CN103474529B - 一种垂直led芯片的制作方法以及垂直led芯片 - Google Patents
一种垂直led芯片的制作方法以及垂直led芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103474529B CN103474529B CN201310473123.2A CN201310473123A CN103474529B CN 103474529 B CN103474529 B CN 103474529B CN 201310473123 A CN201310473123 A CN 201310473123A CN 103474529 B CN103474529 B CN 103474529B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- led chip
- vertical led
- substrate
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical group OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N nitric acid;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.O[N+]([O-])=O NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片，其操作步骤包括：a）、在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；f）、采用激光剥离技术将衬底去除；g）、在所述N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作，本发明避免由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生应力，确保本发明垂直LED芯片的成品率以及亮度。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制造领域，具体涉及了一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片。
背景技术
近年来，对于大功率照明发光二极管（light-emittingdiode，LED）的研究已经成为趋势，然而传统同侧结构的LED芯片存在电流拥挤、电压过高和散热难等缺点，很难满足大功率的需求，而垂直LED芯片不仅可以有效地解决大电流注入下的拥挤效应，还可以缓解大电流注入所引起的内量子效率降低，改善垂直LED芯片的光电性能。
目前垂直LED芯片的制备工艺主要为，在衬底上（一般为蓝宝石材料）生长GaN基外延层，然后在该GaN基外延层上制作接触层和反光层，然后采用电镀或基板键合（Waferbonding）的方式制作导热性能良好的导热基板，同时也作为GaN基外延层的新衬底，再通过激光剥离的方法使蓝宝石衬底和GaN基外延层分离，外延层转移到金属基板上，这样使得LED芯片的散热性能会更好。目前，在蓝宝石衬底上生长外延层后制作垂直结构LED通常采用激光剥离技术使外延层和蓝宝石衬底分离。
上述采用激光剥离技术分离蓝宝石和外延层采用逐点扫描的方式，激光的能量在蓝宝石与外延层界面处吸收，在激光束斑大小区域瞬间产生高温，使界面处氮化镓迅速汽化，产生反冲，进而使得蓝宝石衬底和外延层分离。然而在现有激光剥离技术中，由于反冲，可能会导致LED芯片性能劣化，导致芯片亮度低，同时产生的应力容易导致外延层破裂，从而影响激光剥离后的成品率。
为了解决上述技术问题，公开号为CN101521251A的中国发明专利公开了一种垂直结构发光二极管的制作方法，提出用机械研磨的方法去除蓝宝石衬底的方法来制作垂直LED芯片，尽管能避免激光剥离技术存在的相关技术缺陷，但是显然地，采用机械研磨的方法去除蓝宝石衬底耗费工时过长，根本不适合批量生产化。
为此，有必要提出一种新的技术方案来解决现有技术中存在的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片，避免由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生应力以及性能劣化，确保本发明垂直LED芯片的成品率以及亮度。
为了实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种垂直LED芯片的制作方法，其中，其操作步骤包括：
a）、在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；
b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；
c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；
d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；
e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；
f）、采用激光剥离技术将衬底去除；
g）、在所述N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作。
优选地，在所述步骤c）中，采用预先成形、然后光刻工艺处理分别制作接触层和高反射电极层，使得接触层和高反射电极层依次位于不具有划片槽的外延层表面上。
优选地，在所述步骤e）完成后、步骤f）进行前，还包括：
f0）、对所述衬底背面进行抛光处理。
优选地，在所述步骤e）完成后、步骤f0）进行前，对所述衬底进行减薄处理，使得衬底的厚度为110-160μm。
优选地，所述衬底的材料选自蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝和尖晶石中的任意一种；所述绝缘材料为二氧化硅。
优选地，所述高反射电极层包括反射镜层和键合连接层，所述反射镜层和所述键合连接层之间设有粘附层。
优选地，所述导热基板为铜基板或硅基板，且所述导热基板表面上设有与所述键合连接层键合的金属连接层。
优选地，一种垂直LED芯片，包括导热基板，和依次位于所述导热基板上的高反射电极层、接触层、P-GaN层、发光层、N-GaN层和N型电极，其中，所述LED芯片采用如上所述的垂直LED芯片的制作方法制作得到，所述垂直LED芯片设有1个或多个划片槽，所述划片槽内填充有绝缘材料。
优选地，所述绝缘材料为二氧化硅。
优选地，所述N-GaN层表面具有粗化图形结构。
本发明通过在垂直LED芯片设有1个或多个划片槽，划片槽内填充有绝缘材料，这样在进行步骤f）中采用激光剥离技术将衬底去除时，位于划片槽内的绝缘材料可以很好地消除由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生的应力以及性能劣化，进而确保垂直LED芯片的成品率以及亮度；
本发明进一步优化地，在步骤e）完成后、步骤f）进行前，对衬底背面进行抛光处理得到抛光面，进一步有效确保在激光光束作用下芯片受到的能量均匀，不仅确保激光剥离的效果，同时避免产生局部应力导致芯片局部受损。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明具体实施方式下垂直LED芯片的制作步骤流程图；
图2是本发明具体实施方式下垂直LED芯片的结构示意图；
图3是本发明具体实施方式下垂直LED芯片在进行步骤f）前的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例公开了一种垂直LED芯片的制作方法，其中，其操作步骤包括：
a）、在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；
b）、对外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；
c）、在外延层上依次制作接触层和高反射电极层；
d）、向划片槽内填充绝缘材料；
e）、将高反射电极层键合到导热基板上；
f）、采用激光剥离技术将衬底去除；
g）、在N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作。
本发明实施例还公开了一种垂直LED芯片，包括导热基板，和依次位于导热基板上的高反射电极层、接触层、P-GaN层、发光层、N-GaN层和N型电极，其中，LED芯片采用如上的垂直LED芯片的制作方法制作得到，垂直LED芯片设有1个或多个划片槽，划片槽内填充有绝缘材料。
本发明实施例通过在垂直LED芯片设有1个或多个划片槽，划片槽内填充有绝缘材料，这样在进行步骤f）中采用激光剥离技术将衬底去除时，位于划片槽内的绝缘材料可以很好地消除由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生的应力以及性能劣化，进而确保垂直LED芯片的成品率以及亮度；
本发明实施例进一步优化地，在步骤e）完成后、步骤f）进行前，对衬底背面进行抛光处理得到抛光面，进一步有效确保在激光光束作用下芯片受到的能量均匀，不仅确保激光剥离的效果，同时避免产生局部应力导致芯片局部受损。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
请参见图1所示，一种垂直LED芯片的制作方法，其中，其操作步骤包括：
a）、在衬底10上制作由N-GaN层6、发光层5和P-GaN层4组成的外延层，其中，衬底10的材料选自蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝和尖晶石中的任意一种，具体地，在本实施方式中，衬底10的材料为蓝宝石，并采用沉积法或其它现有公知方法进行制作N-GaN层6、发光层5和P-GaN层4，在本文中不在具体进行赘述；
通常地，为了确保垂直LED芯片的制作质量，一般在步骤a）进行之前，对晶元表面采用化学试剂进行清洗，具体为：王水清洗10分钟，SPM清洗10分钟，冲水甩干，其中SPM为H2SO4、H2O2、H2O的混合溶液。
b）、对外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽8，具体个数可以根据实际需要进行选择，在本实施方式中，划片槽8的数量为2个，划片槽8的形状可以为矩形、三角形、方形、多边形或不规则形状，本发明对其不做具体限制，在本实施方式中，划片槽8的形状为矩形；划片槽8的深度为0.8-1.5μm，具体地，在本实施方式中，划片槽8的深度为1.2μm；光刻工艺可以现有公开的任意一种，具体地，在本实施方式中，光刻工艺处理包括涂胶、曝光、显影、硬烤以及ICP干法刻蚀等工序，具体不再具体进行赘述。
c）、在外延层上依次制作接触层3和高反射电极层2，具体地，接触层3为透明材质，在本实施方式中，接触层3采用ITO（氧化铟锡）材料，优选地，高反射电极层2包括反射镜层（图未具体示出）和键合连接层（图未具体示出），反射镜层和键合连接层之间设有粘附层（其厚度较薄），具体地，在本实施方式中，反射镜层采用银反射镜，其厚度约为200nm，粘附层的材料为镍，键合连接层的材料为金，其厚度约为1μm；
采用预先成形、然后光刻工艺处理分别制作上述接触层3和高反射电极层2，使得接触层3和高反射电极层2依次位于不具有划片槽8的外延层表面上，有效避免欧姆接触等问题。具体地，可采用溅射、蒸镀方法或其他任意一种公知方法预先成形ITO接触层，优选地，在本实施方式中，采用等离子体溅射方法制作ITO接触层，在等离子体溅射过程中，镀膜温度约为250-300℃，厚度约为30-100nm，镀率为1A/S，然后通过光刻工艺处理制作得到ITO接触层3，该ITO接触层3位于不具有划片槽8的外延层表面上；且在550-620℃间的温度条件下快速退火3分钟。具体地，可采用蒸镀方法或其他任意一种公知方法预先成形高反射电极层，然后通过光刻工艺处理制作得到高反射电极层2，该高反射电极层2位于不具有划片槽的ITO接触层表面上，具体的光刻工艺，本领域技术人员可以根据实际需要进行具体选择，本文不再具体进行赘述。
d）、向划片槽8内填充绝缘材料，具体地，在本实施方式中，绝缘材料为二氧化硅，具体同样可采用预先成形、然后光刻工艺处理的方法完成向划片槽8内填充绝缘材料，同上文所述，由于这些制作工艺均为本领域技术人员的常规技术手段，本文也不再具体进行赘述；
e）、将高反射电极层2键合到导热基板1上，具体地，导热基板1为铜基板或硅基板，且导热基板1表面上设有与键合连接层键合的金属连接层1a，该金属连接层1a的材料为金；
为了确保激光剥离效果，本发明实施例对衬底进行减薄处理，使得衬底的厚度为110-160μm，具体地，在本实施方式中，将衬底的厚度减薄至120μm。
f0）、对衬底10背面进行抛光处理，具体地，可采用现有任意一种公知方法对衬底10背面进行抛光处理，如机械或化学等抛光处理，更优选地，在本实施方式中，采用高精度抛光处理，使得衬底10背面的粗糙度尽可能降低，有利于后续进行的激光剥离技术。
f）、采用激光剥离技术将衬底10去除，衬底10去除后，N-GaN层6表面形成粗化图形结构9，具有提高出光效率的效果；
g）、在N-GaN层6上制作N型电极7，优选地，N型电极7包括反射镜层（图未示出）和键合连接层（图未示出），反射镜层和键合连接层之间设有粘附层，具体地，在本实施方式中，反射镜层采用铝或反射镜，其厚度约为200nm，粘附层的材料为铬，键合连接层的材料为金，其厚度约为1μm，该键合连接层用于与其他结构进行电连接；在具体制作时，由于N-GaN层6表面具有粗化图形结构9，因此在制作N型电极6时，首先通过光刻工艺在N-GaN层6上制作N型电极区域，光刻工艺中的刻蚀采用ICP干法刻蚀，通过ICP干法刻蚀形成具有较小深度的槽，然后通过光刻镀膜最终制作得到N型电极7；最终完成垂直LED芯片的制作。
当然地，需要特别说明的是，本发明上述实施例还具体进行生产时，还包括其它工艺优化步骤，如清洗步骤、检测步骤、、焊线步骤以及划片步骤等，但这些步骤均属于LED芯片生产领域的公知常识，此外，本文中对于未具体展开的制作方法同样属于LED芯片生产领域的公知常识和常规技术手段，因此本文均不再做具体展开说明。
请进一步参见图2所示，一种垂直LED芯片，包括导热基板1，和依次位于导热基板1上的高反射电极层2、接触层3、P-GaN层4、发光层5、N-GaN层6和N型电极7，其中，LED芯片采用如上所述的制作方法制作得到，请再进一步参见图3所示（图3未具体示出高反射电极层2和接触层3），垂直LED芯片设有2个划片槽8，划片槽8内填充有绝缘材料，其中，N-GaN层6表面具有粗化图形结构9。
本发明还对上述实施方式与采用现有技术制作方法的实施效果进行了比较，本发明的垂直LED芯片的成品率相对于现有技术提高了将近15%，极大地利用规模化生产推广应用，同时其可避免发生性能劣化，进而确保了垂直LED芯片的亮度。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，其操作步骤包括：
a）、在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；
b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；
c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；
d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；
e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；
f0）、对所述衬底背面进行抛光处理；
f）、采用激光剥离技术将衬底去除，得到表面具有粗化图形结构的N-GaN层；
g）、通过光刻工艺在N-GaN层上制作N型电极区域，在所述N-GaN层上的N型电极区域制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作。
2.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤c）中，采用预先成形、然后光刻工艺处理分别制作接触层和高反射电极层，使得接触层和高反射电极层依次位于不具有划片槽的外延层表面上。
3.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤e）完成后、步骤f0）进行前，对所述衬底进行减薄处理，使得衬底的厚度为110-160μm。
4.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料选自蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝和尖晶石中的任意一种；所述绝缘材料为二氧化硅。
5.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，所述高反射电极层包括反射镜层和键合连接层，所述反射镜层和所述键合连接层之间设有粘附层。
6.如权利要求5所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，所述导热基板为铜基板或硅基板，且所述导热基板表面上设有与所述键合连接层键合的金属连接层。
7.一种垂直LED芯片，包括导热基板，和依次位于所述导热基板上的高反射电极层、接触层、P-GaN层、发光层、N-GaN层和N型电极，其特征在于，所述LED芯片采用如权利要求1-6中任意一项所述的垂直LED芯片的制作方法制作得到，所述垂直LED芯片设有1个或多个划片槽，所述划片槽内填充有绝缘材料，所述N-GaN层表面具有粗化图形结构，所述N-GaN层上具有槽状的N型电极区域，所述N型电极位于所述N型电极区域。
8.如权利要求7所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述绝缘材料为二氧化硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310473123.2A CN103474529B (zh) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 一种垂直led芯片的制作方法以及垂直led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310473123.2A CN103474529B (zh) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 一种垂直led芯片的制作方法以及垂直led芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103474529A CN103474529A (zh) | 2013-12-25 |
| CN103474529B true CN103474529B (zh) | 2016-05-11 |
Family
ID=49799303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310473123.2A Active CN103474529B (zh) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 一种垂直led芯片的制作方法以及垂直led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103474529B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105047788B (zh) * | 2015-07-23 | 2017-12-01 | 北京大学 | 一种基于银基金属键合的薄膜结构led芯片及其制备方法 |
| CN105489530A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-04-13 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | Led芯片及其制作方法 |
| CN107127457B (zh) * | 2017-05-08 | 2019-01-15 | 北京航空航天大学 | 一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法 |
| CN109326694B (zh) * | 2018-10-30 | 2020-04-10 | 扬州乾照光电有限公司 | 发光二极管的制造方法及发光二极管芯片 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101661985A (zh) * | 2009-09-18 | 2010-03-03 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3308870B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2002-07-29 | シャープ株式会社 | Ｌｅｄチップの製造方法 |
| FR2839199B1 (fr) * | 2002-04-30 | 2005-06-24 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de substrats avec detachement d'un support temporaire, et substrat associe |
-
2013
- 2013-10-11 CN CN201310473123.2A patent/CN103474529B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101661985A (zh) * | 2009-09-18 | 2010-03-03 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103474529A (zh) | 2013-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101604717B (zh) | 一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法 | |
| CN100505352C (zh) | 一种led芯片及其制备方法 | |
| TWI455345B (zh) | 具有垂直結構之發光二極體及其製造方法 | |
| CN101366121B (zh) | 垂直结构半导体器件 | |
| CN101872813A (zh) | 发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN105161589B (zh) | 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物led及制备方法 | |
| CN101599523A (zh) | 采用导电聚合物转移的垂直结构led芯片及其制造方法 | |
| KR20110042249A (ko) | 수직 구조 화합물 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| CN103474529B (zh) | 一种垂直led芯片的制作方法以及垂直led芯片 | |
| CN104617195A (zh) | 一种近红外发光二极管及其生产方法 | |
| CN107195734A (zh) | 一种micro‑LED的制备方法 | |
| CN101273467A (zh) | 氮化物半导体发光器件的制造方法 | |
| CN101853903A (zh) | 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 | |
| CN101771116A (zh) | 垂直结构发光二极管的制造方法 | |
| CN104916771A (zh) | 一种换衬底的正装GaN基发光二极管及其制备方法 | |
| CN101997068A (zh) | 一种制备GaN基LED的方法 | |
| CN104064642A (zh) | 垂直型led的制作方法 | |
| CN106549087A (zh) | 一种高亮度led芯片的制备方法 | |
| JP2007221146A (ja) | 縦型発光素子及びその製造方法 | |
| CN103966605B (zh) | 一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法 | |
| CN103618034A (zh) | 一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法 | |
| CN101807648B (zh) | 引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法 | |
| CN103066179B (zh) | 蓝宝石衬底可自剥离的氮化镓薄膜制备用外延结构及方法 | |
| CN102569556B (zh) | 具有高导通n型欧姆接触的发光二极管及制作方法 | |
| CN104064639A (zh) | 垂直型led结构及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8 Applicant after: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8 Applicant before: Focus Lightings Tech Inc. |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: FOCUS LIGHTING (SUZHOU) CO., LTD. TO: FOCUS LIGHINGS TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200909 Address after: 223800 west side of development avenue of Suqian economic and Technological Development Zone in Jiangsu province (room 2005 of business center) Patentee after: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY (SUQIAN) Co.,Ltd. Address before: 215123 No. 8 Qing Qing Road, Suzhou Industrial Park, Jiangsu, China Patentee before: FOCUS LIGHTINGS SCIENCE & TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 223800 south of Dongwu Road, Suqian Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province Patentee after: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY (SUQIAN) Co.,Ltd. Address before: 223800 west side of development avenue of Suqian economic and Technological Development Zone in Jiangsu province (room 2005 of business center) Patentee before: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY (SUQIAN) Co.,Ltd. |