DE05811258T1 - Verfahren zur herstellung von siliciumeinkristall - Google Patents

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Yasuhiro Minato-ku Kogure
Ken Minato-ku Hamada
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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls nach dem Czochralski-Verfahren, umfassend:
Anlegen einer thermischen Spannung an mindestens einen Bereich des Siliziumeinkristalls während eines Kristallwachstums; und
Verwenden einer gasförmigen Substanz, die Wasserstoffatome enthält, als ein Atmosphärengas zum Herstellen des Kristalls.

Claims (6)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls nach dem Czochralski-Verfahren, umfassend: Anlegen einer thermischen Spannung an mindestens einen Bereich des Siliziumeinkristalls während eines Kristallwachstums; und Verwenden einer gasförmigen Substanz, die Wasserstoffatome enthält, als ein Atmosphärengas zum Herstellen des Kristalls.
  2. Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei die thermische Spannung 30 MPa oder mehr beträgt.
  3. Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei die thermische Spannung 40 MPa oder mehr beträgt.
  4. Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei die gasförmige Substanz, die Wasserstoffatome enthält, Wasserstoffgas ist.
  5. Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls nach Anspruch 1, wobei ein Partialdruck von Wasserstoffmolekülen in der gasförmigen Substanz, die Wasserstoffatome enthält, in dem Atmosphärengas 40–400 Pa beträgt.
  6. Siliziumeinkristall, hergestellt durch ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumeinkristalls nach einem der Ansprüche 1–5.
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