JP5636168B2 - シリコン単結晶の育成方法 - Google Patents
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Description
(Gmax−Gmin)/Gc≦0.1 ・・・(1)
Gc≦Ge ・・・(2)
ただし、Gmax:結晶半径方向でのGの最大値
Gmin:結晶半径方向でのGの最小値
である。
(Gmax−Gmin)/Gc≦0.1 ・・・(1)
Gc≦Ge ・・・(2)
前記図2に示した構成を有する引き上げ装置を使用して直径300mmのシリコン単結晶を育成するに際し、シリコン融液に磁場を印加しない場合と印加した場合の結晶欠陥分布、および無欠陥結晶の引き上げ速度について、数値シミュレーションにより検討した。熱遮蔽体の下端開口部の開口径はいずれも360mmとした。
参考例と同様に直径300mmのシリコン単結晶を育成するに際し、シリコン融液に磁場を印加しつつ、熱遮蔽体の下端開口部の開口径を360mmとした場合または同開口径を420mmに広げた場合の結晶欠陥分布、および無欠陥結晶引き上げ速度幅について、数値シミュレーションにより検討した。
4:石英るつぼ、 5:ヒーター、 6:断熱材、 7:シードチャック、
8:引き上げワイヤー、 9:シリコン単結晶、
10:シリコン融液、 11:強制冷却体、
12:熱遮蔽部体、 12a:熱遮蔽部体の側部、 12b:熱遮蔽部体の下端部、
13:磁場印加装置、 14:ガス導入口、 15:ガス排出口
Claims (2)
- 育成中のシリコン単結晶の周囲を囲繞するように引き上げ軸と同軸に強制冷却体を配置するとともに、この強制冷却体の外周面および下端面を囲繞するように引き上げ軸と同軸に熱遮蔽体を配置した単結晶引き上げ装置を使用して、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法において、
るつぼ内のシリコン融液に水平磁場を印加するとともに、
単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配をG、単結晶中心部の引き上げ軸方向の温度勾配をGc、単結晶外周部の引き上げ軸方向の温度勾配をGeとするとき、下記(1)式および(2)式を満たすように引き上げ軸方向の温度勾配を制御し、
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶を育成できる引き上げ速度で単結晶の引き上げを行い、
前記単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配の制御を、前記熱遮蔽体の下端開口部の開口径を調整して前記冷却体から単結晶成長界面に向かう冷却能を制御することにより行い、
前記強制冷却体の内径は、前記熱遮蔽体の前記下端開口部の前記開口径より大きく、
前記熱遮蔽体は、前記強制冷却体の外周面を囲繞する側部と、前記強制冷却体の下端面を囲繞する下端部とを有し、前記下端部は、前記側部に対して、前記引き上げ軸側に突出して、前記育成中のシリコン単結晶から前記強制冷却体に向かう熱輻射の一部を遮蔽するように構成されており、前記下端部の突出量を、結晶育成前に調整することにより、前記熱輻射の遮蔽量を調整して、前記単結晶成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配の制御を行い、
前記下端部の突出量を調整することは、下記(1)式および(2)式を満たす温度勾配が得られる突出量を有する前記下端部を備えた前記熱遮蔽体を採用することを含み、
前記育成するシリコン単結晶が、COP、OSFおよび転位クラスターが存在しない結晶からなり、
前記育成するシリコン単結晶が、直径300mm以上のシリコンウェーハを切り出すことができる直径を有することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。
(Gmax−Gmin)/Gc≦0.1 ・・・(1)
Gc≦Ge ・・・(2)
ただし、Gmax:結晶半径方向でのGの最大値
Gmin:結晶半径方向でのGの最小値
である。 - 前記育成するシリコン単結晶が、酸素析出促進領域のみからなることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の育成方法。
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