DE05806144T1 - Verfahren zum herstellen eines siliciumeinkristalls und verfahren zur herstellung eines siliciumwafers - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines siliciumeinkristalls und verfahren zur herstellung eines siliciumwafers Download PDF

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Shuichi Inami
Tsuyoshi Nakamura
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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls mit dem Czochralski-Verfahren, der eine Sauerstoffkonzentration von 12 × 1017 bis 18 × 1017 Atome/cm3 nach ASTM-F121 1979 aufweist, umfassend:
Verwenden eines Gases, das eine gasförmige Substanz enthält, die Wasserstoffatome enthält, als ein Atmosphärengas, das für ein Herstellen des Einkristalls verwendet wird; und
Steuern einer Temperatur des Siliciumeinkristalls während seines Wachstums derart, dass ein Verhältnis Gc/Ge eines axialen thermischen Gradienten Gc in einem zentralen Bereich des Kristalls zwischen einem Schmelzpunkt dessen und 1350°C zu einem axialen thermischen Gradienten Ge in dem Randbereich des Kristalls zwischen dem Schmelzpunkt dessen und 1350°C 1,1 bis 1,4 beträgt und dass der axiale thermische Gradient Gc in dem zentralen Bereich des Kristalls 3,0 bis 3,5°C/mm beträgt.

Claims (9)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls mit dem Czochralski-Verfahren, der eine Sauerstoffkonzentration von 12 × 1017 bis 18 × 1017 Atome/cm3 nach ASTM-F121 1979 aufweist, umfassend: Verwenden eines Gases, das eine gasförmige Substanz enthält, die Wasserstoffatome enthält, als ein Atmosphärengas, das für ein Herstellen des Einkristalls verwendet wird; und Steuern einer Temperatur des Siliciumeinkristalls während seines Wachstums derart, dass ein Verhältnis Gc/Ge eines axialen thermischen Gradienten Gc in einem zentralen Bereich des Kristalls zwischen einem Schmelzpunkt dessen und 1350°C zu einem axialen thermischen Gradienten Ge in dem Randbereich des Kristalls zwischen dem Schmelzpunkt dessen und 1350°C 1,1 bis 1,4 beträgt und dass der axiale thermische Gradient Gc in dem zentralen Bereich des Kristalls 3,0 bis 3,5°C/mm beträgt.
  2. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls nach Anspruch 1, umfassend ein Kühlen einer Seitenfläche des Siliciumeinkristalls während des Kristallwachstums.
  3. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei die Sauerstoffkonzentration 13 × 1017 bis 16 × 1017 Atome/cm3 nach ASTM-F121 1979 beträgt.
  4. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei eine Zeitspanne, während welcher sich eine Temperatur des Siliciumeinkristalls während des Kristallwachstums in einem Bereich von 1000°C bis 800°C befindet, 80–180 Minuten beträgt.
  5. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei ein Wasserstoffmolekülpartialdruck der gasförmigen Substanz, die Wasserstoffatome enthält, in dem Atmosphärengas bei 40 bis 400 Pa eingestellt wird.
  6. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei ein Körperbereich des Siliciumeinkristalls ein Oxidausfall förderndes Gebiet und/oder ein Oxidausfall unterdrückendes Gebiet umfasst.
  7. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei ein Körperbereich des Siliciumeinkristalls ein Oxidausfall unterdrückendes Gebiet umfasst.
  8. Verfahren zum Herstellen eines Siliciumwafers, der eine Oxidausfällungsdichte von 1 × 104 bis 1 × 106 Stück/cm2 aufweist, umfassend: Bearbeiten eines Körperbereichs des Siliciumeinkristalls, der mit dem Verfahren zum Herstellen eines Siliciumeinkristalls nach einem der Ansprüche 1 bis 7 hergestellt wurde, in den Siliciumwafer.
  9. Siliciumwafer hergestellt durch das Verfahren zum Herstellen eines Siliciumwafers nach Anspruch 8.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5167654B2 (ja) * 2007-02-26 2013-03-21 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウエーハの製造方法
JP5136518B2 (ja) * 2008-06-16 2013-02-06 株式会社Sumco シリコン単結晶の育成方法
JP2010040587A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Covalent Materials Corp シリコンウェーハの製造方法
CN101514487B (zh) * 2009-02-27 2011-04-27 浙江碧晶科技有限公司 一种低含氧量硅晶体的制备方法
JP6260100B2 (ja) * 2013-04-03 2018-01-17 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
US10287704B2 (en) 2014-08-29 2019-05-14 Tokuyama Corporation Process for producing silicon single crystal
JP6493105B2 (ja) * 2015-09-04 2019-04-03 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハ
CN108972919A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 江苏拓正茂源新能源有限公司 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺
JP6927150B2 (ja) * 2018-05-29 2021-08-25 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
CN116971023A (zh) * 2022-04-29 2023-10-31 内蒙古中环晶体材料有限公司 一种降低单晶硅氧含量的方法及晶棒

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10203898A (ja) * 1997-01-17 1998-08-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造方法および種結晶
JP4013324B2 (ja) * 1998-03-31 2007-11-28 株式会社Sumco 単結晶成長方法
JP3573045B2 (ja) 2000-02-08 2004-10-06 三菱住友シリコン株式会社 高品質シリコン単結晶の製造方法
JP3624827B2 (ja) * 2000-12-20 2005-03-02 三菱住友シリコン株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP2003002785A (ja) * 2001-06-15 2003-01-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 表層部にボイド無欠陥層を有する直径300mm以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法
WO2004008521A1 (ja) * 2002-07-17 2004-01-22 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法
JP4570317B2 (ja) * 2002-08-29 2010-10-27 株式会社Sumco シリコン単結晶とエピタキシャルウェーハ並びにそれらの製造方法
JP4380141B2 (ja) * 2002-10-31 2009-12-09 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの評価方法
US7704318B2 (en) * 2003-02-25 2010-04-27 Sumco Corporation Silicon wafer, SOI substrate, method for growing silicon single crystal, method for manufacturing silicon wafer, and method for manufacturing SOI substrate
JP4529416B2 (ja) * 2003-11-07 2010-08-25 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ
JP5023451B2 (ja) * 2004-08-25 2012-09-12 株式会社Sumco シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶育成方法
JP4742711B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 株式会社Sumco シリコン単結晶育成方法

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