TWI241674B - Manufacturing method of semiconductor chip - Google Patents

Description

1241674 A7 B7 五、發明説明（1 ) 一·發明所屬之技術領域 本發明係關於在利用板狀物支持構件予以支持半導體 晶圓之狀態下，進行硏磨，以製造半導體晶片之方法。 二·先前技術 在半導體晶圓形成多數的IC、LSI等之電路，藉由沿 著其之表面的街道予以切割，被分割爲個個之半導體晶片 ，而被利用在各種之電子機器。 半導體晶圓，雖係藉由硏磨其背面而形成爲所期望之 厚度，但是，近年來，爲了可使電子機器小型化、輕量化 ，半導體晶圓也被要求加工爲其厚度薄至1〇〇 // m以下、5〇 // m以下。可是，變薄的半導體晶圓，變得如紙般柔軟， 硏磨後之處理變得不容易。因此，也有被施以在將半導體 晶圓貼裝在剛性高的板狀支持構件之狀態下，進行硏磨， 使得其之後的運送等的處理變容易之工夫。 但是，爲了切割硏磨後的半導體晶圓，必須將貼裝在 板狀物支持構件的半導體晶圓剝離而換貼在切割捲帶，由 於硏磨後的半導體晶圓變薄故，要不損傷半導體晶圓而由 板狀物支持構件剝離，變得困難。 另外，在半導體晶圓表面的街道預先形成切削溝，藉 由硏磨其背面至該切削溝顯露出以分割爲個個之半導體晶 片之所謂的預先切割的手法中，先於硏磨，將形成切削溝 的半導體晶圓貼裝在剛性高的板狀物支持構件，在硏磨結 束後，需要由板狀物支持構件拾取被分割的半導體晶圓， --&- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

.裝T 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 1241674 A7 B7 五、發明説明（2 ) 在此情形，要不損傷薄半導體晶片而由板狀物支持構件剝 離，也是很困難。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，本發明之目的在於：於薄半導體晶片的製造中 ，在不損傷半導體晶圓或者半導體晶片下’可由板狀物支 持構件予以剝離。 三·發明內容 發明之揭示 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係提供一種半導體晶片之製造方法，是針對將 由街道而被區分，在表面形成多數的半導體晶片之半導體 晶圓分割爲個個半導體晶片之半導體晶片之製造方法，該 方法係由：藉由因外部要因貼裝力降低的貼裝層，在板狀 物支持構件貼裝半導體晶圓之表面的板狀物支持構件一體 化工程；及將與板狀物支持構件成爲一體之半導體晶圓載 置於硏磨裝置的夾盤，硏磨半導體晶圓之背面的硏磨工程 ;及在與板狀物支持構件成爲一體之硏磨後的半導體晶圓 之背面貼裝切割捲帶，同時，以切割框架支持切割捲帶之 外周的捲帶貼裝工程；及在捲帶貼裝工程之前或者之後， 使外部要因作用於貼裝層，以使貼裝層之貼裝力降低，在 捲帶貼裝工程之後，由半導體晶圓的背面取下板狀物支持 構件與貼裝層之換貼工程；及介由切割捲帶，將與切割框 架成爲一體之半導體晶圓載置於切割裝置的夾盤，在街道 進行分離而分割爲個個半導體晶片之切割工程所構成。 另外’本發明係提供一種半導體晶片之製造方法，是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ 297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 針對將由街道而被區分，在表面形成多數的半導體晶片之 半導體晶圓分割爲個個半導體晶片之半導體晶片之製造方 法，該方法係由：將半導體晶圓載置於切割裝置的夾盤， 在街道形成溝的溝形成工程；及介由因外部要因貼裝力降 低之貼裝層，在板狀物支持構件貼裝半導體晶圓表面的板 狀物支持構件一體化工程；及將與板狀物支持構件成爲一 體之半導體晶圓載置於硏磨裝置的夾盤，硏磨半導體晶圓 的背面至溝顯露出的硏磨工程；及在與板狀物支持構件成 爲一體的硏磨後的半導體晶圓的背面貼裝捲帶，同時，以 框架支持捲帶之外周的捲帶貼裝工程；及在捲帶貼裝工程 之前或者之後，使外部要因作用於貼裝層，使貼裝層的貼 裝力降低，在捲帶貼裝工程之後，由半導體晶圓表面取下 板狀物支持構件與貼裝層的換貼工程所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，本發明係提供一種半導體晶片之製造方法，是 針對將由街道而被區分，在表面形成多數的半導體晶片之 半導體晶圓分割爲個個半導體晶片之半導體晶片之製造方 法，該方法係由：將半導體晶圓載置於切割裝置的夾盤， 在街道形成溝的溝形成工程；及介由因外部要因貼裝力降 低之貼裝層，在板狀物支持構件貼裝半導體晶圓表面的板 狀物支持構件一體化工程；及將與板狀物支持構件成爲一 體之半導體晶圓載置於硏磨裝置的夾盤，硏磨半導體晶圓 的背面至溝顯露出，以分割爲個個半導體晶片的硏磨工程 ;及使外部要因作用於貼裝層，使貼裝層的貼裝力降低， 由板狀物支持構件與貼裝層取下半導體晶片的半導體晶片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（4 ) 脫離工程所構成。 而且，上述各發明係以··利用具有比半導體晶圓的外 形還大之外形的板狀物支持構件以遂行板狀物支持構件一 體化工程、藉由以構成厚度測量器之觸針分別接觸半導體 晶圓的硏磨面與板狀物支持構件的表面，一面測量半導體 晶圓的厚度，一面遂行硏磨工程、在貼裝層包含有以外部 要因而發泡之發泡劑、貼裝層爲將包含以光而發泡之發泡 劑的黏著劑塗佈在薄膜狀中間層之至少一面的黏著捲帶、 板狀支持構件係由透明材質所形成、板狀物支持構件係由 透明之玻璃所形成，且其厚度爲〇.5mm至2.5mm爲附加條 件。 在如上述般構成的半導體晶片之製造方法中，介由因 外部要因貼裝力降低的貼裝層，在剛性高的板狀物支持構 件貼裝半導體晶圓，在該狀態下，進行硏磨，將半導體晶 圓磨成所期望的厚度，在之後，藉由使該外部要因產生作 用，以降低貼裝力而使半導體晶圓脫離之故，即使爲變薄 的半導體晶圓，也可以不損傷而容易脫離。 另外，在預先切割之情形，藉由採用同樣的方法，可 以容易使變薄的半導體晶片脫離。 另外，在只因外部要因，黏著力降低中，半導體晶圓 或者半導體晶片與板狀支持構件的密接性未被破壞，爲了 將其取下，此雖不一定足夠，但是如使用具有藉由紫外線 的照射，黏著力降低且發泡，密接力也降低之性質的黏著 捲帶，在半導體晶圓或者半導體晶片與板狀物支持夠件之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -- -裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1241674 A7 B7 五、發明説明（5 ) 間形成有間隙之故，密接性被破壞，可以更確實取下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 四·實施方式 發明的最好實施形態 作爲實施本發明之最好形態，就如第1圖所示般地 將藉由街道S而被區分，在表面形成多數的半導體晶片C 之半導體晶圓W1分割爲個個半導體晶片C之方法做說明。 首先，如第2圖所示般地，翻轉半導體晶圓w 1，介由 黏著捲帶10在板狀物支持構件11貼裝半導體晶圓W1之表 面，做成第3圖所示之狀態（板狀物支持構件一體化工程 )〇 此黏著捲帶10係貼裝半導體晶圓W1與板狀物支持構 件11用之貼裝層，其構成爲因外部要因，貼裝力會降低。 此處所謂之貼裝力係由黏著力與密接力所構成。例如，作 爲黏著捲帶10，可以使用日本專利特開昭63- 1 798 1號公報 及曰本專利特開平4-88075號公報所揭示之黏著捲帶。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第4圖所示般地’黏著捲帶1 〇係以厚度30 // m程度 之聚乙烯薄膜爲薄膜狀中間層1 2，在其之單面塗佈將作爲 黏著劑之丙烯基系黏著劑、作爲放射線聚合性化合物之尿 烷丙烯酸酯系齊聚物、作爲因紫外線等之光的外部要因而 發泡的發泡劑之碳酸銨或者松本油脂製藥株式會社製造的 「matsumoto micro sphere」以適當比例加以混合的貼裝層 1 3共20 // m之程度，在另一面塗佈以適當比例混合丙烯基 系黏著劑、尿烷丙烯酸酯系齊聚物之貼裝層丨4共20 // m而 & 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（6 ) 構成。另外，因應需要，也可以在貼裝層14混入發泡劑， 對貼裝層1 4之混入量，使比對貼裝層1 3之混入量少。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如對如此構成之黏著捲帶1 0照射紫外線，關於貼裝層 1 3，黏著力降低而且發泡，密接力也降低。另一方面，關 於貼裝層1 4，黏著力雖降低，但是沒有混合發泡劑之故， 密接力不降低。因此，在板狀物支持構件一體化工程中， 如第4圖所示般地，將貼裝層1 3貼裝於半導體晶圓W1， 將貼裝層1 4貼裝於板狀物支持構件1 1極爲重要。另外， 在本說明書中，雖就貼裝層13及貼裝層14之雙方由於外 部要因而降低貼裝力之情形做說明，但是關於貼裝層14， 也可以不使用因外部要因而降低貼裝力之形式者。所以， 不一定要使外部要因作用於貼裝層14。 板狀物支持構件11係具有可以穩定支持即使在之後進 行的硏磨而變成薄至100// m以下、50// m以下之半導體晶 圓之程度的剛性，而且，以可使紫外線透過之PET、玻璃 等形成，例如，由厚度〇.5mm至2.5mm之程度的透明玻璃 所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第3圖般地，介由黏著捲帶1 0而被支持在板狀物支 持構件11的半導體晶圓W1，例如被運送於如第5圖所示 之硏磨裝置20，背面被硏磨而成爲所期望的厚度（硏磨工 程）。 硏磨裝置20之構成爲：由基座21之端部站立設置壁 部22，在此壁部22的內側面，於垂直方向配設有一對的滑 軌23，伴隨支持部24沿著滑軌23而上下運動，被安裝在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^-- 1241674 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 支持部24的硏磨手段25也上下運動。另外，轉盤26可以 旋轉地配置在基座21上，另外，保持半導體晶圓之夾盤27 可以旋轉地在轉盤上配設有多數個。 在硏磨手段25中，係在具有垂直方向的軸心之主軸28 的則端裝置有安裝盤2 9，另外，在其下部安裝固設有硏磨 磨料3 1之硏磨輪30，硏磨磨料30係伴隨主軸28的旋轉而 旋轉之構成。 在利用硏磨裝置20以進行半導體晶圓w 1之硏磨之際 ’將支持在板狀物支持構件11的半導體晶圓W1吸引保持 在夾盤27中，使位於硏磨手段25的正下方，使主軸28旋 轉，而且，使硏磨手段25下降。然後，伴隨主軸28的高 速旋轉，硏磨輪3 0也高速旋轉，而且，旋轉之硏磨磨料3 1 與半導體晶圓接觸，對半導體晶圓施加按壓力，其表面藉 由硏磨磨料3 1而被硏磨。 藉由如此進行硏磨，半導體晶圓W 1係如第6圖所示般 地’在變薄之狀態下，被支持於板狀物支持構件1 1。而且 ，如第7圖所示般地，在翻轉被支持於板狀物支持構件1 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的半導體晶圓W1的狀態下，貼裝於切割捲帶4 0之黏著面 〇 在此切割捲帶40的外周貼裝有切割框架4 1，藉由將被 支持於板狀物支持構件1 1的半導體晶圓W 1的背面貼裝於 切割捲帶40，使這些一體化（捲帶貼裝工程）。 接著，對於黏著捲帶1 0，介由板狀物支持構件1 1而使 外部要因作用。在本實施形態中，如第8圖所示般地，由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 44 1241674 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 板狀物支持構件1 1的上方照射紫外線。如此一來，在第4 圖所示之貼裝層1 3中，黏著力降低且發泡，在半導體晶圓 W1與貼裝層13之間形成間隙，密接力也降低故，貼裝力 降低，而成爲容易剝離之狀態。 另一方面，關於貼裝層14，密接力不降低故，在將黏 著捲帶1 0貼裝於板狀物支持構件1 1之狀態下，可以由半 導體晶圓W1剝離。 即在使黏著捲帶1 0的貼裝力降低後，如第9圖所示般 地，將板狀物支持構件11舉於上方，由半導體晶圓W1之 表面剝離板狀物支持構件11。此時，黏著捲帶1 0之貼裝層 Π的貼裝力變得比貼裝層14的貼裝力弱之故，黏著捲帶 10與板狀物支持構件11 一齊被由半導體晶圓W1剝離。 另一方面，黏著捲帶10的貼裝層14的貼裝力殘留之 故，黏著捲帶10被貼裝在板狀物支持構件11之狀態得以 被維持著。因此，變成只有變薄之半導體晶圓W 1被保持在 切割捲帶40及切割框架41 (換貼工程）。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 如此以外部要因使貼裝力降低後，使板狀物支持構件 1 1脫離，即使爲變薄的半導體晶圓W1，也可以不使其破損 而容易換貼於切割捲帶。 另外，在換貼工程中，使外部要因作用於黏著捲帶10 之作業，也可以在捲帶貼裝工程前進行。在該情形時’貼 裝層1 3的貼裝力雖降低，但是殘留少許貼裝力之故’半導 體晶圓W 1不會由板狀物支持構件11脫落’不至於對換貼 工程產生阻礙。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（9 ) 介由切割捲帶40與切割框架41成爲一體之半導體晶 圓W1，例如由第10圖所示之切割裝置50而被切割。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此切割裝置50中，介由切割捲帶40與切割框架41 成爲一體之半導體晶圓W1，係被多數收容在卡匣51。 然後，介由搬入搬出手段52，與切割框架41成爲一體 之半導體晶圓W1由卡匣51被搬出，而載置在暫置區域53 ，由第1運送手段54所吸附著，藉由第1運送手段51旋 轉動作而被運送、載置於夾盤55，爲其所吸引保持。 半導體晶圓W1 —被吸引保持在夾盤55，夾盤55往+X 方向移動，被定位在對準手段56的正下方，藉由圖型匹配 等之處理，檢測出應切削之街道S，進行該街道S與旋轉刀 片5 7的Y軸方向的對位。如此完成對位時，夾盤5 5另外 往X軸方向移動，受到旋轉刀片57的作用而進行切削。 一面將旋轉刀片57在Y軸方向只依次移動街道間隔而 一面進行此硏磨，另外，如使夾盤5 5旋轉90度，進行同 樣的硏磨，如第1 1圖所示般地，全部的街道S被縱橫切削 而被分離，被分割爲個個半導體晶片C (切割工程）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述般，藉由硏磨後才進行切割，即使在由於硏g 而使得半導體晶圓薄如紙之情形，也不會破損地製造半導 體晶片。 另外，在只因外部要因，黏著力降低中，半導體晶_ ^者半導體晶片與板狀支持構件的密接性未被破壞，爲了 將其取下，此雖不一定足夠，但是如使用具有藉由紫外線 的照射，黏著力降低，而且發泡，密接力也降低之性質的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 黏著捲帶，在半導體晶圓W1與板狀物支持夠件之間形成有 間隙之故，密接性被破壞，可以更確實取下。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，說明藉由所謂之預先切割的手法以製造半導體 晶片的情形。 首先，一開始例如在第10圖所示之切割裝置50的夾 盤55載置半導體晶圓，利用旋轉刀片57，如第12圖及第 1 3圖所示般地，在表面的街道S形成相當於最終的半導體 晶片C之厚度的深度的溝60，當成半導體晶圓W2(溝形成 工程）。 接著，與第2圖之情形相同，如第14圖所示般地，翻 轉半導體晶圓W2，介由黏著捲帶1 0在板狀物支持構件1 1 貼裝半導體晶圓W2的表面，做成第15圖所示之狀態（板 狀物支持構件一體化工程）。 然後，例如在第5圖所示之硏磨裝置20的夾盤27載 置成爲板狀物支持構件1 1的半導體晶圓W2，利用硏磨手 段25，一硏磨半導體晶圓W2的背面，如第16圖所示般地 ，溝60顯露出（硏磨工程）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，以溝60顯露出之背面向下，在外周貼裝框架43 之捲帶42的黏著面貼裝半導體晶圓W2以便可以藉由拾取 裝置拾取半導體晶片C (捲帶貼裝工程）。然後，如第17 圖所示般地，藉由板狀物支持構件11的上方照射紫外線， 降低黏著捲帶1 0的貼裝層1 3的貼裝力。 接著，如第1 8圖所示般地，將板狀物支持構件1 1往 上舉，由半導體晶圓W 2之表面剝離板狀物支持構件1 1。 ---------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時，黏著捲帶10的下面之貼裝層1 3的貼裝力比切割捲 帶40的貼裝力弱之故，黏著捲帶10也由半導體晶_ W2被 剝離。 另一方面，黏著捲帶10的上面之貼裝層14的貼裝力 還殘留之故，黏著捲帶10貼裝在板狀物支持構件11之狀 態得以被維持著。因此，成爲只有變薄之半導體晶圓W2被 保持在切割捲帶40及切割框架41之狀態（換貼工程）。 如此藉由因外部要因使貼裝力降低後，使其脫離板狀 物支持構件1 1，即使爲變薄之半導體晶圓W2也可以不破 損地容易換貼在切割捲帶。 另外，在半導體晶圓W2與板狀物支持構件之間形成間 隙之故，密接性被破壞，可以更確實取下。 另外，在換貼工程中，使外部要因作用於黏著捲帶10 之作業，也可以在捲帶貼裝工程前進行。在該情形時，貼 裝層1 3的貼裝力雖降低，但是殘留少許貼裝力之故，半導 體晶圓W2不會由板狀物支持構件11脫落，不至於對換貼 工程產生阻礙。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，藉由硏磨工程被分割爲個個半導體晶片C，全部 的半導體晶片c在一面維持半導體晶圓W2之外形一面藉由 黏著捲帶10而被支持在板狀物支持構件11之狀態下，如 第19圖所示般地，如介由板狀物支持構件11對黏著捲帶 1 0照射紫外線，貼裝力降低，可以由板狀物支持構件11直 接拾取半導體晶片C，變成不需要換貼工程，產生性提高之 同時，切割捲帶40及切割框架41也變成不需要，變得更 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1241674 A7 B7 _ 五、發明説明（12 ) 經濟（半導體晶片脫離工程）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在硏磨半導體晶圓W 1 ' W 2之情形，爲了使最終形成 的半導體晶片C成爲所期望的厚度，需要一面測量半導體 晶圓W 1、W2的厚度而一面進行硏磨。 因此，如第20圖所示般地，使板狀物支持構件11 a的 外形形成爲比半導體晶圓W1 ( W2 )的外形還大，將支持在 板狀物支持構件11a的半導體晶圓W1 ( W2)保持在第5圖 所示的硏磨裝置20的夾盤27，如第21圖所示般地，使觸 針70與板狀物支持構件1 1 a的表面接觸，而且，使觸針7 1 與半導體晶圓W1 ( W2)的背面接觸。 觸針70與觸針71係構成：依據其之高度差，可以求 得半導體晶圓W1 ( W2 )的厚度之厚度測量器72，藉由將 板狀物支持構件11a形成爲比半導體晶圓W1 ( W2)還大， 如此便可以隨時測量半導體晶圓W 1 ( W2 )的厚度之故，如 一面測量半導體晶圓W1 ( W2 )的厚度一面遂行硏磨工程， 能夠正確管理最終的半導體晶片的厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，在如第10圖所示的卡匣51收容半導體晶圓之 際，爲了防止半導體晶圓與卡匣5 1的側面內部等基觸而損 傷，以將板狀物支持構件1 1的外形形成爲比半導體晶圓的 外形還大例如1mm〜2mm之程度爲佳。 另外，在以上的說明中，雖以藉由利用旋轉刀片而硏 磨半導體晶圓的街道，以分割爲個個半導體晶片、形成溝 之情形爲例而說明，但是，在半導體晶片的分割和溝的形 成上，也可以使用雷射光，本發明都可以適用於利用旋轉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 46- 1241674 A7 B7 五、發明説明（13 ) 刀片之切割裝置，以及利用雷射光的切割裝置之任何一種 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 產業上之利用可能性 如上述般地，關於本發明的半導體晶片之製造方法， 係介由因外部要因而降低貼裝力之貼裝層，將半導體晶圓 貼裝在板狀物支持構件以進行硏磨，可以不損傷半導體晶 圓或者半導體晶片而容易使之脫離，因此，適用於全部的 半導體晶片之製造，特別是在薄半導體晶片的製造上，極 爲有用。 五·圖式簡單說明 第1圖係顯示半導體晶圓之斜視圖。 第2圖係顯示介由黏著捲帶而使半導體晶圓與板狀物 支持構件一體化之樣子的斜視圖。 第3圖係顯示半導體晶圓與板狀物支持構件介由黏著 捲帶而被一體化之狀態的斜視圖。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 第4圖係顯示黏著捲帶之構成的一例之側面圖。 第5圖係顯示使用在本發明之實施的硏磨裝置的一例 之斜視圖。 第6圖係顯示硏磨後的半導體晶圓與板狀物支持構件 成爲一體之狀態的斜視圖。 第7圖係顯示將與板狀物支持構件成爲一體的半導體 晶圓貼裝在切割捲帶之樣子的斜視圖。 -------__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（14 ) 第8圖係顯示對板狀物支持構件照射紫外線之樣子的 斜視圖。 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第9圖係顯示由半導體晶圓取下板狀物支持夠件之樣 子的斜視圖。 第1 0圖係顯示使用在半導體晶圓的切割之切割裝置的 一例之斜視圖。 第11圖係顯示切割後的半導體晶圓的斜視圖。 第1 2圖係顯示在表面形成溝的半導體晶圓之斜視圖。 第1 3圖係顯示在表面形成溝之半導體晶圓的正面圖。 第14圖係顯示介由黏著捲帶將在表面形成溝的半導體 晶圓與板狀物支持構件一體化之樣子的斜視圖。 第15圖係顯示半導體晶圓與板狀物支持構件介由黏著 捲帶而被一體化之狀態的斜視圖。 第1 6圖係顯示藉由背面的硏磨，溝顯露出之半導體晶 圓被支持在板狀物支持構件之狀態的斜視圖。 第17圖係顯示對板狀物支持構件照射紫外線之樣子的 斜視圖。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 第1 8圖係顯示由半導體晶圓取下板狀物支持構件之樣 子的斜視圖。 第19圖係顯示對板狀物支持構件照射紫外線，以拾取 半導體晶片之樣子的斜視圖。 第20圖係顯示利用比半導體晶圓的外形還大的板狀物 支持構件以支持半導體晶圓之樣子的斜視圖。 第21圖係顯示利用厚度測量器以測量被支持在板狀物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4& 1241674 A7 B7 五、發明説明（15 ) 支持構件的半導體晶圓之厚度的樣子之正面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件對照表 10:黏著捲帶 11:板狀物支持構件 12:薄膜狀中間層 13:貼裝層 14:貼裝層 2 0:硏磨裝置 21:基座 22:壁部 2 3 :滑軌 24:支持部 2 5 :硏磨手段 26:轉盤 27:夾盤 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 8 :主軸 29:安裝板 3 0:硏磨輪 31:硏磨磨料 40:切割捲帶 41:切割框架 50:切割裝置 5 1:卡匣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1241674 A7 B7 五、發明説明（16 ) 52:搬入搬出手段 5 3 :暫置區域 54:第1運送手段 55:夾盤 56:對準手段 W1:半導體晶圓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1241674 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 · 一種半導體晶片之製造方法，是針對將由街道而被 區分，在表面形成多.數的半導體晶片之半導體晶圓分割爲 個個半導體晶片之半導體晶片之製造方法，其特徵爲由： 介由因外部要因貼裝力降低的貼裝層，在板狀物支持 構件貼裝半導體晶圓之表面的板狀物支持構件一體化工程 ;及 將與該板狀物支持構件成爲一體之半導體晶圓載置於 硏磨裝置的夾盤，硏磨該半導體晶圓之背面的硏磨工程； 及 在與該板狀物支持構件成爲一體之硏磨後的半導體晶 圓之背面貼裝切割捲帶，同時，以切割框架支持切割捲帶 之外周的捲帶貼裝工程；及 在該捲帶貼裝工程之前或者之後，使該外部要因作用 於貼裝層，以使該貼裝層之貼裝力降低，在該捲帶貼裝工 程之後，由該半導體晶圓的背面取下該板狀物支持構件與 該貼裝層之換貼工程；及 介由該切割捲帶，將與該切割框架成爲一體之半導體 晶圓載置於切割裝置的夾盤，在該街道進行分離而分割爲 個個半導體晶片之切割工程所構成。 2 ·如申請專利範圍第1項記載之半導體晶片之製造方 法，其中利用具有比半導體晶圓的外形還大之外形的板狀 物支持構件以遂行板狀物支持構件一體化工程、藉由以構 成厚度測量器之觸針分別接觸該半導體晶圓的硏磨面與該 板狀物支持構件的表面，一面測量該半導體晶圓的厚度， 本^張尺度適用中國國家標準（〇阳）八4規格（210\297公釐） -21 - : (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1241674 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 2 一面遂行硏磨工程。 3 ♦如申請專利範圍第1項記載之半導體晶片之製造方 法，其中貼裝層，係包含因外部要因而發泡之發泡劑。 4 ·如申請專利範圍第3項記載之半導體晶片之製造方 法，其中貼裝層，係將包含因光而發泡之發泡劑的黏著劑 塗佈在薄膜狀中間層之至少一面的黏著捲帶。 5 ·如申請專利範圍第4項記載之半導體晶片之製造方 法，其中板狀物支持構件，係由透明的材質形成。 6 ♦如申請專利範圍第5項記載之半導體晶片之製造方 法，其中板狀物支持構件，係由透明之玻璃形成，其厚度 爲 0.5mm 至 2.5mm。 7 · —種半導體晶片之製造方法，是針對將由街道而被 區分，在表面形成多數的半導體晶片之半導體晶圓分割爲 個個半導體晶片之半導體晶片之製造方法，其特徵爲由： 將半導體晶圓載置於切割裝置的夾盤，在該街道形成 溝的溝形成工程；及 介由因外部要因貼裝力降低之貼裝層，在板狀物支持 構件貼裝該半導體晶圓表面的板狀物支持構件一體化工程 ;及 將與該板狀物支持構件成爲一體之半導體晶圓載置於 硏磨裝置的夾盤，硏磨該半導體晶圓的背面至該溝顯露出 的硏磨工程；及 在與該板狀物支持構件成爲一體的硏磨後的半導體晶 圓的背面貼裝捲帶，同時，以框架支持該捲帶之外周的捲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1241674 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ______D8六、申請專利範圍 3 帶貼裝工程；及 在該捲帶貼裝工程之前或者之後，使該外部要因作用 於該貼裝層，使該貼裝層的貼裝力降低，在該捲帶貼裝工 早呈之後’由該半導體晶圓表面取下該板狀物支持構件與該 貼裝層的換貼工程所構成。 8 ·如申請專利範圍第7項記載之半導體晶片之製造方 法’其中利用具有比半導體晶圓的外形還大的外形之板狀 物支持構件，遂行板狀物支持構件一體化工程、藉由以構 成厚度測量器之觸針分別接觸該半導體晶圓的硏磨面與該 板狀物支持構件的表面，一面測量該半導體晶圓的厚度， 一面遂行硏磨工程。 9 ·如申請專利範圍第7項記載之半導體晶片之製造方 法，其中貼裝層，係包含因外部要因而發泡之發泡劑。 I 0 ·如申請專利範圍第9項記載之半導體晶片之製造 方法，其中貼裝層，係將包含因光而發泡之發泡劑的黏著 劑塗佈在薄膜狀中間層之至少一面的黏著捲帶。 II ·如申請專利範圍第1 0項記載之半導體晶片之製造 方法，其中板狀物支持構件，係由透明的材質形成。 1 2 ·如申請專利範圍第11項記載之半導體晶片之製造 方法，其中板狀物支持構件，係由透明之玻璃形成，其厚 度爲 0.5mm 至 2.5mm。 1 3 · —種半導體晶片之製造方法，是針對將由街道而 被區分，在表面形成多數的半導體晶片之半導體晶圓分割 爲個個半導體晶片之半導體晶片之製造方法，其特徵爲由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -23- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、^1 1241674 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _ D8 _六、申請專利範圍 4 將半導體晶圓載置於切割裝置的夾盤，在該街道形成 溝的溝形成工程；及 介由因外部要因貼裝力降低之貼裝層，在板狀物支持 構件貼裝該半導體晶圓表面的板狀物支持構件一體化工程 ;及 將與該板狀物支持構件成爲一體之半導體晶圓載置於 硏磨裝置的夾盤，硏磨該半導體晶圓的背面至溝顯露出， 以分割爲個個半導體晶片的硏磨工程；及 使該外部要因作用於該貼裝層，使該貼裝層的貼裝力 降低，由該板狀物支持構件與該貼裝層取下該半導體晶片 的半導體晶片脫離工程所構成。 14 ·如申請專利範圍第13項記載之半導體晶片之製造 方法，其中利用具有比半導體晶圓的外形還大的外形之板 狀物支持構件，遂行板狀物支持構件一體化工程、藉由以 構成厚度測量器之觸針分別接觸該半導體晶圓的硏磨面與 該板狀物支持構件的表面，一面測量該半導體晶圓的厚度 ，一面遂行硏磨工程。 15 ·如申請專利範圍第13項記載之半導體晶片之製造 方法，其中貼裝層，係包含因外部要因而發泡之發泡劑。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項記載之半導體晶片之製造 方法，其中貼裝層，係將包含因光而發泡之發泡劑的黏著 劑塗佈在薄膜狀中間層之至少一面的黏著捲帶。· 17 ·如申請專利範圍第1 6項記載之半導體晶片之製造 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -24 - : ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1T 線 1241674 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 方法，其中板狀物支持構件，係由透明的材質形成。 1 8 ·如申請專利範圍第17項記載之半導體晶片之製造 方法，其中板狀物支持構件’係由透明之玻璃形成，其厚 度爲 0.5mm 至 2.5mm。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 25