JP6439733B2 - 非磁性ガーネット単結晶の育成方法 - Google Patents
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Description
界面反転操作を伴う回転引き上げ法により(Gd3-xCax)(Ga5-x-2yZrx+yMgy)O12(x=0、y=0を含む)で示される非磁性ガーネット単結晶(SGGG)を育成する方法において、
育成される結晶肩部の直径が65mm以上、70mm以下、結晶肩部の長さが75mm以上、85mm以下の条件下において上記界面反転操作を行うことを特徴とし、
また、第2の発明は、
第1の発明に記載の非磁性ガーネット単結晶(SGGG)の育成方法において、
界面反転操作後に育成される結晶直胴部の直径が80mmであることを特徴とする。
この育成装置は、公知のチョクラルスキー法によりSGGG単結晶を育成する育成炉1を備えている。育成炉1の構造を簡単に説明すると、育成炉1は、図5に示すように筒状のチャンバー2と、このチャンバー2の内側に設置された高周波コイル10と、この高周波コイル10の内側に配置された断熱材3およびイリジウム製坩堝8を有している。
上記界面反転操作を伴う回転引き上げ法により(Gd3-xCax)(Ga5-x-2yZrx+yMgy)O12(x=0、y=0を含む)で示される非磁性ガーネット単結晶(SGGG)を育成する本発明に係る方法は、
育成される結晶肩部の直径が65mm以上、70mm以下、結晶肩部の長さが75mm以上、85mm以下の条件下において界面反転操作を行うことを特徴とするものである。
育成されたSGGG単結晶は育成炉1から取り出され、熱歪を除去するアニール処理が施された後、規格に合わせた厚さに切断され、更に両面研磨されて本発明に係るSGGG単結晶基板に加工される。
直径150mm、高さ150mmのイリジウム製坩堝内に、予め混合したGd2O3、Ga2O3、MgO、ZrO2、CaCO3を所定量仕込み、高周波加熱炉で加熱溶融して原料融液を得た後、SGGG単結晶の育成を試みた。
これら結果について表1に示す。
結晶肩部の長さが75mmで直径が70mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmに育成されたSGGG単結晶を得た。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが85mmで直径が70mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmに育成されたSGGG単結晶を得た。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが80mmで直径が65mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmに育成されたSGGG単結晶を得た。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが75mmで直径が65mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmに育成されたSGGG単結晶を得た。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが85mmで直径が65mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmに育成されたSGGG単結晶を得た。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが70mmで直径が70mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmとなるようにSGGG単結晶の育成を試みた。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが90mmで直径が70mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmとなるようにSGGG単結晶の育成を試みた。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが80mmで直径が80mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmとなるようにSGGG単結晶の育成を試みた。
これ等結果も表1に示す。
結晶肩部の長さが75mmで直径が60mmまで育成した時点において上記界面反転操作を行った点を除き実施例1と同様に行って、結晶直胴部の直径が80mmとなるようにSGGG単結晶の育成を3回試みた。
2 チャンバー
3 断熱材
4 引き上げ軸
5 ホットゾーン
6 種結晶
7 SGGG単結晶
8 坩堝
9 原料融液
10 高周波コイル
101 種結晶
102 結晶肩部
103 結晶直胴部
104 界面反転位置
Claims (2)
- 界面反転操作を伴う回転引き上げ法により(Gd3-xCax)(Ga5-x-2yZrx+yMgy)O12(x=0、y=0を含む)で示される非磁性ガーネット単結晶(SGGG)を育成する方法において、
育成される結晶肩部の直径が65mm以上、70mm以下、結晶肩部の長さが75mm以上、85mm以下の条件下において上記界面反転操作を行うことを特徴とする非磁性ガーネット単結晶(SGGG)の育成方法。 - 界面反転操作後に育成される結晶直胴部の直径が80mmであることを特徴とする請求項1に記載の非磁性ガーネット単結晶(SGGG)の育成方法。
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