JP2006080316A - 固体素子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 LED素子2のp電極24およびn電極25の実装面が回路パターン4に対して略同一面化するようにマウントされるので、LED素子2と回路パターン4との間に高粘度のガラスが回り込むことがなく、ガラスの回り込みによる電極へのダメージに基づく電気接続性の低下やクラックの発生を防ぐことができる。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る固体素子デバイスとしてのLEDを示す縦断面図である。
このLED1の製造方法について、以下に説明する。まず、ビアホール3Aを有したガラス含有Al2O3基板3を用意し、ガラス含有Al2O3基板3の表面に回路パターン4に応じてWペーストをスクリーン印刷する。
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る固体素子デバイスとしてのLEDを示す縦断面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については同一の引用数字を付している。
上記した第2の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
図3は、本発明の第3の実施の形態に係る固体素子デバイスとしてのLEDを示す縦断面図である。
このLED1の製造方法するには、まず、Al2O3基板300に設けられて素子実装面となる回路パターン4の表面に半田の電解めっきによって導電めっき層40を形成する。次に、回路パターン4の所定の位置に絶縁層31の形成面が密着するようにLED素子2を位置決めする。次に、LED素子2を位置決めされたAl2O3基板300をリフロー炉に入れて加熱する。この加熱に基づいて導電めっき層40が溶融し、n電極24およびp電極25の実装面が回路パターン4の素子実装面に略同一面化するように半田接合される。
上記した第3の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
図4は、本発明の第4の実施の形態に係る固体素子デバイスとしてのLEDを示す縦断面図である。
上記した第4の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
図5は、本発明の第5の実施の形態に係る固体素子デバイスとしてのLEDを示す縦断面図である。
第5の実施の形態によると、LED素子2に導電めっき層40を設けることなく、超音波併用熱圧着によって電極24およびp電極25の実装面を回路パターン4の素子実装面に略同一面化するように接合できるので、第4の実施の形態の好ましい効果に加えて既成のLED素子2に対してめっき加工を施すことなく、安定した素子固定を実現でき、封止加工性および信頼性の向上を図ることができる。
図6は、本発明の第6の実施の形態に係る固体素子デバイスとしてのLEDを示す縦断面図である。
第6の実施の形態によると、ガラス封止部6の表面にコーティング層10を設けているので、LED素子2から放射される光がコーティング層10を構成するTiO2に均一に照射されることにより、光触媒作用を促進させることができる。また、樹脂封止によるものでは、光触媒作用によってLED素子2の封止樹脂自体が劣化するが、ガラス封止部6が安定な無機材料で形成されることにより、光劣化を生じることなく光触媒装置としての機能を長期にわたって安定的に発揮させることができる。
Claims (16)
- フリップ実装される固体素子と、
前記固体素子の実装面を素子実装面に対して略同一面化するようにマウントして電力の受供給を行う電力受供給部と、
前記電力受供給部と同等の熱膨張率を有して前記固体素子を封止する無機封止材料からなる無機封止部とを有することを特徴とする固体素子デバイス。 - 前記電力受供給部は、導電パターンが形成された無機材料基板であることを特徴とする請求項1に記載の固体素子デバイス。
- 前記電力受供給部は、前記固体素子をマウントする側に設けられる第1の導電パターンと、その裏面側に設けられる第2の導電パターンと、およびその両側を電気的に接続する第3の導電パターンとを有する無機材料基板であることを特徴とする請求項1または2に記載の固体素子デバイス。
- 前記無機材料基板は、前記無機封止部と化学反応接合することに基づいて前記固体素子を封止することを特徴とする請求項3に記載の固体素子デバイス。
- 前記無機封止部は、前記無機封止材料としての低融点ガラスを104〜109ポアズの高粘度条件で加圧接合加工することにより設けられることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記固体素子は、前記実装面側に光反射性を有する電極を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記固体素子は、導電性接着剤を介して前記電力受供給部にマウントされることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記固体素子は、共晶材を介して前記電力受供給部にマウントされることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記固体素子は、前記実装面を有する電極が前記素子実装面に設けられる回路パターンに融着することに基づいて前記素子搭載基板にマウントされることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記無機封止部は、前記固体素子に対し同等から4倍の熱膨張率を有することを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記固体素子は、光学素子であり、かつ、前記無機封止材料は透光性材料であることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の固体素子デバイス。
- 前記光学素子は、発光素子であることを特徴とする請求項11に記載の固体素子デバイス。
- 前記発光素子は、前記無機封止部の表面に光触媒部を有することを特徴とする請求項12項に記載の固体素子デバイス。
- 前記光触媒部は、光透過性を有して前記無機封止部の表面を保護する保護層と、
前記保護層の表面にTiO2からなる光触媒層とを有することを特徴とする請求項13に記載の固体素子デバイス。 - 前記発光素子は、サファイア基板上に積層されたGaN系半導体層を有するGaN系発光素子であることを特徴とする請求項12に記載の固体素子デバイス。
- 前記光学素子は、受光素子であることを特徴とする請求項11に記載の固体素子デバイス。
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