RU2012105987A - Отражающий контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства - Google Patents
Отражающий контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012105987A RU2012105987A RU2012105987/28A RU2012105987A RU2012105987A RU 2012105987 A RU2012105987 A RU 2012105987A RU 2012105987/28 A RU2012105987/28 A RU 2012105987/28A RU 2012105987 A RU2012105987 A RU 2012105987A RU 2012105987 A RU2012105987 A RU 2012105987A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- type region
- light emitting
- reflective
- resist layer
- aluminum
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 45
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims abstract 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа;p-электрод, размещенный на части области p-типа, причем p-электрод содержит:отражающий первый материал в непосредственном контакте с первой частью области p-типа; ивторой материал в непосредственном контакте со второй частью области p-типа, соседней с первой частью;при этом первый материал и второй материал представляют собой плоские слои по существу одинаковой толщины.2. Устройство по п.1, в котором первый материал содержит серебро.3. Устройство по п.1, в котором второй материал содержит алюминий.4. Устройство по п.1, в котором второй материал содержит одно из алюминиевого сплава, пакета алюминий-металл, AlTi, двойного слоя AlO/Al и двойного слоя SiO/Al.5. Устройство по п.1, в котором p-электрод дополнительно содержит третий материал поверх первого и второго материала, при этом третий материал выполнен с возможностью предотвращения миграции первого материала.6. Устройство по п.5, в котором третий материал содержит титан и вольфрам.7. Устройство по п.1, в которомчасть области p-типа и светоизлучающего слоя вытравлены для обнажения части области n-типа;остальная часть области p-типа образует мезаструктуру; ивторой материал размещен между первым материалом и краем мезаструктуры.8. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства, содержащий:выращивание полупроводниковой структуры, содержащей светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа;формирование отражающего первого материала на области p-типа;формирование
Claims (13)
1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа;
p-электрод, размещенный на части области p-типа, причем p-электрод содержит:
отражающий первый материал в непосредственном контакте с первой частью области p-типа; и
второй материал в непосредственном контакте со второй частью области p-типа, соседней с первой частью;
при этом первый материал и второй материал представляют собой плоские слои по существу одинаковой толщины.
2. Устройство по п.1, в котором первый материал содержит серебро.
3. Устройство по п.1, в котором второй материал содержит алюминий.
4. Устройство по п.1, в котором второй материал содержит одно из алюминиевого сплава, пакета алюминий-металл, AlTi, двойного слоя Al2O3/Al и двойного слоя SiO2/Al.
5. Устройство по п.1, в котором p-электрод дополнительно содержит третий материал поверх первого и второго материала, при этом третий материал выполнен с возможностью предотвращения миграции первого материала.
6. Устройство по п.5, в котором третий материал содержит титан и вольфрам.
7. Устройство по п.1, в котором
часть области p-типа и светоизлучающего слоя вытравлены для обнажения части области n-типа;
остальная часть области p-типа образует мезаструктуру; и
второй материал размещен между первым материалом и краем мезаструктуры.
8. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства, содержащий:
выращивание полупроводниковой структуры, содержащей светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа;
формирование отражающего первого материала на области p-типа;
формирование слоя резиста на отражающем первом материале;
формирование рисунка слоя резиста для образования отверстия в слое резиста;
удаление части отражающего первого материала, соответствующей отверстию в слое резиста;
формирование второго материала на остальной части слоя резиста и части области p-типа, открытой в результате удаления части отражающего первого материала; и
удаление остальной части слоя резиста;
при этом как отражающий первый материал, так и второй материал содержат металл.
9. Способ по п.8, в котором первый материал и второй материал имеют по существу одинаковую толщину.
10. Способ по п.8, в котором первый материал содержит серебро.
11. Способ по п.8, в котором второй материал содержит алюминий.
12. Способ по п.8, дополнительно содержащий формирование третьего материала на первом и втором материале, причем третий материал выполнен с возможностью предотвращения миграции первого материала.
13. Способ по п.12, в котором третий материал содержит титан и вольфрам.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/506,632 US8076682B2 (en) | 2009-07-21 | 2009-07-21 | Contact for a semiconductor light emitting device |
| US12/506,632 | 2009-07-21 | ||
| PCT/IB2010/052894 WO2011010236A1 (en) | 2009-07-21 | 2010-06-24 | Reflective contact for a semiconductor light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012105987A true RU2012105987A (ru) | 2013-08-27 |
| RU2535636C2 RU2535636C2 (ru) | 2014-12-20 |
Family
ID=42799753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012105987/28A RU2535636C2 (ru) | 2009-07-21 | 2010-06-24 | Отражающий контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8076682B2 (ru) |
| EP (1) | EP2457266B1 (ru) |
| JP (1) | JP2012533903A (ru) |
| KR (3) | KR101713187B1 (ru) |
| CN (1) | CN102473807B (ru) |
| RU (1) | RU2535636C2 (ru) |
| TW (2) | TWI625870B (ru) |
| WO (1) | WO2011010236A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011112000B4 (de) * | 2011-08-31 | 2023-11-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
| CN102903817B (zh) * | 2012-10-31 | 2015-04-22 | 安徽三安光电有限公司 | 具有反射电极的发光装置 |
| TWI497767B (zh) * | 2013-03-08 | 2015-08-21 | Univ Southern Taiwan Sci & Tec | Ⅲ－ⅴ族發光二極體之電極 |
| EP2876035A1 (en) | 2013-11-21 | 2015-05-27 | Reflex Marine Ltd | Device for transferring persons |
| RU2710005C1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-12-23 | Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета" | Способ монтажа полупроводниковых кристаллов в корпус |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831731B2 (ja) | 1978-11-20 | 1983-07-08 | 富士通株式会社 | 配線形成方法 |
| US4564997A (en) * | 1981-04-21 | 1986-01-21 | Nippon-Telegraph And Telephone Public Corporation | Semiconductor device and manufacturing process thereof |
| US6194743B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-02-27 | Agilent Technologies, Inc. | Nitride semiconductor light emitting device having a silver p-contact |
| JP4024994B2 (ja) | 2000-06-30 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| US6946685B1 (en) * | 2000-08-31 | 2005-09-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting semiconductor method and device |
| EP1406314B1 (en) * | 2001-07-12 | 2015-08-19 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
| RU2286618C2 (ru) * | 2002-07-16 | 2006-10-27 | Борис Анатольевич Матвеев | Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра |
| US7737459B2 (en) * | 2004-09-22 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High output group III nitride light emitting diodes |
| US8174037B2 (en) * | 2004-09-22 | 2012-05-08 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride LED with lenticular surface |
| US8318519B2 (en) * | 2005-01-11 | 2012-11-27 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for handling a semiconductor wafer assembly |
| CN101882657A (zh) * | 2005-10-29 | 2010-11-10 | 三星电子株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
| JP2007157853A (ja) | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US7737455B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-06-15 | Bridgelux, Inc. | Electrode structures for LEDs with increased active area |
| JP4946195B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2012-06-06 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008192782A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電極及びそれを有するｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP4367531B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2009-11-18 | ソニー株式会社 | 発光素子における電極構造の形成方法、及び、積層構造体の形成方法 |
| JP2009049267A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| DE102007046519A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP5325506B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2013-10-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-07-21 US US12/506,632 patent/US8076682B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-24 WO PCT/IB2010/052894 patent/WO2011010236A1/en active Application Filing
- 2010-06-24 KR KR1020127004369A patent/KR101713187B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-24 KR KR1020177005769A patent/KR20170026666A/ko active Application Filing
- 2010-06-24 KR KR1020187013623A patent/KR101991961B1/ko active IP Right Grant
- 2010-06-24 EP EP10734315.4A patent/EP2457266B1/en active Active
- 2010-06-24 RU RU2012105987/28A patent/RU2535636C2/ru active
- 2010-06-24 CN CN201080032980.3A patent/CN102473807B/zh active Active
- 2010-06-24 JP JP2012521124A patent/JP2012533903A/ja active Pending
- 2010-07-16 TW TW105135131A patent/TWI625870B/zh active
- 2010-07-16 TW TW099123564A patent/TWI583023B/zh active
-
2011
- 2011-11-03 US US13/288,062 patent/US8257989B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012533903A (ja) | 2012-12-27 |
| KR101991961B1 (ko) | 2019-06-25 |
| US20110018015A1 (en) | 2011-01-27 |
| TWI625870B (zh) | 2018-06-01 |
| KR20170026666A (ko) | 2017-03-08 |
| KR101713187B1 (ko) | 2017-03-07 |
| KR20180053435A (ko) | 2018-05-21 |
| TW201123541A (en) | 2011-07-01 |
| US8257989B2 (en) | 2012-09-04 |
| WO2011010236A1 (en) | 2011-01-27 |
| RU2535636C2 (ru) | 2014-12-20 |
| CN102473807B (zh) | 2015-05-20 |
| US8076682B2 (en) | 2011-12-13 |
| TWI583023B (zh) | 2017-05-11 |
| CN102473807A (zh) | 2012-05-23 |
| KR20120049282A (ko) | 2012-05-16 |
| TW201707238A (zh) | 2017-02-16 |
| EP2457266A1 (en) | 2012-05-30 |
| US20120045858A1 (en) | 2012-02-23 |
| EP2457266B1 (en) | 2018-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5512249B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| US20190115511A1 (en) | Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof | |
| JP4996706B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2011109118A5 (ru) | ||
| WO2019195960A1 (zh) | 一种发光二极管芯片结构及其制作方法 | |
| TW200618355A (en) | Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method | |
| JP2010531058A5 (ru) | ||
| US20150188015A1 (en) | GaN-based Light Emitting Diode with Current Spreading Structure | |
| RU2012105987A (ru) | Отражающий контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства | |
| JP2006324685A5 (ru) | ||
| RU2013158689A (ru) | Светоизлучающее устройство, присоединенное к опорной подложке | |
| JP2008042143A5 (ru) | ||
| WO2015003564A1 (zh) | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 | |
| TWI506814B (zh) | 半導體發光組件及其製造方法 | |
| WO2016050070A1 (zh) | 倒装发光器件及其制作方法 | |
| WO2018054187A1 (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| JP2012529170A (ja) | 発光半導体装置及び製造方法 | |
| JP2007095786A5 (ru) | ||
| CN104425670B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| JP2009176781A (ja) | ＧａＮ系ＬＥＤチップおよびＧａＮ系ＬＥＤチップの製造方法 | |
| TWI446571B (zh) | 發光二極體晶片及其製作方法 | |
| US8829487B2 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| JP5592904B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN104795480A (zh) | 一种n电极延伸线点状分布的正装led芯片及其制备方法 | |
| CN203746848U (zh) | 一种n电极延伸线点状分布的正装led芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190111 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |