DE05782038T1 - Verfahren zum ziehen eines siliciumeinkristalls und danach gezogener siliciumeinkristall - Google Patents

Verfahren zum ziehen eines siliciumeinkristalls und danach gezogener siliciumeinkristall Download PDF

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Hiroki Murakami
Nobumitsu Takase
Ken Hamada
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Abstract

Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen, wobei das Verfahren umfasst: Züchten eines Silicium-Einkristalls durch das Czochralski-Verfahren, während zumindest ein Teil des Silicium-Einkristalls unter Wachstum mit einem Kühlteil gekühlt wird, das den Silicium-Einkristall umfangsmäßig umrundet, und eine innere Kontur aufweist, die koaxial mit einer Zugachse ist, wobei ein umgebendes Gas, in dem der Silicium-Einkristall gezüchtet wird, eine wasserstoffatomhaltige Substanz in gasförmiger Form umfasst.

Claims (7)

  1. Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen, wobei das Verfahren umfasst: Züchten eines Silicium-Einkristalls durch das Czochralski-Verfahren, während zumindest ein Teil des Silicium-Einkristalls unter Wachstum mit einem Kühlteil gekühlt wird, das den Silicium-Einkristall umfangsmäßig umrundet, und eine innere Kontur aufweist, die koaxial mit einer Zugachse ist, wobei ein umgebendes Gas, in dem der Silicium-Einkristall gezüchtet wird, eine wasserstoffatomhaltige Substanz in gasförmiger Form umfasst.
  2. Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen gemäß Anspruch 1, wobei die gasförmige wasserstoffatomhaltige Substanz im umgebenden Gas einen Partialdruck des molekularen Wasserstoffs von 40 bis 400 Pa hat.
  3. Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen gemäß Anspruch 1, wobei die gasförmige wasserstoffatomhaltige Substanz Wasserstoffgas ist.
  4. Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen gemäß Anspruch 1, wobei ein seitlicher Oberflächenteil des Silicium-Einkristalls unter Wachstum auf eine solche Weise gekühlt wird, dass das Verhältnis Gc/Ge zwischen einem axialen Temperaturgradienten im Zentrumsteil des Kristalls vom Schmelzpunkt des Siliciums bis 1350°C, Gc, und einem axialen Temperaturgradienten eines äußeren Umfangsteils des Kristalls vom Schmelzpunkt des Siliciums bis 1350°C, Ge, von 1,1 bis 1,4 beträgt.
  5. Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen gemäß Anspruch 1, wobei der axiale Temperaturgradient im Zentrumsteil des Kristalls, Gc, von 3,0 bis 3,5°C/mm beträgt.
  6. Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen gemäß Anspruch 1, welches einen Substanzteil des Silicium-Einkristalls in eine defektfreie Region, die frei ist von eingezüchteten Defekten, umwandelt.
  7. Silicium-Einkristall, der hergestellt wird durch das Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen gemäß Anspruch 1.
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