CN110923812A - 一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法 - Google Patents

一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法 Download PDF

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Abstract

一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法利用T型铂金坩埚生长出高质量BBO晶体。

Description

一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法
技术领域
本发明涉及一种人工晶体生长领域，尤其涉及一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法。
背景技术
低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。
该晶体目前采用顶部籽晶法生长，晶体生长过程采用缓慢降温，流体流动缓慢，生长出来晶体包裹物多，质量差。
发明内容
本发明通过坩埚设计，在坩埚底部设计一个T型层，层上面分布着圆孔且上下层熔体贯通。本发明利用T型铂金坩埚和熔体导热能力的差异和圆孔结构，实现T型坩埚附近熔体和上层，下层熔体强制对流。本发明包含以下生长步骤：晶体前期籽晶杆转速20r/min，当晶体生长至锅壁时，籽晶杆停止转动，开始1-2℃/天降温，直至降温120℃，停止生长，采用转炉取出晶体，生长得到高质量BBO晶体。
附图说明
图1是本发明晶体生长炉示意图
图中，1、籽晶杆电机，2、观察孔，3、籽晶杆，4、炉膛，5、籽晶，6、坩埚层，7、坩埚托，8、T型层示意图。
具体实施方式
本发明的实施例中，用于制备BBO晶体的生长设备如图1所示，将晶体生长原料熔融倒满生长坩埚，生长坩埚中部置于生长炉中，升温，试晶，将正式籽晶置于坩埚中部，转速20r/min，当晶体生长至锅壁时，停止转动，开始以2℃/天的速率降温，生长4个月时取出晶体，得到高质量BBO晶体毛坯。

Claims (1)

1.一种低温相偏硼酸钡晶体生长方法器特征在于生长晶体设备采用铂金坩埚，铂金坩埚底部有一个T型层，层上面分布着圆孔且上下层熔体贯通，包含以下生长步骤：晶体前期籽晶杆转速20r/min，当晶体生长至锅壁时，籽晶杆停止转动，开始1-2℃/天降温，直至降温120℃，停止生长，采用转炉取出晶体。
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