KR102311791B1 - 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법 - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 50
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 3
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- -1 potassium nitride Chemical class 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76805—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics the opening being a via or contact hole penetrating the underlying conductor
Abstract
본 발명은, 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계, 상기 얼라인 키를 통해 도판트를 주입하는 단계, 상기 기판 및 상기 도판트에 열처리를 하는 단계, 상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계 이후에, 전극이 배치되지 않은 영역에 아민계 폴리머 용액을 습식코팅하여 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 용액을 이용하여 원하는 패턴의 패시베이션을 형성 가능하며, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 기판의 변형 및 특성저하가 방지되는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 진공 장치가 필요하지 않으며, 고온 및 기체로부터 작업자의 안전이 보장되는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 용액을 이용하여 원하는 패턴의 패시베이션을 형성 가능하며, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 기판의 변형 및 특성저하가 방지되는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
다이오드(diode)란 전류를 옴의 법칙에 따라 순방향 전압에서는 전류가 흐르고, 역방향에서는 전류가 거의 흐르지 않는 성질을 가진 반도체 소자(semiconductor device)를 말한다. 이러한 다이오드는 20세기 중반에 실리콘을 기반으로 상용화되었으며 꾸준히 개발되어 사용되어 왔다. 하지만 기존 실리콘 재료의 물성적 한계로 인해 실리콘보다 우수한 물성을 가진 전력반도체 소자의 개발에 대한 필요성이 대두되고 있다. 다이오드를 이루는 물질은 높은 항복전압, 적은 손실, 빠른 스위칭 등과 같은 특성을 요구한다. 그 중 탄화규소(silicon carbide, SiC) 및 질화칼륨(gallium nitride, GaN)은 실리콘에 비해 넓은 밴드갭 에너지(band gap energy)를 가진 와이드 밴드갭 반도체 물질로 실리콘을 대체할 수 있는 다이오드 재료이다. 그 중 탄화규소는 밴드갭 에너지가 약 3.2 내지 3.3eV로 실리콘에 비해 3배, 절연파괴전압이 3MV/cm로 실리콘의 약 10배를 가지고 있으며, 열전도도가 3.7W/cm·K로 실리콘의 3배 특성을 가지고 있다. 이러한 특성으로 인해 높은 항복전압 특성을 나타내며 고온에서도 낮은 손실을 가지는 다이오드 재료라고 할 수 있다.
고전압용으로 제조되는 탄화규소 다이오드는 작동시 외부와의 절연뿐만 아니라 실제 전계(electric field)가 형성되는 곳을 서로 전기적으로 절연시켜 주는 패시베이션(passivation) 층이 필수적이다. 기존 실리콘을 이용한 반도체 공정에서는 패시베이션 층으로 산화막(SiO2)을 주로 이용하였고, 산화막을 형성하기 위해서는 고온 공정을 필요로 하거나, 또는 위험한 소스 기체(source gas)를 사용하는 공정이 수반된다. 이는 탄화규소를 이용한 산화막 형성에도 실리콘과 같은 공정을 사용하고 있다. 산화막 형성 공정은 크게 열 산화법(thermal oxidation), 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)이 있다. 그 중 패시베이션층으로 적용하기 위해서 열 산화법을 적용하게 되면, 기판 소재인 탄화규소가 소모되는 공정을 수반하므로 실질적으로 적용이 불가능하다.
화학기상증착법은 기판에 온도를 증가시키고 실리콘(Si)과 산소(O)를 제공할 수 있는 전구체(precusor)로 실란 가스(SiH4)와 이산화질소(NO2)와 같은 반응성 가스를 반응성 챔버 내에 공급하여 기판 표면에서 반응을 일으켜 산화막을 증착하는 방법이다. 이와 같은 화학기상증착법은 반응을 일으키는 방법에 따라 열화학기상증착법(thermal CVD), 광화학기상증착법(photo CVD), 플라즈마기상증착법(plasma enhanced CVD), 상압화학기상증착법(atmopheric pressure CVD), 진공화학기상증착법(low pressure CVD) 등으로 나뉜다.
종래의 화학기상증착법을 이용하여 기판 상부에 패시베이션층을 형성할 경우 고온에서 공정을 수행하거나, 고온의 로(furnace)에서 공정을 수행하게 되면 고온에서 장기간 열처리에 의해 탄화규소 기판에 스트레스가 가해져 기판의 비틀림 현상이 발생하게 된다. 특히 플라즈마를 이용하는 화학기상증착법은 증착시 제조된 탄화규소 소자가 플라즈마에 노출되게 되며, 이는 산화막 특성을 저하시키는 요인이 된다. 산화막 내의 이동전하(mobile oxide charge), 고정 산화 전하(fixed oixde charge) 등에 의해 누설전류가 발생하고 높은 전계에서 소자의 파괴를 유발하기도 한다. 또한 산화막은 측정을 위한 전극을 형성하기 위해서는 건식 에칭 공정을 이용한 산화막 식각 공정이 뒤따른다. 하지만 이와 같이 건식 식각시 제작된 다이오드 표면까지 식각되어 다이오드의 특성을 저하시키는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 용액을 이용하여 원하는 패턴의 패시베이션을 형성 가능하며, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 기판의 변형 및 특성저하가 방지되는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 진공 장치가 필요하지 않으며, 고온 및 기체로부터 작업자의 안전이 보장되는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적은, 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계, 상기 얼라인 키를 통해 도판트를 주입하는 단계, 상기 기판 및 상기 도판트에 열처리를 하는 단계, 상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다이오드 제조방법에 있어서, 상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계 이후에, 전극이 배치되지 않은 영역에 아민계 폴리머 용액을 습식코팅하여 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법에 의해 달성된다.
여기서, 상기 패시베이션층을 형성하는 단계는, 상기 아민계 폴리머 용액 중 용매를 건조시켜 아민계 폴리머만 상기 기판의 상부에 형성되도록 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하며, 상기 기판을 열처리하는 단계는, 100 내지 400℃에서 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 아민계 폴리머 용액은 아민계 폴리머와 용매를 혼합한 용액이며, 상기 아민계 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리아미드이미드(polyamideimide), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 용매는 쌍극성 아프로틱 용매(dipolar aprotic solvent)인 N,N-dimethylacetamide(DMAc), N-methylpyrrolidione(NMP) 또는 dimethylformamide(DMF) 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 아민계 폴리머 용액은 100 내지 2000cP의 점도로 이루어진 것이 바람직하다.
상술한 본 발명의 구성에 따르면 용액을 이용하여 원하는 패턴의 패시베이션을 형성 가능하며, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 기판의 변형 및 특성저하가 방지되는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층을 형성하기 때문에 진공 장치가 필요하지 않으며, 고온 및 기체로부터 작업자의 안전이 보장되는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법의 순서도이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다이오드의 단면도이고,
도 3은 종래 실시예 및 본 발명의 실시예에 따른 다이오드의 항복전압을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다이오드의 단면도이고,
도 3은 종래 실시예 및 본 발명의 실시예에 따른 다이오드의 항복전압을 나타낸 그래프이다.
이하 도면을 참고하여 본 발명에 따른 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법을 상세히 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이 기판의 상부에 얼라인 키를 형성한다(S1).
도 2에 도시된 바와 같이 탄화규소를 이용하여 고전압 다이오드(100)의 제조를 위해서는 많은 반도체 공정을 거치게 된다. 먼저, 탄화규소 다이오드(100)를 제조 가능하도록 기판(110)은 탄화규소(SiC)를 사용하여 제조한다. 탄화규소 기판(110)은 기판본체(111)와, 기판본체(111)의 상부에 에피층(epi layer, 113)이 적층된 형태로 이루어진다. 에피층(113)은 기판본체(111)와 동일한 결정방위를 가지며 기판본체(111)의 상부에 얇게 피복되는 층을 말한다. 이러한 탄화규소의 기판(110)의 상부에 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 얼라인 키(align key)를 형성한다. 얼라인 키는 이후의 포토리소그래피 공정에서 포토레지스트를 이용해 패턴을 형성할 때 정렬을 맞추는 기준이 된다.
이를 상세히 설명하면 먼저 선택영역에만 이온주입을 하기 위하여 이온주입 마스크를 형성한다. 이온주입 마스크는 먼저 산화막을 증착한 후에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성한 후 산화막을 식각한다. 포토레지스트를 제거하면 이온주입 마스크의 제작이 완료된다. 이후 식각 공정을 통해 원하는 패턴의 패턴홈(115)이 형성된다.
이온주입법을 통해 패턴홈(115)에 도판트(130)를 주입한다(S2).
에피층(113)의 전계가 형성되는 곳에 접합(junction)을 형성하는 데, 이를 위해 에피층(113)에 형성된 패턴홈(115)에 이온주입법을 이용하여 도판트(dopant, 130)를 주입하게 된다. 여기서 도판트(130)는 n형 반도체의 경우 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P), 질소(N) 등과 같은 원소를 사용하고, p형 반도체의 경우 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 원소를 사용하는 데 이러한 원소는 한정되지는 않는다.
열처리를 통해 도판트(130)의 활성화 및 탄화규소 기판(110)의 결정격자 손상을 회복시킨다(S3).
도판트(130) 및 탄화규소 기판(110)에 열처리를 한다. 주입된 도판트(130)는 전계를 형성하기 위한 캐리어(carrier) 역할을 하기 때문에 고온 열처리를 통해 활성화시키고, 탄화규소의 결정격자 손상을 회복시킨다. 만약 도판트(130)가 활성화되지 못하면 오히려 저항으로 작용하여 전계의 흐름을 방해하게 된다.
S2 단계에서 이온 주입법을 이용하여 도판트(130)를 주입할 때 고 에너지가 가해지는 이온 주입법을 통해 도판트(130)를 주입하게 된다. 이온 주입 공정은 주입하고자 하는 도판트(130)를 이온 상태에서 가속화시켜 주입하게 되는데, 이때 탄화규소 결정의 규칙성에 손상을 주게 되므로 결정성이 저하된다. 즉 도판트(130)를 주입할 때 고 에너지에 의해 탄화규소 기판(110)의 결정격자 손상이 유발된다. 따라서 탄화규소 기판(110)의 결정격자 손상을 회복시키고 도판트(130)의 활성화를 위해 고온 활성화 열처리를 하게 된다.
주입된 도판트(130)의 활성화 및 탄화규소 기판(110)의 결정격자 손상 회복을 위한 고온 활성화 열처리는 1650 내지 1750℃의 온도에서 불활성 가스 분위기 하에서 이루어지며, 이때 시간은 30분 내지 2시간 정도 이루어지는 것이 바람직하다. 열처리 온도가 1650℃ 미만일 경우 결정격자 손상이 완전히 회복되지 않으며, 도판트(130)가 활성화되지 않아 면저항이 증가하며, 이에 따른 누설전류 또한 증가하게 된다. 또한 열처리 온도가 1750℃를 초과할 경우 탄화규소 기판(110)의 결정격자 손상의 측정이 불가능하다는 문제가 있다.
탄화규소 기판(110)의 상부에 컨택 비아(170) 및 전극(190)을 형성한다(S4).
도판트(130)가 외부로 노출된 기판(110)의 영역에 컨택 비아(contact via, 170) 및 전극(190)을 형성한다. 컨택 비아(170)는 전극(190)이 구리로 형성될 경우 전극(190)과 동일한 재료인 구리로 형성되고, 전극(190)이 알루미늄일 경우 텅스텐으로 형성된다. 컨택 비아(170)의 상부 또는 하부에는 오믹 컨택(ohmic contact, 191)이 배치되고, 그 상부에 패드 메탈(pad metal, 193)을 배치하여 전극(190)을 형성한다.
전극(190)이 배치되지 않은 영역에 아민계 폴리머 용액을 습식코팅하여 패시베이션층(150)을 형성한다(S5).
아민계 폴리머 용액을 이용하여 고전압용 다이오드(100)에 공급되는 고전압을 견딜 수 있도록 기판(110)에서 전계가 형성되는 곳을 절연시키거나 패시베이션(passivation) 역할을 하는 패시베이션층(150)을 형성한다. 패시베이션층(150)은 제조된 다이오드(100)를 외부 환경으로부터 보호 및 성능 저하를 방지하기 위하여 존재한다. 본 발명에서는 아민계 폴리머 용액을 이용하여 용액 공정이 가능하며 습식코팅을 통해 패시베이션층(150)이 형성된다.
아민계 폴리머 용액은 아민계 폴리머와 용매가 혼합된 용액을 말하며, 이러한 아민계 폴리머 용액을 이용하여 패시베이션층(150)을 형성할 경우 원하는 영역에만 패시베이션층(150)을 형성할 수 있어 종래에 식각 단계를 이루지 않아도 패턴 형성이 가능하다. 종래의 경우 진공 또는 고온의 조건에서 건식 식각 단계를 거쳤는데, 건식 식각 단계를 거칠 경우 별도의 진공 장비가 필요하거나 고온에서 반응성이 큰 기체를 이용하여 작업하기 때문에 작업자의 안전이 보장되지 못할 뿐만 아니라 기판이 변형되어 다이오드의 특성이 저하된다. 하지만 아민계 폴리머 용액을 이용하여 패시베이션층(150)을 형성할 경우 기판(110)의 변형이 발생하지 않으며, 원하는 패턴을 선택적으로 즉 전극(190)이 배치되지 않은 영역에 선택적으로 패터닝할 수 있으며 필요에 따라서 선택적으로 지울 수 있어 패터닝이 매우 용이하다.
아민계 폴리머는 일반적인 폴리머 물질에 비해 열안정성이 우수하며, 낮은 유전상수를 가지기 때문에 패시베이션층(150)에 적합한 물질이다. 이와 같은 아민계 폴리머는 패터닝이 용이하도록 용매와 함께 혼합하여 사용하는 데, 용매는 N,N-dimethylacetamide(DMAc), N-methylpyrrolidione(NMP) 또는 dimethylformamide(DMF)와 같은 쌍극성 아프로틱 용매(dipolar aprotic solvent)인 것이 바람직하다. 패시베이션층(150)을 형성하기 위해 아민계 폴리머 용액은 100 내지 2000cP의 점도로 이루어지는 것이 바람직하다. 점도가 100cP 미만일 경우 패시베이션층(150)을 반복 코팅하는 횟수가 늘어나 공정 시간이 길어지고 작업자가 번거롭다는 단점이 있다. 또한 2000cP를 초과할 경우 점도가 높아 코팅하기 용이하지 못하며, 이로 인해 균일한 코팅이 이루어지지 않을 수도 있다. 또한 아민계 폴리머 용액 중 아민계 폴리머의 함량은 20 내지 80wt%인 것이 바람직한데, 아민계 폴리머가 20wt% 미만일 경우 아민계 폴리머의 함량이 적어 반복 코팅을 해야하는 번거로움이 있으며, 80wt%를 초과할 경우 아민계 폴리머가 균일하게 도포되지 않을 수 있다.
아민계 폴리머는 스핀코팅(Spin coating), 딥코팅(Dip coating), 스프레이코팅(Spray coating), 스크린프린팅(Screen printing), 슬롯코팅(Slot coating), 노즐프린팅(Nozzle printing), 슬롯-다이코팅(Slot-diecoating), 그라비어코팅(Gravure coating) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행된다. 그 중 가장 바람직한 방법은 스핀코팅인데, 스핀코팅 공정을 통해 1000 내지 5000rpm 속도로 기판을 회전시켜 아민계 폴리머층을 형성한다.
이후 아민계 폴리머층에 존재하는 용매를 건조시켜 아민계 폴리머만 기판(110)의 상부에 형성되도록 기판(110)을 열처리하여 패시베이션층(150)을 형성한다. 이때 가열온도는 80 내지 400℃로 종래의 열산화법을 사용할 때의 온도인 1000 내지 1200℃보다 저온에서 가열이 수행된다. 가열에 의해 아민계 폴리머로 제조된 패시베이션층(150)이 기판의 상부에 형성된다.
아민계 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리아미드이미드(polyamideimide), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다.
이러한 구성으로 이루어진 고전압용 다이오드(100)는 용액법을 통해 제조되며, 저온 습식공정을 통해 아민계 폴리머 패시베이션층(150)을 코팅하기 때문에 고온 및 기체로부터 작업자의 안전이 보장되며, 진공 장치를 별도로 구비하지 않아도 된다. 또한 기판(110)의 변형 및 특성저하를 방지할 수 있다.
이하 본 발명의 구체적인 실시예를 설명한다.
<실시예>
다이오드 제작을 위한 탄화규소(SiC)는 에피층의 농도가 8×1014cm-3이고, 두께가 40㎛인 것을 사용하였다. P base 층을 형성하기 위하여 선택영역에 이온 주입이 되도록 마스크를 제작하였다. 알루미늄(Al) 이온을 다중 에너지 단계로 나누어 총 이온 주입량(dose) 2.01×1014cm-2를 500℃로 이루어진 탄화규소 기판에 주입하였다. 그리고 P source 영역을 형성하기 위하여 선택영역에 이온주입이 되도록 마스크를 제작하였다. 알루미늄 이온 도판트를 다중 에너지 단계로 나누어 총 이온 주입량 1.65×1015cm-2를 500℃로 이루어진 탄화규소 기판에 주입하였다.
주입된 도판트의 활성화 및 결정격자 손상 회복을 위한 고온 활성화 열처리 온도를 1700℃로 아르곤(Ar) 가스 분위기 하에서 1시간 동안 열처리를 하였다. 활성화 열처리 후 희생 산화를 1175℃에서 2시간 동안 진행한 후, BOE(buffer oxide etchant)를 이용하여 희생산화막을 에칭(etching)하였다. 오믹컨택을 형성하기 위해 포토레지스트로 패턴을 형성한 후 Ni 금속을 증착하고, lift-off 법을 이용하여 Ni 패턴을 형성하였다. 오믹컨택 형성을 위하여 RTA(rapid thermal annealing) 장비를 이용하여 950℃에서 90초간 열처리를 하였다. 그리고 패드 메탈을 증착하여 다이오드를 제작하였다.
이후 폴리이미드를 상부에 도포하여 패턴을 형성하였다. 최종 경화는 300℃ 온도로 질소(N2) 분위기 하에서 한 시간 동안 진행하였다. 폴리이미드에 의한 항복특성 향상 관찰을 위하여 폴리이미드 증착 전에 항복전압을 먼저 측정한 후, 폴리이미드 패시베이션층을 형성한 후 항복전압을 재측정하였다.
측정 결과는 도 3에 도시된 바와 같이 폴리이미드 증착 전 다이오드 A, B 각각은 폴리이미드 패시베이션층(150)이 없을 때 항복전압이 각각 2789V 및 3911V로 나타났다. 하지만 본 발명의 폴리이미드 패시베이션층(150)을 적용한 후의 A, B는 각각 3527V 및 4325V로 향상된 것을 확인할 수 있었다.
이와 같은 실시예를 통해 본 발명과 같이 저온에서 습식공정을 통해 패시베이션층(150)을 형성하게 되면 탄화규소 기판의 손상(110)이 방지되며, 이로 인해 저항이 감소하여 항복전압이 증가되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 본 발명의 다이오드(100) 제조방법은 종래 기술과 같이 진공 공정 또는 고온 공정을 거치지 않기 때문에 별도의 진공 장치가 필요하기 않으며 고온에서 작업자가 작업을 수행하지 않기 때문에 작업자의 안전이 보장된다.
100: 다이오드 110: 기판
111: 기판본체 113: 에피층
115: 패턴홈 130: 도판트
150: 패시베이션층 170: 컨택 비아
190: 전극 191: 오믹 컨택
193: 패드 메탈
111: 기판본체 113: 에피층
115: 패턴홈 130: 도판트
150: 패시베이션층 170: 컨택 비아
190: 전극 191: 오믹 컨택
193: 패드 메탈
Claims (6)
- 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계;
상기 얼라인 키를 통해 도판트를 주입하는 단계;
상기 기판 및 상기 도판트에 열처리를 하는 단계;
상기 기판의 상부에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계;
전극이 배치되지 않은 영역에 아민계 폴리머 용액을 습식코팅하여 패시베이션층을 형성하는 단계; 및
상기 아민계 폴리머 용액 중 용매를 건조시켜 아민계 폴리머만 상기 기판의 상부에 형성되도록 상기 기판을 200 내지 350℃에서 열처리하는 단계;를 포함하고,
상기 아민계 폴리머 용액 중 아민계 폴리머의 함량은 20 내지 80 wt%이고,
상기 패시베이션층을 형성하고 상기 열처리하는 단계를 통해 다이오드의 항복전압을 10 ~ 30% 향상시키는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 아민계 폴리머 용액은 아민계 폴리머와 용매를 혼합한 용액이며,
상기 아민계 폴리머는 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리아미드이미드(polyamideimide), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법. - 제 4항에 있어서,
상기 용매는 쌍극성 아프로틱 용매(dipolar aprotic solvent)인 N,N-dimethylacetamide(DMAc), N-methylpyrrolidione(NMP) 또는 dimethylformamide(DMF) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 아민계 폴리머 용액은 100 내지 2000cP의 점도로 이루어진 것을 특징으로 하는 아민계 폴리머를 포함한 다이오드 제조방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170044892A KR20170044892A (ko) | 2017-04-26 |
| KR102311791B1 true KR102311791B1 (ko) | 2021-10-08 |
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| KR (1) | KR102311791B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010140939A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960005582B1 (ko) | 1992-12-30 | 1996-04-26 | 현대전자산업주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 구조 및 그 제조 방법 |
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