JP5478528B2 - 溶液法によるSiC単結晶の製造方法 - Google Patents
溶液法によるSiC単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5478528B2 JP5478528B2 JP2011026254A JP2011026254A JP5478528B2 JP 5478528 B2 JP5478528 B2 JP 5478528B2 JP 2011026254 A JP2011026254 A JP 2011026254A JP 2011026254 A JP2011026254 A JP 2011026254A JP 5478528 B2 JP5478528 B2 JP 5478528B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- crystal
- single crystal
- sic single
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Description
(b)高周波コイルに対する坩堝位置を変更する
上記(2)(3)で用いる、Si−C溶液のC溶解度を上げない元素としてはSiが最も適している。しかしSiに限定する必要はなく、Co,Nd,Py等の希土類元素、Al,Ga,In,Ti,P,As,Sb,Bi,Mo,Ni、等を用いることもできる。
Claims (1)
- Si−C溶液面に接触させたSiC種結晶の接触面にSiC単結晶を成長させる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法において、結晶成長が完了した時に、成長したSiC単結晶が接触している上記溶液近傍のSi−C溶液のC濃度を7at%以下に低下させた後に、上記成長したSiC単結晶を上記溶液面から引き上げることを特徴とする溶液法によるSiC単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011026254A JP5478528B2 (ja) | 2011-02-09 | 2011-02-09 | 溶液法によるSiC単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011026254A JP5478528B2 (ja) | 2011-02-09 | 2011-02-09 | 溶液法によるSiC単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012162439A JP2012162439A (ja) | 2012-08-30 |
JP5478528B2 true JP5478528B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=46842243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011026254A Active JP5478528B2 (ja) | 2011-02-09 | 2011-02-09 | 溶液法によるSiC単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5478528B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6174471B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2017-08-02 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
US10443149B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-10-15 | Kyocera Corporation | Method of producing crystal |
JP6597113B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2019-10-30 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61202411A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長法 |
JPH0648897A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-22 | Sanyo Electric Co Ltd | SiC単結晶の液相エピタキシャル成長装置と製造方法 |
JP5273130B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2013-08-28 | 信越化学工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
-
2011
- 2011-02-09 JP JP2011026254A patent/JP5478528B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012162439A (ja) | 2012-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5299610B2 (ja) | Ni−Cr−Fe三元系合金材の製造方法 | |
SG144857A1 (en) | Semiconductor wafers of silicon and method for their production | |
WO2011007458A1 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP5478528B2 (ja) | 溶液法によるSiC単結晶の製造方法 | |
JPWO2012127703A1 (ja) | SiC単結晶の製造方法および製造装置 | |
EP2775015B1 (en) | SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD | |
JP2005015296A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
CN110886013A (zh) | 一种高品质bbo晶体生长方法 | |
JP5375794B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
EP2045371A3 (en) | Method and apparatus for manufacturing an ultra low defect semiconductor single crystalline ingot | |
JP2014015366A (ja) | β−Ga2O3単結晶膜付基板及びその製造方法 | |
CN101363131B (zh) | 一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入技术 | |
JP6798637B1 (ja) | ヒ化ガリウム単結晶基板 | |
KR101855814B1 (ko) | 실리콘 단결정의 제조방법 | |
JP6645408B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | |
JP2009167526A (ja) | 物質精製法及び物質精製装置 | |
JP2009249245A (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
JP4200690B2 (ja) | GaAsウェハの製造方法 | |
JP7078933B2 (ja) | 鉄ガリウム合金単結晶育成用種結晶 | |
JP2019026496A5 (ja) | ||
MY187928A (en) | Process for producing silicon single crystal | |
CN112410869A (zh) | 一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法 | |
JP6070626B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP5847671B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP2009167019A (ja) | 化合物半導体単結晶製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121011 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130416 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S801 | Written request for registration of abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801 |
|
ABAN | Cancellation of abandonment | ||
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |