JPS63295498A - 3−v族化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents

3−v族化合物半導体単結晶の製造方法

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JPS63295498A
JPS63295498A JP13102487A JP13102487A JPS63295498A JP S63295498 A JPS63295498 A JP S63295498A JP 13102487 A JP13102487 A JP 13102487A JP 13102487 A JP13102487 A JP 13102487A JP S63295498 A JPS63295498 A JP S63295498A
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JP
Japan
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crucible
melt
single crystal
crystal
group iii
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Pending
Application number
JP13102487A
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English (en)
Inventor
Kazuhisa Matsumoto
和久 松本
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、m−v族化合物半導体単結晶を液体封止チe
クラルスキー法により製造する方法に関する。
[従来技術] 液体封止チークラルスキー法(以下LEC法という)を
用いて高品質な、例えばGaAs結晶を得る技術として
特開昭[1O−4G998号公報に示されるように、複
数個のヒーターを用いて結晶成長領域及び結晶冷却領域
の温度環境を最適化させる方法を提案した。
[発明が解決しよとする問題点] 前記方法では、結晶成長の進行と共に、複数個ヒーター
の温度の調整、成長速度や結晶回転数、るつぼ回転数な
どを変化させて時々刻々の最適条件を得ようとする。し
かしながら、るつぼ内の融液量は結晶成長が進むにつれ
て減少し、従って融液の対流も変化する。そのため、固
液界面の環境を上記手段のみにて常に最適に保つことは
難しく、単結晶化条件が(ずれて途中から多結晶化し、
良品結晶歩留を低下させる原因となっていた。
[問題を解決するための手段] るつぼを浮かべ、いわゆる2重るつぼを用い、内外るつ
ぼの融液面を封止剤で封止して内側るつぼ内の融液から
結晶を成長させる2ffiるつぼLEC法は知られてい
るところである。
この方法によるとき、結晶成長につれて外るつぼ内の融
液量は変化する。しかし、実際に結晶が成長する内るつ
ぼ内の融液量は変らない。従って本発明は、内るつぼの
位置がほぼ一定位置にあり、変化しないように調整し、
内るつぼ近辺の温度環境が一定になるように加熱、その
他の条件をも調整すると内るつぼ内融液の対流も変化せ
ず、このため、結晶成長各段階での成長環境は殆んど変
らない。従って結晶内品質は安定しており、かつ結晶欠
陥も入りにくい。結晶長が長くなる程この効果は大きい
第1図は本発明を実施する装置を部分的に示しボンヒー
ターが環状に配置され、その内側に外るつぼ1、更にそ
の内側に底部に流通孔3を有する内るつぼ2が配置され
る。内るっぽ2の上端部でるつぼ支持具4により支持さ
れる。結晶6が示されているが、結晶8の上端および外
るっぽ1は図示していないが、昇降でき、回転できる上
軸及び下軸に連結されている。
外るつぼ2としてPBN製るつぼを内るっぽ1として底
部に流通孔3を存するPBN製るつぼを用意する。
まず外るつぼl内に高純度GaAs多結晶約2 kgと
十分脱水されたB2O3約200 gを収容した。これ
を外側のカーボンヒーターにより約1270℃まで加熱
すると、GaAs融液5と溶融B2O3が生成した。
次の内るつぼ2を図の位置まで降下させ、内るつぼ2内
に約150gのGaAs融液5を充たした。
次に徐々に1250℃程度まで温度を下げ、上軸(図示
していない)に取り付けたGaAs単結晶シードを回転
させなからB2O3融液層を通して成長中、内るつぼ2
はるつぼ支持具4によりほぼ同位置に保持し、内るつぼ
2内融液量が常に一定葺、この場合的150gになるよ
うに外るつぼ1の位置を連続的に調整した。
このような状態を維持して成長を続けたところ、良品歩
留63%という高い値を示した。これは従来技術である
単一るつぼ法による平均良品歩留40%と比べて改善効
果が顕著であった。
以上、GaAs単結晶の製造について説明したが、不純
物無添加のGaP+ InP+ InAs等m−v族化
合物半導体単結晶の製造に使用できることは明らかであ
る。
[発明の効果] 以上説明したように本発明の方法を用いれば、成長界面
を常に最適条件に保つことができるため、結晶の高歩留
化、低コスト化の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施する装置の一部概略である。 1・・・外るつぼ、2・・・内るつぼ、3・・・流通孔
、4・・・るつぼ支持具、5・・・GaAs融液、θ・
・・結晶、7・・・GaAs単結晶シード。 賽 1 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)内るつぼの位置が変化しないようにして外るつぼ
    位置を調整し、内るつぼ内の融液を一定量に保ちながら
    、液体封止チョクラルスキー法により単結晶を成長させ
    ることを特徴とするIII−V族化合物半導体単結晶の製
    造方法。
JP13102487A 1987-05-27 1987-05-27 3−v族化合物半導体単結晶の製造方法 Pending JPS63295498A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006068062A1 (ja) * 2004-12-22 2006-06-29 Tokuyama Corporation フッ化金属単結晶体の引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法
JP2006199577A (ja) * 2004-12-22 2006-08-03 Tokuyama Corp フッ化金属単結晶体製造用引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法
JP2007297222A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Tokuyama Corp フッ化金属単結晶体の引上げ装置およびフッ化金属単結晶体の製造方法

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JP2007297222A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Tokuyama Corp フッ化金属単結晶体の引上げ装置およびフッ化金属単結晶体の製造方法

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