CN110952142A - 一种高质量lbo晶体生长方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种高质量LBO晶体生长方法，采用碳酸锂和硼酸为原料，熔盐炉为生长装置，电炉丝加热，熔体液面至坩埚底部熔体之间温度梯度0~1℃，籽晶转速20~30r/min，炉子上方保温盖呈梯形状，中间厚，两边薄，生长得到高品质晶体。
Description
技术领域
本发明涉及一种LBO(LiB3O5，三硼酸锂)晶体生长技术，尤其高质量LBO晶体的生长。
背景技术
LBO晶体一种光学性能非常优秀的非线性光学晶体，它具有宽透过范围、高光学均匀性、相对较大的有效二倍频系数和高的激光损伤阈值。它在光电子技术方面有着重要和广泛的应用，广泛应用于激光频率转化，光学参量振荡和光学参量放大等领域。激光技术的发展对LBO晶体器件的尺寸和质量都提出了更高的要求。
发明内容
一般熔盐晶体生长只考虑坩埚温场，没有考虑炉口保温。为了制备高品质LBO晶体，本发明采用碳酸锂和硼酸为原料，采用电炉丝加热，熔体液面至坩埚底部熔体之间温度梯度0~1℃，籽晶转速20~30r/min，为了补偿铂金杆导热快和炉口中间开口带走的热量，影响温场稳定性，设计了一个梯形状上保温盖，如图1所示，中间厚，两边薄，保证炉口中间保温效果优于两侧，补偿炉口带走的热量，得到炉口上方四周均匀的温场，保证LBO晶体生长过程不易受到温度浮动的影响，生长出高品质晶体。
附图说明
图1为炉子示意图。
具体实施方式
实施例一：采用碳酸锂和硼酸为原料，经充分混合，并多次熔融后加入到一个Φ120×110mm的铂坩埚里，再把该铂坩埚置于图1中炉子里，熔体液面至坩埚底部熔体之间温度梯度0.5℃，籽晶转速为20r/min。经过试晶、下种，晶体开始生长，生长结束，提起晶体，开始10℃/h降温，降至室温取出，得到高品质晶体。
Claims (1)
1.一种高质量LBO晶体生长方法，其特征在于采用碳酸锂和硼酸为原料，熔盐炉为生长装置，电炉丝加热，熔体液面至坩埚底部熔体之间温度梯度0~1℃，籽晶转速20~30r/min，炉子上方保温盖呈梯形状，中间厚，两边薄，生长得到高品质晶体。
Priority Applications (1)
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| CN201911188403.2A CN110952142A (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 一种高质量lbo晶体生长方法 |
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| CN201911188403.2A Pending CN110952142A (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 一种高质量lbo晶体生长方法 |
Country Status (1)
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2019
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Application publication date: 20200403 |