DE102009056386A1

DE102009056386A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen

Info

Publication number: DE102009056386A1
Application number: DE102009056386A
Authority: DE
Inventors: Norwin Von Dr. Malm
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2009-11-30
Filing date: 2009-11-30
Publication date: 2011-06-01
Also published as: US8012856B2; US20110136271A1

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (1) angegeben, das zumindest einen Halbleiterkörper (2) und einen Anschlussträgerbereich (5) aufweist. Eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) wird auf einem Substrat (25) abgeschieden. Die Halbleiterschichtenfolge wird auf einem ersten Hilfsträger (3) angeordnet und das Substrat wird entfernt. Eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern wird aus der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet. Ein zweiter Hilfsträger (4) wird auf der dem ersten Hilfsträger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Der erste Hilfsträger wird entfernt. Ein Anschlussträger (50) mit einer Mehrzahl von Anschlussträgerbereichen (5) wird bereitgestellt. Der zweite Hilfsträger wird relativ zu dem Anschlussträger derart positioniert, dass zumindest einer der Halbleiterkörper in Aufsicht mit einem zugeordneten Anschlussträgerbereich überlappt. Der zumindest eine Halbleiterkörper wird auf den Anschlussträgerbereich transferiert.

Description

Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen.
Halbleiterbauelemente, beispielsweise LED-Halbleiterchips, werden in der Regel mit einer Vielzahl von Herstellungsschritten gefertigt. Dies kann dazu führen, dass die fertig gestellten Halbleiterbauelemente zu einem vergleichsweise großen Anteil nicht funktionsfähig sind oder zumindest nicht die vorgegebenen Anforderungen erfüllen.
Eine der vorliegenden Anmeldung zu Grunde liegende Aufgabe ist es, ein Herstellungsverfahren anzugeben, mit dem Halbleiterbauelemente auf vereinfachte Weise zuverlässig hergestellt werden können.
Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der anhängigen Patentansprüche.
In einer Ausführungsform wird bei einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das zumindest einen Halbleiterkörper und einen Anschlussträgerbereich aufweist, eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf einem Substrat bereitgestellt. Die Halbleiterschichtenfolge ist vorzugsweise auf dem Substrat epitaktisch abgeschieden, beispielsweise mittels MOCVD oder MBE. Die Halbleiterschichtenfolge wird auf einem ersten Hilfsträger angeordnet. Das Substrat wird entfernt. Eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern wird aus der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet. Auf der dem ersten Hilfsträger abgewandeten Seite der Halbleiterschichtenfolge wird ein zweiter Hilfsträger angeordnet und vorzugsweise mechanisch stabil verbunden. Der erste Hilfsträger wird entfernt. Ein Anschlussträger mit einer Mehrzahl von Anschlussträgerbereichen wird bereitgestellt. Der zweite Hilfsträger wird relativ zu dem Anschlussträger derart positioniert, dass zumindest einer der Halbleiterkörper in Aufsicht mit einem zugeordneten Anschlussträgerbereich überlappt. Der zumindest eine Halbleiterkörper wird auf den Anschlussträgerbereich transferiert.
Die Verfahrensschritte müssen hierbei nicht notwendigerweise in der Reihenfolge der obigen Aufzählung durchgeführt werden.
Mit dem beschriebenen Verfahren kann die Herstellung von Halbleiterbauelementen derart erfolgen, dass jeweils nur funktionsfähige und weiterhin den vorgegebenen Anforderungen entsprechende Halbleiterkörper auf jeweils zugeordnete Anschlussträgerbereiche transferiert werden. Dadurch kann die Gefahr, dass Halbleiterbauelemente, die beim Vereinzeln des Anschlussträgers in Anschlussträgerbereiche gebildet werden, nicht den vorgegebenen Anforderungen, etwa hinsichtlich der elektronischen Eigenschaften und/oder der spektralen Abstrahlcharakteristik, entsprechen, weitestgehend vermindert werden.
Das Entfernen des Substrats kann vollflächig erfolgen. Mit anderen Worten ist ein Zerteilen des Substrats bei dem Verfahren nicht erforderlich, so dass das Substrat wiederverwendet werden kann. Dadurch können die Herstellungskosten weitergehend gesenkt werden.
In einer bevorzugten Ausgestaltung ist der zweite Hilfsträger als eine Folie ausgeführt. Weiterhin bevorzugt ist eine Hafteigenschaft des zweiten Hilfsträgers gezielt lokal veränderbar. Insbesondere kann die Hafteigenschaft des zweiten Hilfsträgers mittels eines lokalen Wärmeeintrags in den zweiten Hilfsträger verringert werden. Dies kann beispielsweise mittels kohärenter Strahlung erfolgen.
Alternativ oder ergänzend kann der Wärmeeintrag beispielsweise mittels eines Stempels erfolgen. Der Stempel kann in thermischen Kontakt mit dem zweiten Hilfsträger gebracht werden und so den Wärmeeintrag bewirken.
Mittels des ersten und zweiten Hilfsträgers kann das Transferieren der Halbleiterkörper auf den Anschlussträger unabhängig von dem Substrat für die Halbleiterschichtenfolge durchgeführt werden, da dieses beim Transferieren bereits entfernt ist. Im Unterschied zu einem Verfahren, bei dem die Halbleiterkörper direkt mittels selektiven Entfernens durch Laserstrahlung von einem transparenten Aufwachssubstrat, beispielsweise Saphir, auf einen Anschlussträger übertragen werden, kann das beschriebene Verfahren auch für Halbleiterschichtenfolgen verwendet werden, die auf einem nicht strahlungsdurchlässigen Substrat abgeschieden worden sind. Somit kann beispielsweise auch Silizium oder Galliumarsenid für das Substrat Anwendung finden. Das Verfahren eignet sich daher beispielsweise auch für Halbleiterbauelemente, bei denen die Halbleiterkörper für die Erzeugung roter Strahlung vorgesehen sind und zum Beispiel epitaktisch auf einem Galliumarsenid-Substrat abgeschieden sind. Ein Silizium-Substrat kann beispielsweise für die Abscheidung eines Halbleiterkörpers auf der Basis eines nitridischen Verbindungshalbleiters, insbesondere Al_xIn_yGa_1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, insbesondere mit x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 und/oder y ≠ 0, Anwendung finden.
In einer bevorzugten Ausgestaltung wird zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem ersten Hilfsträger eine Trennschicht ausgebildet. Die Trennschicht kann insbesondere auf dem ersten Hilfsträger oder auf der Halbleiterschichtenfolge abgeschieden werden.
Bevorzugt ist die Trennschicht derart ausgebildet, dass das Entfernen des ersten Hilfsträgers mittels zumindest teilweisen Zersetzens der Trennschicht entfernt werden kann.
Beispielsweise eignet sich für die Trennschicht ein Nitrid, etwa Siliziumnitrid. Ein solches Material kann mittels kohärenter Strahlung, beispielsweise Laserstrahlung zersetzt werden. Vorzugsweise ist der erste Hilfsträger für die kohärente Strahlung durchlässig ausgebildet, so dass die kohärente Strahlung beim Entfernen des ersten Hilfsträgers durch den ersten Hilfsträger hindurch eingebracht werden kann.
Der erste Hilfsträger ist insbesondere dafür vorgesehen, die Halbleiterschichtenfolgen mechanisch zu stabilisieren. Das Substrat, auf dem die Halbleiterschichtenfolge abgeschieden wurde, ist hierfür nicht mehr erforderlich und kann daher entfernt werden. Der erste Hilfsträger kann insbesondere als ein starrer Träger ausgeführt sein.
Ein Halbleiterbauelement, bei dem das Aufwachssubstrat entfernt ist, wird auch aus Dünnfilm-Halbleiterbauelement bezeichnet.
Ein Dünnfilm-Halbleiterbauelement, etwa ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip, kann sich weiterhin im Rahmen der vorliegenden Erfindung durch mindestens eines der folgenden charakteristischen Merkmale auszeichnen:

– an einer zu einem Trägerelement, etwa dem Anschlussträgerbereich, hin gewandten ersten Hauptfläche eines Halbleiterkörpers, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich umfasst, insbesondere einer Epitaxieschichtenfolge, ist eine Spiegelschicht aufgebracht oder, etwa als Braggspiegel in der Halbleiterschichtenfolge integriert, ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Strahlung in diese zurückreflektiert;
– die Halbleiterschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf; und/oder
– die Halbleiterschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der Halbleiterschichtenfolge führt, d. h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.

Ein Grundprinzip eines Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
Weiterhin bevorzugt weist der erste Hilfsträger eine hohe chemische Stabilität auf. Die Gefahr einer Schädigung des ersten Hilfsträgers während der Herstellung des Halbleiterbauelements, beispielsweise während eines Ätzprozesses, kann vermindert werden. Beispielsweise kann der erste Hilfsträger ein Glas oder Saphir enthalten oder aus einem solchen Material bestehen.
In einer bevorzugten Ausgestaltung wird vor dem Anordnen der Halbleiterschichtenfolge auf dem ersten Hilfsträger eine elektrisch leitfähige Verbindungsschicht auf der Halbleiteschichtenfolge aufgebracht. Die Verbindungsschicht kann hierbei durchgängig auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht werden und weiterhin unstrukturiert ausgebildet sein. Die Verbindungsschicht kann die Halbleiterschichtenfolge also vollflächig bedecken.
Die Verbindungsschicht kann beispielsweise ein Lot, etwa eine Lotpaste oder einen elektrisch leitfähigen Klebstoff enthalten.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung werden die Halbleiterkörper vor dem Transferieren auf die Anschlussträgerbereiche getestet. Beispielsweise können die Halbleiterkörper hinsichtlich einer elektrischen und/oder spektralen Eigenschaft getestet werden. Dadurch kann sichergestellt werden, dass die Anschlussträgerbereiche nur mit funktionsfähigen Halbleiterkörpern bestückt werden.
In einer bevorzugten Ausgestaltung erfolgt das elektrische Testen der Halbleiterkörper bereits vor dem Anordnen der Halbleiterkörper auf dem zweiten Hilfsträger. In diesem Fall sind die Halbleiterkörper von der dem ersten Hilfsträger abgewandten Seite her zugänglich.
Weiterhin bevorzugt weisen die Halbleiterkörper beim Testen zumindest auf einer Seite, insbesondere auf der dem ersten Hilfsträger zugewandten Seite, einen gemeinsamen Kontakt auf. Insbesondere kann die Verbindungsschicht oder eine auf den Halbleiterkörpern angeordnete Kontaktschicht den gemeinsamen Kontakt für die Halbleiterkörper bilden. Von der dem gemeinsamen Kontakt abgewandten Seite des aktiven Bereichs her sind die Halbleiterkörper zweckmäßigerweise einzeln und somit unabhängig voneinander kontaktierbar. Die Injektion von Ladungsträgern von zwei verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs des zu testenden Halbleiterkörpers in den aktiven Bereich hinein kann dadurch vereinfacht erzielt werden. Nach dem Testen kann der gemeinsame Kontakt zwischen den Halbleiterkörpern nicht mehr erforderlich und kann getrennt werden. Die Verbindungsschicht und/oder die Kontaktschicht können während der Herstellung also einen temporären gemeinsamen Kontakt darstellen.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird eine Konversionsschicht auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Dies kann bereits vor dem Anordnen des zweiten Hilfsträgers auf der Halbleiterschichtenfolge erfolgen.
Die Konversionsschicht kann beispielsweise in Form eines vorgefertigten Plättchens ausgebildet sein. Beispielsweise kann das Plättchen auf einer Keramik oder auf Silikon basieren, wobei ein Konversionsmaterial, etwa ein Lumineszenzkonverter, in das Plättchen eingebettet sein kann.
Alternativ kann die Konversionsschicht auch auf die Halbleiterschichtenfolge abgeschieden werden. Die Konversionsschicht kann ein Halbleitermaterial oder ein keramisches Material enthalten oder aus einem solchem Material bestehen. Eine vollflächig aufgebrachte Konversionsschicht kann nachfolgend, beispielsweise mittels eines photolithographischen Verfahrens, strukturiert werden.
Die Konversionsschicht ist zweckmäßigerweise dafür vorgesehen, vom Halbleiterkörper im Betrieb des Halbleiterbauelements erzeugte Strahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung einer größeren oder kleineren Wellenlänge zu konvertieren. Auf diese Weise kann ein Halbleiterbauelement hergestellt werden, das Mischstrahlung, insbesondere für das menschliche Auge weiß erscheinende Mischstrahlung, erzeugt. Alternativ kann das Halbleiterbauelement so ausgeführt sein, dass die im aktiven Bereich erzeugte Primärstrahlung vollständig mittels der Konversionsschicht in Sekundärstrahlung umgewandelt wird.
In einer bevorzugten Weiterbildung wird ein Farbort der vom Halbleiterkörper und von der Konversionsschicht abgestrahlten Strahlung vor dem Transferieren der Halbleiterkörper auf den Anschlussträgerbereich ermittelt. Bereits vor dem Anordnen der Halbleiterkörper auf den Anschlussträgerbereichen kann also sicher gestellt werden, dass der Farbort der vom Halbleiterbauelement abgestrahlten Strahlung, insbesondere Mischstrahlung mit Anteilen aus Primärstrahlung des aktiven Bereichs und Sekundärstrahlung, innerhalb eines vorgegebenen Bereiches liegt.
Halbleiterkörper, die insbesondere die elektrischen Anforderungen und/oder die Anforderungen hinsichtlich des Farborts nicht erfüllen, können dagegen auf dem zweiten Hilfsträger verbleiben und werden somit nicht auf dem Anschlussträger angeordnet.
Die Halbleiterbauelemente werden vorzugsweise mittels Vereinzelns des Anschlussträgers gebildet, wobei dies besonders bevorzugt nach dem Transfer der Halbleiterkörper auf die Anschlussträgerbereiche erfolgt. Der Anschlussträger kann somit noch im Verbund mit einer Vielzahl von Halbleiterkörpern bestückt werden, wobei beim Zerteilen des Anschlussträgers vollständig fertiggestellte Halbleiterbauelemente mit jeweils zumindest einem Halbleiterkörper und einem Anschlussträgerbereich hervorgehen.
In einer bevorzugten Weiterbildung wird der aktive Bereich der Halbleiterbauelemente vor dem Vereinzeln des Anschlussträgers von beiden Seiten her mit dem jeweils zugehörigen Anschlussträgerbereich elektrisch leitend verbunden wird. Dies erfolgt vorzugweise gleichzeitig für alle auf dem Anschlussträger angeordneten Bereiche. Auf das Herstellen einzelner elektrisch leitender Verbindungen der Halbleiterkörper mit dem zugehörigen Anschlussträgerbereich kann verzichtet werden.
In einer bevorzugten Ausgestaltung ist ein Mittenabstand zwischen benachbarten Anschlussträgerbereichen auf dem Anschlussträger zumindest in einer Richtung größer als ein Mittenabstand zwischen benachbarten Halbleiterkörpern auf dem zweiten Hilfsträger. Mit anderen Worten müssen die Anordnung der Halbleiterkörper auf dem zweiten Hilfsträger und die Anordnung der Anschlussträgerbereiche auf dem Anschlussträger nicht notwendigerweise deckungsgleich ausgebildet sein. Vielmehr können die Mittenabstände unabhängig oder zumindest weitgehend unabhängig voneinander eingestellt werden.
Insbesondere kann so die Dimensionierung der Anschlussträgerbereiche für verschiedene Größen der Halbleiterkörper beibehalten werden. Mit anderen Worten kann beispielsweise die von den Halbleiterbauelementen abgestrahlte Strahlungsleistung durch Änderung der Größe des Halbleiterkörpers variiert werden, ohne dass sich hierbei die Größe des Anschlussträgerbereichs ändert.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weisen die Anschlussträgerbereiche eine elektronische Komponente, beispielsweise eine Schutzdiode auf. Die elektronische Komponente, etwa die Schutzdiode, kann insbesondere in den Anschlussträger integriert sein. Eine Schutzdiode kann das Halbleiterbauelement insbesondere vor elektrostatischer Entladung (electrostatic discharge, ESD) schützen. Der Halbleiterkörper kann somit noch während der Herstellung des Halbleiterbauelements, insbesondere vor Vereinzelung des Anschlussträgers in die Anschlussträgerbereiche vor ESD-Schädigung geschützt werden.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird auf zumindest einen Halbleiterkörper, insbesondere vor dem Vereinzeln des Anschlussträgers, ein optisches Element aufgebracht. Das optische Element kann vorgefertigt sein und an dem Halbleiterkörper befestigt werden. Alternativ kann das optische Element auch auf dem Halbleiterkörper ausgebildet werden.
Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren. Es zeigen:
die 1A bis 1H ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren anhand von schematisch in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten,
die 2A bis 2C ein zweites Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements anhand eines Zwischenschritts in schematischer Schnittansicht in 2A und eines fertig gestellten Halbleiterbauelements in den 2B in schematischer Schnittansicht und in zugehöriger Aufsicht (2C) und
die 3A und 3B ein drittes Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements anhand eines Zwischenschritts in 3A und eines fertig gestellten Halbleiterbauelements in 3B jeweils in schematischer Darstellung.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.
Ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das als ein Dünnfilm-Halbleiterbauelement ausgeführt ist, ist in den 1A bis 1H schematisch dargestellt. Auf einem Substrat 25 wird eine Halbleiterschichtenfolge 20 mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich 23 abgeschieden. Der aktive Bereich 23 ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht 21 und einer zweiten Halbleiterschicht 22 angeordnet, die zweckmäßigerweise bezüglich des Leitungstyps voneinander verschieden sind. Beispielsweise kann die erste Halbleiterschicht 21 n-leitend und die zweite Halbleiterschicht 22 p-leitend ausgebildet sein oder umgekehrt.
Die Halbleiterschichtenfolge 20, insbesondere der aktive Bereich 23, enthält vorzugsweise ein III-V-Halbleitermaterial.
III-V-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (Al_xIn_yGa_1-x-yN) über den sichtbaren (Al_xIn_yGa_1-x-yN, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder Al_xIn_yGa_1-x-yP, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Al_xIn_yGa_1-x-yAs) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, insbesondere mit x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 und/oder y ≠ 0. Mit III-V-Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der Strahlungserzeugung hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden.
Das Substrat 25 ist vorzugsweise im Hinblick auf eine gute Abscheidbarkeit der Halbleiterschichtenfolge 20 ausgewählt. Beispielsweise eignet sich ein für eine Halbleiterschichtenfolge, die AlInGaN enthält, Saphir, Silizium oder Galliumnitrid als Substrat.
Auf der dem Substrat 25 abgewandten Seite wird auf der Halbleiterschichtenfolge eine Spiegelschicht 61 ausgebildet. Die Spiegelschicht weist zweckmäßigerweise für die im aktiven Bereich 23 erzeugte Strahlung eine hohe Reflektivität auf. Vorzugsweise enthält die Spiegelschicht ein Metall oder eine metallische Legierung oder besteht aus einem Metall oder aus einer metallischen Legierung. Beispielsweise eignet sich als Metall Aluminium, Silber, Rhodium, Palladium, Platin oder Gold.
Auf der Spiegelschicht wird eine Kontaktschicht 62 ausgebildet. Die Spiegelschicht und/oder die Kontaktschicht können beispielsweise mittels Aufdampfens oder Aufsputterns aufgebracht werden.
Vorzugsweise ist die Kontaktschicht 62 als eine Schutzschicht für die Spiegelschicht 61 ausgeführt. Insbesondere kann Kontaktschicht Titan und/oder Wolfram, insbesondere die Materialkombination TiWN enthalten oder aus einem solchen Material bestehen.
Über die Kontaktschicht 62 und die Spiegelschicht 61 werden im Betrieb Ladungsträger über die zweite Halbleiterschicht 22 in den aktiven Bereich 23 injiziert. Davon abweichend kann die Kontaktschicht auch die Funktion einer Spiegelschicht erfüllen, so dass eine separate Spiegelschicht nicht erforderlich ist.
Auf der Kontaktschicht 62 wird eine Verbindungsschicht 63 ausgebildet. Die Verbindungsschicht kann beispielsweise ein Lot oder einen elektrisch leitfähigen Klebstoff enthalten.
Wie in 1B dargestellt, wird die Halbleiterschichtenfolge 20 auf der dem Substrat 25 abgewandten Seite auf einem ersten Hilfsträger 3 angeordnet und an diesem befestigt. Die Befestigung kann beispielsweise mittels der Verbindungsschicht 63 erfolgen.
Zwischen dem ersten Hilfsträger 3 und der Halbleiterschichtenfolge 20, insbesondere zwischen dem ersten Hilfsträger 3 und der Verbindungsschicht 63 ist eine Trennschicht 7 angeordnet.
Die Trennschicht 7 enthält vorzugsweise ein Nitrid, beispielsweise Silizium-Nitrid, oder besteht aus einem solchen Material.
Der erste Hilfsträger 3 ist insbesondere dafür vorgesehen, die Halbleiterschichtenfolge 20 mechanisch zu stabilisieren. Weiterhin bevorzugt ist der Hilfsträger mittels eines Materials gebildet, das eine hohe chemische Stabilität aufweist. Insbesondere eignet sich für den ersten Hilfsträger ein Glas oder Saphir.
Nach der Befestigung der Halbleiterschichtenfolge 20 an dem ersten Hilfsträger 3 ist das Substrat 25 für die mechanische Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge 20 nicht mehr erforderlich und kann entfernt werden. Das Entfernen des Substrats kann hierbei zerstörungsfrei und weiterhin vollflächig erfolgen. Das Substrat 25 kann somit für die Abscheidung von Halbleiterschichten wiederverwendet werden.
Beispielsweise kann das Entfernen mittels kohärenter Strahlung, etwa mittels eines Laser-Liftoff-Verfahrens erfolgen. In diesem Fall ist das Substrat vorzugsweise optisch transparent, so dass die Laserstrahlung durch das Substrat hindurch eingestrahlt werden kann. Beispielsweise eignet sich hierfür ein Saphir-Substrat.
Alternativ kann das Substrat auch mechanisch, etwa mittels Schleifens oder Läppens, und/oder chemisch, etwa mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens, entfernt werden. In diesem Fall kann das Substrat unabhängig von seinen optischen Eigenschaften gewählt werden. Beispielsweise kann ein vergleichsweise kostengünstiges Silizium-Substrat verwendet werden.
Nach dem Entfernen des Substrats 25 kann die Halbleiterschichtenfolge 20 auf der dem ersten Hilfsträger 3 abgewandten Seite mit einer Strukturierung 81 versehen werden. Mittels der Strukturierung kann die Auskoppeleffizienz der im aktiven Bereich 23 erzeugten Strahlung gesteigert werden. Die Strukturierung kann beispielsweise mechanisch oder chemisch erfolgen.
Weiterhin kann eine Gegenkontaktschicht 65 auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet werden.
Für die Gegenkontaktschicht eignen sich insbesondere eines der im Zusammenhang mit der Kontaktschicht 62 und der Spiegelschicht 61 genannten Materialien.
Aus der Halbleiterschichtenfolge 20 wird, wie in 1C dargestellt, eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 ausgebildet. Dies kann mittels Ausnehmungen 26 erfolgen, die sich durch den aktiven Bereich, vorzugsweise durch die gesamte Halbleiterschichtenfolge 20, hindurch erstrecken.
Die Ausnehmungen 26 können beispielsweise chemisch, insbesondere mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens hergestellt werden.
Auf den Halbleiterkörpern 2 wird auf der dem ersten Hilfsträger abgewandten Seite eine Konversionsschicht 85 ausgebildet. Die Konversionsschicht kann beispielsweise in Form von vorgefertigten Plättchen bereitgestellt werden, die auf den Halbleiterkörpern 2 positioniert und an den Halbleiterkörpern befestigt werden. Die Plättchen können beispielsweise eine Keramik oder ein Silikon enthalten, wobei ein Konversionsmaterial, etwa ein Lumineszenzkonverter, darin eingebettet sein kann.
Alternativ kann die Konversionsschicht auch ganzflächig auf der Halbleiterschichtenfolge 20 abgeschieden und nachfolgend, beispielsweise mittels eines photolithographischen Verfahrens, strukturiert werden.
Die Konversionsschicht kann beispielsweise ein Halbleitermaterial, etwa ein II-VI Verbindungshalbleitermaterial, ein Silikon oder ein keramisches Material enthalten oder aus einem solchen Material bestehen.
Mittels der Konversionsschicht kann im aktiven Bereich 23 erzeugte Strahlung in Strahlung mit größerer oder kleinerer Wellenlänge konvertiert werden, so dass das Halbleiterbauelement Mischstrahlung mit der im Halbleiterkörper 2 erzeugten Primärstrahlung und der durch Anregung der Konversionsschicht erzeugten Sekundärstrahlung abstrahlen kann.
Insbesondere für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei denen die unmittelbar im aktiven Bereich 23 erzeugte Strahlung genutzt werden soll, kann auf die Ausbildung der Konversionsschicht 85 auch verzichtet werden.
In diesem Herstellungsstadium können die Halbleiterkörper 2 bereits elektrisch getestet werden.
Hierbei kann insbesondere die durchgängige Verbindungsschicht 63 als ein gemeinsamer Rückkontakt für alle Halbleiterkörper 2 auf dem ersten Hilfsträger 3 dienen. Auf der dem ersten Hilfsträger 3 abgewandten Seite sind die Halbleiterkörper 2 einzeln jeweils mittels der Gegenkontaktschicht 65 kontaktierbar, so dass Ladungsträger von verschiedenen Seiten in den aktiven Bereich 23 der Halbleiterkörper 2 injiziert werden können und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren können.
Weiterhin kann der Farbort der Halbleiterkörper bestimmt werden. Insbesondere kann der Farbort auch mit der bereits auf dem Halbleiterkörper 2 aufgebrachten Konversionsschicht gemessen werden. Somit kann bereits in diesem Verfahrensstadium überprüft werden, ob die einzelnen Halbleiterkörper 2 zusammen mit der Konversionsschicht 85 den Anforderungen hinsichtlich der spektralen Abstrahlungscharakteristik entsprechen.
Wie in 1D dargestellt, wird auf der dem ersten Hilfsträger 3 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge ein zweiter Hilfsträger 4 angeordnet. Der zweite Hilfsträger 4 ist vorzugsweise mechanisch flexibel, beispielsweise als Folie ausgeführt.
Weiterhin bevorzugt weist der zweite Hilfsträger 4 eine Hafteigenschaft für die Halbleiterschichtenfolge 2 auf, die gezielt lokal verändert, insbesondere verringert werden kann. Beispielsweise eignet sich eine Folie, bei der sich die Haftung bei Eintrag von Wärme in die Folie lokal verringert. Nach der Befestigung der Halbleiterschichtenfolge 2 an dem zweiten Hilfsträger 4 kann der erste Hilfsträger 3 entfernt werden. Das Entfernen des ersten Hilfsträgers erfolgt vorzugsweise mittels Zersetzens der Trennschicht 7. Dies kann beispielsweise durch Einstrahlung von kohärenter Strahlung durch den ersten Hilfsträger 3 hindurch erfolgen.
Beispielsweise wird durch Einstrahlung von Laserstrahlung auf Siliziumnitrid gasförmiger Stickstoff frei, der zum Absprengen des ersten Hilfsträgers 3 führt. Das Entfernen des ersten Hilfsträgers kann hierbei vollflächig erfolgen, so dass der erste Hilfsträger wiederverwendet werden kann.
Die auf der vom zweiten Hilfsträger 4 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 20 angeordneten Schichten können nachfolgend an Trennstellen 28 durchtrennt werden (1E), beispielsweise mittels eines Lasertrennverfahrens. Somit sind die einzelnen Halbleiterkörper 2 nur noch über den zweiten Hilfsträger 4 mechanisch miteinander verbunden.
Wie in 1E dargestellt, kann auf den Halbleiterkörpern 2 eine weitere Verbindungsschicht 64 ausgebildet werden, die für die nachfolgende Befestigung der Halbleiterkörper 2 an einem Anschlussträger vorgesehen ist. Auf diese weitere Verbindungsschicht kann aber auch verzichtet werden.
Ein Anschlussträger 50 mit einer Mehrzahl von Anschlussträgerbereichen 5 wird bereitgestellt. In 1F ist lediglich zur vereinfachten Darstellung nur der Teil des Anschlussträgers 50 gezeigt, aus dem bei der Herstellung ein Anschlussträgerbereich 5 für einen Halbleiterkörper 2 hervorgeht.
Der zweite Hilfsträger wird derart relativ zum Anschlussträger 50 positioniert, dass zumindest ein Halbleiterkörper 2A in Aufsicht mit einem zugeordneten Anschlussträgerbereich 5 überlappt. Hierbei kann auf dem Anschlussträgerbereich 5 eine Anschlussfläche 51 ausgebildet sein, an der der Halbleiterkörper in einem späteren Verfahrensschritt befestigt werden kann. Weiterhin weist der Anschlussträgerbereich 5 eine weitere Anschlussfläche 52 auf, die für eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers vorgesehen ist.
Die Anschlussfläche 51 und/oder die weitere Anschlussfläche 52 können insbesondere metallisch ausgeführt sein.
Nach der Positionierung kann der zur Befestigung an dem Anschlussträgerbereich 5 vorgesehene Halbleiterkörper 2A von dem zweiten Hilfsträger 4 entfernt werden. Dies kann beispielsweise mittels eines lokalen Wärmeeintrags durch Laserstrahlung oder mittels eines heißen Stempels erfolgen.
Bei oder nach dem Transfer des Halbleiterkörpers 2A wird eine mechanische und weiterhin elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Halbleiterkörper 2A und dem Anschlussträger 5 mittels der Verbindungsschicht 63 (oder gegebenenfalls mittels der weiteren Verbindungsschicht 64) hergestellt.
Der Halbleiterkörper 2B verbleibt dagegen zumindest zunächst auf dem zweiten Hilfsträger 4 (1G). Nachfolgend kann der zweite Hilfsträger relativ zu dem Anschlussträger 50 derart positioniert werden, dass der Halbleiterkörper 2B mit einem ihm zugeordneten Anschlussträgerbereich überlappt, so dass der Halbleiterkörper 2B an dem Anschlussträger befestigt werden kann. Auf diese Weise können die Anschlussträgerbereiche und die Halbleiterkörper auf dem zweiten Hilfsträger weitgehend unabhängig voneinander angeordnet werden. Insbesondere können die Anschlussträgerbereiche in einem größeren Mittenabstand zueinander angeordnet sein als die Halbleiterkörper.
Selbstverständlich können die Anschlussträgerbereiche und die Positionen der Halbleiterkörper auf dem zweiten Hilfsträger derart aufeinander abgestimmt sein, dass zumindest entlang einer Raumrichtung mehrere Halbleiterkörper gleichzeitig zu einem Anschlussträgerbereich geeignet positioniert sind.
Dagegen können Halbleiterkörper 2, die nicht den Anforderungen hinsichtlich deren elektrischen Eigenschaften oder deren spektralen Abstrahlungscharakteristik entsprechen, auf dem zweiten Hilfsträger 4 verbleiben. Somit wird der Anschlussträger 50 lediglich mit Halbleiterkörpern bestückt, die die vorgegebenen Anforderungen erfüllen. Die Zahl von Halbleiterbauelementen, die nach Durchlauf sämtlicher Herstellungsschritte ausselektiert werden müssen, wird dadurch weitestgehend reduziert.
Vorzugsweise haften die Halbleiterkörper 2 zunächst aufgrund von Adhäsionskräften an den Anschlussträgerbereichen 5. Hierfür kann alternativ oder ergänzend zur Verbindungsschicht 63 beziehungsweise zur weiteren Verbindungsschicht 64 auf dem Anschlussträger eine zusätzliche Verbindungsschicht, etwa eine Lotpaste oder ein Klebstoff, ausgebildet sein (nicht explizit dargestellt).
Nachfolgend können die Halbleiterkörper 2 dauerhaft an den Anschlussträgerbereichen befestigt werden. Dies kann insbesondere vollflächig erfolgen, nachdem alle Anschlussträgerbereiche mit Halbleiterkörpern bestückt sind. Je nach der verwendeten Verbindungsschicht kann also für die Anschlussträgerbereiche gemeinsam ein Aushärten einer Lotpaste oder einer Klebeschicht durchgeführt werden.
Nach dem Befestigen der Halbleiterkörper 2 an den Anschlussträgerbereichen 5 kann der Anschlussträger 50 vereinzelt werden, so dass bei der Vereinzelung fertig gestellte Halbleiterbauelemente mit jeweils einem Halbleiterkörper und einem Anschlussträgerbereich hervorgehen.
Ein fertig gestelltes Halbleiterbauelement ist in 1H dargestellt. Bei diesem Halbleiterbauelement ist seitlich, also in einer in einer Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge 20 des Halbleiterkörpers verlaufenden Richtung, von dem Halbleiterkörper 2 eine Rampe 9 auf dem Anschlussträgerbereich 5 ausgebildet. Auf der Rampe verläuft eine Kontaktbahn 91, die eine elektrische Verbindung zwischen einem auf dem Anschlussträgerbereich 5 zur externen Kontaktierung vorgesehenen Kontakt (nicht explizit dargestellt) und dem Halbleiterkörper 2 von der dem Anschlussträgerbereich 5 abgewandten Seite des aktiven Bereichs 23 her dient.
Insbesondere können die Rampe 9 und die Kontaktbahn 91 bereits vor dem Vereinzeln der Halbleiterbauelemente ausgebildet werden. Die Herstellung kann somit für alle Halbleiterbauelemente auf dem Anschlussträger gleichzeitig erfolgen. Auf eine nachfolgende, insbesondere einzelne Kontaktierung der jeweiligen ersten Halbleiterschicht 21 kann verzichtet werden.
Beim Vereinzeln können somit Halbleiterbauelemente hervorgehen, bei denen die aktiven Bereiche 23 der Halbleiterkörper 2 bereits mit dem zugehörigen Anschlussträgerbereich von beiden Seiten, also von der n-leitenden Seite und von der p-leitenden Seite, elektrisch leitend verbunden sind.
Als Material für die Rampe eignet sich insbesondere ein elektrisch isolierendes Material, beispielsweise BCB (Benzocyclobuten), Siliziumoxid oder Siliziumnitrid.
Mittels der Kontaktbahn kann die auf der vom Anschlussträgerbereich abgewandten Seite des aktiven Bereichs 23 angeordnete erste Halbleiterschicht 21 auf dem Niveau der ersten Hauptfläche 501 des Anschlussträgerbereichs extern elektrisch kontaktiert werden. Der Halbleiterkörper kann so auf einfache Weise frei von einer Drahtbondverbindung ausgeführt sein. Eine Abschattung des Halbleiterkörpers durch die Drahtbondverbindung wird dadurch vermieden, so dass die im aktiven Bereich 23 erzeugte Strahlung ungehindert austreten kann.
Davon abweichend kann das Verfahren aber auch für Halbleiterbauelemente Anwendung finden, bei denen der Halbleiterkörper mit einer Drahtbondverbindung versehen ist oder für eine Drahtbondverbindung vorgesehen ist, wobei die Oberseite des Halbleiterkörpers für die externe Kontaktierung ausgebildet sein kann.
Ein zweites Ausführungsbeispiel für ein Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement ist in den 2A bis 2C schematisch dargestellt. Dieses zweite Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den 1A bis 1H beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Insbesondere kann das Verfahren zunächst wie im Zusammenhang mit den 1A bis 1F beschrieben durchgeführt werden.
In 2A ist lediglich zur vereinfachten Darstellung nur ein Halbleiterkörper 2 auf dem zweiten Hilfsträger 4 dargestellt. Im Unterschied zu dem ersten Ausführungsbeispiel weist der Anschlussträger 50 in jedem Anschlussträgerbereich 5 Durchbrüche 55 auf. Die Durchbrüche erstrecken sich von einer ersten Hauptfläche 501 bis zur einer zweiten Hauptfläche 502 des Anschlussträgers 50.
Auf der vom Halbleiterkörper 2 abgewandten Seite weist der Anschlussträger 50 einen ersten Kontakt 56 und einen zweiten Kontakt 57 auf, die jeweils zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements vorgesehen sind. Der erste Kontakt 56 und der zweite Kontakt 57 sind jeweils über die Durchbrüche 55 mit der Anschlussfläche 51 beziehungsweise einer zweiten Anschlussfläche 52 elektrisch leitend verbunden. Weiterhin weist der Anschlussträgerbereich 5 eine Schutzdiode 59 auf, die in den Anschlussträger integriert ist.
Die Schutzdiode 59 kann beispielsweise mittels eines n-leitenden (p-leitenden) Bereichs des Anschlussträgers gebildet sein, der in einem ansonsten p-leitenden (n-leitenden) Anschlussträger ausgebildet ist. Ein solcher Bereich kann beispielsweise mittels Ionenimplantation ausgebildet werden.
Der Anschlussträger basiert zweckmäßigerweise auf einem Halbleitermaterial, insbesondere auf Silizium. Auch Galliumarsenid oder Germanium kann Anwendung finden.
Die Schutzdiode 59 ist somit mittels eines pn-Übergangs gebildet, der bezüglich seiner Durchlassrichtung antiparallel zu der Durchlassrichtung des Halbleiterkörpers 2 orientiert ist.
Im Falle einer im Betrieb des Halbleiterbauelements in Sperrrichtung auftretenden elektrostatischen Aufladung können die Ladungsträger über die Schutzdiode 59 abfließen, so dass der Halbleiterkörper 2 vor einer ESD-Schädigung geschützt ist.
Insbesondere kann der Halbleiterkörper 2 vor einer ESD-Schädigung bereits zu einem Zeitpunkt des Herstellungsverfahrens geschützt werden, bei dem der Anschlussträger 50 noch nicht in eine Vielzahl von Anschlussträgerbereiche vereinzelt ist. Beim Vereinzeln des Anschlussträgers gehen also bereits Halbleiterbauelemente hervor, in die eine Schutzdiode integriert ist.
In 2C ist ein fertig gestelltes Halbleiterbauelement 1 in Aufsicht dargestellt.
Die Kontaktbahn 91 weist auf dem Halbleiterkörper 2 eine Mehrzahl von Öffnungen 29 auf, die sich vorzugsweise durch die Kontaktbahn hindurch bis zum Halbleiterkörper erstrecken. Die im Betrieb des Halbleiterkörpers 2 im aktiven Bereich 23 erzeugte Strahlung kann somit ungehindert durch die Öffnungen hindurch treten.
Ein drittes Ausführungsbeispiel für ein Herstellungsverfahren eines Halbleiterbauelements ist anhand der 3A und 3B in schematischer Schnittansicht dargestellt.
Dieses dritte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem ersten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu werden auf dem zweiten Hilfsträger 4 Halbleiterkörper 2 bereitgestellt, die eine Kontaktausnehmung 24 aufweisen. Die Kontaktausnehmung erstreckt sich von einer dem zweiten Hilfsträger abgewandten Seite des Halbleiterkörpers 2 her durch die zweite Halbleiterschicht 22 und den aktiven Bereich 23 hindurch in die erste Halbleiterschicht 21 hinein. In der Kontaktausnehmung 24 ist eine Gegenkontaktschicht 65 ausgebildet, die eine elektrische Verbindung zur ersten Halbleiterschicht 21 herstellt. Zur Vermeidung eines elektrischen Kurzschlusses ist an der Seitenfläche der Kontaktausnehmung 24 eine Isolationsschicht 27 ausgebildet, die zweckmäßigerweise elektrisch isolierendes Material, beispielsweise Siliziumnitrid oder Siliziumoxid enthält. Mittels der Kontaktausnehmung 24 ist die erste Halbleiterschicht von der Seite des Anschlussträgers 50 her elektrisch kontaktierbar. Der Halbleiterkörper 2 kann somit auf der dem Anschlussträger 50 abgewandten Seite frei von Kontaktschichten ausgebildet sein. Von der gezeigten Darstellung abweichend kann der Halbleiterkörper auch mehrere solcher Kontaktausnehmungen aufweisen, die in lateraler Richtung nebeneinander, beispielsweise matrixartig, angeordnet sind. Eine in lateraler Richtung gleichmäßige Injektion von Ladungsträgern über die erste Halbleiterschicht 21 in den aktiven Bereich 23 wird dadurch vereinfacht erzielt.
In diesem Ausführungsbeispiel ist der Anschlussträger 50 wie im Zusammenhang mit 2A beschrieben mit Durchbrüchen 55 ausgeführt. Davon abweichend können der erste Kontakt 56 und/oder der zweite Kontakt 57 aber auch auf der ersten Hauptfläche 501 des Anschlussträgers 50 ausgebildet sein. In diesem Fall kann auf die Durchbrüche 55 vollständig oder zumindest teilweise verzichtet werden.
Ein fertig gestelltes Halbleiterbauelement ist in 3B dargestellt. Auf dem Halbleiterkörper 2 ist ein optisches Element 95 ausgebildet. Das optische Element kann beispielsweise als ein vorgefertigtes Element, etwa als eine vorgefertigte Linse, ausgebildet sein. Beispielsweise kann das optische Element einen Kunststoff oder ein Glas enthalten oder aus einem solchen Material bestehen.
Insbesondere kann die Anordnung der optischen Elemente 95 noch im Verbund, also vor der Vereinzelung des Anschlussträgers 50 in Anschlussträgerbereiche 5 erfolgen, so dass bei der Vereinzelung Halbleiterbauelemente mit darauf befestigten optischen Elementen hervorgehen.
Davon abweichend kann das optische Element 95 auch auf dem Halbleiterkörper 2 ausgebildet werden. Hierfür kann beispielsweise eine Formmasse auf den Halbleiterkörper 2 aufgebracht und nachfolgend gehärtet werden. Beispielsweise eignet sich für die Formmasse ein Harz oder ein Silikonharz.
Selbstverständlich kann der Halbleiterkörper 2 auch bei dem Herstellungsverfahren gemäß dem zweiten oder dritten Ausführungsbeispiel mit einer Konversionsschicht und/oder einer Strukturierung versehen werden.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt, vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder in den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 [0018]

Claims

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (1), das zumindest einen Halbleiterkörper (2) und einen Anschlussträgerbereich (5) aufweist, mit den Schritten: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) auf einem Substrat (25); b) Anordnen der Halbleiterschichtenfolge (20) auf einem ersten Hilfsträger (3); c) Entfernen des Substrats (25); d) Ausbilden einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) aus der Halbleiterschichtenfolge (20); e) Anordnen eines zweiten Hilfsträgers (4) auf der dem ersten Hilfsträger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20); f) Entfernen des ersten Hilfsträgers (3); g) Bereitstellen eines Anschlussträgers (50) mit einer Mehrzahl von Anschlussträgerbereichen (5); h) Positionieren des zweiten Hilfsträgers (4) relativ zu dem Anschlussträger (50) derart, dass zumindest einer der Halbleiterkörper (2) in Aufsicht mit einem zugeordneten Anschlussträgerbereich (5) überlappt; und i) Transferieren des zumindest einen Halbleiterkörpers auf den Anschlussträgerbereich.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem ersten Hilfsträger eine Trennschicht (7) ausgebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Trennschicht ein Nitrid enthält.
Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem der erste Hilfsträger in Schritt f) mittels zumindest teilweisen Zersetzens der Trennschicht entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Trennschicht mittels kohärenter Strahlung zersetzt wird, die durch den ersten Hilfsträger hindurch eingestrahlt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem vor Schritt b) auf der Halbleiterschichtenfolge eine elektrisch leitfähige Verbindungsschicht aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Halbleiterkörper vor Schritt i), bevorzugt vor Schritt e), elektrisch getestet werden, wobei die Halbleiterkörper auf der dem ersten Hilfsträger zugewandten Seite eine gemeinsame Kontaktschicht aufweisen (62).
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der zweite Hilfsträger eine Folie ist, bei der eine Hafteigenschaft lokal veränderbar ist.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem in Schritt i) die Hafteigenschaft des zweiten Hilfsträgers mittels lokalen Wärmeeintrags in den zweiten Hilfsträger verringert wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem vor Schritt e) eine Konversionsschicht (85) auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem ein Farbort der im Betrieb vom Halbleiterkörper und von der Konversionsschicht abgestrahlten Strahlung vor Schritt i) ermittelt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Halbleiterbauelemente nach Schritt i) mittels Vereinzelns des Anschlussträgers gebildet werden.
Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der aktive Bereich vor dem Vereinzeln des Anschlussträgers von beiden Seiten her mit dem Anschlussträgerbereich elektrisch leitend verbunden wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem ein Mittenabstand zwischen benachbarten Anschlussträgerbereichen auf dem Anschlussträger zumindest in einer Richtung größer ist als ein Mittenabstand zwischen benachbarten Halbleiterkörpern auf dem zweiten Hilfsträger.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Anschlussträgerbereiche jeweils eine Schutzdiode (59) aufweisen, die in die Anschlussträgerbereiche integriert ist.