JP2019026496A5 - - Google Patents
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Description
そして、上記ＳＧＧＧ単結晶の育成は、界面反転操作を伴うチョクラルスキー（ＣＺ：Czochralski）法等の「回転引上げ法」により行われ、予め混合したＧｄ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＣａＣＯ3等の単結晶用原料を図１に示す育成炉１のイリジウム製坩堝８内に所定量仕込み、高周波コイル１０への投入電力を制御して所定量の原料融液９を得た後、坩堝８内の原料融液９に種結晶６を接触させ、種結晶６を回転させながら該種結晶６を徐々に引き上げてＳＧＧＧ単結晶７を育成している。
すなわち、特許文献２に記載の方法は、界面反転操作を伴う回転引上げ法によりＳＧＧＧ単結晶の肩部を育成する際、転位等の結晶欠陥やクラック等の発生を抑制しながら肩部長を短縮（８０ｍｍから７５ｍｍに短縮）させて、ＳＧＧＧ基板として使用可能な「有効部」の長さを相対的に伸長させる方法で、肩部の最大直径が１５ｍｍ以上３５ｍｍ以下の範囲において、結晶引上距離１ｍｍ当たりの肩部の直径増加量が小さくなる（１．７５ｍｍ以下）ように調整する方法であった。そして、この方法により、ＳＧＧＧ基板として使用可能な「有効部」の長さが従来の５５ｍｍから７０ｍｍに伸長されたＳＧＧＧ単結晶を育成することは可能となった。
また、第２の発明は、
第１の発明に記載の非磁性ガーネット単結晶の育成方法において、
育成する単結晶の固化率［（結晶重量÷原料重量）×１００］が４０．５％以下であることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明または第２の発明に記載の非磁性ガーネット単結晶の育成方法において、
直径１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍの坩堝が用いられ、かつ、界面反転操作を伴う肩部の育成工程と直胴部の育成工程を含む回転引上げ法により上記非磁性ガーネット単結晶が育成されると共に、肩部の直径が７０ｍｍで長さが７５ｍｍ、直胴部の長さが１１０ｍｍ、直胴部の界面反転位置から有効部上端までの距離が４０ｍｍ、および、有効部の直径が８０ｍｍで長さが７０ｍｍであることを特徴とする。
第１の発明に記載の非磁性ガーネット単結晶の育成方法において、
育成する単結晶の固化率［（結晶重量÷原料重量）×１００］が４０．５％以下であることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明または第２の発明に記載の非磁性ガーネット単結晶の育成方法において、
直径１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍの坩堝が用いられ、かつ、界面反転操作を伴う肩部の育成工程と直胴部の育成工程を含む回転引上げ法により上記非磁性ガーネット単結晶が育成されると共に、肩部の直径が７０ｍｍで長さが７５ｍｍ、直胴部の長さが１１０ｍｍ、直胴部の界面反転位置から有効部上端までの距離が４０ｍｍ、および、有効部の直径が８０ｍｍで長さが７０ｍｍであることを特徴とする。
すなわち、この育成方法は、界面反転操作を伴う回転引上げ法によりＳＧＧＧ単結晶の肩部を育成する際、転位等の結晶欠陥やクラック等の発生を抑制しながら肩部長を短縮（８０ｍｍから７５ｍｍに短縮）させて、ＳＧＧＧ基板として使用可能な「有効部」の長さを相対的に伸長させる方法で、ＳＧＧＧ基板として使用可能な「有効部」の長さが従来の５５ｍｍから７０ｍｍに伸長されたＳＧＧＧ単結晶の育成を可能としている。
Claims (1)
- 直径１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍの坩堝が用いられ、かつ、界面反転操作を伴う肩部の育成工程と直胴部の育成工程を含む回転引上げ法により上記非磁性ガーネット単結晶が育成されると共に、肩部の直径が７０ｍｍで長さが７５ｍｍ、直胴部の長さが１１０ｍｍ、直胴部の界面反転位置から有効部上端までの距離が４０ｍｍ、および、有効部の直径が８０ｍｍで長さが７０ｍｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の非磁性ガーネット単結晶の育成方法。
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|---|---|---|---|
| JP2017145520A JP6922521B2 (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 非磁性ガーネット単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2017145520A JP6922521B2 (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 非磁性ガーネット単結晶の育成方法 |
Publications (3)
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| JP2019026496A JP2019026496A (ja) | 2019-02-21 |
| JP2019026496A5 true JP2019026496A5 (ja) | 2020-06-18 |
| JP6922521B2 JP6922521B2 (ja) | 2021-08-18 |
Family
ID=65477486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2017145520A Active JP6922521B2 (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 非磁性ガーネット単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN110820045B (zh) * | 2019-12-11 | 2021-11-05 | 上海应用技术大学 | 一种稀土石榴石单晶的制备方法 |
Family Cites Families (3)
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| JP6102687B2 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-03-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 複合酸化物単結晶の製造方法 |
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2017
- 2017-07-27 JP JP2017145520A patent/JP6922521B2/ja active Active
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