CN1493086A - 半导体芯片的制造方法 - Google Patents
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Abstract
使有由于外因而使粘贴力降低的粘贴层的粘贴胶带10介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上，在该状态下，研磨半导体晶片的背面，在研磨后的半导体晶片的背面，粘贴切割胶带，同时通过切割架支撑切割胶带的外周，由于使外因作用于粘贴层，而使粘贴层的粘贴力降低，所以不损伤半导体晶片或者半导体芯片，就可以取下板状物支撑部件和粘贴胶带。
Description
技术领域
本发明涉及使用板状物支撑部件，在支撑半导体晶片的状态下进行研磨，制造半导体芯片的方法。
技术背景
在半导体晶片上，形成多个IC、LSI等的回路，沿其表面的分割道，通过切割，被分割为一个个的半导体芯片，用于各种电子仪器。
半导体晶片是通过研磨其背面而形成所需的厚度，近年，因为电子仪器的小型化、轻量化成为可能，所以也要求半导体晶片加工成很薄，使其厚度在100μm以下、50μm以下。但是，变薄的半导体晶片如纸那样柔软，研磨后的处理很困难。因此，致力于实施在将半导体晶片粘贴到刚性高的板状物支撑部件的状态下，进行研磨，使其后的搬运等的处理变得容易。
但是，切割研磨后的半导体晶片，必须将粘贴在板状物支撑部件上的半导体晶片剥离，转贴到切割胶带上，因为研磨后的半导体晶片很薄，所以很难不损伤地将半导体晶片从板状物支撑部件上剥离。
另外，在半导体晶片的表面的分割道上形成有预制的切削槽，在通过研磨背面，直至使该切削槽显现，分割一个个的半导体芯片，被称为所谓的先行切割的方法中，有必要在研磨之前将形成有切削槽的半导体晶片粘贴到刚性高的板状物支撑部件上，在完成研磨后，将被分割的半导体芯片从板状物支撑部件上提取，这种情况下不损伤薄的半导体芯片，将其从板状物支撑部件上剥离也是很困难的。
因此，本发明是以在制造薄的半导体芯片时，不损伤半导体晶片或者半导体芯片，而可以从板状物支撑部件上剥离为目的。
发明内容
本发明提供一种半导体芯片的制造方法，是将通过分割道被划分、在表面上形成有多个半导体芯片的半导体晶片分割为一个个的半导体芯片，由下述工序构成，即：使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上的板状物支撑部件一体化工序；将与板状物支撑部件成为一体的半导体晶片载置于研磨装置的卡盘台上，研磨半导体晶片的背面的研磨工序；在与板状物支撑部件成为一体的研磨后的半导体晶片的背面，粘贴切割胶带，同时通过切割架支撑切割胶带的外周的胶带粘贴工序；在胶带粘贴工序前或后，使外因作用于粘贴层，使粘贴层的粘贴力降低，在胶带粘贴工序后，将板状物支撑部件和粘贴层从半导体晶片的表面取下的粘贴转换工序；将介于切割胶带而与切割架成为一体的半导体晶片载置于切割装置的卡盘台上，通过分割道而分离，分割为一个个的半导体芯片的切割工序。
另外，本发明提供一种半导体芯片的制造方法，是将通过分割道被划分、在表面上形成有多个半导体芯片的半导体晶片分割为一个个的半导体芯片，由下述工序构成，即：将半导体晶片载置于切割装置的卡盘台上，在分割道上形成槽的槽形成工序；使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上的板状物支撑部件一体化工序；将与板状物支撑部件成为一体的半导体晶片载置于研磨装置的卡盘台上，研磨半导体晶片的背面，直至槽显现出来的研磨工序；在与板状物支撑部件成为一体的研磨后的半导体晶片的背面，粘贴胶带，同时通过架子支撑胶带的外周的胶带粘贴工序；在胶带粘贴工序前或后，使外因作用于粘贴层，使粘贴层的粘贴力降低，在胶带粘贴工序后，将板状物支撑部件和粘贴层从半导体晶片的表面取下的粘贴转换工序。
再有，本发明提供一种半导体芯片的制造方法，是将通过分割道被划分、在表面上形成有多个半导体芯片的半导体晶片分割为一个个的半导体芯片，由下述工序构成，即：将半导体晶片载置于切割装置的卡盘台上，在分割道上形成槽的槽形成工序；使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上的板状物支撑部件一体化工序；将与板状物支撑部件成为一体的半导体晶片载置于研磨装置的卡盘台上，研磨半导体晶片的背面，直至槽显现出来，分割为一个个的半导体芯片的研磨工序；使外因作用于粘贴层，使粘贴层的粘贴力降低，将半导体芯片从板状物支撑部件和粘贴层上取下的半导体芯片脱离工序。
而且，上述的各发明的附加特征为：使用具有比半导体晶片的外形大的外形的板状物支撑部件、完成板状物支撑部件的一体化工序，通过使构成厚度测定器的触针分别与该半导体晶片的磨削面和该板状物支撑部件的表面相接触，一边计量该半导体晶片的厚度、一边完成磨削工序；在粘贴层中包含有由于外因而发泡的发泡剂；粘贴层是将含有因光而发泡的发泡剂的粘贴剂在薄膜状的中间层的至少一个单面上涂敷的粘贴胶带；板状物支撑部件是通过透明的材质而形成的；板状物支撑部件是通过透明的玻璃形成的，其厚度是从0.5mm至2.5mm。
在如上述构成的半导体芯片的制造方法中，因为是在刚性高的板状物支撑部件上，使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，粘贴半导体晶片，在该状态进行研磨，使半导体晶片达到所需的厚度，其后，通过使该外因产生作用，而使粘贴力降低，使半导体晶片脱离，所以即使是薄的半导体晶片，也不会受到损伤，可以容易地脱离。
另外，由于在先行切割的情况下也采用了同样的方法，所以可以使变薄的一个个的半导体芯片容易地脱离。
进一步，仅靠由于外因而使粘贴力降低，不能解除半导体晶片或者半导体芯片与板状物支撑部件的密合性，用于取下未必能说是充分的，若使用具有通过紫外线的照射而使粘贴力降低，同时发泡而使密合力降低的性质的粘贴胶带，则因为在半导体晶片或者半导体芯片与板状物支撑部件之间形成间隙，解除密合性，所以可以更确实地将其取下。
附图说明
图1是表示半导体晶片的立体图。
图2是表示介于粘贴胶带而使半导体晶片与板状物支撑部件一体化的情况的立体图。
图3是表示介于粘贴胶带而使半导体晶片和板状物支撑部件一体化后的状态的立体图。
图4是表示粘贴胶带的构成的一例的侧视图。
图5是表示用于本发明的实施的研磨装置的一例的立体图。
图6是表示研磨后的半导体晶片与板状物支撑部件成为一体的状态的立体图。
图7是表示将与板状物支撑部件成为一体的半导体晶片粘贴到切割胶带的情况的立体图。
图8是表示将紫外线照射到板状物支撑部件的情况的立体图。
图9是表示将板状物支撑部件从半导体晶片上取下的情况的立体图。
图10是表示用于半导体晶片的切割的切割装置的一例的立体图。
图11是表示切割后的半导体晶片的立体图。
图12是表示在表面上形成有槽的半导体晶片的立体图。
图13是表示在表面上形成有槽的半导体晶片的正视图。
图14是表示介于粘贴胶带，将在表面上形成有槽的半导体晶片与板状物支撑部件一体化的情况的立体图。
图15是表示介于粘贴胶带，将半导体晶片与板状物支撑部件一体化后的状态的立体图。
图16是表示通过背面的研磨而显现出槽的半导体晶片支撑在板状物支撑部件上的状态的立体图。
图17是表示将紫外线照射到板状物支撑部件的情况的立体图。
图18是表示将板状物支撑部件从半导体晶片上取下的情况的立体图。
图19是表示将紫外线照射到板状物支撑部件，提取半导体芯片的情况的立体图。
图20是表示使用大于半导体晶片的外形的板状物支撑部件，支撑半导体晶片的情况的立体图。
图21是表示使用厚度测定器，计量支撑在板状物支撑部件上的半导体晶片的厚度的情况的正视图。
具体实施方式
作为用于实施本发明的最佳方式，如图1所示，就将通过分割道S被划分、在表面上形成有多个半导体芯片C的半导体晶片W1分割为一个个的半导体芯片C的方法进行说明。
首先，如图2所示，翻转半导体晶片W1，介于粘贴胶带10，将半导体晶片W1的表面粘贴到板状物支撑部件11上，呈如图3所示的状态(板状物支撑部件一体化工序)。
该粘贴胶带10是用于粘贴半导体晶片W1和板状物支撑部件11的粘贴层，其构成为，由于外因而使粘贴力降低。这里所说的粘贴力是由粘接力和密合力构成的。例如，作为粘贴胶带10可以使用在日本特开昭63-17981号公报以及日本特开平4-88075号公报中所公开的粘贴胶带。
如图4所示，粘贴胶带10是将厚度30μm左右的聚乙烯薄膜作为薄膜状的中间层12，其构成为，在其单面上，将作为粘接剂的丙烯类粘贴剂、作为放射线聚合性化合物的聚氨酯丙烯酸酯类的齐聚物、作为由于紫外线等的光所引起的外因而发泡的发泡剂的碳酸铵或者松本油脂制药株式会社制造的「マツモトマイクロスフエア一」，按照适当的比例混合而成粘贴层13，涂敷20μm左右，在另一单面上，将聚乙烯类粘贴剂、聚氨酯丙烯酸酯类的齐聚物按照适当的比例混合而成粘贴层14，涂敷20μm左右。另外，根据需要，也可以将发泡剂混入粘贴层14，混入粘贴层14的量要小于混入粘贴层13的量。
若紫外线照射这样构成的粘贴胶带10，则对于粘贴层13，粘接力降低的同时，由于发泡，密合力也降低。一方面，对于粘贴层14，粘贴力降低，但因为没有混合发泡剂，所以密合力没有降低。因此，在板状物支撑部件一体化工序中，如图4所示，将粘贴层13粘贴到半导体晶片W1上，将粘贴层14粘贴到板状物支撑部件11上是很重要的。另外，在本说明书中，就有关粘贴层13以及粘贴层14方由于外因而使粘贴力降低的情况进行了说明，关于粘贴层14也可以不使用由于外因而使粘贴力降低型的东西。因此没有必要使外因一定作用到粘贴层14。
板状物支撑部件11通过其后进行的研磨，即使是在100μm以下，50μm以下的薄的半导体晶片中，也具有可以稳定地支撑这种程度的刚性，同时由可使紫外线透过的PET、玻璃等形成。例如，由厚度为从0.5mm至2.5mm左右的透明的玻璃而构成。
如图3所示，介于粘贴胶带10，支撑在板状物支撑部件11上的半导体晶片W1被运送到例如图5所示的研磨装置20上，研磨其背面，达到所需的厚度(研磨工序)。
在研磨装置20中，其构成为，壁部22从基台21的端部竖起而设置，在该壁部22的内侧面上，一对导轨23配设在垂直方向，伴随着支撑部24沿导轨23的上下移动，安装在支撑部24上的研磨装置25也上下移动。另外，转台26可旋转地配设在基台21上，而且，在转台26上，保持半导体晶片的卡盘台27可旋转地被多个配设。
在研磨装置25中，其构成为，底座29安装在具有垂直方向的轴心的锭子28的前端，而且，固定研磨石31的研磨盘30安装在其下部，研磨石31伴随着锭子28的旋转而旋转。
在使用研磨装置20对半导体晶片W1进行研磨时，将支撑在板状物支撑部件11上的半导体晶片W1吸引保持在卡盘台27上，使之位于研磨装置25的正下方，使锭子28旋转，同时使研磨装置25逐渐下降。于是，伴随锭子28的高速旋转，研磨盘30高速旋转，同时由于旋转的研磨石31与半导体晶片接触，施加推压力，因此通过研磨石31研磨其表面。
象这样，通过研磨，半导体晶片W1如图6所示，以很薄的状态，支撑在板状物支撑部件11上。于是，如图7所示，将支撑在板状物支撑部件11上的半导体晶片W1以翻转的状态，粘贴到切割胶带40的粘贴面上。
在该切割胶带40的外周，粘贴有切割架41，通过将支撑在板状物支撑部件11上的半导体晶片W1的背面粘贴到切割胶带40上，使这些一体化(胶带粘贴工序)。
接着，相对于粘贴胶带10，介于板状物支撑部件11，使外因产生作用。在本实施方式中，如图8所示，从板状物支撑部件11的上方照射紫外线。于是，对于图4所示的粘贴层13，因为粘接力降低，同时由于发泡而在半导体晶片W1与粘贴层13之间形成间隙，密合力也降低，所以呈粘贴力降低，可以容易剥离的状态。
一方面，对于粘贴层14，因为密合力没有降低，所以在将粘贴胶带10粘贴在板状物支撑部件11的状态下，可以从半导体晶片W1上将其剥离。
即，在使粘贴胶带10的粘贴力降低后，如图9所示，将板状物支撑部件11提升到上方，将板状物支撑部件11从半导体晶片W1的表面上剥离。此时，因为粘贴胶带10的粘贴层13的粘贴力弱于粘贴层14的粘贴力，所以粘贴胶带10和板状物支撑部件11一起从半导体晶片W1上被剥离。
另一方面，因为粘贴胶带10的粘贴层14的粘贴力有所残存，所以可以维持粘贴胶带10粘贴到板状物支撑部件11上的状态。因此，仅是变薄的半导体晶片W1呈保持在切割胶带40以及切割架41上的状态(粘贴转换工序)。
象这样，因为是由于外因而使粘贴力降低后，使板状物支撑部件11脱离，所以即使是变薄的半导体晶片W1也不会破损，可以容易地转贴到切割胶带上。
另外，在粘贴转换工序中，使外因作用于粘贴胶带10的作业也可以在胶带粘贴工序之前进行。在该情况下，因为粘贴层13的粘贴力降低，残存微弱的粘贴力，所以不会使半导体晶片W1从板状物支撑部件11上脱落，对粘贴转换工序不会产生妨碍。
介于切割胶带40与切割架41成为一体的半导体晶片W1是通过例如图10所示的切割装置50而切割的。
在该切割装置50中，介于切割胶带40与切割架41成为一体的半导体晶片W1多个收纳在盒51内。
于是，与切割架41成为一体的半导体晶片W1，通过运出搬入装置52，从盒51中搬出，载置于临时放置区域53，受到第1运送装置54的吸引，通过第1运送装置54的旋转移动，运送载置于卡盘台55上，并被吸引保持。
半导体晶片W1若被吸引保持在卡盘台55上，则卡盘台55向+X方向移动，安装在位于定位装置56的正下方，通过模式匹配等的处理，检测出需要切削的分割道S，进行该分割道S与旋转刀片57的在Y轴方向的定位。这样若定位完成，则卡盘台55进一步向X轴方向移动，受到旋转刀片57的作用，进行切削。
一边计算分割道间隔，仅在Y轴方向输送旋转刀片57，一边进行这样的切削，进一步，若使卡盘台55旋转90度，进行同样的切削，则如图11所示，所有的分割道S被纵横切削而分离，分割为一个个的半导体芯片C(切割工序)。
如上所述，通过从研磨开始进行切割，即使是在由于研磨而使半导体晶片薄如纸的情况下，也可以不使其破损而制造出半导体芯片。
另外，仅靠由于外因而使粘贴力降低，不能解除半导体晶片或者半导体芯片与板状物支撑部件的密合性，用于取下未必能说是充分的，若使用具有通过紫外线的照射而使粘贴力降低，同时发泡而使密合力降低的性质的粘贴胶带，则因为在半导体晶片W1与板状物支撑部件11之间形成间隙，解除密合性，所以可以更确实地将其取下。
接着，就通过所谓的先行切割的方法制造半导体芯片的情况进行说明。
首先，最初将半导体晶片载置于例如图10所示的切割装置50的卡盘台55上，使用旋转刀片57，如图12以及图13所示，在表面的分割道S上，成为形成有深度与最终的半导体芯片C的厚度相当的槽60的半导体晶片W2(槽形成工序)。
接着，与图2的情况相同，如图14所示，翻转半导体晶片W2，介于粘贴胶带10，将半导体晶片W2的表面粘贴到板状物支撑部件11上，呈图15所示的状态(板状物支撑部件一体化工序)。
于是，若在例如图5所示的研磨装置20的卡盘台27上，载置成为板状物支撑部件11的半导体晶片W2，使用研磨装置25，研磨半导体晶片W2的背面，则如图16所示，显现出槽60(研磨工序)。
接着，为可以通过提取装置而提取半导体芯片C，在外周上粘贴有架子43的胶带42的粘贴面上，将显现出槽60的背面向下，粘贴半导体晶片W2(胶带粘贴工序)。于是，如图17所示，通过从板状物支撑部件11的上方照射紫外线，使粘贴胶带10的粘贴层13的粘贴力降低。
接着，如图18所示，将板状物支撑部件11提升到上方，将板状物支撑部件11从半导体晶片W2的表面剥离。此时，因为粘贴胶带10的下面的粘贴层13的粘贴力弱于切割胶带40的粘贴力，所以粘贴胶带10也被从半导体晶片W2上剥离。
一方面，因为粘贴胶带10的上面的粘贴层14的粘贴力有所残存，所以可以维持粘贴胶带10粘贴到板状物支撑部件11上的状态。因此，仅是很薄的半导体晶片W2呈保持在切割胶带40以及切割架41上的状态(粘贴转换工序)。
象这样，因为是由于外因而使粘贴力降低后，使板状物支撑部件11脱离，所以即使是很薄的半导体晶片W2也不会破损，可以容易地转贴到切割胶带上。
还有，因为在半导体晶片W2与板状物支撑部件之间形成间隙，解除密合性，所以可以更确实地将其取下。
另外，在粘贴转换工序中，使外因作用于粘贴胶带10的作业也可以在胶带粘贴工序之前进行。在该情况下，因为粘贴层13的粘贴力降低，残存微弱的粘贴力，所以不会使半导体晶片W2从板状物支撑部件11上脱落，对粘贴转换工序不会产生妨碍。
还有，通过研磨工序，分割为一个个的半导体芯片C，在所有的半导体芯片C一边维持半导体晶片W2的外形，一边通过粘贴胶带10，支撑在板状物支撑部件11上的状态下，如图19所示，若介于板状物支撑部件11，将紫外线照射到粘贴胶带10，则粘贴力降低，可以将半导体芯片C直接从板状物支撑部件11上提取，无需粘贴转换工序，提高了生产性，同时也无需切割胶带40以及切割架41，十分经济(半导体芯片脱离工序)。
在研磨半导体晶片W1、W2的情况下，因为要使最终形成的半导体芯片C达到所需的厚度，所以有必要一边计量半导体晶片W1、W2的厚度，一边进行研磨。
因此，如图20所示，使板状物支撑部件11a的外形形成大于半导体晶片W1(W2)的外形，将支撑在板状物支撑部件11a上的半导体晶片W1(W2)保持在如图5所示的研磨装置20的卡盘台27中，如图21所示，使触针70与板状物支撑部件11a的表面接触，同时也使触针71与半导体晶片W1(W2)的背面接触。
触针70和触针71，构成根据其高度的不同，可以求得半导体晶片W1(W2)的厚度的厚度测定仪72，通过使板状物支撑部件11a形成大于半导体晶片W1(W2)，这样，因为可以随时测量半导体晶片W1(W2)的厚度，所以若一边测量半导体晶片W1(W2)的厚度，一边完成研磨工序，就可以正确地管理最终的半导体芯片的厚度。
还有，在将半导体晶片收纳到图10所示的盒51中时，为了防止半导体晶片与盒51的侧面内部等的接触而造成损伤，也希望使板状物支撑部件11的外形，形成为大于半导体晶片的外形例如1mm-2mm左右。
另外，在上述的说明中，举出了以通过使用旋转刀片，切削半导体晶片的分割道、或是分割为一个个的半导体芯片、或是形成槽的情况为例进行了说明，也可以使用激光来分割半导体芯片或形成槽，本发明可以适用于使用了旋转刀片的切割装置以及使用了激光的切割装置的任意一种情况。
如上所述，有关本发明的半导体芯片的制造方法，因为是使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，将半导体晶片粘贴到板状物支撑部件上，进行研磨，由于可以不使半导体晶片或者半导体芯片损伤，而容易地脱离，所以适用于所有的半导体芯片的制造，特别是在很薄的半导体芯片的制造中极为有用。
Claims (18)
1.一种半导体芯片的制造方法，是将通过分割道被划分、在表面上形成有多个半导体芯片的半导体晶片分割为一个个的半导体芯片，其特征在于，是由下述工序构成：
使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上的板状物支撑部件一体化工序；
将与该板状物支撑部件成为一体的半导体晶片载置于研磨装置的卡盘台上、研磨该半导体晶片的背面的研磨工序；
在与该板状物支撑部件成为一体的研磨后的半导体晶片的背面，粘贴切割胶带的同时，通过切割架支撑该切割胶带的外周的胶带粘贴工序；
在该胶带粘贴工序前或后，使该外因作用于该粘贴层，使该粘贴层的粘贴力降低，在该胶带粘贴工序后，将该板状物支撑部件和该粘贴层从该半导体晶片的表面取下的粘贴转换工序；
将介于该切割胶带而与该切割架成为一体的半导体晶片载置于切割装置的卡盘台上，通过该分割道进行分离，分割为一个个的半导体芯片的切割工序。
2.如权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，使用具有比半导体晶片的外形大的外形的板状物支撑部件、完成板状物支撑部件的一体化工序，通过使构成厚度测定器的触针分别与该半导体晶片的研磨面和该板状物支撑部件的表面相接触，一边计量该半导体晶片的厚度、一边完成研磨工序。
3.如权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，在粘贴层中包含有由于外因而发泡的发泡剂。
4.如权利要求3所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，粘贴层是将含有由于光而发泡的发泡剂的粘贴剂在薄膜状的中间层的至少一个单面上涂敷的粘贴胶带。
5.如权利要求4所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，板状物支撑部件是由透明的材质而形成的。
6.如权利要求5所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，板状物支撑部件是通过透明的玻璃形成的，其厚度是从0.5mm至2.5mm。
7.一种半导体芯片的制造方法，是将通过分割道被划分、在表面上形成有多个半导体芯片的半导体晶片分割为一个个的半导体芯片，其特征在于，是由下述工序构成：
将半导体晶片载置于切割装置的卡盘台上，在该分割道上形成槽的槽形成工序；
使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，将该半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上的板状物支撑部件一体化工序；
将与该板状物支撑部件成为一体的半导体晶片载置于研磨装置的卡盘台上，研磨该半导体晶片的背面，直至该槽显现出来的研磨工序；
在与该板状物支撑部件成为一体的研磨后的半导体晶片的背面，粘贴胶带，同时通过架子支撑该胶带的外周的胶带粘贴工序；
在该胶带粘贴工序前或后，使该外因作用于该粘贴层，使该粘贴层的粘贴力降低，在该胶带粘贴工序后，将该板状物支撑部件和该粘贴层从该半导体晶片的表面取下的粘贴转换工序。
8.如权利要求7所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，使用具有比半导体晶片的外形大的外形的板状物支撑部件、完成板状物支撑部件的一体化工序，通过使构成厚度测定器的触针分别与该半导体晶片的研磨面和该板状物支撑部件的表面相接触，一边计量该半导体晶片的厚度、一边完成研磨工序。
9.如权利要求7所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，在粘贴层中包含有由于外因而发泡的发泡剂。
10.如权利要求9所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，粘贴层是将含有因光而发泡的发泡剂的粘贴剂在薄膜状的中间层的至少一个单面上涂敷的粘贴胶带。
11.如权利要求10所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，板状物支撑部件是通过透明的材质而形成的。
12.如权利要求11所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，板状物支撑部件是通过透明的玻璃形成的，其厚度是从0.5mm至2.5mm。
13.一种半导体芯片的制造方法，是将通过分割道被划分、在表面上形成有多个半导体芯片的半导体晶片分割为一个个的半导体芯片，其特征在于，是由下述工序构成：
将半导体晶片载置于切割装置的卡盘台上，在该分割道上形成槽的槽形成工序；
使由于外因而使粘贴力降低的粘贴层介于其间，将该半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上的板状物支撑部件一体化工序；
将与该板状物支撑部件成为一体的半导体晶片载置于研磨装置的卡盘台上，研磨该半导体晶片的背面，直至该槽显现出来，分割为一个个的半导体芯片的研磨工序；
使该外因作用于该粘贴层，使该粘贴层的粘贴力降低，将该半导体芯片从该板状物支撑部件和该粘贴层上取下的半导体芯片脱离工序。
14.如权利要求13所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，使用具有比半导体晶片的外形大的外形的板状物支撑部件、完成板状物支撑部件的一体化工序，通过使构成厚度测定器的触针分别与该半导体晶片的研磨面和该板状物支撑部件的表面相接触，一边计量该半导体晶片的厚度、一边完成研磨工序。
15.如权利要求13所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，在粘贴层中包含有由于外因而发泡的发泡剂。
16.如权利要求15所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，粘贴层是将含有因光而发泡的发泡剂的粘贴剂在薄膜状的中间层的至少一个单面上涂敷的粘贴胶带。
17.如权利要求16所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，板状物支撑部件是通过透明的材质而形成的。
18.如权利要求17所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，板状物支撑部件是通过透明的玻璃形成的，其厚度是从0.5mm至2.5mm。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |