JP3641122B2 - 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は、LED(発光ダイオード)チップやLD(レーザダイオード)チップなどを備えた半導体発光素子、この半導体発光素子を複数備えた半導体発光モジュール、およびこれら半導体発光素子または半導体発光モジュールの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子機器のインジケータなどとして利用されるLEDなどの半導体発光素子は、通常一つの素子ごとに透光性を有する樹脂カバーによってパッケージ化された構造であり、つまり、半導体発光素子は、パッケージ内に1つのLEDチップを内蔵した構造とされている。このような半導体発光素子では、パッケージ内においてLEDチップと電極端子とを接続するために、ワイヤ・ボンディングによる極細状の導体ワイヤを介して接続されているのが一般的とされている。
【0003】
この種のLEDチップの一般的な構造を図22に示す。このLEDチップは、基板9の片面に半導体積層部90を形成したものであり、この半導体積層部90は、n型半導体層90a、発光層90b、およびp型半導体層90cから構成されている。これらの層はガリウムを含むIIIb−Vb属化合物半導体を結晶成長させたものであり、この結晶成長を効率良くかつ適切に行わせる必要から、上記基板9としては、たとえばガリウム砒素などの半導体基板が用いられている。また、上記LEDチップを製造するには、上記半導体基板となるウェハの表面の広い範囲に化合物半導体を結晶成長させてから、その後上記ウェハを切断し、複数のチップに分割していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体発光素子では、次のような不具合があった。
【0005】
半導体発光素子の使用用途は未だ拡大の一途を辿っているのが実情であり、その使用用途如何では、素子全体の薄型化が強く要請される場合がある。たとえば、全体が薄手のカード状に形成されるICカードの内部に半導体発光素子を組み込むような場合には、内蔵するLEDチップ全体の厚みをできる限り小さくすることが望まれる。このような場合、LEDチップ全体の厚みをたとえば200μm以下にすることが強く要請される場合がある。
【0006】
ところが、従来のLEDチップは、その半導体積層部90の厚みt1はたとえば10μm程度の極薄寸法であるのに対し、上記基板9の厚みt2は上記半導体積層部90と比較すると桁はずれに大きな寸法となっていた。すなわち、上記基板9は、元々はウェハとして形成されていたものであるために、そのウェハとしてかなり薄めのウェハを用いた場合であっても、その厚みt2は200μm〜300μm以上の厚みとなっていた。このため、従来では、LEDチップの全体の厚みt3をたとえば200μm程度以下にすることは事実上困難となっており、半導体発光素子の薄型化を充分に図ることができなかった。その結果、従来では、たとえば薄手のICカードの内部に半導体発光素子を要領良く適切に組み込むことが難しくなるといった不具合を生じる場合があった。
【0007】
また、このような不具合は、半導体発光素子に限らず、この半導体発光素子を複数配列した構造の半導体発光モジュールにおいても同様であり、さらに、LEDチップに限らず、LDチップなどを内蔵した他の半導体発光素子においても、同様に生じていた。
【0008】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、半導体発光素子本来の機能を悪化させることなく、素子全体の薄型化を実現することができる半導体発光素子、この半導体発光素子を複数配列した構造の半導体発光モジュール、ならびに半導体発光素子および半導体発光モジュールの製造方法を提供することをその課題としている。
【0009】
【発明の開示】
上記課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【0010】
すなわち、本願発明の第1の側面により提供される半導体発光素子は、化合物半導体の結晶からなる半導体積層部をチップ状として備えた半導体発光素子であって、上記半導体積層部からその結晶成長に用いられた基板の全部またはその一部が除去された状態で、その半導体積層部を接合搭載する薄片状のベース部材と、上記ベース部材の上記半導体積層部を接合搭載する表面において、その半導体積層部を接合搭載する位置とその位置から離隔した位置とのそれぞれに分離形成された導電膜としての第1および第2の電極端子部と、上記ベース部材の表面において、上記半導体積層部を全体的に封止しつつもこの半導体積層部に臨む開口部をもつように設けられた透光性を有する保護部材と、上記保護部材の表面に付着しつつ、上記開口部を通じて上記半導体積層部と上記第2の電極端子部とを導通接続するように設けられた導電部材とを備えたことを特徴としている。好ましい実施の形態においては、上記導電部材は、金属蒸着によって形成されている。また、上記半導体積層部は、導電性接着材を介して上記第1の電極端子部に接合されている。
【0011】
上記技術的手段が講じられた第1の側面により提供される半導体発光素子によれば、結晶成長に用いられた基板の全部またはその一部が除去された状態で、チップ状の半導体積層部が薄片状のベース部材に接合搭載されている。この半導体積層部は、ベース部材の表面において、半導体積層部を接合搭載する位置にある第1の電極端子部と接合される一方、半導体積層部を接合搭載する位置から離隔した位置にある第2の電極端子部と導電部材を介して導通接続されている。導電部材は、半導体積層部を封止する保護部材の表面に付着しつつ、保護部材に設けられた開口部を通じて半導体積層部と第2の電極端子部とを導通接続するように設けられている。したがって、半導体発光素子は、化合物半導体の結晶成長に用いられた基板の全部またはその一部が半導体積層部から除去された構造を有するために、結晶成長用の基板を備えていた従来のものとは異なり、ウェハから形成される結晶成長用の基板の厚みに原因して、素子全体の厚みが大きくなることはない。一方、上記半導体積層部は、上記ベース部材の表面に接合搭載されるが、このベース部材は、結晶成長用の基板とは異なり、ウェハなどから形成する必要はなく、たとえば薄手のフィルムを用いるなどして、上記基板よりもかなり薄い寸法にすることができる。これにより、半導体発光素子全体の厚みを従来のものよりもかなり小さくすることができるという効果が得られる。
【0013】
また、第1の電極端子部と半導体積層部とが互いに接合されることによって導通接続され、第2の電極端子部は、上記第1の電極端子部から離隔した位置に設けられているので、互いに離れた位置の電極端子部を介して半導体積層部に電圧が印加されることとなり、電極端子部間の絶縁性が保たれつつ、半導体積層部周辺の漏電や短絡を防止することができる。
【0015】
また、半導体積層部の一方の片面、つまり半導体積層部のベース部材に相対する片面と第1の電極端子部とが導電性接着材を介して接合され、これに対し、半導体積層部の他方の片面と第2の電極端子部とが導電部材を介して導通接続されることから、積層方向にそって接合搭載される形態の半導体積層部にとって適切な接続状態とすることができる。
【0017】
また、ベース部材の半導体積層部を接合搭載する表面全体にわたって、その半導体積層部を封止して透光性を有する保護部材が設けられているので、そのような保護部材により半導体積層部を保護した形態のパッケージ構造を実現することができる。
【0018】
また、本願発明の第2の側面により提供される半導体発光モジュールは、本願発明の第1の側面により提供される半導体発光素子を、所定の平面パターンをもって複数配列した構造を有することを特徴としている。
【0019】
上記技術的手段が講じられた第2の側面により提供される半導体発光モジュールによれば、そのモジュールの構成要素となる複数の半導体発光素子が薄型化されていることから、モジュール全体についても薄型化したものとすることができる。
【0020】
さらに、本願発明の第3の側面により提供される半導体発光素子の製造方法は、一定面積を有する基板面全体に化合物半導体の結晶からなる半導体積層部を形成する工程と、上記半導体積層部上に延伸可能な帯状部材を貼着する工程と、上記半導体積層部から上記基板の全部またはその一部を除去する工程と、上記半導体積層部を切断して複数のチップに分割する工程と、上記帯状部材を所定の方向に延伸させて上記複数のチップを互いに引き離す工程と、異なる極性の電極端子部を有する導電膜が表面形成されたベース部材を用い、上記複数のチップを上記導電膜に相対させつつ上記ベース部材に接合する作業、これら複数のチップから上記帯状部材を剥離する作業、上記導電膜の電極端子部それぞれと上記チップとを導電部材を介して導通接続する作業、ならびに上記複数のチップごとに上記ベース部材または上記帯状部材を切断する作業を経て、チップ状の半導体積層部を備えた半導体発光素子を完成する工程とを有していることを特徴としている。
【0021】
上記技術的手段が講じられた第3の側面により提供される半導体発光素子の製造方法によれば、本願発明の第1の側面により提供される半導体発光素子を適切に、かつ効率良く製造することができる。
【0022】
さらにまた、本願発明の第4の側面により提供される半導体発光モジュールの製造方法は、本願発明の第3の側面により提供される半導体発光素子の製造方法における工程作業において、上記複数のチップごとに上記ベース部材または上記帯状部材を切断する作業を省略することにより、上記半導体発光素子を所定の平面パターンをもって複数配列した構造の半導体発光モジュールを完成することを特徴としている。
【0023】
上記技術的手段が講じられた第4の側面により提供される半導体発光モジュールの製造方法によれば、本願発明の第2の側面により提供される半導体発光モジュールを適切に、かつ効率良く製造することができる。
【0024】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【0026】
図1は、本願発明にかかる半導体発光素子の一実施形態を示した概略断面図、図2は、図1に示す半導体発光素子の一部部材を省略して上面から示した概略平面図である。
【0027】
図1および図2によく示されるように、半導体発光素子Aは、一例として薄手のICカードなどに組み込み可能な小片状とされており、その全体の厚みがICカードよりも薄くされている。このような半導体発光素子Aは、1つのLEDチップ1、LEDチップ1を表面2aに接合搭載するベース部材2、およびベース部材2の表面2aに形成された導電膜3、導電膜3とLEDチップ1とを導通接続する導電部材4、およびLEDチップ1を保護する保護部材5を具備して概略構成されている。なお、図2においては、保護部材5が図示省略されている。
【0028】
図3は、図1に示すLEDチップ1の一部分を拡大して示した拡大断面図であって、この図も参照して説明すると、LEDチップ1は、金属層11、半導体積層部12、および電極部13が順次積層して設けられた構造を有しており、上記半導体積層部12によって発光作用が発揮されるものである。このLEDチップ1は、上記半導体積層部12を構成する化合物半導体を結晶成長させるのに用いられた後述の基板がその半導体積層部12から除去された構造となっている。また、LEDチップ1は、たとえば0.3mm角に形成されている。さらに、上記金属層11、半導体積層部12、および電極部13のトータルの厚みは、5〜10μm程度の極薄寸法とされている。
【0029】
上記金属層11は、良導体である金属の薄膜層であり、後述するように、蒸着あるいはスパッタリングなどによって所定の金属を成膜して形成された部分である。
【0030】
上記半導体積層部12は、従来既知のLEDと同様な構成である。この半導体積層部12は、ガリウムを含むIIIb−Vb属化合物半導体の単純結晶を利用したものであり、たとえば、光拡散層としてのGaP層12a、p型InGaAlP層12b、発光層12c、およびn型InGaAlP層12dが積層された構造となっている。上記発光層12cは、InGaAlPの層である。
【0031】
上記電極部13は、たとえば金の薄膜層であり、エピタキシャル面となる上記GaP層12aの表面中心部に金を蒸着あるいはスパッタリングなどによって成膜させた部分である。この電極部13は、その厚みがたとえば100Å程度であり、十分に薄いことから透光性を有している。
【0032】
ベース部材2は、たとえば電気絶縁性を有する合成樹脂などでできた長矩形状の薄膜基板であって、その平面視形状が上記LEDチップ1より若干大きく形成されている。また、ベース部材2は、その厚みがたとえば10μm〜100μm程度とされている。このようなベース部材2の表面2aに上記LEDチップ1が接合搭載される。
【0033】
導電膜3は、互いに異なる極性の正極用および負極用の電極端子部3a,3bを有するものであり、良導体である金属薄膜などをエッチング処理などして上記ベース部材2の表面2aにあらかじめ形成されたものである。正極用の電極端子部3aは、上記ベース部材2の表面2aにおいて上記LEDチップ1の接合搭載位置から離隔した位置で点形状に形成されている。負極用の電極端子部3bは、上記正極用の電極端子部3aとは別に分離形成されたものであり、その一部分が上記LEDチップ1の接合搭載位置にあって、チップ接合面よりわずかに大きく形成されている。また、負極用の電極端子部3bの他の部分は、上記LEDチップ1の接合搭載位置から離れた位置まで引き延ばされており、その先端部3cが点形状とされている。さらに、この負極用の電極端子部3bと上記金属層11との間には、図示しない導電性接着材が充填されており、LEDチップ1とベース部材2との接合を強固なものとしている。つまり、負極用の電極端子部3bは、LEDチップ1の最下層となる金属層11に接した状態で、点形状とされた先端部3cが外部と導通接続可能であり、一方、正極用の電極端子部3aは、後述する導電部材4を介してLEDチップ1の最上層となる電極部13に導通接続されている。このような正極用の電極端子部3aおよび負極用の電極端子部3bの先端部3cを介して外部から所定値の電圧が印加され、そしてLEDチップ1が発光することとなる。この際、上記ベース部材2や後述する保護部材5によって電極端子部3a,3b間の絶縁性が保たれつつ、半導体積層部12周辺の漏電や短絡が防止されている。
【0034】
導電部材4は、たとえば金などの薄膜層であり、上記電極部13と上記正極用の電極端子部3aとを導通接続するためのものである。この導電部材4は、後述する保護部材5の表面上から金属蒸着などによって形成されている。
【0035】
保護部材5は、いわゆるパシベーション膜と同様の構成からなり、たとえばSiO2 などで薄膜形成されたものである。保護部材5は、その厚みが十分に薄いことから透光性を有している。また、保護部材5は、上記ベース部材2の表面2a全体にわたって、その表面2aに接合搭載された上記LEDチップ1を封止した構造としている。このような保護部材5をエッチング処理などすることで、上記正極用の電極端子部3a、負極用の電極端子部3bの先端部3c、および上記電極部13と整合する位置に開口部5a,5bが形成されている。このような開口部5a,5bに上記導電部材4が充填される結果、上記電極部13と上記正極用の電極端子部3aとが導通接続されている。つまり、半導体発光素子Aは、保護部材5によって上記LEDチップ1が保護された形態のパッケージ構造であり、開口部5a,5bを通じて外部と導通接続可能とされている。
【0036】
次に、上記半導体発光素子Aの製造方法について、図4ないし図15を参照しながら説明する。
【0037】
まず、図4に示すように、製造方法においてのみ用いられるGaAs基板6の表面上に、複数の半導体層12a〜12dを結晶成長させて、半導体積層部12を作製する。この結晶成長は、たとえば有機金属化学気相成長法(MOCVD法)によって行えばよく、この成長法によってLEDを構成する所定の化合物半導体の単結晶を効率良く成長させることができる。なお、上記GaAs基板6は、ウェハとして形成されたものであって、その厚みは200μm〜300μm以上である。上記半導体積層部12は、このウェハの表面の全面に作製する。
【0038】
次いで、図5に示すように、上記半導体積層部12の最上層のGaP層12aの表面に、金などの金属を蒸着またはスパッタリングによって成膜し、所定間隔おきに電極部13を作製する。
【0039】
その後、図6に示すように、電極部13の表面側から延伸可能な帯状部材7を貼着する。この帯状部材7とは、上記ウェハよりも大きな平面積を有するたとえばエキスパンドテープなどからなるものであり、その貼着面には、あらかじめ粘着材が付着されている。
【0040】
上記帯状部材7の貼着作業後には、図7に示すように、結晶成長に用いられたGaAs基板6を半導体積層部12の片面から除去する。この作業は、たとえば上記GaAs基板6をアンモニアと過酸化水素水とを混合したエッチング処理液に浸漬させるエッチング処理によって行うことができる。また、このようなエッチング処理に代えて、たとえば上記GaAs基板6を機械的な手段によって研削して除去することも可能である。ただし、作業性および半導体積層部12の保護の観点からすれば、エッチッグ処理を行うことが好ましい。
【0041】
上記GaAs基板6を除去した後には、図8に示すように、半導体積層部12の最外層に位置するn型InGaAlP層12dの表面に、金製の金属層11を形成する。この作業は、金を蒸着し、またはスパッタリングすることによって行うことができる。
【0042】
上記金属層11を形成した後、図9に示すように、金属層11および電極部13と一体となった半導体積層部12全体を、帯状部材7に貼着させた状態で分割する。この際、半導体積層部12全体は、図示されないが采の目状に分割され、その分割された各々がペレット状のLEDチップ1とされる。この作業は、一般のウェハのダイシング工程と同様に、たとえばダイヤモンドカッタやレーザカッタを用いて行われる。
【0043】
次いで、図10に示すように、帯状部材7を矢印方向Wに延伸させることにより、その帯状部材7に貼着されたLEDチップ1を所定間隔tおきに配列させた状態とする。この際、帯状部材7は、図示しないが矢印方向Wに直交する方向にも延伸され、その結果、LEDチップ1は、マトリクス状の平面パターンをもって配列された状態となる。
【0044】
その後、図11に示すように、帯状部材7を延伸させたままの状態で、その帯状部材7と同程度の平面積を有するベース部材2を、LEDチップ1の金属層11に対して接合する。この際、ベース部材2の負極用の電極端子部3b表面には、あらかじめ図示しない導電性接着材が付着されており、その電極端子部3bと上記金属層11とが整合して接合されるように位置合わせしながら作業が行われる。
【0045】
上記ベース部材2の接合作業後には、貼着状態の帯状部材7がLEDチップ1から剥離され、その後、図12に示すように、上記ベース部材2の表面2a上から、上記LEDチップ1を封止するようにして保護部材5を被膜形成する。この作業は、一般のパシベーション膜形成工程と同様に、たとえばPCVD法(Plasma Chemical Vapor Deposition Method )やスパッタリングなどによって行われる。
【0046】
保護部材5を被膜形成した後、図13に示すように、フォトリソグラフィ法およびエッチング処理などを経て、上記保護部材5における上記電極端子部3aおよび上記電極部13の相対する位置に開口部5a,5bを形成する。
【0047】
開口部5a,5bを形成した後、図14に示すように、その一方の開口部5aから他方の開口部5bにかけて連続する状態の導電部材4を形成する。これにより、上記電極端子部3aと上記電極部13とが導電部材4を介して導通接続された状態となる。このような作業は、金を蒸着し、またはスパッタリングすることによって行うことができる。
【0048】
最終的に、上記一連の作業工程を経て半完成されたものから、図15に示すように、1つのLEDチップ1ごとにベース部材2を切断して複数に分割する。これにより、図1に示すような薄片状のベース部材2にLEDチップ1を接合搭載した構造で小片状の半導体発光素子Aが最終形態として完成される。
【0049】
このようにして完成された半導体発光素子Aでは、製造工程における結晶成長に用いられた基板6が除去された状態で、チップ状の半導体積層部12が薄片状のベース部材2に接合搭載されている。この半導体積層部12は、上記正極用の電極端子部3aに対して、上記金属層11および導電性接着材を介して導通接続されており、上記負極用の電極端子部3bに対して、上記電極部13および導電部材4を介して導通接続された状態とされている。
【0050】
したがって、半導体発光素子Aは、化合物半導体の結晶成長に用いられた基板6が半導体積層部12から除去された構造を有するために、結晶成長用の基板6を備えていた従来のものとは異なり、ウェハから形成される結晶成長用の基板6の厚みに原因して、素子A全体の厚みが大きくなることはない。一方、上記半導体積層部12は、上記ベース部材2の表面2aに接合搭載されるが、このベース部材2は、結晶成長用の基板6とは異なり、ウェハなどから形成する必要はなく、たとえば薄手のフィルムを用いるなどして、上記基板6よりもかなり薄い寸法にすることができる。これにより、半導体発光素子A全体の厚みを従来のものよりもかなり小さくすることができるという効果が得られる。
【0051】
また、上記製造工程において、最終工程となるベース部材2の切断作業を省略することにより、複数の半導体発光素子Aを備えた半導体発光モジュールが完成する。
【0052】
このようにして、半導体発光素子Aの中間生成品として完成される半導体発光モジュールは、上記複数の半導体発光素子Aをマトリクス状の平面パターンをもって配列した構造を有するものであり、その厚みが半導体発光素子Aの厚みと同様に薄型化されたものである。この半導体発光モジュールにおける各半導体発光素子Aに対して外部から選択的に駆動電圧を印加することで、モジュール全体において幾何学的な表示発光がされることとなる。
【0053】
次に、本願発明にかかる半導体発光素子の他の例について説明する。
【0054】
図16は、本願発明にかかる半導体発光素子の他の実施形態を示した概略断面図、図17は、図16に示すLEDチップ1の一部分を拡大して示した拡大断面図である。なお、説明の便宜上、これらの図において、先の実施形態と同一部位は同一符号で示し、その説明は省略する。
【0055】
この図に示すように、他の実施形態にかかる半導体発光素子Bは、先の実施形態とほぼ同様の構成を有するものであるが、LEDチップ1のベース部材2に対する接合方向が反転していること、LEDチップ1において金属層11および電極部13が形成されていないこと、および導電膜3における電極端子部3a,3bの極性が反対とされていること、の3点について先の実施形態と大きく相異している。したがって、その製造方法についても、先の実施形態にかかる製造方法と相異している。ここで、先の実施形態において用いられた金属層11は、導電性を有する薄板部材14に代えられており、この薄板部材14は、後述する製造方法において用いられる。
【0056】
次に、上記半導体発光素子Bの製造方法について、図18ないし図21を参照しながら説明する。なお、先の実施形態と同様の製造方法とするところについては、その説明を省略する。
【0057】
まず、図18に示すように、製造方法においてのみ用いられるGaAs基板6の表面上に、複数の半導体層12a〜12dを結晶成長させて、半導体積層部12を作製する。
【0058】
次いで、図19に示すように、LEDチップ1の最上層となるGaP層12aの表面側から導電性を有する薄板部材14を貼着する。この薄板部材14とは、上記GaAs基板6よりも大きな平面積を有するたとえば金属板などからなるものであり、上記先の実施形態において説明した帯状部材7と同形状のものであるが、延伸性を有することなく導電性を有している。
【0059】
上記薄板部材14の貼着作業後には、図20に示すように、結晶成長に用いられたGaAs基板6を半導体積層部12の片面から除去する。
【0060】
上記GaAs基板6を除去した後には、図21に示すように、一体となった半導体積層部12および薄板部材14を切断して分割する。この際、半導体積層部12および薄板部材14は、図示されないが采の目状に分割され、その分割された各々がペレット状のLEDチップ1とされる。このようにして完成された複数のLEDチップ1から1つのチップを取り出し、その1つのLEDチップ1における薄板部材14の表面を接合面として、小片状のベース部材2に接合する。その後、上記先の実施形態で説明したように、図12から図14にかけての工程作業と同様の作業が行われ、図16に示すような半導体発光素子Bが完成されることとなる。
【0061】
このようにして完成された半導体発光素子Bによっても、上記先の実施形態にかかる半導体発光素子Aと同様の効果を得ることができる。また、このような半導体発光素子Bの複数をマトリクス状に配列させて一体化させることにより、複数のLEDチップ1を備えた半導体発光モジュールを構成することも可能である。
【0062】
なお、先の実施形態においては、帯状部材7を剥離した後、ベース部材2を切断して分割するようにしたが、複数のLEDチップ1に分割した後、そのチップに貼着された状態の帯状部材7を切断するようにしてもよい。この場合、その切断後の作業工程において、1つのチップごとに半導体発光素子Aを作製することとなるが、複数の半導体発光素子Aを備えた半導体発光モジュールを構成する場合は、先に説明した作業工程の方が効率よくモジュール構造を完成させることができる。
【0063】
また、両実施形態においては、赤色LED用の基板として一般的なGaAs基板6が用いられているが、この基板6は、導電性を有することが知られている。そのため、導電性の基板6を用いる場合、半導体積層部12を結晶成長させた後、基板6全部を除去する必要はなく、その基板6の一部のみを除去して所望の厚みとなるように成形してもよい。そうすれば、半導体積層部12に残された基板6の一部を上記金属層11や薄板部材14の代替として用いることができる。なお、青色LED用の基板としてサファイヤなどの絶縁性基板を用いる場合は、本実施形態で説明したように、基板全部が半導体積層部12から除去されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明にかかる半導体発光素子の一実施形態を示した概略断面図である。
【図2】図1に示す半導体発光素子の一部部材を省略して上面から示した概略平面図である。
【図3】図1に示すLEDチップの一部分を拡大して示した拡大断面図である。
【図4】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図5】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図6】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図7】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図8】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図9】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図10】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図11】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図12】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図13】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図14】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図15】図1に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図16】本願発明にかかる半導体発光素子の他の実施形態を示した概略断面図である。
【図17】図16に示すLEDチップの一部分を拡大して示した拡大断面図である。
【図18】図16に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図19】図16に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図20】図16に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図21】図16に示す半導体発光素子の製造方法の一工程を示した要部断面図である。
【図22】従来のLEDチップの一例を示した断面図である。
【符号の説明】
1 LEDチップ
2 ベース部材
3 導電膜
3a,3b 電極端子部
4 導電部材
5 保護部材
6 基板
7 帯状部材
12 半導体積層部
A,B 半導体発光素子
Claims (6)
- 化合物半導体の結晶からなる半導体積層部をチップ状として備えた半導体発光素子であって、
上記半導体積層部からその結晶成長に用いられた基板の全部またはその一部が除去された状態で、その半導体積層部を接合搭載する薄片状のベース部材と、
上記ベース部材の上記半導体積層部を接合搭載する表面において、その半導体積層部を接合搭載する位置とその位置から離隔した位置とのそれぞれに分離形成された導電膜としての第1および第2の電極端子部と、
上記ベース部材の表面において、上記半導体積層部を全体的に封止しつつもこの半導体積層部に臨む開口部をもつように設けられた透光性を有する保護部材と、
上記保護部材の表面に付着しつつ、上記開口部を通じて上記半導体積層部と上記第2の電極端子部とを導通接続するように設けられた導電部材と、
を備えたことを特徴とする、半導体発光素子。 - 上記導電部材は、金属蒸着によって形成されている、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 上記半導体積層部は、導電性接着材を介して上記第1の電極端子部に接合されている、請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体発光素子を、所定の平面パターンをもって複数配列した構造を有することを特徴とする、半導体発光モジュール。
- 一定面積を有する基板面全体に化合物半導体の結晶からなる半導体積層部を形成する工程と、
上記半導体積層部上に延伸可能な帯状部材を貼着する工程と、
上記半導体積層部から上記基板の全部またはその一部を除去する工程と、
上記半導体積層部を切断して複数のチップに分割する工程と、
上記帯状部材を所定の方向に延伸させて上記複数のチップを互いに引き離す工程と、
異なる極性の電極端子部を有する導電膜が表面形成されたベース部材を用い、上記複数のチップを上記導電膜に相対させつつ上記ベース部材に接合する作業、これら複数のチップから上記帯状部材を剥離する作業、上記導電膜の電極端子部それぞれと上記チップとを導電部材を介して導通接続する作業、ならびに上記複数のチップごとに上記ベース部材または上記帯状部材を切断する作業を経て、チップ状の半導体積層部を備えた半導体発光素子を完成する工程と、
を有していることを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法における工程作業において、上記複数のチップごとに上記ベース部材または上記帯状部材を切断する作業を省略することにより、上記半導体発光素子を所定の平面パターンをもって複数配列した構造の半導体発光モジュールを完成することを特徴とする、半導体発光モジュールの製造方法。
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WO2005022654A2 (en) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
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US7622743B2 (en) * | 2003-11-04 | 2009-11-24 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
DE10356885B4 (de) * | 2003-12-03 | 2005-11-03 | Schott Ag | Verfahren zum Gehäusen von Bauelementen und gehäustes Bauelement |
JP5346909B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2013-11-20 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子 |
JP2005252222A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法 |
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US7256483B2 (en) * | 2004-10-28 | 2007-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package-integrated thin film LED |
JP4579654B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法、並びに半導体発光装置を備えた照明モジュール及び照明装置 |
DE102005041099A1 (de) * | 2005-08-30 | 2007-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Chip mit Glasbeschichtung und planarer Aufbau- und Verbindungstechnik |
DE102006015117A1 (de) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip |
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DE102007043877A1 (de) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement |
DE102007046337A1 (de) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
JP2010040894A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102008057350A1 (de) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
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JP2011040425A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
DE102009051129A1 (de) * | 2009-10-28 | 2011-06-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
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