域の前記一方の主面の一部に配置され、且つ前記発光用半導体領域は、活性層と、前記活性層の一方の側に配置された第1導電型半導体層と、前記活性層の他方の側に配置された第2導電型半導体層と、前記第1の電極と前記第1導電型半導体層との間に配置され且つ2次元電子キャリア発生機能を有している多層構造電流拡散層とを含んでいることを特徴とする請求項1記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記発光用半導体領域の前記他方の主面は前記半導体基板の前記一方の主面よりも大きい面積を有し、前記半導体基板の前記他方の主面に電極層が形成され、前記第1の電極は前記電極層に電気的に接続され、前記第2の電極は前記発光用半導体領域の前記他方の主面の前記半導体基板で覆われていない部分に設けられ且つ前記導体層に電気的に接続されている突起電極で構成されていることを特徴とする請求項2記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記第1の電極は前記発光用半導体領域の前記一方の主面に配置され且つ光反射性を有し、前記導体層及び前記半導体基板は光透過性を有していることを特徴とする請求項2記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記保護素子はバリスタであることを特徴とする請求項1記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 前記保護素子はコンデンサであることを特徴とする請求項1記載の保護素子を有する半導体発光装置。
- 成長用基板を用意する工程と、
前記成長用基板上に発光機能を有する発光用半導体領域を気相成長法で形成する工程と、
前記発光用半導体領域の前記成長用基板に接している一方の主面に対して反対側に配置されている他方の主面に導体層を形成する工程と、
保護素子を用意する工程と、
前記保護素子を前記導体層に貼り付ける工程と、
前記保護素子を前記導体層に対する貼り付ける工程の後又は前に前記成長用基板を除去する工程と
を有していることを特徴とする保護素子を有する半導体発光装置の製造方法。
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