DE112022002251T5

DE112022002251T5 - Quartztiegel und kristallziehvorrichtung

Info

Publication number: DE112022002251T5
Application number: DE112022002251.5T
Authority: DE
Inventors: Peng Heng
Original assignee: Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Current assignee: Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Priority date: 2021-09-30
Filing date: 2022-09-21
Publication date: 2024-02-15
Also published as: CN113832537B; TW202302925A; KR20230175318A; CN113832537A; TWI813412B; WO2023051348A1; JP2024520845A

Abstract

Ein Quarztiegel und eine Kristallziehvorrichtung zum Züchten eines Kristall-Ingots werden bereitgestellt. Der Quarztiegel umfasst: einen Tiegelboden aus Siliziumdioxidmaterial; und eine Beschichtung, die auf einem Teil einer inneren Oberfläche des Tiegelbodens aufgebracht ist, wobei die Beschichtung dazu eingerichtet ist, die Ausfällung von Sauerstoffatomen eines beschichteten Teils des Tiegelbodens während des Züchtungsprozesses des Kristall-Ingots zu verhindern; eine Beschichtungsfläche der Beschichtung nimmt entlang einer Richtung von einer Öffnung des Tiegelbodens zu einem Boden des Tiegelbodens allmählich ab.

Description

QUERVERWEIS ZU BEZOGENER ANMELDUNG
Die vorliegende Anmeldung beansprucht eine Priorität der chinesischen Patentanmeldung Nr. 202111162512.4 , die am 30. September 2021 in China eingereicht wurde und deren Offenbarung hierin durch Bezugnahme in vollem Umfang aufgenommen ist.
STAND DER TECHNIK
Die vorliegende Offenbarung betrifft das Gebiet der Herstellung von Siliziumwafern für Halbleiter, insbesondere einen Quarztiegel und eine Kristallziehvorrichtung.
HINTERGRUND
Siliziumwafer, die für die Herstellung von elektronischen Halbleiterbauteilen wie integrierten Schaltkreisen verwendet werden, werden hauptsächlich durch Schneiden eines Einkristall-Siliziumblocks hergestellt, der nach dem Czochralski-Verfahren gezogen wird. Das Czochralski-Verfahren umfasst das Schmelzen von polykristallinem Silizium in einer Tiegelanordnung, um eine Siliziumschmelze zu erhalten, das Eintauchen eines Impfkristalls in die Siliziumschmelze und das kontinuierliche Ziehen des Keims, um sich von der Oberfläche der Siliziumschmelze zu entfernen, wodurch ein Einkristall-Siliziumblöcken an der Phasengrenzfläche während des Ziehens gezüchtet wird. Wenn ein Dotierstoff hinzugefügt wird, geht das Schmelzen des polykristallinen Siliziums auch mit der Auflösung des Dotierstoffs einher. Während der Einkristall-Siliziumblock weiter wächst, verringert sich die Schmelze im Quarztiegel. Wenn die Züchtung des Einkristall-Siliziumblocks abgeschlossen ist, verbleibt nur noch eine kleine Menge Schmelze im Quarztiegel.
Es ist erwähnenswert, dass der Quarztiegel bei hohen Temperaturen Siliciumatome und Sauerstoffatome erzeugt. Die Sauerstoffatome schmelzen in die Siliziumschmelze und reagieren mit den Siliziumatomen in der Siliziumschmelze, um flüchtige Siliziumdioxidgase zu bilden. Während der Kristallzüchtungsprozess weiter fortschreitet, reagiert der Quarztiegel weiter mit der Schmelze und wird dünner. Die Sauerstoffkonzentration in den Einkristall-Siliziumblöcken ist jedoch nicht gleichmäßig und ist oft im Kopfbereich hoch und im Endbereich niedrig. Der Grund dafür ist, dass der Segregationskoeffizient von Sauerstoff ungefähr gleich 1 ist und somit die Verteilung von Sauerstoff im Feststoff und in der Schmelze fast gleich ist. Mit der kontinuierlichen Verringerung der Schmelze im Tiegel während des Prozesses der Kristallzüchtung nimmt jedoch die Kontaktfläche zwischen der Schmelze und dem Quarztiegel allmählich ab, so dass der während des Kristallzüchtungsprozesses von der inneren Oberfläche des Quarztiegels abgeschiedene Sauerstoff nicht gleichmäßig in der Schmelze verteilt werden kann. Die Sauerstoffkonzentration im gewachsenen Einkristall-Siliziumblock ist ebenfalls ungleichmäßig, und es gibt eine Situation, in der die Sauerstoffverteilung im Einkristall-Siliziumblock im Kopfbereich hoch und im Endbereich niedrig ist. Dies wirkt sich auf die Gleichmäßigkeit der Sauerstoffausscheidungen oder der so genannten Bulk Micro Defects (BMD) im Siliziumwafer während des nachfolgenden Prozesses aus.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Um die vorgenannten technischen Probleme zu lösen, zielen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darauf ab, einen Quarztiegel und eine Kristallziehvorrichtung bereitzustellen, die die Verteilung der Sauerstoffkonzentration in dem Einkristall-Siliziumblock verbessern können.
Die technische Lösung der vorliegenden Offenbarung wird wie folgt ausgeführt.
In einem ersten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Quarztiegel zum Züchten eines Kristall-Ingots bereit, wobei der Quarztiegel umfasst:

einen Tiegelboden aus Siliziumdioxidmaterial; und
eine Beschichtung, die auf einem Teil einer inneren Oberfläche der Tiegelbasis aufgebracht ist, wobei die Beschichtung dazu eingerichtet ist, das Abscheiden von Sauerstoffatomen aus einem beschichteten Teil der Tiegelbasis während eines Züchtungsprozesses des Kristall-Ingots zu verhindern;
wobei die Beschichtungsfläche der Beschichtung entlang einer Richtung von einer Öffnung des Tiegelbodens zu einem Boden des Tiegelbodens allmählich abnimmt.

In einem zweiten Aspekt stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Kristallziehvorrichtung bereit, die den Quarztiegel gemäß dem ersten Aspekt umfasst.
Die vorliegende Offenbarung stellt einen Quarztiegel und eine Kristallziehvorrichtung zur Herstellung eines Einkristall-Siliziumblocks bereit. Durch die Beschichtung eines Teils der inneren Oberfläche des Quarztiegels kann das Abscheiden von Sauerstoffatomen an dieser Stelle verhindert werden. Da sich die Beschichtungsfläche von der Öffnung des Tiegelbodens zum Boden des Tiegelbodens hin allmählich verringert, nehmen die aus dem Quarztiegel abgeschiedenen Sauerstoffatome während des Kristallzüchtungsprozesses allmählich zu. Das heißt, wenn die Kristallzüchtung beginnt, befindet sich zwar zu diesem Zeitpunkt eine große Menge an Schmelze im Quarztiegel, aber aufgrund der Beschichtung ist die Kontaktfläche zwischen der Schmelze und dem Quarztiegel im Vergleich zu der Kontaktfläche zwischen der Schmelze und dem herkömmlichen Quarztiegel reduziert. Dadurch verringert sich auch die Sauerstoffkonzentration im Kopfteil des Einkristall-Siliziumblocks, der zuerst gewachsen ist, im Vergleich zum Kopfteil des Einkristall-Siliziumblocks, der mit einem herkömmlichen Quarztiegel gewachsen ist. Während der Kristallzüchtungsprozess weiter fortschreitet, kann die verbleibende Schmelze durch die Verkleinerung der Beschichtungsfläche allmählich vollständig mit dem Quarztiegel in Kontakt kommen. Daher liegt die Sauerstoffkonzentration im gezüchteten Einkristall-Siliziumblock in der Regel nahe an der Sauerstoffkonzentration im Einkristall-Siliziumblock, der mit einem herkömmlichen Quarztiegel gezüchtet wurde, wodurch die Gesamtverteilung der Sauerstoffkonzentration des Einkristall-Siliziumblocks gleichmäßig wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN

1 ist eine schematische Darstellung der Ausführung einer herkömmlichen Kristallziehvorrichtung.
2 ist eine weitere schematische Ansicht der herkömmlichen Kristallziehvorrichtung aus 1.
3 ist eine schematische Ansicht eines Quarztiegels gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
4 ist eine schematische Ansicht eines Quarztiegels gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
5 ist eine schematische Ansicht eines Quarztiegels gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
6 ist ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen der Sauerstoffkonzentration und der Länge eines Einkristall-Siliziumblocks in einem Einkristall-Siliziumblock, der unter Verwendung eines herkömmlichen Quarztiegels gezüchtet wurde, und einem Einkristall-Siliziumblock, der unter Verwendung eines Quarztiegels gezüchtet wurde, veranschaulicht, der durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird; und
7 ist eine schematische Ansicht einer Kristallziehvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Die technischen Lösungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden nachfolgend deutlich und vollständig mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
Bezugnehmend auf die 1 und 2 veranschaulichen 1 und 2 die Ausführung einer herkömmlichen Kristallziehvorrichtung. Wie in 1 veranschaulicht, umfasst die Kristallziehvorrichtung 1: eine von einer Schale 2 umgebene Ziehkammer, einen Quarztiegel 10, einen Graphitheizer 20, einen Tiegeldrehmechanismus 30 und eine in der Ziehkammer angeordnete Tiegelstützvorrichtung 40. Der Quarztiegel 10 wird von der Tiegelstützvorrichtung 40 gestützt, und der Tiegeldrehmechanismus 30 ist unterhalb der Tiegelstützvorrichtung 40 eingerichtet und dazu eingerichtet, den Quarztiegel 10 zu einer Drehung um seine eigene Achse in Richtung R anzutreiben.
Beim Züchten eines Einkristall-Siliziumblocks unter Verwendung der Kristallziehvorrichtung wird zunächst hochreines polykristallines Silizium-Einsatzmaterial in den Quarztiegel 10 gegeben, und der Quarztiegel 10 wird kontinuierlich durch den Graphitheizer 20 erwärmt, während der Tiegeldrehmechanismus 30 den Quarztiegel 10 antreibt, sich in Richtung R zu drehen, um das im Quarztiegel 10 enthaltene polykristalline Silizium-Einsatzmaterial in einen geschmolzenen Zustand zu bringen, d. h. in eine Schmelze S2 zu schmelzen. Die Wärmetemperatur wird auf etwa eintausend Grad Celsius gehalten, das Gas in der Ziehvorrichtung ist in der Regel ein Inertgas, das das polykristalline Silizium ohne unnötige chemische Reaktionen schmilzt. Wenn die Temperatur der flüssigen Oberfläche der Schmelze S2 am kritischen Punkt der Kristallisation durch Steuerung des durch den Graphitheizer 20 bereitgestellten Wärmefeldes geregelt wird, wird der auf der Oberfläche der Schmelze angeordnete Einkristall-Impfkristall S1 nach oben entlang der Richtung T von der Schmelzeoberfläche gezogen, und ein Einkristall-Siliziumblock S3 wächst aus der Schmelze S2 mit der gleichen Kristallorientierung wie der Einkristall-Impfkristall S1 heran.
Mit dem Fortschreiten des Kristallzüchtungsprozesses nimmt die Schmelze S2 allmählich ab. Wie in 2 veranschaulicht, verbleibt nach Beendigung des Züchtungsprozesses und vollständiger Trennung des Einkristall-Siliziumblocks S3 von der Schmelze S2 nur eine geringe Menge der Schmelze S2 im Quarztiegel 10. Da die Schmelze S2 während des Kristallzüchtungsprozesses allmählich abnimmt, verringert sich auch die Kontaktfläche zwischen der Schmelze S2 und dem Quarztiegel 10 allmählich, was zu einer ungleichmäßigen Sauerstoffkonzentration im Einkristall-Siliziumblock S3 führt, so dass die Sauerstoffkonzentration im Kopfteil hoch und im Endteil niedrig ist.
Um die Sauerstoffkonzentration in dem Einkristall-Siliziumblock S3 gleichmäßig zu gestalten, wird in einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Quarztiegel vorgeschlagen. Insbesondere bezieht sich 3 auf eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die einen Quarztiegel 10' zum Züchten eines Kristall-Ingots bereitstellt, wobei der Quarztiegel 10' umfasst:

einen Tiegelboden DE aus Siliziumdioxidmaterial; und
eine Beschichtung LA, die auf einem Teil einer inneren Oberfläche der Tiegelbasis DE aufgebracht ist, wobei die Beschichtung LA dazu eingerichtet ist, das Abscheiden von Sauerstoffatomen aus einem beschichteten Teil der Tiegelbasis DE während eines Züchtungsprozesses des Kristall-Ingots zu verhindern;
eine Beschichtungsfläche der Beschichtung LA entlang einer Richtung von einer Öffnung OP des Tiegelbodens zu einem Boden BO des Tiegelbodens allmählich abnimmt.

Durch die Verwendung des Quarztiegels 10' in der vorstehenden Ausführungsform wird aufgrund der Beschichtung LA die Kontaktfläche zwischen der Schmelze und dem Quarztiegel 10' im Vergleich zu der Kontaktfläche zwischen der Schmelze und dem herkömmlichen Quarztiegel verringert. Dadurch verringert sich auch die Sauerstoffkonzentration im Kopfteil des Einkristall-Siliziumblocks, der zuerst gewachsen ist, im Vergleich zum Kopfteil des Einkristall-Siliziumblocks, der mit einem herkömmlichen Quarztiegel gewachsen ist. Während des weiteren Prozesses der Kristallzüchtung kommt die Schmelze durch die Verringerung der Beschichtungsfläche der Beschichtung LA allmählich vollständig mit dem Quarztiegel 10' in Kontakt, so dass die Sauerstoffkonzentration in dem gezüchteten Einkristall-Siliziumblöcken der Sauerstoffkonzentration in dem mit einem herkömmlichen Quarztiegel gezüchteten Einkristall-Siliziumblöcken nahe kommt, wodurch die Gesamtverteilung der Sauerstoffkonzentration des Einkristall-Siliziumblocks gleichmäßig wird.
Bei der Ausführung der Beschichtung LA kann die Beschichtung LA auf der inneren Oberfläche des Tiegelbodens DE in Form einer Vielzahl von voneinander beabstandeten Beschichtungsstreifen PT verteilt sein.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung erstreckt sich optional, siehe 3, jeder der Vielzahl von Beschichtungsstreifen PT entlang der inneren Oberfläche von der Öffnung OP des Tiegelbodens DE nach unten zum Boden BO des Tiegelbodens DE, wobei die Breite jedes Beschichtungsstreifens entlang der inneren Oberfläche von der Öffnung OP des Tiegelbodens nach unten hin allmählich abnimmt.
Insbesondere ist, wie in 3 veranschaulicht, die Breite D eines jeden Beschichtungsstreifens an der Öffnung des Tiegelbodens mehr als die Breite d am Boden des Tiegelbodens.
In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung erstreckt sich optional, wie in 4 veranschaulicht, jeder der Vielzahl von Beschichtungsstreifen PT entlang der inneren Oberfläche von der Öffnung OP des Tiegelbodens DE nach unten bis zu einer mittleren Position in vertikaler Richtung des Tiegelbodens DE. In der in 4 veranschaulichten Ausführungsform ist also nur die obere Hälfte der inneren Oberfläche des Tiegelbodens DE mit einer Beschichtung LA bereitgestellt.
Bei der Beschichtung, die nur auf der oberen Hälfte der inneren Oberfläche des Tiegelbodens angeordnet ist, kann die Breite von mindestens einem der Vielzahl von Beschichtungsstreifen entlang der inneren Oberfläche von der Öffnung des Tiegelbodens nach unten hin allmählich abnehmen.
Optional, wie in 4 veranschaulicht, ist die Breite D jedes Beschichtungsstreifens PT an der Öffnung OP des Tiegelbodens mehr als die Breite d in der Mitte des Tiegelbodens DE.
In den in 2 bis 4 veranschaulichten Ausführungsformen liegt die Beschichtung LA in Form einer Vielzahl von Beschichtungsstreifen vor, die in Längsrichtung auf der inneren Oberfläche des Tiegelbodens DE angeordnet sind. Und an den Stellen, an denen die Beschichtungsstreifen angeordnet sind, kann der Quarztiegel nicht mit der Schmelze reagieren. Das heißt, dass im Vergleich zu einem herkömmlichen Quarztiegel zumindest bei einer großen Menge an Schmelze die Kontaktfläche zwischen dem durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Quarztiegel und der Schmelze verringert ist. Daher nahm die Sauerstoffkonzentration während der Wachstumsphase des Kopfteils des Einkristall-Siliziumblocks ab.
Es sei darauf hingewiesen, dass die Anordnung der Beschichtungsstreifen nicht auf die vorgenannten Ausführungen beschränkt ist. In einer weiteren optionalen Ausführungsform, wie in 5 veranschaulicht, ist jeder der Vielzahl von Beschichtungsstreifen PT ringförmig, wobei die Mittellinie der Ringform mit der Drehachse des Tiegelbodens zusammenfällt und die Breite jedes der Vielzahl von Beschichtungsstreifen PT entlang der Richtung von der Öffnung des Tiegelbodens zum Boden des Tiegelbodens allmählich abnimmt. Wie in 5 veranschaulicht, ist die Breite D des Beschichtungsstreifens PT in der Nähe der Öffnung OP des Tiegelbodens mehr als die Breite d des Beschichtungsstreifens PT in der Mitte des Tiegelbodens.
Um Siliziumwafer mit hochdichten Mikrodefekten (Bulk Micro Defects, BMD) herzustellen, ist es sehr vorteilhaft, Siliziumwafer mit Stickstoff zu dotieren. Zum Beispiel, wenn Siliziumwafer mit Stickstoff dotiert, kann es die Bildung von BMD mit Stickstoff als Kern zu fördern, so dass die Dichte der BMD kann ein bestimmtes Niveau zu erreichen, um effektiv eine Rolle spielen, wie eine Quelle für die Absorption von Metall Verunreinigungen von Metall-Adsorption Quelle, und kann auch eine positive Wirkung auf die Verteilung der Dichte der BMD, wie die Verteilung der Dichte der BMD ist gleichmäßiger in der radialen Richtung der Siliziumwafer aufweisen. Als Ausführung zum Dotieren von Siliziumwafern mit Stickstoff kann die Siliziumschmelze im Quarztiegel mit Stickstoff dotiert werden, so dass der daraus gezogene Einkristall-Siliziumblock und der aus dem Einkristall-Siliziumblock geschnittene Siliziumwafer mit Stickstoff dotiert werden.
In Anbetracht der obigen Ausführungen kann die auf dem Quarztiegel aufgebrachte Beschichtung, die in der vorliegenden Anmeldung bereitgestellt wird, eine Siliziumnitridschicht sein. Dadurch wird nicht nur der direkte Kontakt zwischen der Schmelze und einem Teil der inneren Oberfläche des Tiegelbodens verhindert, sondern auch die Stickstoffdotierung des Einkristall-Siliziumblocks erleichtert, wodurch die Gleichmäßigkeit der Sauerstoffkonzentration im Einkristall-Siliziumblock weiter gefördert wird.
Der Einkristall-Siliziumblock, der unter Verwendung des Quarztiegels gezüchtet wird, der durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist eine gleichmäßigere Sauerstoffkonzentration auf als derjenige, der einen herkömmlichen Quarztiegel verwendet. Insbesondere, bezugnehmend auf 6, ist 6 ein Kurvendiagramm, das die Beziehung zwischen der Sauerstoffkonzentration und der Länge eines Einkristall-Siliziumblocks in einem Einkristall-Siliziumblock, der unter Verwendung eines herkömmlichen Quarztiegels gezüchtet wurde, und in einem Einkristall-Siliziumblock, der unter Verwendung eines Quarztiegels gezüchtet wurde, veranschaulicht, der durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wurde. Die durchgezogene Linie stellt die Situation des Einkristall-Siliziumblocks dar, der unter Verwendung eines herkömmlichen Quarztiegels gezüchtet wurde, und die gestrichelte Linie stellt die Situation des Einkristall-Siliziumblocks dar, der unter Verwendung des Quarztiegels gezüchtet wurde, der durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird. Im Vergleich dazu ist zu erkennen, dass sich die Sauerstoffkonzentration in dem Einkristall-Siliziumblock, der unter Verwendung eines Quarztiegels gezüchtet wurde, der durch eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, mit zunehmender Länge des Einkristall-Siliziumblocks nicht wesentlich ändert, d. h. insgesamt ist die Sauerstoffkonzentration des Einkristall-Siliziumblocks relativ gleichmäßig.
Bezugnehmend auf 7 stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ferner eine Kristallziehvorrichtung 1' bereit. Der Unterschied zu den herkömmlichen Kristallziehvorrichtungen besteht darin, dass die Kristallziehvorrichtung 1' einen Quarztiegel 10' umfasst, der gemäß den vorstehenden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.
Es ist zu beachten, dass die in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschriebenen technischen Lösungen beliebig kombiniert werden können, ohne dass es zu Konflikten kommt.
Die obigen Ausführungen sind nur spezifische Ausführungen der vorliegenden Offenbarung, aber der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Änderungen oder Substitutionen, die sich ein Fachmann leicht vorstellen kann, bleiben innerhalb des technischen Rahmens, der in der vorliegenden Offenbarung offenbart wird. Daher sollte der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung dem Schutzumfang der Ansprüche unterliegen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

CN 202111162512 [0001]

Claims

Quarztiegel zum Züchten eines Kristall-Ingots, umfassend: einen Tiegelboden aus Siliziumdioxidmaterial; und eine Beschichtung, die auf einem Teil einer inneren Oberfläche der Tiegelbasis aufgebracht ist, wobei die Beschichtung dazu eingerichtet ist, das Abscheiden von Sauerstoffatomen aus einem beschichteten Teil der Tiegelbasis während eines Züchtungsprozesses des Kristall-Ingots zu verhindern; wobei eine Beschichtungsfläche der Beschichtung entlang einer Richtung von einer Öffnung der Tiegelbasis zu einem Boden der Tiegelbasis allmählich abnimmt.
Quartztiegel nach Anspruch 1, wobei die Beschichtung auf der inneren Oberfläche des Tiegelbodens in Form einer Vielzahl von voneinander beabstandeten Beschichtungsstreifen verteilt ist.
Quarztiegel nach Anspruch 2, wobei sich jeder der Vielzahl von Beschichtungsstreifen entlang der inneren Oberfläche von der Öffnung des Tiegelbodens zum Boden des Tiegelbodens nach unten erstreckt und eine Breite jedes der Beschichtungsstreifen entlang der inneren Oberfläche von der Öffnung des Tiegelbodens nach unten allmählich abnimmt.
Quartztiegel nach Anspruch 2, wobei jeder der Vielzahl von Beschichtungsstreifen eine Ringform aufweist, eine Mittellinie der Ringform mit einer Drehachse des Tiegelbodens zusammenfällt und eine Breite jedes der Beschichtungsstreifen entlang einer Richtung von der Öffnung des Tiegelbodens zum Boden des Tiegelbodens allmählich abnimmt.
Quartztiegel nach Anspruch 1, wobei die Beschichtung ein Siliziumnitridfilm ist.
Quarztiegel zum Züchten eines Kristall-Ingots, umfassend: einen Tiegelboden aus Siliziumdioxidmaterial; und eine Beschichtung, die auf einem Teil einer inneren Oberfläche der Tiegelbasis aufgebracht ist, wobei die Beschichtung dazu eingerichtet ist, das Abscheiden von Sauerstoffatomen aus einem beschichteten Teil der Tiegelbasis während eines Züchtungsprozesses des Kristall-Ingots zu verhindern; wobei die Beschichtung auf der inneren Oberfläche der Tiegelbasis in Form einer Vielzahl von Beschichtungsstreifen verteilt ist, die voneinander beabstandet sind, und jeder der Vielzahl von Beschichtungsstreifen sich entlang der inneren Oberfläche von einer Öffnung der Tiegelbasis zu einer mittleren Position der Tiegelbasis in einer vertikalen Richtung nach unten erstreckt.
Quartztiegel nach Anspruch 6, wobei die Breite mindestens eines der Vielzahl von Beschichtungsstreifen entlang der inneren Oberfläche von der Öffnung des Tiegelbodens nach unten hin allmählich abnimmt.
Kristallziehvorrichtung, die den Quartztiegel nach Anspruch 1 umfasst.