KR100665302B1 - 다수의 발광셀이 어레이된 플립칩형 발광소자 - Google Patents
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- 기판과;상기 기판 상의 전면에 형성된 저항층과;상기 저항층 상에 소정간격 이격되어 형성된 다수개의 발광셀을 포함하고,상기 각각의 발광셀은 상기 저항층 상에 형성된 n형 반도체층과;상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 그의 타부에 형성된 p형 반도체층과;상기 n형 반도체층 상의 상기 일부에 형성된 n-전극, p형 반도체층 상에 형성된 p-전극을 포함하고, 상기 각각의 발광셀은 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 발광소자에 플립본딩되는 서브마운트 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 2에 있어서, 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 금속범퍼와 상기 p형 반도체층 상에 형성된 p형 금속범퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 2에 있어서, 상기 n-전극 및 p-전극과 상기 서브마운트 기판 사이에 형성된 n형 본딩패드 및 p형 본딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한항에 있어서, 상기 저항층은 실리콘 도핑농도가 1×1014 ~ 9×1016/㎤인 저항층을 0.5㎛ 이상 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자
- 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한항 있어서, 상기 n형 반도체층은 도핑농도가 1×1017/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 기판 상의 전면에 저항층을 형성하는 단계;상기 저항층 상에 n형 반도체층 및 p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 p형 반도체층 및 n형 반도체층의 일부를 식각하여 저항층을 노출시켜 다수개의 발광셀을 형성하는 단계;상기 각 발광셀의 p형 반도체층의 일부를 식각하여 n형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;상기 각 발광셀의 p형 반도체층의 상부와 상기 각 발광셀의 노출된 n형 반도체층의 상부에 각각 p형 및 n형 전극을 형성하는 단계;상기 다수개의 발광셀의 인접한 p형 및 n형 전극을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020050058317A KR100665302B1 (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 다수의 발광셀이 어레이된 플립칩형 발광소자 |
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KR100665302B1 true KR100665302B1 (ko) | 2007-01-04 |
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KR1020050058317A KR100665302B1 (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 다수의 발광셀이 어레이된 플립칩형 발광소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100665302B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10290047A (ja) | 1997-02-17 | 1998-10-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
KR19990014195A (ko) * | 1997-07-25 | 1999-02-25 | 오가와 에이지 | 질화물 반도체 소자 |
US20050023550A1 (en) | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Gelcore, Llc | Flip chip light emitting diode devices having thinned or removed substrates |
KR20050032968A (en) * | 2003-10-04 | 2005-04-08 | Samsung Electronics Co Ltd | Light emitting device assembly |
-
2005
- 2005-06-30 KR KR1020050058317A patent/KR100665302B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
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Title |
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10290047 |
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