CN210379088U - 一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置 - Google Patents

一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置 Download PDF

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刘晓瑞
王茜茜
职森森
吴仕梁
路忠林
张凤鸣
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Abstract

本实用新型涉及一种太阳能电池加工装置,尤其是一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,属于太阳能电池设备技术领域。本实用新型的结构由刻蚀槽、水槽、碱槽、水槽、混酸槽、水槽、烘干槽依次排列组成,各槽之间经滚轮传动,所述烘干槽设有槽盖,所述槽盖及位于烘干槽的滚轮之间设有加热装置。本实用新型的技术方案可实现多点静态加热,理论上可根据硅片的尺寸随意增大,200mm硅片尺寸完全可实现快速烘干效果,对于超薄硅片减少碎片率,降低硅成本;灯管功率可设定,在合适材质的滚轮和槽体中,可实现超高温烘干,有利于提高硅片表面的受热均匀性,灯管的加热烘干方式可满足大尺寸、薄片化、高效、高洁净度的生产要求。

Description

一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池加工装置,尤其是一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,属于太阳能电池设备技术领域。
背景技术
太阳能电池片领域中的刻蚀工序,多采用的是链式刻蚀设备,硅片烘干方法为热风刀烘干,该方法具有简单灵活,成本低廉等特点,是目前光伏行业的主流方式。伴随着光伏技术的不断进步,硅片尺寸的不断增加,由125mm变为166mm,甚至200mm,硅片厚度也在不断下降,趋向薄片化生产,而且高效电池工艺对清洗烘干的要求越来越高,目前链式刻蚀烘干方法的弊端越来越明显。热风刀烘干方式是将过滤车间内空气经加热棒吹干硅片,对于大尺寸薄硅片来说,尤其是200mm的大尺寸硅片,会出现碎片率上升及烘干不完全的问题,对高效电池来说此种烘干方式的洁净度也会给良率带来影响。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:针对上述现有技术存在的问题,提出一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,提高烘干效率。
为了达到以上目的,本实用新型一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,由刻蚀槽、水槽、碱槽、水槽、混酸槽、水槽、烘干槽依次排列组成,各槽之间经滚轮传动,其特征在于:所述烘干槽设有槽盖,所述槽盖及位于烘干槽的滚轮之间设有加热装置。以上结构可以减少散热,有利于硅片快速烘干,也有利于提高烘干洁净度,有利于高效电池良率的提升。
进一步地,所述加热装置为灯管,所述灯管分为上灯管和下灯管,所述上灯管位于烘干槽的上槽盖并与滚轮位置对应,所述下灯管位于烘干槽的滚轮之间。所述上灯管和所述下灯管交错排列。所述灯管为卤素灯管或红外灯管。所述上灯管和下灯管的数量为3-12根。所述烘干槽体及滚轮为聚偏氟乙烯或石英制烘干槽体及滚轮。也可根据灯管功率调整数量,数量少可减小槽体长度,降低成本。
本实用新型针对大尺寸薄硅片,在刻蚀工序使用加热灯管,可解决大尺寸硅片烘干效果不佳,薄硅片热风刀烘干易碎片的问题,改善高效电池良率。
本实用新型的技术方案可实现多点静态加热,理论上可根据硅片的尺寸随意增大,200mm硅片尺寸完全可实现快速烘干效果,对于超薄硅片减少碎片率,降低硅成本;灯管功率可设定,在合适材质的滚轮和槽体中,可实现超高温烘干,有利于提高硅片表面的受热均匀性,灯管的加热烘干方式可满足大尺寸、薄片化、高效、高洁净度的生产要求。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
图1为本实用新型一个实施例的结构示意图。
图2为图1的局部结构示意图。
具体实施方式
实施例一
本实施例的基本结构如图1和图2所示,一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,由刻蚀槽8、水槽9、碱槽10、水槽11、混酸槽12、水槽13、烘干槽1依次排列组成,各槽之间经滚轮传动,烘干槽1的槽体6上方设有槽盖7,槽盖7及位于烘干槽1的滚轮5之间设有作为加热装置的灯管。灯管分为上灯管3和下灯管4,上灯管3位于烘干槽1的槽盖7处,下灯管4位于烘干槽1的滚轮5之间。上灯管3和下灯管4交错排列。灯管为卤素灯管或红外灯管。上灯管3的数量为5根,下灯管数量为4根。上下灯管的数量可根据灯管功率调整数量,数量少可减小槽体长度,降低成本。烘干槽体及滚轮为聚偏氟乙烯或石英制烘干槽体及滚轮。使用时,硅片使用200*200mm,厚度为100-160μm单晶硅片2,链式刻蚀机烘干槽体长度为1m,硅片依次经刻蚀槽、碱槽、混酸槽及水槽后进入烘干槽,滚轮速度设置2.0m/min,硅片出料时表面干燥洁净。
除上述实施例外,本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置, 由刻蚀槽、第一水槽、碱槽、第二水槽、混酸槽、第三水槽、烘干槽依次排列组成,各槽之间经滚轮传动,其特征在于:所述烘干槽设有槽盖,所述槽盖及位于烘干槽的滚轮之间设有加热装置。
2.根据权利要求1所述用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,其特征在于:所述加热装置为灯管,所述灯管分为上灯管和下灯管,所述上灯管位于烘干槽的槽盖并与滚轮位置对应,所述下灯管位于烘干槽的滚轮之间。
3.根据权利要求2所述用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,其特征在于:所述上灯管和所述下灯管交错排列。
4.根据权利要求2所述用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,其特征在于:所述灯管为卤素灯管或红外灯管。
5.根据权利要求2所述用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,其特征在于:所述灯管的数量为3-12根。
6.根据权利要求1所述用于大尺寸薄硅片的刻蚀烘干装置,其特征在于:烘干槽体及滚轮为聚偏氟乙烯或石英制烘干槽体及滚轮。
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