JP5262021B2 - シリコンウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
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本実施形態では、第1に、シリコンインゴット18の育成を、格子間酸素濃度[Oi]の値が大きく(高酸素濃度)なる条件で行う。具体的には、1.4×1018atoms/cm3 以上となる条件で行う。育成後のシリコンインゴット18の酸素濃度が1.4×1018atoms/cm3 未満であると、薄膜デバイス活性層の直下に、ゲッタリング源となる安定な酸素析出物が有効数、存在しないからである。
4… るつぼ
42… 融液
6… るつぼ支持軸
8… るつぼ保持容器
10… 熱遮蔽体
12… 引き上げ軸
14… シードチャック
16… ヒータ
18… シリコンインゴット(シリコン単結晶)
Claims (7)
- Grown−in欠陥のない直胴部を持ち、格子間酸素濃度[Oi]が1.4×1018atoms/cm3 以上のシリコンインゴットから切り出したウェーハに、
アルゴンガス、窒素ガス、水素ガスまたはこれらの混合ガスの雰囲気中において、1000℃以上、シリコン融点以下の熱処理温度で、10秒以下の急速昇降温熱処理を施し、前記シリコンウェーハの表面から0.4μm〜2.4μmの深さに無欠陥層を形成することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記シリコンウェーハの格子間酸素濃度が19.7×10 17 〜20.8×10 17 atoms/cc(ASTM F−121,1979)であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記急速昇降温熱処理を、熱源としてのハロゲンランプを用いた急速昇降温炉にて、0.1〜10秒で行う請求項1又は2記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記急速昇降温熱処理を、熱源としてのキセノンランプを用いたフラッシュランプアニール炉にて、0.1秒以下で行う請求項1又は2記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記急速昇降温熱処理を、熱源としてのレーザーを用いたレーザースパイクアニール炉にて、0.1秒以下で行う請求項1又は2記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記急速昇降温熱処理後にエピタキシャル成長させる請求項1〜5の何れかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 請求項1〜6の何れかに記載の方法により製造されたシリコンウェーハであって、
ウェーハ表面付近のデバイス活性領域には欠陥がなく、
前記デバイス活性領域の直下には5×104 個/cm2 以上の酸素析出物を有するシリコンウェーハ。
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