CN102473807B - 半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 - Google Patents
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Abstract
半导体结构包括设置在n型区（20）与p型区（24）之间的发光层（22）。在p型区的一部分上设置有p电极。p电极包括与p型区的第一部分直接接触的反射性第一材料（26）和与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触的第二材料（30）。第一材料（26）和第二材料（30）在具有相同的厚度的平面层中形成。
Description
技术领域
本发明涉及用于III氮化物发光器件的反射性接触。
背景技术
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）以及边缘发射激光器的半导体发光器件是目前可用的最高效光源之一。在能够跨越可见光谱进行操作的高亮度发光器件的制造中当前感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也称为III氮化物材料。通常，通过用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III氮化物、合成物或其它适当的衬底上外延地生长不同组成和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制造III氮化物发光器件。该叠层常常包括用例如Si掺杂的在衬底上形成的一个或多个n型层、在形成于一个或多个n型层上的有源区中的一个或多个发光层以及在有源区上形成的用例如Mg掺杂的一个或多个p型层。在n和p型区上形成电接触。常常将III氮化物器件形成为倒置或倒装芯片器件，其中，在半导体结构的同一侧形成n和p接触两者，并且从与接触相对的半导体结构的那侧提取光。
常常使用银作为反射性p接触且已知其易受由机械应力、化学反应或电迁移引发的输运影响。例如，在图1中举例说明了具有银p接触的III氮化物LED且在美国专利6,946,685中对其进行了描述。US 6,946,685教导了“银电极金属化在存在湿气和电场（诸如，例如由于在器件的接触处施加工作电压而逐渐产生的场）的情况下经受电化学迁移。” 银金属化到器件的pn结的电化学迁移导致跨越结的交流旁路路径，其降低器件的效率。
图1举例说明包括半导体结构的发光器件，该半导体结构包括在III-V氮化物半导体的n型层120与III-V氮化物半导体的p型层140之间的发光有源区130A。在p型层上沉积包括银金属的p电极160，并将n电极（图1中未示出）与n型层耦合。提供了能够用来跨越所述电极施加电信号以引起来自有源区的光发射的手段，并且提供了用于防止银金属从p电极朝向有源区的电化学迁移的迁移阻挡物175。迁移阻挡物175是导电防护片。防护片完全包围银，覆盖银p电极的边缘，如图1所示。
发明内容
本发明的目的是在p电极中包括反射性第一材料和第二材料。在某些实施例中，第二材料可以减少第一材料的迁移。对于具有银接触和包围银接触的防护片的器件可以改善接触的反射率。
本发明的实施例包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的发光层。在p型区的一部分上设置有p电极。p电极包括与p型区的第一部分直接接触的反射性第一材料和与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触的第二材料。第一材料和第二材料在具有基本上相同的厚度的平面层中形成。
附图说明
图1举例说明具有覆盖银p电极的迁移阻挡物的发光器件。
图2举例说明具有用光致抗蚀剂图案化的银p接触的III氮化物器件的一部分。
图3举例说明在图案化银p接触上形成层之后的图2的器件。
图4举例说明剥离光致抗蚀剂并在p电极上形成防护片之后的图3的器件。
图5举例说明连接到底座的III氮化物器件。
具体实施方式
在图1所示的器件中，为了用防护片密封银接触，首先从台面（mesa）的边缘对银进行回蚀刻。将反射性p电极160的边缘与台面的边缘之间的带10称为“黑带”，因为其不是如银p电极160一样是反射性的。黑带可以是例如约10微米宽的，并且可以代表器件面积的约7%。光被黑带吸收可能降低器件的效率。另外，在银p电极160的边缘处产生的台阶12是难以用防护片175密封的，并且因此易于受到湿气的入侵和银的向外迁移。为了使台阶12的高度最小化，保持银p电极160尽可能薄，例如约150nm。银p电极的稳定性和反射率可以得益于较厚的银层，例如约200nm。
在本发明的实施例中，在对银p接触进行回蚀刻之后，用与银相同厚度的金属层填充黑带。近似平面的p接触结构可以比常规接触（诸如图1所示的接触）更具有反射性且被更好地密封。
图2～4举例说明根据本发明的实施例来形成反射性接触。在图2～4中仅举例说明器件的一部分。在图2中，在生长衬底（未示出）上生长包括n型区、发光或有源区以及p型区的III氮化物半导体结构，所述生长衬底可以是任何适当的生长衬底且其通常是蓝宝石或SiC。首先在衬底上生长n型区20。n型区可以包括不同组成和掺杂剂浓度的多个层，包括例如诸如缓冲层或成核层的准备层，其可以是n型或未故意掺杂的，被设计为促进生长衬底的稍后释放或衬底去除之后的半导体结构的薄化的释放层，以及被设计为用于发光区高效地发射光所期望的特定光学或电学性质的n或者甚至p型器件层。
在n型区20上生长发光或有源区22。适当发光区的示例包括单个厚或薄的发光层或者包括被阻挡层分离的多个薄或厚量子阱发光层的多量子阱发光区。例如，多量子阱发光区可以包括被每个具有100Å或以下的厚度的阻挡层分离的多个发光层，每个发光层具有25Å或以下的厚度。在某些实施例中，器件中的每个发光层的厚度厚于50Å。
在发光区22上生长p型区24。类似于n型区，p型区可以包括不同组成、厚度和掺杂浓度的多个层，包括未故意地掺杂的层或n型层。
在p型区24上形成反射性金属p接触26。反射性金属26通常包括银，并且可以是纯银、包括银的合金或者一个或多个银层和不同金属（诸如镍）或其它导电材料的一个或多个层。在某些实施例中，反射性金属26的厚度在150和250nm之间。在反射性金属26上形成抗蚀剂层28并对其进行图案化，然后去除例如在黑带区27中的反射性金属26的一部分。在抗蚀剂层28下面的那部分反射性金属26仍留在器件中。通过调整蚀刻时间，可以从抗蚀剂层28下面去除反射性金属26直至一般称为底切的几微米的距离。
在图3中，用大约与反射性金属26相同厚度的层30覆盖抗蚀剂层28和黑带27。例如，在某些实施例中，层30的厚度在150和250nm之间。将层30选择为尽可能具有反射性，没有银的迁移问题。层30可以是例如单个蒸镀铝层、一个或多个溅射铝层、一种或多种铝合金、诸如AlTi的铝金属叠层、或者诸如用于增强反射率的Al2O3/Al双层或SiO2/Al双层的非金属层。可以通过控制反射性金属26的底切并选择层30的适当沉积技术，将反射性金属26与层30之间的间隙从零调整至小于两微米。
然后剥离抗蚀剂层28，使反射性金属26暴露并留在黑带27中层30之后。在图4中，在包括反射性金属26和层30的p电极上形成防护片32。防护片32可以例如是诸如钛、钨的一种或多种金属、或者一种或多种合金、或者用于改善反射率的一种或多种电介质（诸如SiNx、SiOx或Al2O3）。在某些实施例中，防护片32是夹在TiW的两个层之间的一层TiWN。在某些实施例中，层30是AlTi且防护片32包括TiW的至少一个层。AlTi可以提供增强的到TiW防护片层的粘附力。在某些实施例中，防护片包括用于改善粘附力的诸如镍的下层和/或上覆层。
图5举例说明连接到底座40的LED 42。在p型区24上形成上述p电极之前或之后，通过蚀刻掉p型区和发光区的一部分来使部分n型区暴露。由图3中的结构44来表示包括n型区20、发光区22和p型区24的半导体结构。在n型区的暴露部分上形成N接触46。
通过n和p互连56和58将LED 42接合到底座40。互连56和58可以是任何适当的材料，诸如焊料或其它金属，并且可以包括多个材料层。在某些实施例中，互连包括至少一个金层，并且通过超声接合来形成LED 42与底座40之间的接合。
在超声接合期间，将LED管芯42定位于底座40上。接合头位于LED管芯的顶表面上，在生长于蓝宝石上的III氮化物器件的情况下常常是蓝宝石生长衬底的顶表面。接合头连接到超声换能器。超声换能器可以是例如锆钛酸铅（PZT）层的叠层。当以促使系统谐波共振的频率（常常为约数十或数百kHz的频率）向换能器施加电压时，换能器开始振动，这又促使接合头和LED管芯振动，常常是以约数微米的幅度。该振动促使LED 42上的结构的金属晶格中的原子与底座40上的结构相互扩散，导致冶金上连续的接点。在接合期间可以添加热量和/或压力。
在将LED管芯42接合到底座40之后，可以用适合于特定生长衬底去除的任何技术来去除在其上面生长半导体层的衬底的全部或一部分。例如，可以通过激光剥离来去除蓝宝石衬底。在去除生长衬底的全部或一部分之后，可以例如通过光电化学蚀刻来使其余半导体结构薄化和/或例如用光子晶体结构对表面进行粗糙化或图案化。可以在衬底去除之后在LED 42上设置在本领域中已知的透镜、波长转换材料或其它结构。
上述实施例相比于图1所示的结构而言可以具有数个优点。以上实施例中的p电极结构可以是更加平面的，从而减少应力集中点并通过消除对防护片覆盖台阶的需要来改善防护片的完整性。在不增强与用防护片覆盖反射性金属边缘处的台阶有关的问题的情况下，可以使反射性金属更厚。可以通过减少被黑带吸收的光的量来减少来自芯片的光学损耗。可以减少与剥离底层半导体材料的银相关联的问题，因为层30可以在后续处理期间保护反射性金属26的边缘。铝层30可以充当牺牲阳极，其可以抑制或延迟银电腐蚀。可以通过铝层30的高导电性和较低电场来减少黑带中的银迁移。
已详细地描述了本发明，本领域的技术人员将认识到，给定本公开，在不脱离本文所述的发明理念的精神的情况下可以对本发明进行修改。因此，意图并不是将本发明的范围局限于所示和所述的特定实施例。
Claims (12)
1.一种半导体发光器件，包括：
半导体结构，其包括设置在n型区与p型区之间的发光层；
p电极，其设置在p型区的一部分上，p电极包括：
反射性第一材料，其与p型区的第一部分直接接触；以及
第二材料，其与毗连于第一部分的p型区的第二部分直接接触；
其中，第一材料和第二材料是具有相同的厚度的平面层；并且其中：
p型区和发光层的一部分被蚀刻掉以露出n型区的一部分；
p型区的其余部分形成台面；以及
第二材料被设置在第一材料与台面的边缘之间。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第一材料包括银。
3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第二材料包括铝。
4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，第二材料包括铝合金、铝金属叠层、AlTi、Al2O3/Al双层和SiO2/Al双层中的一个。
5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述p电极还包括设置在第一和第二材料上的第三材料，其中所述第三材料配置为防止所述第一材料的迁移。
6.如权利要求5所述的半导体发光器件，其中，第三材料包括钛和钨。
7.一种形成半导体发光器件的方法，包括：
生长半导体结构，所述半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的发光层；
在p型区上形成反射性第一材料；
在反射性第一材料上形成抗蚀剂层；
将抗蚀剂层图案化以在抗蚀剂层中形成开口；
去除与抗蚀剂层中的开口相对应的反射性第一材料的一部分；
在抗蚀剂层的其余部分和通过去除反射性第一材料的一部分暴露的p型区的一部分上形成第二材料；以及
去除抗蚀剂层的其余部分；
其中所述反射性第一材料和所述第二材料这两者都包括金属；并且其中：
p型区和发光层的一部分被蚀刻掉以露出n型区的一部分；
p型区的其余部分形成台面；以及
第二材料被设置在第一材料与台面的边缘之间。
8.如权利要求7所述的方法，其中，第一材料和第二材料是相同厚度的。
9.如权利要求7所述的方法，其中，第一材料包括银。
10.如权利要求7所述的方法，其中，第二材料包括铝。
11.如权利要求7所述的方法，还包括在第一和第二材料上形成第三材料，其中，第三材料被配置为防止第一材料的迁移。
12.如权利要求11所述的方法，其中，第三材料包括钛和钨。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4564997A (en) * | 1981-04-21 | 1986-01-21 | Nippon-Telegraph And Telephone Public Corporation | Semiconductor device and manufacturing process thereof |
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| US7737455B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-06-15 | Bridgelux, Inc. | Electrode structures for LEDs with increased active area |
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| EP1168460A2 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element |
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