CN87206316U - 氮化硅涂层坩埚 - Google Patents

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周卫
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Abstract

本实用新型是关于直拉单晶硅用的坩埚，其特点是在坩埚基体上涂敷了一层Si3N4涂层。涂层采用常压化学气相淀积法制备。坩埚基体材料既可是石英(SiO2)玻璃，也可是石墨。Si3N4具有优良的物理机械性能，并不与熔硅起反应，它把熔硅和石英隔开，避免了熔硅对石英坩埚内壁的侵蚀，达到降低单晶硅杂质含量的目的。

Description

本实用新型是关于直拉单晶用的坩埚，属于晶体生长技术领域。
在用直拉法（简称CZ法）进行单晶硅生产中，普遍使用石英（SiO2）坩埚作熔硅容器，拉晶时石英坩埚内壁不断地被熔融硅侵蚀，大量杂质随之进入硅体，如氧，硼，铝等，从而影响到单晶硅的纯度和掺杂单晶硅电阻率的稳定性。所以，石英坩埚对CZ硅的沾污一直是CZ工艺中的一个突出问题。虽然使用高纯合成石英制作的坩埚，能够把有害杂质含量降到可以接受的水平，但却无助于减少氧的含量。这是因为，氧是以SiO的形式从石英坩埚和熔硅界面溶解出来，并在固液界面下进入硅体的，随着大规模集成电路的集成度不断提高，要求尽可能减少硅片表面的微缺陷，而表面微缺陷的产生，与溶解在硅体中的氧在硅片近表面处析出有直接关系。因此，如何控制CZ硅中的氧含量越来越受到人们的重视。
为降低氧含量，国外正在研究和使用磁场直拉法（MCZ）和陶瓷体Si3N4坩埚。使用这些方法可使氧降低1－2量级，但它们的共同缺点是设备和材料昂贵。
本实用新型的目的是为了提供一种既有Si3N4陶瓷优良特性，价格又不贵的Si3N4涂层坩埚。
本实用新型是采用容易实施的常压化学气相淀积法，把Si3N4涂敷到石英或石墨坩埚机体上，制成Si3N4涂层石英或石墨坩埚。Si3N4具有熔点高，抗热震性强，质硬耐磨，不与熔硅起作用等优良性质，它把熔融硅和坩埚基本隔开，使硅单晶免受坩埚基体的沾污。
Si3N4气相淀积使用的气源为电子纯SiH4，NH3和H2（或N2），反应温度为700－900℃，为避免富硅现象，SiN4和NH3的比例应大于3／4（克分子比），当SiH4／NH3≤0.1时膜质最佳。淀积前石英坩埚需要进行HF酸腐蚀清洗，烘干后置于反应室。石墨坩埚则要求在1600－2000℃下除气后方可进行气相淀积处理。
附图说明：图1氮化硅涂层埚坩
1－石英或石墨
2－氮化硅涂层
实施例：
1.予处理：
石英坩埚——在HF：H2O＝1：5的溶液中浸泡5－10分钟，
用去离子冲洗干净后在红外灯下烘干。
石墨坩埚——在1600－2000℃下除气5小时，真空度为
1×15－5。
2.气源和流速：
SiH4，NH3，H2（或N2）为电子纯，其流速分别为：
SiH4——2－5毫升／分
H2——3000－5000毫升／分
NH3——60－100毫升／分
3.热解温度：700－900℃

Claims (1)

1、一种直拉单晶硅用的坩埚，其特征在于在石英或石墨坩埚基体上涂敷了一层Si3N4。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1039247C (zh) * 1994-09-10 1998-07-22 冶金工业部钢铁研究总院 一种涂有二硼化钛涂层的坩埚及其制造方法
CN1309879C (zh) * 2002-12-06 2007-04-11 维苏威法兰西股份有限公司 盛放硅的容器及其制造方法
CN100432023C (zh) * 2006-07-20 2008-11-12 西安超码科技有限公司 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
CN1946881B (zh) * 2004-04-29 2010-06-09 维苏维尤斯·克鲁斯布公司 用于硅结晶的坩埚
CN101811832A (zh) * 2010-05-10 2010-08-25 宁波宝斯达坩埚保温制品有限公司 石英坩埚内表面处理工艺
CN102031488A (zh) * 2010-12-23 2011-04-27 福建福晶科技股份有限公司 一种提高膜层损伤阈值的坩埚
WO2012159267A1 (en) * 2011-05-25 2012-11-29 Saint-Gobain Research (Shanghai) Co., Ltd Silica crucible and method for fabricating the same
CN103102170A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种坩埚及其制备方法
CN103243392A (zh) * 2013-05-09 2013-08-14 天津英利新能源有限公司 多晶硅铸锭炉与制备均匀细小晶粒多晶硅铸锭的方法
CN103360077A (zh) * 2012-04-01 2013-10-23 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种氮化硅坩埚及其制备方法
CN104962991A (zh) * 2015-05-26 2015-10-07 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 一种石英坩埚及其制备方法
CN106978625A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 超能高新材料股份有限公司 杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚
CN108975934A (zh) * 2017-06-02 2018-12-11 上海新昇半导体科技有限公司 石墨坩埚及其制造方法
US10450669B2 (en) 2016-07-29 2019-10-22 Auo Crystal Corporation Container for silicon ingot fabrication and manufacturing method thereof, and method for manufacturing crystalline silicon ingot
CN112707731A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 吉林市亨昌炭素集团有限责任公司 一种提纯多晶硅使用的石墨坩埚
CN115448731A (zh) * 2022-10-24 2022-12-09 攀钢集团研究院有限公司 一种钒氮合金用石墨坩埚涂层的制备方法
WO2023051348A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 西安奕斯伟材料科技有限公司 石英坩埚及拉晶炉

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1039247C (zh) * 1994-09-10 1998-07-22 冶金工业部钢铁研究总院 一种涂有二硼化钛涂层的坩埚及其制造方法
CN1309879C (zh) * 2002-12-06 2007-04-11 维苏威法兰西股份有限公司 盛放硅的容器及其制造方法
CN1946881B (zh) * 2004-04-29 2010-06-09 维苏维尤斯·克鲁斯布公司 用于硅结晶的坩埚
CN100432023C (zh) * 2006-07-20 2008-11-12 西安超码科技有限公司 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
CN101811832A (zh) * 2010-05-10 2010-08-25 宁波宝斯达坩埚保温制品有限公司 石英坩埚内表面处理工艺
CN102031488A (zh) * 2010-12-23 2011-04-27 福建福晶科技股份有限公司 一种提高膜层损伤阈值的坩埚
WO2012159267A1 (en) * 2011-05-25 2012-11-29 Saint-Gobain Research (Shanghai) Co., Ltd Silica crucible and method for fabricating the same
CN103154330A (zh) * 2011-05-25 2013-06-12 圣戈班研发（上海）有限公司 石英坩埚及其制造方法
CN103102170A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种坩埚及其制备方法
CN103102170B (zh) * 2011-11-11 2014-12-03 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种坩埚及其制备方法
CN103360077A (zh) * 2012-04-01 2013-10-23 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种氮化硅坩埚及其制备方法
CN103360077B (zh) * 2012-04-01 2014-12-24 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种氮化硅坩埚及其制备方法
CN103243392A (zh) * 2013-05-09 2013-08-14 天津英利新能源有限公司 多晶硅铸锭炉与制备均匀细小晶粒多晶硅铸锭的方法
CN104962991A (zh) * 2015-05-26 2015-10-07 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 一种石英坩埚及其制备方法
CN104962991B (zh) * 2015-05-26 2018-04-17 江苏润弛太阳能材料科技有限公司 一种石英坩埚及其制备方法
CN106978625A (zh) * 2016-01-19 2017-07-25 超能高新材料股份有限公司 杂质吸收材料及涂布有该材料的坩埚
US10450669B2 (en) 2016-07-29 2019-10-22 Auo Crystal Corporation Container for silicon ingot fabrication and manufacturing method thereof, and method for manufacturing crystalline silicon ingot
CN108975934A (zh) * 2017-06-02 2018-12-11 上海新昇半导体科技有限公司 石墨坩埚及其制造方法
CN108975934B (zh) * 2017-06-02 2021-05-07 上海新昇半导体科技有限公司 石墨坩埚及其制造方法
CN112707731A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 吉林市亨昌炭素集团有限责任公司 一种提纯多晶硅使用的石墨坩埚
WO2023051348A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 西安奕斯伟材料科技有限公司 石英坩埚及拉晶炉
CN115448731A (zh) * 2022-10-24 2022-12-09 攀钢集团研究院有限公司 一种钒氮合金用石墨坩埚涂层的制备方法

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