KR101714049B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101714049B1
KR101714049B1 KR1020100107295A KR20100107295A KR101714049B1 KR 101714049 B1 KR101714049 B1 KR 101714049B1 KR 1020100107295 A KR1020100107295 A KR 1020100107295A KR 20100107295 A KR20100107295 A KR 20100107295A KR 101714049 B1 KR101714049 B1 KR 101714049B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
light emitting
conductive
package body
Prior art date
Application number
KR1020100107295A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120045637A (ko
Inventor
임우식
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100107295A priority Critical patent/KR101714049B1/ko
Publication of KR20120045637A publication Critical patent/KR20120045637A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101714049B1 publication Critical patent/KR101714049B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및 상기 패키지 몸체 상에 배치되며, 발광 구조층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 및 상기 패키지 몸체와 상기 발광 소자 사이에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극층, 그리고 상기 제2 전극과 상기 제2 전극층을 전기적으로 연결하는 도전성 접착층을 포함한다.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 기재는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내 외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 소자를 사용하는 경우가 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 신뢰성을 향상하고 제조 비용을 절감할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및 상기 패키지 몸체 상에 배치되며, 발광 구조층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 및 상기 패키지 몸체와 상기 발광 소자 사이에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극층, 그리고 상기 제2 전극과 상기 제2 전극층을 전기적으로 연결하는 도전성 접착층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지에 의하면, 패키지 몸체에 형성된 돌출부에 의하여 제1 전극층과 제2 전극층 사이의 단락을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 의하여 발광 소자 패키지의 신뢰성을 향상할 수 있으며, 제1 전극과 제2 전극의 사이 및/또는 제1 전극층과 제2 전극층의 사이를 좀더 미세 피치로 구현할 수 있다.
또한, 제1 전극과 제1 전극층 사이, 및 제2 전극과 제2 전극층 사이를 접속하기 위한 도전성 접착층으로 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film, ACF) 뿐만 아니라 이방성 도전 접착제(anisotropic conductive adhesive, ACA)를 사용할 수 있다.
이방성 도전 접착제를 사용할 경우에는 저온 실장이 가능하여 다양한 물질을 포함하는 발광 소자 패키지에 적용될 수 있다. 그리고 제1 및 제2 전극의 두께를 줄일 수 있으며 발광 소자를 다양한 형상의 패키지 몸체에 실장하는 경우에도 적용될 수 있다. 또한, 원가가 저렴하고 도포 작업이 용이하며 기존의 인쇄 장치 또는 디스펜서 장치 등을 이용할 수 있으므로 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 발광 소자와 패키지 몸체를 도시한 사시도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 평면도이다.
도 4는 제1 실시예의 일 변형예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 평면도이다.
도 5는 제1 실시예의 다른 변형예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 평면도이다.
도 6 내지 도 13은 도 1에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법의 단계들을 도시한 단면도들이다.
도 14는 제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 15는 제3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 16은 제4 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 17은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면이다.
도 18은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛을 설명하는 도면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(30)와, 이 패키지 몸체(30)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 이 패키지 몸체(30)에 배치되며 제1 전극(112)과 제2 전극(114)을 포함하는 발광 소자(100)와, 제1 및 제2 전극층(31, 32)과 제1 및 제2 전극(112, 114)를 연결하는 도전성 접착층(40)을 포함한다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 발광 소자(100)를 상세하게 설명한 다음 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(30)이 형성된 패키지 몸체(30) 및 도전성 접착층(40)을 설명한다.
발광 소자(100)는, 성장 기판(101), 이 성장 기판(101)의 일면(도면에서의 하면) 상에 위치하는 발광 구조층(135)을 포함한다. 발광 구조층(135)은 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 포함하며, 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130)으로부터 제공되는 전자 및 정공이 상기 활성층(120)에서 재결합(recombination)됨으로써 빛을 생성할 수 있다. 그리고 제1 도전형 반도체층(110)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(112)과, 제2 도전형 반도체층(130)에 전기적으로 연결되는 투광성 전도층(132) 및 제2 전극(114)을 포함한다.
이러한 성장 기판(101)은 사파이어(Al2O3), Si, SiC, GaAs, GaN, ZnO, MgO, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 물질로 구성된 성장 기판(101)을 사용할 수 있음은 물론이다.
이때, 성장 기판(101)이 사파이어(Al2O3) 등과 같이 투광성 물질로 구성되어 발광 구조층(135)에 의해 생성된 빛이 외부로 방출할 수 있도록 할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 추후에 성장 기판(101)이 제거될 수 있으므로 투광성 물질이 아닌 물질로 이루어지는 것도 가능하다. 성장 기판(101)이 제거된 구조에 대해서는 도 15 및 도 16을 참조하여 추후에 좀더 상세하게 설명한다.
성장 기판(101)과 발광 구조층(135) 사이에는 버퍼층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층은 성장 기판(101)과 발광 구조층(135)의 격자 상수 차이를 완화하기 위한 층이다. 이러한 버퍼층은, 일례로 AlInN/GaN 적층 구조, InxGa1-xN/GaN 적층 구조, InxAlyGa1 -x- yN/InxGa1 - xN/GaN의 적층 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1일 수 있다.
또한, 버퍼층은 언도프트 반도체층을 포함할 수 있다. 언도프트 반도체층은 의도적으로 불순물을 주입하지는 않았으나, 이 위에 위치하는 제1 도전형 반도체층(110)과 동일한 제1 도전형을 가질 수 있는 질화물층일 수 있다. 예를 들어, 언도프트 반도체층은 GaN계 반도체층일 수 있다.
발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 이때, 제1 도전형 반도체층(110)이 성장 기판(101) 상에 위치하고, 활성층(120)이 제1 도전형 반도체층(110) 상에 위치하고, 제2 도전형 반도체층(120)이 활성층(120) 상에 위치할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 일례로, 제1 도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층을 포함할 수 있다. 이러한 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료에 n형 도펀트가 도핑되어 형성될 수 있다. 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 포함되어 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(120)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(multi quantum well, MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(120)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 활성층(120)이 다중 양자 우물 구조로 형성된 경우, 활성층(120)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있다. 일례로, 활성층(120)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
이러한 활성층(120)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 이 클래드층은 AlGaN층 또는 InAlGaN층을 포함할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(130)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 일례로, 제2 도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 이러한 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료에 p형 도펀트가 도핑되어 형성될 수 있다. 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에 Mg, Zn, Ca, Sr, Br 등의 p형 도펀트가 포함되어 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상술한 설명에서는 제1 도전형 반도체층(110)이 n형 반도체층을 포함하고 제2 도전형 반도체층(130)이 p형 반도체층을 포함하는 것을 예시하였다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층을 포함하고 제2 도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(130) 아래에 또 다른 n형 또는 p형 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 발광 구조층(135)은, np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(110) 및 제2 도전형 반도체층(130) 내의 도펀트의 도핑 농도는 균일할 수도 있고, 불균일할 수도 있다. 즉, 발광 구조층(135)의 구조는 다양하게 변형될 수 있으며, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 도전형 반도체층(130)에 투광성 전도층(132)이 위치한다. 투광성 전도층(132)은 일례로, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, RuOx, TiOx, 또는 IrOx 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
투광성 전도층(132)이 형성된 발광 구조층(135)과 제1 및 제2 전극(112, 114) 사이에 절연층(134)이 형성된다. 제1 도전형 반도체층(110)을 노출하는 제1 비아홀(134a)를 통해 제1 도전형 반도체층(110)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(112)이 절연층(134) 상에 형성된다. 그리고 투광성 전도층(132)을 노출하는 제2 비아홀(134b)을 통하여 제2 도전형 반도체층(120)에 전기적으로 연결되는 제2 전극(114)이 절연층(134) 상에 형성된다.
이러한 제1 전극(112) 및 제2 전극(114)은 발광 구조층(135)의 동일한 면, 즉 패키지 몸체(30)를 향하는 면에 형성되어 발광 구조층(135)과 패키지 몸체(30) 사이에 위치할 수 있다.
제1 전극(112) 및/또는 제2 전극(114)은 전도성이 우수한 금속, 일례로, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일례로, 제1 전극(112) 및/또는 제2 전극(114)은 발광 구조층(135)과의 오믹 컨택을 위하여 발광 구조층(135)에 접하여 형성되는 오믹층과, 이 오믹층 위에 형성된 전극층을 포함하여 형성될 수 있다.
그리고 패키지 몸체(30)는 폴리프탈아미드(polyphthal amide, PPA), 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP), 폴리아미드9T(polyamid9T, PA9T) 등과 같은 수지, 금속, 감광성 유리(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 세라믹, 인쇄회로기판(PCB) 등을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이러한 물질에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예에서 패키지 몸체(30)는 제1 전극(112)이 위치하는 부분에 형성되는 제1 돌출부(34)와, 제2 전극(114)이 위치하는 부분에 형성되며 제1 돌출부(34)와 이격되는 제2 돌출부(36)를 구비한다. 이러한 제1 전극(112)/제1 전극층(31)과 제2 전극(114)/제2 전극층(32)이 서로 단락되는 것을 방지하는 역할을 하는 바 이에 대해서는 후술한다.
이러한 패키지 몸체(30)에는 제1 전극(31)에 전기적으로 연결되는 제1 전극층(31)과, 제2 전극(32)에 전기적으로 연결되는 제2 전극층(32)이 배치된다. 이러한 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 소정 두께를 가지는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 이 표면에 다른 금속층이 도금될 수도 있다. 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 전도성이 우수한 금속으로 구성될 수 있다. 이러한 금속으로는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 등이 있다.
이러한 제1 및 제2 전극층(31, 32)은 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 및 제2 전극층(31, 32)은 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
본 실시예에서 제1 전극층(31)은 패키지 몸체(30)의 상면에 위치하는 제1 전극부(31a)와 패키지 몸체(30)의 하면에 위치하는 제2 전극부(31b)를 구비하며, 이 제1 전극부(31a)와 제2 전극부(31b)는 패키지 몸체(30)에 형성된 제1 비아홀(30a)에 의해 서로 연결된다. 마찬가지로, 제2 전극층(32)은 패키지 몸체(30)의 상면에 위치하는 제1 전극부(32a)와 패키지 몸체(30)의 하면에 위치하는 제2 전극부(32b)를 구비하며, 이 제1 전극부(32a)와 제2 전극부(32b)는 패키지 몸체(30)에 형성된 제2 비아홀(30b)에 의해 서로 연결된다.
이와 같이 패키지 몸체(30)의 양면에 제1 및 제2 전극층(31, 32)을 모두 형성하고 이를 제1 및 제2 비아홀(30a, 30b)을 통하여 연결함으로써, 방열 효율을 향상하면서 발광 소자 패키지를 외부 회로 등과 접속할 때의 공정을 단순화할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 비아홀(30a, 30b)를 구비하지 않는 것도 가능하다.
이때, 제1 비아홀(30a)이 제1 돌출부(34)에 형성되고 제2 비아홀(30b)이 제2 돌출부(36)에 형성되어 비하홀 내부에 충진되는 전도성 물질의 부피를 늘리는 것에 의하여 방열 효율을 좀더 향상할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 비아홀(30a, 30b)이 다양한 위치에 형성될 수 있다.
제1 및 제2 전극(112, 114)을 각기 제1 및 제2 전극층(31, 32)에 전기적으로 연결하는 도전성 접착층(40)은 절연부(40a)과 이 내부에 위치하는 복수의 도전성 입자(40b)를 포함하는 이방성 도전 물질을 포함한다. 일례로, 도전성 접착층(40)은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film, ACF), 또는 이방성 도전 접착제(anisotropic conductive adhesive, ACA) 등으로 형성될 수 있다.
절연부(40a)는 수지를 포함할 수 있으며, 일례로 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 도전성 입자(40b)로는 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있으며, 일례로 니켈(Ni)에 금(Au)이 도급된 입자 또는 수지 코어에 니켈(Ni) 또는 금(Au)이 도금된 입자일 수 있다. 도전성 입자(40b)의 수지 코어는 다양한 수지가 사용될 수 있는데, 일례로, 폴리스티렌, 폴리메타크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 디비닐벤젠 등이 사용될 수 있다.
이러한 도전성 접착층(40)을 이용하여 발광 소자(100)와 패키지 몸체(30)를 열 압착하면 도전성 입자(40b)에 의하여 제1 전극(112)과 제1 전극층(31)이 전기적으로 연결되고, 제2 전극(114)과 제2 전극층(32)이 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서는 제1 전극층(31)의 제1 전극부(31a)가 제1 돌출부(34) 상에 위치하고, 제2 전극층(32)의 제1 전극부(32a)가 제2 돌출부(36) 상에 위치한다. 이에 따라 제1 전극(112)과 제1 전극층(31) 사이, 그리고 제2 전극(32)과 제2 전극층(32) 사이의 거리를 줄일 수 있다.
이에 의하여 제1 및 제2 전극(112, 114)과 제1 및 제2 전극층(31, 32)이 도전성 입자(40b)에 의하여 원활하게 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상대적으로 제1 및 제2 전극(112, 114)과 제1 및 제2 전극층(31, 32)이 형성되지 않은 부분에서는 전기적 연결이 잘 이루어지지 않도록 하므로 제1 전극(112)/제1 전극층(31)과 제2 전극(114)/제2 전극층(32)이 서로 단락되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 의하여 발광 소자 패키지의 신뢰성을 향상할 수 있다.
그리고 제1 전극(112)/제1 전극층(31)과 제2 전극(114)/제2 전극층(32)이 서로 단락되는 것을 방지할 수 있으므로, 제1 전극(112)과 제2 전극(114) 사이 및/또는 제1 전극층(31)과 제2 전극층(32) 사이를 좀더 미세 피치로 구현할 수 있다. 일례로, 제1 돌출부(34)와 제2 돌출부(36)의 이격 거리는 도전성 입자(40b)보다 크면 족하므로, 제1 전극(112)과 제2 전극(114)의 사이 및/또는 제1 전극층(31)과 제2 전극층(32) 사이의 거리를 매우 작게 줄일 수 있다.
종래에는 단락의 위험 때문에 이방성 도전 필름만을 사용하였으나, 실시예에서는 이방성 도전 필름 뿐만 아니라 페이스트 형태의 이방성 도전 접착제를 사용할 수 있다.
이방성 도전 접착제는 저온 실장이 가능하여 다양한 물질을 포함하는 발광 소자 패키지에 적용될 수 있다. 그리고 이방성 도전 필름의 경우에는 적절한 압력을 가할 수 있도록 제1 및 제2 전극(112, 114)이 두꺼운 두께를 가져야 하지만, 이방성 도전 접착제의 경우에는 이러한 제약이 없으므로 제1 및 제2 전극(112, 114)의 두께를 줄일 수 있다.
또한, 이방성 도전 필름의 경우에는 캐비티(도시하지 않음)를 구비한 패키지 몸체(30)에 발광 소자(100)를 실장하는 경우에 공정 시 어려움이 있었으나, 페이스트 형태의 이방성 도전 접착제의 경우에는 이러한 제한이 없어 다양한 형상의 패키지 몸체(30)에 발광 소자(100)를 실장할 수 있다. 더욱이, 이방성 도전 접착제는 원가가 저렴하고 도포 작업이 용이하며 인쇄 장치 또는 디스펜서 장치 등을 이용할 수 있으므로 별도의 설비 투자가 요구되지 않아 제조 비용을 절감할 수 있다.
이와 같이 제1 전극(112)/제1 전극층(31)과 제2 전극(114)/제2 전극층(32)의 단락이 방지되므로, 도전성 접착층(40)에서 제1 전극(112)과 제1 전극층(31)을 연결하는 부분과 제2 전극(114)과 제2 전극층(32)을 연결하는 부분이 서로 연결되어 일체로 형성될 수 있다. 즉 종래에는 제1 전극(112)과 제1 전극층(31)을 연결하는 부분과 제2 전극(114)과 제2 전극층(32)을 연결하는 부분이 서로 이격되어 별도로 형성되어 정밀한 얼라인(align)이 요구되어 제조 공정을 복잡하게 하였다. 그러나 실시예에서는 정밀한 얼라인이 요구되지 않아 제조 공정을 단순화할 수 있다.
제1 및 제2 전극(112, 114)와 제1 및 제2 전극층(31, 32)의 형성 및 연결 관계 등을 도 2 및 도 3을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지에서 발광 소자와 패키지 몸체를 도시한 사시도이고, 도 3은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 평면도이다. 도 2에서는 도전성 접착층(도 1의 참조부호 40)의 도시를 생략하였으며, 도 3에서는 명확한 도시를 위하여 제1 및 제2 전극(112, 114)와 제1 및 제2 돌출부(34, 36)만을 도시하였다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 전극(112)과 제2 전극(114)은 이격부(SP)를 사이에 두고 서로 이격되어 형성된다. 그리고 제1 돌출부(34)와 제2 돌출부(36)도 이격부(SP)를 사이에 두고 서로 이격되어 형성되어, 제1 전극층(31)과 제2 전극층(32) 또한 이격부(SP)를 두고 서로 이격되어 형성된다.
그리고 제1 돌출부(34) 상의 제1 전극층(31)과 제1 전극(112)이 서로 대응하는 위치에 형성되고, 제2 돌출부(36) 상의 제2 전극층(32)과 제2 전극(114)이 서로 대응하는 위치에 형성된다.
이때, 제1 전극(112)이 제1 돌출부(34)보다 넓은 면적으로 형성되고, 제2 전극(114)이 제2 돌출부(36)보다 넓은 면적으로 형성되어 제1 및 제2 전극(112, 114)이 각기 제1 및 제2 전극층(31, 32)에 안정적으로 연결되면서도 전기적인 단락은 효과적으로 방지할 수 있도록 할 수 있다.
도 2 및 도 3에서는 이격부(SP)가 발광 소자(100)의 가장자리와 평행한 방향으로 형성된 것을 예시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 변형예로서, 도 4에서와 같이 이격부(SP)가 발광 소자(102)의 대각선 방향을 따라 형성되는 것도 가능하며, 이 외에도 다양한 변형이 가능하다. 이에 따르면, 도 4에서는 제1 및 제2 전극(1122, 1142)과 돌출부(342, 362)이 직각 삼각형의 형상을 가질 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 2 및 도 3에서는 제1 돌출부(34)가 하나, 제2 돌출부(36)가 하나 구비되는 것을 예시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 변형예로서, 도 5에서와 같이 제1 및 제2 돌출부(344, 364)가 복수로 구비되는 것도 가능하며, 이 외에도 다양한 변형이 가능하다.
이하, 도 6 내지 도 13을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명한다. 도 6 내지 도 13은 도 1에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법의 단계들을 도시한 단면도들이다. 간략하고 명확한 설명을 위하여 상술한 설명과 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 성장 기판(101) 상에 발광 구조층(135)을 형성한다.
발광 구조층(135)은, 예를 들어, 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 화학 증착법(chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 화학 증착법(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD), 분자선 성장법(molecular beam epitaxy, MBE), 수소화물 기상 성장법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 발광 구조층(135) 및 성장 기판(101) 사이에는 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시) 및/또는 언도프트 질화물층(미도시)이 형성될 수도 있다. 버퍼층은, 일례로 AlInN/GaN 적층 구조, InxGa1 - xN/GaN 적층 구조, InxAlyGa1 -x-yN/InxGa1-xN/GaN의 적층 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1일 수 있다. 언도프트 반도체층은 의도적으로 불순물을 주입하지는 않았으나, 이 위에 위치하는 제1 도전형 반도체층(110)과 동일한 제1 도전형을 가질 수 있는 질화물층일 수 있다. 예를 들어, 언도프트 반도체층은 GaN계 반도체층일 수 있다.
이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(130), 활성층(120) 및 제1 도전형 반도체층(110)의 일부를 제거하는 메사 식각을 한다. 이에 의하여 제1 도전형 반도체층(110)의 일부가 노출된다. 이러한 메사 식각으로는 건식 식각 등이 적용될 수 있다.
이어서, 도 8에 도시한 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(130) 상에 투광성 전도층(132)를 형성하고, 메사 식각에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(110) 상에 제1 전극의 일부(112a)을 형성한다. 투광성 전도층(132) 및 제1 전극의 일부(112a)는 스퍼터링 또는 증착 등에 의하여 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 메사 식각 이후에 투광성 전도층(132), 제1 전극의 일부(112a)을 형성하였으나, 다양하게 변형이 가능할 수 있으며 이 또한 실시예의 범위에 속한다.
이어서, 도 9에 도시한 바와 같이, 발광 구조층(135), 투광성 전도층(132) 및 제1 전극부의 일부(112a)를 덮으면서 절연층(134)을 형성하고, 이 절연층(134)에 제1 비아홀(134a)과 제2 비아홀(134b)을 형성한다. 제1 비아홀(134a)은 제1 전극부(112a)를 노출하면서 형성되고, 제2 비아홀(134b)은 투광성 전도층(132)을 노출하면서 형성된다.
이어서, 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 전극(112) 및 제2 전극(114)을 형성한다. 이러한 제1 전극(112) 및 제2 전극(114)은 스퍼터링 또는 증착 등에 의하여 전극층을 형성한 다음 이를 패터닝하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이 패키지 몸체(30)에 제1 및 제2 전극층(31, 32)를 형성한 다음, 도 13에 도시한 바와 같이 도전성 접착층(40)을 이용하여 발광 소자(100)와 제1 및 제2 전극층(31, 32)이 형성된 패키지 몸체(30)를 접합한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.
도 11에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 돌출부(34, 36)를 구비하는 패키지 몸체(30)를 준비하고, 이 제1 및 제2 돌출부(34, 36)에 비아홀(30a, 30b)를 형성한다. 비아홀(30a, 30b)은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 12에 도시한 바와 같이, 비아홀(30a, 30b)을 채우면서 패키지 몸체(30)의 상면 및 하면에 제1 전극층(31)과 제2 전극층(32)을 형성한다. 이러한 제1 전극층(31)과 제2 전극층(32)은 스퍼터링 또는 증착 등에 의하여 형성될 수 있다.
이어서, 도 13에 도시한 바와 같이, 도전성 접착층(40)을 사이에 두고 발광 소자(100)와 제1 및 제2 전극층(31, 32)이 형성된 패키지 몸체(30)를 배치한 후 이를 열 및 압력에 의하여 접합한다. 이에 의하여 도 1의 발광 소자 패키지를 제조할 수 있다.
이하, 도 14 내지 도 16을 참조하여 다른 실시예들에 따른 발광 소자를 설명한다. 간략하고 명확한 설명을 위하여 상술한 실시예와 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. 그리고 제조 방법은 상술한 실시예의 제조 방법과 매우 유사하므로 설명을 생략한다.
도 14는 제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에서는 성장 기판(도 1의 참조부호 101)을 제거하고 발광 구초층(135), 좀더 상세하게는 제1 도전형 반도체층(110)에 광 추출 패턴(115)를 형성한다.
이 광 추출 패턴(115)은 표면에서 전반사되는 빛의 양을 최소화하여 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 광 추출 패턴(115)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 원하는 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 광 추출 패턴(115)은 50nm 내지 3000nm의 주기를 갖는 광 결정(photonic crystal) 구조가 배열되어 형성될 수 있다. 광 결정 구조는 간섭 효과 등에 의해 특정 파장 영역의 빛을 외부로 효율적으로 추출할 수 있다.
또한, 광 추출 패턴(115)은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 15는 제3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 실시예에서는 발광 구조층(135)과 제1 및 제2 전극(112, 114) 사이에 절연층(도 1의 참조부호 134, 이하 동일)를 형성하지 않았다는 점에서 제1 실시예와 차이가 있다. 본 실시예서는 절연층의 형성을 생략하여 제조 공정을 단순화할 수 있다.
도 15에서는 성장 기판(101)을 구비한 것을 예시하였으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 도 14에서와 같이 성장 기판(101)을 제거하고 발광 구조층(135) 상에 광 추출 패턴(115)를 형성하는 것도 가능함은 물론이다.
도 16은 제4 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 실시예에서는 제1 및 제2 전극(112, 114)과 도전성 접착층(40) 사이에 위치하며, 제1 및 제2 연결 도전층(172)을 구비하는 지지 기판(170)을 포함한다.
여기서, 제1 및 제2 전극(112, 114)에 각기 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 연결 도전층(172)은 지지 기판(170)의 양면에 형성되는 연결부(172a, 172b)을 포함하고, 이 연결부(172a, 172b)는 지지 기판(170)에 형성된 제1 및 제2 비아홀(176a, 176b)을 통해 서로 연결된다.
이에 의하여 제1 전극(112)과 제1 전극층(31), 제2 전극(114)과 제2 전극층(32)을 원활하게 연결할 수 있으며 방열 효율 또한 향상할 수 있다.
제1 연결 도전층(172)과 제1 전극(112)은 이들 사이에 위치하는 제1 공융 금속층(174a)에 의하여 전기적으로 연결되며, 제2 연결 도전층(174)과 제2 전극(114)은 이들 사이에 위치하는 제2 공융 금속층(174b)에 의하여 전기적으로 연결된다.
이러한 제1 및 제2 공융 금속층(174a, 174b)는 공융 금속(eutectic metal), 예를 들어, Au/Sn, Ni/Cu, Pb/Sn, Au/Ge, Au/Sn/Ge, Au/Pb/Sn, Cu/Pb/Sn 등을 포함할 수 있다.
실시예에서는 지지 기판(170)을 삽입하여 물리적, 구조적 안정성을 향상하면서 발광 구조층(135) 상에 형성되는 성장 기판(101)을 제거할 수 있다.
도 16에서는 절연층(134)을 구비한 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 도 15에서와 같이 절연층(134)을 형성하지 않을 수도 있다.
상술한 실시예의 발광 소자 패키지는 백라이트 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등과 같은 조명 시스템으로 기능할 수 있다. 이를 도 17 및 도 18을 참조하여 설명한다.
도 17은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면이다. 다만, 도 17의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 한정되지 않는다.
도 17을 참조하면, 백라이트 유닛(1100)은, 바텀 커버(1140), 이 바텀 커버(1140) 내에 배치된 광 가이드 부재(1120), 이 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다.
바텀 커버(1140)는 광가이드 부재(1120), 발광 모듈(1100) 및 반사 시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으며, 금속 또는 수지로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 모듈(1110)은, 기판(700)에 탑재된 복수의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자 패키지(600)는 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공한다.
도시된 것처럼, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140) 내에서 광가이드 부재(1120)의 아래에 배치되어, 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있다. 이는 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하다.
광가이드 부재(1120)는 바텀 커버(1140) 내에 배치될 수 있다. 광가이드 부재(1120)는 발광 모듈(1110)으로부터 제공받은 빛을 면광원화하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
이러한 광가이드 부재(1120)는, 예를 들어, 도광판(light guide panel, LGP) 일 수 있다. 이 도광판을 예를 들어, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl metaacrylate, PMMA)와 같은 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 고리형 올레핀 공중합체(COC), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다.
이 광가이드 부재(1120)의 상측에 광학 시트(1150)이 배치될 수 있다.
이 광학 시트(1150)는, 예를 들어, 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 시트(1150)이 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트, 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 확산 시트(1150)는 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 이 확산된 광이 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때, 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광이다. 휘도 상승 시트는 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 집광 시트는, 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 그리고 휘도 상승 시트는, 예를 들어, 조도 강화 필름(dual brightness enhancement film) 일 수 있다. 또한, 형광 시트는 형광체가 푸함된 투광성 플레이트 또는 필름일 수 있다.
광가이드 부재(1120)의 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다. 반사 시트(1130)는 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. 이 반사 시트(1130)는 반사율이 좋은 수지, 예를 들어, PET, PC, 폴리비닐클로라이드(poly vinyl chloride), 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 18은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛을 설명하는 도면이다. 다만, 도 18의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 18을 참조하면, 조명 유닛(1200)은, 케이스 몸체(1210), 이 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230), 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.
케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.
발광 모듈(1230)은, 기판(700) 및 이 기판(700)에 탑재되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다.
상기 기판(700)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB), 메탈 코아(metal core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 기판(700)은 빛을 효율적으로 반사하는 물질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
기판(700) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)가 탑재될 수 있다.
발광 소자 패키지(600)는 각각 적어도 하나의 발광 소자(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 발광 소자는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 소자 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 소자를 포함할 수 있다.
발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 소자, 적색 발광 소자 및 녹색 발광 소자를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.
연결 단자(1220)는 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 18에 도시된 것에 따르면, 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 조명 시스템은 신뢰성이 우수한 발광 소자 패키지를 포함함으로써, 우수한 특성을 가질 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (15)

  1. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및
    상기 패키지 몸체 상에 배치되며, 발광 구조층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 및
    상기 패키지 몸체와 상기 발광 소자 사이에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극층, 그리고 상기 제2 전극과 상기 제2 전극층을 전기적으로 연결하는 도전성 접착층;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 상기 도전성 접착층 사이에 위치하며, 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 연결 도전층 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 연결 도전층;
    상기 제1 연결 도전층과 상기 제1 전극 사이에서 이들을 접속하는 제1 공융 금속층; 및
    상기 제2 연결 도전층과 상기 제2 전극 사이에서 이들을 접속하는 제2 공융 금속층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및
    상기 패키지 몸체 상에 배치되며, 발광 구조층, 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 및
    상기 패키지 몸체와 상기 발광 소자 사이에 위치하며, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극층, 그리고 상기 제2 전극과 상기 제2 전극층을 전기적으로 연결하는 도전성 접착층;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 상기 도전성 접착층 사이에 위치하며 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 연결 도전층 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 제2 연결 도전층;
    상기 제1 연결 도전층 및 상기 제2 연결 도전층이 배치되는 지지 기판; 및
    상기 제1 연결 도전층 및 상기 제2 연결 도전층이 상기 지지 기판의 양면에 배치되는 연결부들을 포함하고,
    상기 양면에 배치된 연결부들은 상기 지지 기판에 배치된 비아홀을 통해 서로 연결되는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 패키지 몸체는,
    상기 제1 전극에 대응하는 부분에 배치되는 제1 돌출부와,
    상기 제1 돌출부와 이격되어 상기 제2 전극에 대응하는 부분에 배치되는 제2 돌출부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은, 절연부 및 상기 절연부 내에 위치하는 복수의 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 물질을 포함하고,
    상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부의 이격 거리가 상기 도전성 입자보다 큰 발광 소자 패키지.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film, ACF) 및 이방성 도전 접착제(anisotropic conductive adhesive, ACA) 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 발광 구조층은, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하고,
    상기 발광 구조층과 상기 제1 및 제2 전극의 사이에 위치하며, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 전극을 연결하는 제1 비아홀 및 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극을 연결하는 제2 비아홀을 구비하는 절연층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 절연층 상에서 이격부를 두고 형성되고,
    상기 제1 전극이 상기 제1 돌출부보다 넓은 면적으로 형성되고, 상기 제2 전극이 상기 제2 돌출부보다 넓은 면적으로 형성되는 발광 소자 패키지.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 상기 절연층 상에서 이격부를 사이에 두고 형성되고,
    상기 이격부가 상기 발광 소자의 가장자리와 평행한 방향 또는 상기 발광 소자의 대각선 방향을 따라 형성되는 발광 소자 패키지.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 제1 전극층의 적어도 일부가 상기 제1 돌출부 상에 위치하고,
    상기 제2 전극층의 적어도 일부가 상기 제2 돌출부 상에 위치하는 발광 소자 패키지.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광 구조층의 일면에 광 추출 패턴이 형성되는 발광 소자 패키지.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 상기 패키지 몸체를 향하는 상기 발광 구조층의 일면에 위치하는 발광 소자 패키지.
  14. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극층이 각기 상기 패키지 몸체의 양면에 형성되는 전극부들을 포함하고, 상기 양면에 형성된 전극부들은 상기 패키지 몸체에 형성된 비아홀을 통해 서로 연결되는 형성되는 발광 소자 패키지.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 비아홀이 상기 제1 및 제2 돌출부에 형성되는 발광 소자 패키지.
KR1020100107295A 2010-10-29 2010-10-29 발광 소자 패키지 KR101714049B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100107295A KR101714049B1 (ko) 2010-10-29 2010-10-29 발광 소자 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100107295A KR101714049B1 (ko) 2010-10-29 2010-10-29 발광 소자 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120045637A KR20120045637A (ko) 2012-05-09
KR101714049B1 true KR101714049B1 (ko) 2017-03-08

Family

ID=46265068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100107295A KR101714049B1 (ko) 2010-10-29 2010-10-29 발광 소자 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101714049B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018088498A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004039983A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2006080316A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子デバイス
JP2006128710A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Lumileds Lighting Us Llc パッケージ統合された薄膜ｌｅｄ

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530948B1 (ko) * 2008-12-10 2015-06-24 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004039983A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2006080316A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子デバイス
JP2006128710A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Lumileds Lighting Us Llc パッケージ統合された薄膜ｌｅｄ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120045637A (ko) 2012-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6199948B2 (ja) 発光素子、発光素子パッケージ
JP5189176B2 (ja) 発光素子
EP2434545B1 (en) Light emitting device
EP2562815B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
JP2011192999A (ja) 発光素子
KR101795053B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛
KR101734550B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20130021296A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR20120019750A (ko) 발광 소자
KR20130065327A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101714049B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR20130045686A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101907618B1 (ko) 발광소자
KR101683901B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20120087035A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101852566B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR101869553B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR101818771B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR101781217B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20120088985A (ko) 발광소자
KR20120020599A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101724708B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101765912B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101921150B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛
KR20120058350A (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant