CN108735665A - 一种半导体芯片的翻膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半导体芯片的翻膜方法，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：对待处理芯片进行吹扫，去除待处理芯片表面的杂质，待处理芯片的背面贴有旧膜；在待处理芯片的正面贴上正面保护膜；以与待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除待处理芯片背面的旧膜；在待处理芯片的背面贴上新膜；揭除待处理芯片的正面保护膜，完成待处理芯片的翻膜。本发明提供的半导体芯片的翻膜方法，通过将半导体芯片背面的旧膜更换成另一张或另一种新膜，能够为芯片分离时提供粘度合适的膜，保证分离质量。本发明的半导体芯片的翻膜方法还可以在旧膜破损时通过翻膜以避免芯片失效，降低生产成本。

Description

一种半导体芯片的翻膜方法
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体芯片的翻膜方法。
背景技术
一片半导体材料片(如硅片)上可以有若干具有相同图形设计和相同功能的半导体芯片单元，我们称具有若干相同功能半导体单元的单个芯片为管芯。半导体整片芯片生产完成后，要进行芯片测试和划片，测试的参数是筛选芯片的参数，以保证获得参数合格的芯片；划片、裂片是将每一个芯片与整个硅片(即基片)分离，粘片是把每个芯片装在被封装的基板上以便于后道工序进行再加工成成品。
正常芯片的分离是先将未分离的芯片背面贴在具有一定厚度和粘性的蓝色塑料薄膜(也称之为蓝膜)上，再用划片机的一定厚度的砂轮高速旋转，按每个芯片的行与列进行一定深度的切割，然后再将划片后的贴蓝膜的芯片进行绷紧，则芯片单元就被裂片，这样，就可以将整片的所有芯片按行与列单个地分离，并被芯片背面所贴的蓝膜黏在一起，只要稍加一点粘力就可以把单个芯片从基片上分离取出来。
上述用蓝膜粘连芯片的方法只适合后道的自动封装。由于蓝膜的粘性较强，取卸管芯难以进行，或引起膜的损坏而导致芯片损坏较多，因而贴蓝膜裂片并不适合手动封装。如果选用粘度较弱的膜进行贴膜用作芯片的分离，因为粘度较弱的膜在进行分离的时候易造成芯片粘不牢从膜上掉下来丢失，或会对高速旋转的刀片造成损伤，影响切割质量，就样也提高了生产的成本。
因此，为了满足手工加工客户的需求，在芯片锯片工序中，在保证分离质量，不增加成本的前提下，必需要开发新的工艺。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供了一种半导体芯片的翻膜方法，以保证半导体芯片分离质量的同时不增加生产成本。
本发明提供的半导体芯片的翻膜方法，所述方法用于去除芯片背面的旧膜，并贴上新膜，包括如下步骤：
步骤S1、对待处理芯片进行吹扫，去除所述待处理芯片表面的杂质，所述待处理芯片的背面贴有旧膜；
步骤S2、在所述待处理芯片的正面贴上正面保护膜；
步骤S3、以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧膜；
步骤S4、在所述待处理芯片的背面贴上新膜；
步骤S5、揭除所述待处理芯片的正面保护膜，完成所述待处理芯片的翻膜。
可选地，所述正面保护膜为紫外膜。
可选地，在步骤S4之后，还包括如下步骤：预热紫外脱膜机，将所述待处理芯片正面朝下放入紫外脱膜机中进行照射加热。
可选地，揭除所述待处理芯片的正面保护膜的具体步骤如下：以与所述待处理芯片正面呈45°方向逆向匀速揭除正面保护膜。
可选地，所述旧膜为蓝膜，所述新膜为蓝膜或紫外膜。
可选地，若所述待处理芯片已经裂片，则在步骤S1之前，需将所述待处理芯片加热5-10s，且在步骤S5之后，将所述待处理芯片加热5-10min。
可选地，在步骤S2中，还包括采用第一无尘纸对贴上所述正面保护膜的所述待处理芯片正面抹平的步骤。
可选地，在步骤S4中，在所述待处理芯片与所述新膜之间贴一层第二无尘纸，然后采用第一无尘纸对贴上新膜的芯片背面抹平，并在揭除所述正面保护膜时同时揭除所述第二无尘纸。
由上述技术方案可知，本发明提供的半导体芯片的翻膜方法，通过将半导体芯片背面的旧膜更换成另一张或另一种新膜，能够为芯片分离时提供粘度合适的膜，保证分离质量。本发明的半导体芯片的翻膜方法还可以在旧膜破损时通过翻膜以避免芯片失效，降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1示出了本发明实施例所提供的一种半导体芯片的翻膜方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，因此只是作为示例，而不能以此来限制本发明的保护范围。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。
图1示出了本发明实施例所提供的一种半导体芯片的翻膜方法的流程图。参见图1，本发明实施例提供了一种半导体芯片的翻膜方法，所述方法用于去除芯片背面的旧膜，并贴上新膜，包括如下步骤：
步骤S1、使用气枪对待处理芯片进行吹扫，去除所述待处理芯片表面的杂质，所述待处理芯片的背面贴有旧膜；
步骤S2、在所述待处理芯片的正面贴上正面保护膜；
步骤S3、以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧膜；采用45°的角度，从芯片对角线的位置开始掲除旧膜，可以有效避免掉芯现象发生。匀速是指速度不要忽快忽慢，明显的速度顿挫也容易导致掉芯现象发生。
步骤S4、在所述待处理芯片的背面贴上新膜；
步骤S5、揭除所述待处理芯片的正面保护膜，完成所述待处理芯片的翻膜。
其中，所述正面保护膜为紫外膜。
本发明提供的半导体芯片的翻膜方法，通过将半导体芯片背面的旧膜更换成另一张或另一种新膜，能够为芯片分离时提供粘度合适的膜，保证分离质量。本发明的半导体芯片的翻膜方法还可以在旧膜破损时通过翻膜以避免芯片失效和丢失，降低生产成本。
在蓝膜上进行芯片分离时，由于蓝膜的厚度很薄，只有76微米，很容易造成蓝膜破损，在以前一旦有蓝膜破损情况发生，芯片必须作报废处理，也大大增加了成本。
在芯片的背面贴膜的过程如下：
首先，贴膜前先将贴膜机的工作盘清理干净，黄纸光面朝上，保证无破损、无颗粒等异物；
操作者双手的拇指、食指、中指佩带指套；
将芯片背面朝上，放置于工作盘中心位置(芯片不得在黄纸上摩擦)；
再放置铁框，如发现芯片背面有颗粒，需用刀片将颗粒刮掉；
将蓝膜覆盖于芯片表面，蓝膜大小需完全覆盖铁框并保持紧绷；
用推杆由下而上滚动(力度需均匀)，将蓝膜与芯片紧密接触；
取出推杆；
用刀片将铁框外圈蓝膜切除；
如发现有气泡，用刀片背面从气泡处向芯片边缘将气泡推掉,不得刮伤蓝膜，如发现背面有颗粒，需撕膜重贴；
轻轻取下芯片，正面朝上放置于水平桌面，片间用黄纸间隔，黄纸光面保护芯片正面。
最后，对完成贴膜的芯片进行检测，检测合格的贴膜片的标准是：铁框、蓝膜需平整，芯片背面无大于一个芯片面积的气泡、无颗粒。
在第一实施例中，所述旧膜为蓝膜。所述正面保护膜采用6360型紫外膜。由于半导体芯片的旧蓝膜出现了破损、破通或者手工加工后道芯片需要更换旧蓝膜重新贴新蓝膜的情况，因此，需要将旧蓝膜更换成新蓝膜。本实施例中的具体操作步骤如下：
1.使用气枪对所述待处理芯片进行吹扫，去除所述待处理芯片表面的杂质，所述待处理芯片的背面贴有旧蓝膜；
2.将6360型紫外膜装入贴膜机，并在所述待处理芯片正面贴上6360型紫外膜；
3.采用第一无尘纸将所述待处理芯片正面抹平，去除气泡，保证6360型紫外膜与所述待处理芯片良好接触；
4.以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧蓝膜；
5.在所述待处理芯片背面贴上新蓝膜；
6.预热紫外脱膜机，当电压指示为35-40V时，将所贴6360型紫外膜和新蓝膜的芯片正面朝下置入紫外脱膜机，启动紫外照射加热，紫外照射后取出所述待处理芯片；
7.采用第一无尘纸对所述待处理芯片背面抹平以去除所述待处理芯片与新膜之间的空气，保证新蓝膜与所述待处理芯片良好接触；
8.以与所述待处理芯片正面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片正面的6360型紫外膜，完成所述待处理芯片的翻膜。
在第二实施例中，由于客户要求将芯片背面的蓝膜更换为紫外膜。因此，所述旧膜为蓝膜，所述新膜采用1042R型紫外膜，所述正面保护膜采用1042R型紫外膜。本实施例中的具体操作步骤如下：
1.使用气枪对所述待处理芯片进行吹扫，去除所述待处理芯片表面的杂质，所述待处理芯片的背面贴有旧蓝膜；
2.将1042R型紫外膜装入贴膜机，并在所述待处理芯片正面贴上1042R型紫外膜；
3.采用第一无尘纸将所述待处理芯片正面抹平，去除气泡，保证1042R型紫外膜与所述待处理芯片良好接触；
4.以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧蓝膜；
5.在所述待处理芯片背面贴一层第二无尘纸，再在所述待处理芯片背面贴上1042R型紫外膜，以保证第二无尘纸位于所述待处理芯片与1042R型紫外膜之间；
6.采用第一无尘纸对所述待处理芯片背面抹平以去除所述待处理芯片与1042R型紫外膜之间的空气，保证所述待处理芯片与1042R型紫外膜接触良好；
7.预热紫外脱膜机，当电压指示为35-40V时，将所述待处理芯片正面朝下置入紫外脱膜机，启动紫外照射加热，紫外照射后取出所述待处理芯片；
8.采用第一无尘纸对所述待处理芯片背面抹平以去除所述待处理芯片与1042R型紫外膜之间的空气，保证所述待处理芯片与1042R型紫外膜接触良好；
9.以与所述待处理芯片正面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片正面的1042R型紫外膜及第二无尘纸，完成所述待处理芯片的翻膜；
10.对于送检后的芯片，背面的1042R型紫外膜需用紫外翻膜机再次进行紫外光照射加热。
在第三实施例中，如果芯片已经裂片，所有芯片已与芯片彼此分离，各芯片仅靠蓝膜的粘性粘在膜上，则在翻膜之前，需将芯片置于烘箱中烘5-10s，使蓝膜回缩后再开始翻膜；且在翻膜结束后，将芯片置于烘箱中烘5-10min，防止掉芯。
在第四实施例中，对背面镀锡的芯片进行翻膜的操作步骤如下:
1.使用气枪对所述待处理芯片进行吹扫，去除所述待处理芯片表面的杂质，所述待处理芯片的背面贴有旧蓝膜；
2.将6360型紫外膜装入贴膜机，并在所述待处理芯片正面贴上6360型紫外膜；
3.采用第一无尘纸将所述待处理芯片正面抹平，去除气泡，保证6360型紫外膜与所述待处理芯片良好接触；
4.以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧蓝膜；
5.在所述待处理芯片背面贴上新的蓝膜；
6.预热紫外脱膜机，当电压指示为35-40V时，将所贴6360型紫外膜和新蓝膜的所述待处理芯片正面朝下置入紫外脱膜机，启动紫外照射加热，紫外照射后取出所述待处理芯片；
7.采用第一无尘纸对所述待处理芯片背面抹平以去除所述待处理芯片与新膜之间的空气，保证蓝膜与所述待处理芯片良好接触；
8.以与所述待处理芯片正面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片正面的6360型紫外膜，完成所述待处理芯片的翻膜。
在本实施例中，如果翻膜结束后，芯片背面的蓝膜局部发白，颜色不均，则该芯片不合格。需要对上述不合格芯片进行紫外光照射加热，趁热将芯片取出，用第一无尘纸将芯片背面的气泡去除掉；如果未能使芯片背面的颜色均匀，可再次照射紫外光，趁热按压背面；如果仍未处理好背面，可将芯片正面的紫外膜撕掉后，将芯片放入烘箱中烘10-15秒，取出后正面放置于黄纸光面上，用第一无尘纸将背面发白处气泡擦拭掉。需注意把握力度，芯片在黄纸上不得移动，防止擦伤。
在本发明前述的各个实施例中，紫外脱膜机用于加热紫外膜使其温度升高，第一无尘纸用来去除膜与芯片之间的气泡，第二无尘纸用于装在正面保护膜和芯片之间。
经过大量的试验，从膜的选择，烘烤工艺的摸索，设备配套方面摸索出一套完整的翻膜工艺，目前工艺已经成熟。这种需要翻膜并完成翻膜的芯片年销量大约在360片左右。
对于蓝膜破损的翻膜，也就是对芯片进行的二次翻膜，就能挽救芯片，为公司节约成本，每年约有200片左右。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。

Claims (8)

1.一种半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、对待处理芯片进行吹扫，去除所述待处理芯片表面的杂质，所述待处理芯片的背面贴有旧膜；
步骤S2、在所述待处理芯片的正面贴上正面保护膜；
步骤S3、以与所述待处理芯片背面呈45°方向逆向匀速揭除所述待处理芯片背面的旧膜；
步骤S4、在所述待处理芯片的背面贴上新膜；
步骤S5、揭除所述待处理芯片的正面保护膜，完成所述待处理芯片的翻膜。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，所述正面保护膜为紫外膜。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，在步骤S4之后，还包括如下步骤：预热紫外脱膜机，将所述待处理芯片正面朝下放入紫外脱膜机中进行照射加热。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，揭除所述待处理芯片的正面保护膜的具体步骤如下：以与所述待处理芯片正面呈45°方向逆向匀速揭除正面保护膜。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，所述旧膜为蓝膜，所述新膜为蓝膜或紫外膜。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，若所述待处理芯片已经裂片，则在步骤S1之前，需将所述待处理芯片加热5-10s，且在步骤S5之后，将所述待处理芯片加热5-10min。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，在步骤S2中，还包括采用第一无尘纸对贴上所述正面保护膜的所述待处理芯片正面抹平的步骤。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体芯片的翻膜方法，其特征在于，在步骤S4中，在所述待处理芯片与所述新膜之间贴一层第二无尘纸，然后采用第一无尘纸对贴上新膜的芯片背面抹平，并在揭除所述正面保护膜时同时揭除所述第二无尘纸。
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