CN110886013A - 一种高品质bbo晶体生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高品质BBO晶体生长方法,采用硼酸、碳酸钡为原料,氟化钠为助熔剂,铂金坩埚和改造的提拉炉为生长装置,在晶体生长过程冲入流动气体CF4,生长得到高品质BBO晶体。
Description
技术领域
本发明涉及一种人工晶体生长领域,尤其涉及一种减少BBO晶体中间包络的方法。
背景技术
低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体,具有宽的透光范围,大的有效倍频系数,大的双折射率和高的激光损伤阈值,广泛运用于激光倍频,目前还未见有性能更好的材料取代它。
该晶体目前采用顶部籽晶法生长,氟化物为助溶剂,晶体生长过程氟化物挥发出来,在炉口位置遇冷结成挥发物,随着挥发物越来越多,挥发物会掉入晶体表面腐蚀晶体,同时造成晶体内部缺陷的延伸,直接影响晶体质量。
发明内容
本发明采用硼酸、碳酸钡为原料,氟化钠为助熔剂,铂金坩埚和改造的单晶提拉炉为生长装置,在单晶提拉炉炉膛内部放置一台熔盐炉,保证生长过程密闭生长,同时在晶体生长过程冲入流动气体CF4,利用流动的CF4,一方面抑制挥发,减少挥发物,一方面可以带走挥发物,有效降低挥发物产生,避免挥发物在炉口的堆积,掉入晶体表面腐蚀晶体以及缺陷产生,生长出高品质晶体毛坯。
具体实施方式
将BBO原料碳酸钡,硼酸,氟化钠按比例混匀利用化料炉熔透,装入坩埚,将坩埚置于改造的提拉炉中,升温至1100℃,原料达到熔融状态,将熔体温度降至1000℃下籽晶,将固定有BBO籽晶的籽晶杆缓慢下沉至熔体液面,以5转/分的速度旋转籽晶杆,当晶体生长快至坩埚壁时,籽晶杆停止转动,开始1℃/d速率降温,经过5个月,取出晶体。
Claims (1)
1.一种高品质BBO晶体生长方法,采用硼酸、碳酸钡为原料,氟化钠为助熔剂,铂金坩埚和改造的单晶提拉炉为生长装置,其特征在于,在单晶提拉炉炉膛内部放置一台熔盐炉,在晶体生长过程冲入流动气体CF4,生长得到高品质BBO晶体。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201911181805.XA CN110886013A (zh) | 2019-11-27 | 2019-11-27 | 一种高品质bbo晶体生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
CN115233287A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-10-25 | 山东重山光电材料股份有限公司 | 一种以氟化铯为助熔剂的β-BBO晶体生长方法 |
CN115467010A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-12-13 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种低温相bbo晶体生长装置及生长方法 |
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2019
- 2019-11-27 CN CN201911181805.XA patent/CN110886013A/zh active Pending
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CN115467010B (zh) * | 2022-09-26 | 2023-11-14 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种低温相bbo晶体生长装置及生长方法 |
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Application publication date: 20200317 |
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