JP2011109118A5

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Publication number: JP2011109118A5
Application number: JP2010291513A
Authority: JP
Filing date: 2010-12-28
Publication date: 2012-12-13
Anticipated expiration: 2023-03-31

Claims

第１金属層と第２金属層を有する導電性付着構造体であって、第１金属層は第２金属層より厚い、導電性付着構造体と、
前記第１金属層上の導電性支持構造体と
前記第２金属層上の反射構造体であって、前記反射構造体が第１電極として働くように形成され、反射構造体は、前記導電性付着構造体の第２金属層を覆う反射金属層と、該反射金属層の直上にある金属コンタクトを有し、前記反射金属層は前記金属コンタクトより厚い、反射構造体と
前記反射構造上のＧａＮベースの半導体構造体と
前記ＧａＮベースの半導体構造体の表面上の第２電極とを備え、
前記反射構造体が、前記半導体構造体の表面で遡って前記半導体構造体から光を反射するように形成されている縦形発光ダイオード。
前記ＧａＮベースの半導体構造体は、第１の種類のＧａＮベースの層と、該第１の種類のＧａＮベースの層上の能動層と、該能動層上の第２の種類のＧａＮベースの層を備える、請求項１に記載のダイオード。
前記第２電極の上に金属コンタクトパッドを更に備える、請求項１に記載のダイオード。
前記第２電極と金属コンタクトパッドの間に中間層を更に備える、請求項３に記載のダイオード。
前記中間層が、第２電極と金属コンタクトパッドの間の付着を改善するように構成される、請求項４に記載のダイオード。
前記中間層がＣｒ又はＡｕの少なくとも一つを含む、請求項５に記載のダイオード。
前記金属コンタクトパッドがＰｄ、Ｐｔ、Ａｕ、もしくはＡｌの少なくとも一つを含む、請求項３に記載のダイオード。
前記第１金属層がＡｕを含む、請求項１に記載のダイオード。
前記第２電極がニッケルを含む、請求項１に記載のダイオード。
前記反射構造体がチタン又はアルミニウムの少なくとも一つを含む、請求項１に記載のダイオード。
前記反射構造体が、反射金属層の表面で、前記半導体構造体からの光を反射し、該反射金属層の表面は反射表面が支配的である、請求項１に記載のダイオード。
前記第１金属層が前記導電支持構造体と接している、請求項１に記載のダイオード。
前記第２金属層が前記反射構造体と接している、請求項１に記載のダイオード。
前記第１金属層の厚さが１００ｎｍより小さい、請求項１に記載のダイオード。
前記第２金属層がＣｒを含む、請求項１に記載のダイオード。
前記第２金属層の厚さが３０ｎｍより小さい、請求項１に記載のダイオード。
前記導電性支持構造体がＣｕ、Ａｌ又はＡｕを含む、請求項１に記載のダイオード。
前記導電性支持構造体が金属支持層を含む、請求項１に記載のダイオード。
前記第２電極が透明コンタクトを含む、請求項１に記載のダイオード。
前記反射金属層の反射性が前記金属コンタクトの反射性より高い、請求項１に記載のダイオード。
前記ＧａＮベースの半導体構造体の厚さが５ミクロンより小さい、請求項１に記載のダイオード。
縦形発光ダイオードを製造する方法であって、
複数の半導体層を基板の上に形成するステップと、
前記半導体層中にトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが個々の半導体デバイスを画定するステップと、
前記基板を前記半導体層から除去するステップと、
前記半導体層上に反射構造体を形成するステップであって、前記反射構造体が前記半導体層から光を反射するように形成されているステップと、
前記反射構造体上に導電性支持構造体を備えつけるステップと、
前記導電性支持構造体に開口を形成するステップであって、前記開口部が個々の導電性支持構造体を画定するステップと、
前記半導体デバイスを前記支持構造体から分離するステップとを備える方法。
前記開口が実質的に前記トレンチに位置合わせされている、請求項２２に記載の方法。
前記導電性支持構造体の前記開口形成が、前記導電性支持構造体のエッチングによって行われる、請求項２２に記載の方法。
前記半導体デバイスの分離が、前記トレンチに応力を加えることによって行われる、請求項２２に記載の方法。
前記半導体デバイスの分離が、前記トレンチと前記開口に沿った部分に応力を加えることによって行われる、請求項２２に記載の方法。
前記半導体層からの前記基板の除去が、前記トレンチの形成後に行われる、請求項２２に記載の方法。
前記トレンチの形成が、ドライエッチング法を用いて行われる、請求項２２に記載の方法。
さらに、前記反射構造体上に導電性付着構造体を形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
前記導電性付着構造体が、Ｃｕ又はＡｕの少なくとも一つを含む、請求項２９に記載の方法。
前記導電性付着構造体が、第１金属層と第２金属層を含む、請求項２９に記載の方法。
前記第１金属層が、前記導電性付着構造体と接している、請求項３１に記載の方法。
前記第２金属層が、前記反射構造体と接している、請求項３１に記載の方法。
前記第１金属層が前記第２金属層より厚い、請求項３１に記載の方法。
前記導電性支持構造体の備えつけが、前記反射構造体上の支持層の形成を含む、請求項２２に記載の方法。
前記導電性支持構造体が、Ｃｕ、Ａｌ又はＡｕを含む、請求項２２に記載の方法。
前記導電性支持構造体の厚さが１００ミクロンより小さい、請求項２２に記載の方法。
前記反射構造体がチタン又はアルミニウムの少なくとも一つを含む、請求項２２に記載の方法。
前記反射構造体が電極としても働く、請求項２２に記載の方法。
前記反射構造体が、前記半導体層上の第１の層と、前記第１の層の上の第２の層を備える、請求項２２に記載の方法。
前記反射構造体が、さらに、前記半導体層で遡って光を反射するように形成されている請求項２２に記載の方法。