CN103078015A - 一种发光二极管的研磨下蜡方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种发光二极管的研磨下蜡方法，采用增加缓冲层、在液体中下蜡的方式，有效降低裂片率、提高良率，降低成本。减薄前，将载片盘表面用高温膜或镜头纸保护，起到外延片与载片盘间的缓冲作用；将减薄后的外延片连同载片盘放入水溶性去蜡液中进行下蜡。通过该方法进行减薄及下蜡，能够减少减薄过程及下蜡过程中的裂片率，增加发光二极管的良率；可以提高下蜡过程的速度，有效减少工作时间、提高了生产效率；有效降低了成本，并提高外延片厚度的均匀性。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种发光二极管的研磨下蜡方法。
背景技术
在固态照明技术是二十一世纪具有产业革命意义的重大技术，在世界范围内，从政府到企业都引起了很大的关注。固态照明技术的主要内容是半导体发光二极管器件在照明产业中的应用，超高亮度LED可以覆盖整个可见光谱范围。AlGaInP 发光二极管在黄绿、橙色、橙红色、红色波段性能优越，在RGB白光光源、全色显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域具有广阔的应用前景。
提高发光二极管的发光效率一直是技术追求的目标，提高外延材料的质量，通过布拉格反射镜减少衬底对光的吸收，表面粗化，厚的电流扩展层以及在电极下方设置不导电的电流阻挡层等，这些对提高发光二极管的出光效率都有很好的效果。
但是，现在通常采用的外延片研磨方法，存在碎片率高、良率低，成本高、效率低等问题。同样，传统的在加热台上，采用丙酮、酒精进行去蜡的方法也存在裂片率高、良率低的问题。影响良率的问题主要表现在，研磨、下蜡时裂片严重，即使提高衬底的厚度也避免不了，并且很难控制。就我们所知在现有的公开技术中也未见相关的解决方法，鉴于此，有必要提供一种新式的研磨、下蜡方法，以有效地减少研磨、下蜡过程中的裂片问题，降低裂片率，提高良率及生产效率，提高外延片厚度的均匀性。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供了一种发光二极管的研磨下蜡方法：采用缓冲层粘片、液体中下蜡的方式，有效降低裂片率的同时，提高良率。
一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：
（1）将厚度均匀的缓冲层粘附在载片盘的载片位置；
（2）将载片盘加热至80-120℃，设定上蜡机的温度为80-120℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；
（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.2-0.3MPa，进行冷却；
（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；
（5）用减薄机将外延片进行减薄；
（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度80-100℃，时间5-8分钟；
（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间5-8分钟，去蜡液浓度为10%，温度为80-100℃；
（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。
本发明的一种优选方式为，缓冲层为高温胶带。
本发明的另一种优选方式为，缓冲层为镜头纸；此时的粘附方法为：将载片盘加热至80-120℃，设定上蜡机的温度为80-120℃，将蜡熔于载片盘的载片位置，用蜡将镜头纸粘附到载片盘上。
本发明的最佳方式为，缓冲层为高温胶带，步骤（2）中载片盘和上蜡机的温度为85-90℃，步骤（6）和（7）中去蜡液的温度为85-90℃。
本发明中采用的蜡为低温蜡，其熔化温度在80℃以下。
本发明在载片盘和外延片之间增加缓冲层，缓冲减薄过程中设备对外延片的作用力，能够有效降低外延片的裂片率10%以上；并且由于缓冲层的存在，可以增加减薄过程中施加的压力，提高减薄速度，提高了生产效率30%以上。本发明采用液体中下蜡的方法，相比于传统的下蜡方法外延片的裂片率降低1%以上；外延片厚度的均匀性由普通的±20μm，提高到±10~15μm。本发明可提高芯片的综合良率为4%。
具体实施方式
实施例1
一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：
（1）将载片盘加热至80℃，设定上蜡机的温度为80℃，将蜡熔于载片盘的载片位置，用蜡将镜头纸粘附到载片盘载片的位置；
（2）将载片盘加热至80℃，设定上蜡机的温度为80℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；
（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.2MPa，进行冷却；
（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；
（5）用减薄机将外延片进行减薄，减薄盘的转速为60rpm；
（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度80℃，时间8分钟；
（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间8分钟，去蜡液浓度为10%，温度为80℃；
（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。
参数及结果如下表所示；
| 裂片率 | 厚度均匀性 | 研磨时间 | |
| 传统方法 | 17% | ±20μm | 35min |
| 本实施例 | 2.5% | ±15μm | 25min |
实施例2
一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：
（1）将载片盘加热至120℃，设定上蜡机的温度为120℃，将蜡熔于载片盘的载片位置，用蜡将镜头纸粘附到载片盘载片的位置；
（2）将载片盘加热至120℃，设定上蜡机的温度为120℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；
（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.3MPa，进行冷却；
（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；
（5）用减薄机将外延片进行减薄，减薄盘的转速为60rpm；
（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度100℃，时间5分钟；
（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间5分钟，去蜡液浓度为10%，温度为100℃；
（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。
参数及结果如下表所示；
| 裂片率 | 厚度均匀性 | 研磨时间 | |
| 传统方法 | 17% | ±20μm | 35min |
| 本实施例 | 1% | ±10μm | 25min |
实施例3
一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：
（1）直接将高温胶带粘附到载片盘载片的位置；
（2）将载片盘加热至85℃，设定上蜡机的温度为85℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；
（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.3MPa，进行冷却；
（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；
（5）用减薄机将外延片进行减薄，减薄盘的转速为60rpm；
（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度85℃，时间7分钟；
（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间7分钟，去蜡液浓度为10%，温度为85℃；
（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。
参数及结果如下表所示；
| 裂片率 | 厚度均匀性 | 研磨时间 | |
| 传统方法 | 17% | ±20μm | 35min |
| 本实施例 | 0.9% | ±10μm | 10min |
实施例4
一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：
（1）直接将高温胶带粘附到载片盘载片的位置；
（2）将载片盘加热至90℃，设定上蜡机的温度为90℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；
（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.3MPa，进行冷却；
（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；
（5）用减薄机将外延片进行减薄，减薄盘的转速为60rpm；
（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度90℃，时间8分钟；
（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间8分钟，去蜡液浓度为10%，温度为90℃；
（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。
参数及结果如下表所示；
| 裂片率 | 厚度均匀性 | 研磨时间 | |
| 传统方法 | 17% | ±20μm | 35min |
| 本实施例 | 0.8% | ±10μm | 10min |
Claims (5)
1.一种发光二极管的研磨下蜡方法，包括如下步骤：
（1）将厚度均匀的缓冲层粘附在载片盘的载片位置；
（2）将载片盘加热至80-120℃，设定上蜡机的温度为80-120℃，将蜡熔于缓冲层上，将外延片正面粘于熔化的蜡上；
（3）将载片盘置于冷却台上，调整压力为0.2-0.3MPa，进行冷却；
（4）用丙酮、异丙酮将外延片边缘多余的蜡清除；
（5）用减薄机将外延片进行减薄；
（6）将减薄后的外延片连同载片盘浸入水溶性去蜡液中，将外延片从缓冲层上取下；去蜡液的浓度为10%，温度80-100℃，时间5-8分钟；
（7）将取下的外延片放于花篮中，将花篮依次浸入三个装有水溶性去蜡液的容器中，每次时间5-8分钟，去蜡液浓度为10%，温度为80-100℃；
（8）将花篮置于清洗槽中，清洗后吹干。
2.如权利要求1所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于缓冲层为高温胶带。
3.如权利要求1所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于缓冲层为镜头纸；此时的粘附方法为：将载片盘加热至80-120℃，设定上蜡机的温度为80-120℃，将蜡熔于载片盘的载片位置，用蜡将镜头纸粘附到载片盘上。
4.如权利要求2所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于步骤（2）中载片盘和上蜡机的温度为85-90℃，步骤（6）和（7）中去蜡液的温度为85-90℃。
5.如权利要求1-4任意一项所述的一种发光二极管的研磨下蜡方法，其特征在于所述的蜡为低温蜡，其熔化温度在80℃以下。
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| CN2011103282699A CN103078015A (zh) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | 一种发光二极管的研磨下蜡方法 |
Publications (1)
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- 2011-10-26 CN CN2011103282699A patent/CN103078015A/zh active Pending
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