JP2890855B2 - 半導体チップの製造方法 - Google Patents
半導体チップの製造方法Info
- Publication number
- JP2890855B2 JP2890855B2 JP1731891A JP1731891A JP2890855B2 JP 2890855 B2 JP2890855 B2 JP 2890855B2 JP 1731891 A JP1731891 A JP 1731891A JP 1731891 A JP1731891 A JP 1731891A JP 2890855 B2 JP2890855 B2 JP 2890855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor
- vacuum
- burrs
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップの製造方法
に関する。半導体素子はシリコン(Si)で代表される単体
半導体またはガリウム砒素(GaAs)やインジウム燐(InP)
で代表される化合物半導体よりなる単結晶基板を用いて
作られている。
に関する。半導体素子はシリコン(Si)で代表される単体
半導体またはガリウム砒素(GaAs)やインジウム燐(InP)
で代表される化合物半導体よりなる単結晶基板を用いて
作られている。
【０００２】こゝで、ICやLSI などの集積回路は大部分
が厚さが約500 μm のSi基板を用いて作られているが、
大容量のものでも半導体素子の大きさは10mm角程度に過
ぎず、一方、これらの素子を形成するSi基板( 以下略し
てウエハ) の径は量産化が進むに従って増大し、現在６
インチ（152 mm) 径のものが使用されており、一部では
８インチ径のものも使用されている。
が厚さが約500 μm のSi基板を用いて作られているが、
大容量のものでも半導体素子の大きさは10mm角程度に過
ぎず、一方、これらの素子を形成するSi基板( 以下略し
てウエハ) の径は量産化が進むに従って増大し、現在６
インチ（152 mm) 径のものが使用されており、一部では
８インチ径のものも使用されている。
【０００３】そして、半導体素子の形成に当たっては薄
膜形成技術，写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ），不
純物注入技術などを使用し、ウエハ上に多数の素子をマ
トリックス状に形成した後、素子の境界線に沿ってダイ
シングブレードを用いてスクライブすることにより半導
体チップが作られている。
膜形成技術，写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ），不
純物注入技術などを使用し、ウエハ上に多数の素子をマ
トリックス状に形成した後、素子の境界線に沿ってダイ
シングブレードを用いてスクライブすることにより半導
体チップが作られている。
【０００４】
【従来の技術】多数の素子形成の終わったウエハをチッ
プに分離するに当たってはウエハの裏面に厚さが約100
μm の粘着テープを貼った後、真空吸着機能を備えた台
上にウエハを位置決めし、ウエハの粘着テープ面を真空
吸着して固定した状態でダイヤモンドが埋め込まれてい
るダイシングブレードを高速回転させ、素子の境界線に
沿ってスクライブすることで分離している。
プに分離するに当たってはウエハの裏面に厚さが約100
μm の粘着テープを貼った後、真空吸着機能を備えた台
上にウエハを位置決めし、ウエハの粘着テープ面を真空
吸着して固定した状態でダイヤモンドが埋め込まれてい
るダイシングブレードを高速回転させ、素子の境界線に
沿ってスクライブすることで分離している。
【０００５】そして、分離後はエアーピンセットを用い
てチップのデバイス形成面を真空吸着し、別に設けてあ
るトレイに配列する工程が採られている。こゝで、半導
体装置には一般用と高信頼度用のものとがあり、前者は
樹脂封止法が採られているが、後者はセラミックを使用
したハーメチックシール・パッケージが用いられてお
り、用途によりチップ裏面の構成が異なっている。
てチップのデバイス形成面を真空吸着し、別に設けてあ
るトレイに配列する工程が採られている。こゝで、半導
体装置には一般用と高信頼度用のものとがあり、前者は
樹脂封止法が採られているが、後者はセラミックを使用
したハーメチックシール・パッケージが用いられてお
り、用途によりチップ裏面の構成が異なっている。
【０００６】すなわち、一般用のものはSiウエハに直接
に粘着テープを接着して真空吸着し、スクライブしてい
るが、高信頼度用のものは、セラミック・パッケージの
予め金(Au)のメタライズが施されているチップ搭載面へ
の接合を良くするためにウエハの裏面に真空蒸着法やス
パッタ法を用いてチタン／金（Ti/Au),チタン／ニッケ
ル／銀（Ti/Ni/Ag) 或いはAuなどの金属薄膜が形成され
ている。
に粘着テープを接着して真空吸着し、スクライブしてい
るが、高信頼度用のものは、セラミック・パッケージの
予め金(Au)のメタライズが施されているチップ搭載面へ
の接合を良くするためにウエハの裏面に真空蒸着法やス
パッタ法を用いてチタン／金（Ti/Au),チタン／ニッケ
ル／銀（Ti/Ni/Ag) 或いはAuなどの金属薄膜が形成され
ている。
【０００７】こゝで、ウエハのスクライブは機械的に行
われているために多少なりともバリ（Burr)の発生は避
けられないが、高信頼度用のチップには図２（Ａ）に示
すようにバリ１，欠け２以外に金属薄膜のクラック３が
発生しており、外観が悪いだけでなく、信頼性を著しく
低下させている。
われているために多少なりともバリ（Burr)の発生は避
けられないが、高信頼度用のチップには図２（Ａ）に示
すようにバリ１，欠け２以外に金属薄膜のクラック３が
発生しており、外観が悪いだけでなく、信頼性を著しく
低下させている。
【０００８】すなわち、一般用の場合、チップの装着に
はＴＡＢ（Tape Automated Bonding) 方式が採られる場
合が多いが、樹脂モールドに当たってバリ部分の欠けに
よりリード間の短絡を生ずる危険性がある。
はＴＡＢ（Tape Automated Bonding) 方式が採られる場
合が多いが、樹脂モールドに当たってバリ部分の欠けに
よりリード間の短絡を生ずる危険性がある。
【０００９】また、高信頼度用のチップについても、ク
ラック発生部分が剥離するとこれによる短絡の危険性が
ある。これらのことから、個々のチップについて外観検
査が必要になっている。
ラック発生部分が剥離するとこれによる短絡の危険性が
ある。これらのことから、個々のチップについて外観検
査が必要になっている。
【００１０】そこで、ＴＡＢ品についてはリードフレー
ムのリードをチップの周辺にパターン形成されているボ
ンディングパッドにリードボンダを用いて加熱圧着を行
った後、エアーピンセットの先端金属などを用いてチッ
プ裏面の周辺をグラインド(Grind) することによりバリ
の除去を行っていた。
ムのリードをチップの周辺にパターン形成されているボ
ンディングパッドにリードボンダを用いて加熱圧着を行
った後、エアーピンセットの先端金属などを用いてチッ
プ裏面の周辺をグラインド(Grind) することによりバリ
の除去を行っていた。
【００１１】然し、リードは厚さが35μm 程度と薄いた
めに、この操作によってリードが変形し易く、信頼性に
問題があり、またデバイスの形成が行われているチップ
表面の保護がこの操作に対し不充分なことも問題であっ
た。
めに、この操作によってリードが変形し易く、信頼性に
問題があり、またデバイスの形成が行われているチップ
表面の保護がこの操作に対し不充分なことも問題であっ
た。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】集積回路素子の形成が
終わったウエハは素子の境界線に沿ってスクライブし、
チップに分離しているが、このチップの周囲にはバリや
クラックなどが存在して信頼性を低下させている。
終わったウエハは素子の境界線に沿ってスクライブし、
チップに分離しているが、このチップの周囲にはバリや
クラックなどが存在して信頼性を低下させている。
【００１３】そこで、チップ装着に先立ってバリ取りを
行う必要があり、その方法の実用化が課題である。
行う必要があり、その方法の実用化が課題である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の課題はマトリック
ス状に多数の半導体素子を形成してある半導体ウエハの
裏面に粘着テープを貼付し、このテープ接着面を真空吸
着しながら前記半導体素子の境界に沿ってダイシングを
行い、複数のチップに分割したる後、個々のチップを周
辺の枠体部より吸着面（５）が凹んで形成されており、
チップを真空吸着した場合に、チップの一部が挿入して
固定される四角錐状のホルダを用い、真空吸着しながら
裏面のバリを除去することを特徴として半導体チップの
製造方法を構成することにより解決することができる。
ス状に多数の半導体素子を形成してある半導体ウエハの
裏面に粘着テープを貼付し、このテープ接着面を真空吸
着しながら前記半導体素子の境界に沿ってダイシングを
行い、複数のチップに分割したる後、個々のチップを周
辺の枠体部より吸着面（５）が凹んで形成されており、
チップを真空吸着した場合に、チップの一部が挿入して
固定される四角錐状のホルダを用い、真空吸着しながら
裏面のバリを除去することを特徴として半導体チップの
製造方法を構成することにより解決することができる。
【００１５】
【作用】真空吸着機能を備えた台の上に粘着テープを貼
ったウエハを位置決めし、スクライブを行ってチップに
分離した後、従来はエアーピンセットを用いて個々のチ
ップを真空吸着し、これをトレイにまで運んで整列して
いるが、本発明はこのエアーピンセットの代わりに真空
吸着機能を備えた四角錐状のホルダを用い、これでチッ
プを真空吸着した状態で小型グラインダを用いてバリの
除去を行うものである。
ったウエハを位置決めし、スクライブを行ってチップに
分離した後、従来はエアーピンセットを用いて個々のチ
ップを真空吸着し、これをトレイにまで運んで整列して
いるが、本発明はこのエアーピンセットの代わりに真空
吸着機能を備えた四角錐状のホルダを用い、これでチッ
プを真空吸着した状態で小型グラインダを用いてバリの
除去を行うものである。
【００１６】図１は本発明に係る四角錐状のホルダとチ
ップのバリ除去法を示す断面図である。すなわち、ホル
ダ４は四角錐状をし、チップ吸着面５は角状をした周辺
の枠体部６より凹んで形成されており、チップ７を真空
吸着した場合にチップ７の一部がホルダ４に入り固定す
るよう形成されている。
ップのバリ除去法を示す断面図である。すなわち、ホル
ダ４は四角錐状をし、チップ吸着面５は角状をした周辺
の枠体部６より凹んで形成されており、チップ７を真空
吸着した場合にチップ７の一部がホルダ４に入り固定す
るよう形成されている。
【００１７】本発明はこの状態で圧気をチップ面に送り
ながら小型のグラインダ８を用い、同図に示すようにチ
ップ裏面の角９をグラインドすることによりバリの除去
を行うものである。
ながら小型のグラインダ８を用い、同図に示すようにチ
ップ裏面の角９をグラインドすることによりバリの除去
を行うものである。
【００１８】図２（Ｂ）はバリ取り後のチップ裏面の状
態を示している。このようにバリ取りを行った後は従来
のようにトレイに並べ、次のボンディング工程に回され
る。
態を示している。このようにバリ取りを行った後は従来
のようにトレイに並べ、次のボンディング工程に回され
る。
【００１９】
【実施例】径６インチのSiウエハを用い、大きさが10mm
角のLSI 素子を形成し、裏面にはスパッタ法によりTiと
Auを1000Åと2000Åの二層よりなる金属薄膜を形成し
た。
角のLSI 素子を形成し、裏面にはスパッタ法によりTiと
Auを1000Åと2000Åの二層よりなる金属薄膜を形成し
た。
【0020】そして、素子の境界線に沿ってダイシングブレ
ードを用いてスクライブすることにより多数のチップに
分離した。次に、粘着テープの下から突き上げ治具を用
い、順々にチップを突き上げながら、図１に示すホルダ
４を用い、チップ７を枠体部６の中に入るように位置決
めしながら真空吸着した。
ードを用いてスクライブすることにより多数のチップに
分離した。次に、粘着テープの下から突き上げ治具を用
い、順々にチップを突き上げながら、図１に示すホルダ
４を用い、チップ７を枠体部６の中に入るように位置決
めしながら真空吸着した。
【００２１】こゝで、厚さが500 μm のチップ７は約半
分が枠体部６より出ており、上面には金属薄膜10がある
が、この面には図２（Ａ）に示すように多数のバリ１と
クラック３が存在していた。
分が枠体部６より出ており、上面には金属薄膜10がある
が、この面には図２（Ａ）に示すように多数のバリ１と
クラック３が存在していた。
【００２２】次に、小型のグラインダ８を用いチップ裏
面の角９に沿って斜めに約30μm の削り幅11でグライン
ドすることによりバリ１とクラック３を除去し、このよ
うな処理後にチップ７をトレイに配列した。
面の角９に沿って斜めに約30μm の削り幅11でグライン
ドすることによりバリ１とクラック３を除去し、このよ
うな処理後にチップ７をトレイに配列した。
【００２３】
【発明の効果】以上記したように本発明の実施によりチ
ップの品質が向上し、また外観不良を無くすることがで
きた。
ップの品質が向上し、また外観不良を無くすることがで
きた。
【図１】本発明に係るホルダとチップのバリ除去法を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】チップ裏面の平面図、（Ａ）はバリ取り前，
（Ｂ）はバリ取り後である。
（Ｂ）はバリ取り後である。
１ バリ ２ 欠け ３ クラック ４ ホルダ ６ 枠体部 ７ チップ ８ グラインダ ９ 角 10 金属薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 マトリックス状に多数の半導体素子を形
成してある半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼付し、
該テープ接着面を真空吸着しながら前記半導体素子の境
界に沿ってダイシングを行い、複数のチップに分割した
る後に個々のチップ（７）を、周辺の枠体部（６）より
吸着面（５）が凹んで形成されており、チップ（７）を
真空吸着した場合に、該チップ（７）の一部が挿入して
固定される四角錐状のホルダ（４）を用い、真空吸着し
ながら裏面のバリを除去することを特徴とする半導体チ
ップの製造方法。 - 【請求項２】 前項記載のバリの除去を小型のグライン
ダを用いて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体
チップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1731891A JP2890855B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1731891A JP2890855B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体チップの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04256337A JPH04256337A (ja) | 1992-09-11 |
| JP2890855B2 true JP2890855B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=11940676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1731891A Expired - Fee Related JP2890855B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 半導体チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890855B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114999958B (zh) * | 2022-05-27 | 2024-05-03 | 颀中科技（苏州）有限公司 | 用于去除卷带芯片的芯片剔除装置 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP1731891A patent/JP2890855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04256337A (ja) | 1992-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5266528A (en) | Method of dicing semiconductor wafer with diamond and resin blades | |
| US6083811A (en) | Method for producing thin dice from fragile materials | |
| TW493236B (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
| KR100318551B1 (ko) | 웨이퍼의분할방법및반도체장치의제조방법 | |
| KR101553224B1 (ko) | 반도체 웨이퍼를 시닝하는 방법 | |
| US6465329B1 (en) | Microcircuit die-sawing protector and method | |
| TWI284960B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2001035817A (ja) | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100452661B1 (ko) | 웨이퍼의 분할 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPH09213662A (ja) | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2001093864A (ja) | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 | |
| US7518240B2 (en) | Deposition pattern for eliminating backside metal peeling during die separation in semiconductor device fabrication | |
| EP1022778A1 (en) | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device | |
| US7498236B2 (en) | Silicon wafer thinning end point method | |
| JP2001060591A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3803214B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000091274A (ja) | 半導体チップの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2890855B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| US7479455B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer | |
| JP2000195826A (ja) | ウェ―ハの分割方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2004207591A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH097975A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20030073264A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device from semiconductor wafer having thick peripheral portion | |
| JPH0837169A (ja) | 半導体基板の研削方法及び研削装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4107896B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990126 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |