CN101367523A - 铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法 - Google Patents
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Abstract
铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法，涉及太阳能单晶硅的生产技术领域。先对拉制好的多晶硅棒进行型号电阻分类；再将多晶硅棒表皮磨去检测，去除电阻率小于0.5的多晶硅段、除杂质、破碎、酸洗、烘干，然后包装。通过以上工艺才能去除铸锭中生产边皮和头料杂质，从而保障拉制的单晶硅的品质，保障其电阻大于0.5之上。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能单晶硅的的生产技术领域。
背景技术
拉制太阳能单晶硅的方法是通过辐射热对多晶硅原料进行熔化，在石英坩锅中，通过转动形成柱状单晶硅，然后取出圆柱形单晶硅。由于在铸锭中生产边皮和头料杂质，这些产品的品质较差，不能用于单晶硅的拉拉制。为了拉制合格的单晶硅，必须先进行提纯。提纯分材料预处理、拉制提纯、酸洗三大步骤。
发明内容
本发明目的在于发明一种对铸锭中生产边皮和头料的多晶硅的酸洗方法。
本发明包括以下步骤：
1)对拉制好的多晶硅棒进行型号电阻分类；
2)将多晶硅棒表皮磨去检测，去除电阻率小于0.5的多晶硅段；
3)除杂质；
4)破碎；
5)酸洗；
6)烘干；
7)包装。
本发明所述杂质的具体方法是：将表皮上的硬质点和边皮上附着的石英用金刚砂轮磨掉。
本发明所述酸洗的具体方法是：用硝酸和氢氟酸以3：1的体积比混合液浸泡2±0.2小时，直至无石英杂质。
本发明所述烘干的具体方法是：将酸泡好的材料，用去离子水冲洗干净；放入加温脱水机，保持150～200℃进行脱水，材料表面没有水渍后放入烘箱，在200℃条件下保持1～2小时，然后冷却。
本发明还可将电阻率小于0.5的多晶硅段回收提纯。
通过以上工艺才能去除铸锭中生产边皮和头料杂质，从而保障拉制的单晶硅的品质，保障其电阻大于0.5之上。
具体实施方式
一、材料预处理：
1、将分选好的材料用金刚砂轮磨去杂质点和粘附的石英。
2、将铸锭产生边皮和头料进行分选，按电阻率分类，分为0.1～0.2、0.2～0.5、0.5～3和3以上。
3、将分选好的材料用酸进行酸洗浸泡，除去表面的杂质和石英。
4、用去离子水冲洗，将材料表面的酸冲洗干净。
5、将材料装于不锈钢盒内放入烘箱烘干，待冷却分别装袋包装。
二、拉制提纯：
1、将预处理好的材料，按电阻率进行配比。
2、按正常的拉棒程序进装炉，抽空，加热融化。
3、保持1420℃～1460℃的高温蒸发2～3个小时。
4、进行引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。
三、酸洗除杂：
1、对拉制好的多晶硅棒进行型号电阻分类，要将硅棒表皮磨去检测；如有电阻率小于0.5切断进行再提纯。
2、将检测合格的硅棒按上面过程进行：除杂质、破碎、酸洗、烘干、包装。
杂质的具体方法是：将表皮上的硬质点和边皮上附着的石英用金刚砂轮磨掉。
酸洗的具体方法是：用硝酸和氢氟酸以3：1的体积比混合液浸泡2±0.2小时，直至无石英杂质。
烘干的具体方法是：将酸泡好的材料，用去离子水冲洗干净；放入加温脱水机，保持150～200℃进行脱水，材料表面没有水渍后放入烘箱，在200℃条件下保持1～2小时，然后冷却。
Claims (5)
1.铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法，其特征在于包括以下步骤：
1)对拉制好的多晶硅棒进行型号电阻分类；
2)将多晶硅棒表皮磨去检测，去除电阻率小于0.5的多晶硅段；
3)除杂质；
4)破碎；
5)酸洗；
6)烘干；
7)包装。
2.根据权利要求1所述铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法，其特征在于所述杂质的具体方法是：将表皮上的硬质点和边皮上附着的石英用金刚砂轮磨掉。
3.根据权利要求1所述铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法，其特征在于所述酸洗的具体方法是：用硝酸和氢氟酸以3：1的体积比混合液浸泡2±0.2小时，直至无石英杂质。
4.根据权利要求1所述铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法，其特征在于所述烘干的具体方法是：将酸泡好的材料，用去离子水冲洗干净；放入加温脱水机，保持150～200℃进行脱水，材料表面没有水渍后放入烘箱，在200℃条件下保持1～2小时，然后冷却。
5.根据权利要求1所述铸锭边皮和头料的多晶硅的酸洗方法，其特征在于将电阻率小于0.5的多晶硅段回收提纯。
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| CN112110637A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-22 | 齐鲁工业大学 | 一种石英矿物粉料除杂系统及除杂工艺 |
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| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20090218 |