JP2015514674A - インゴットの成長方法およびインゴット - Google Patents

インゴットの成長方法およびインゴット Download PDF

Info

Publication number
JP2015514674A
JP2015514674A JP2015508844A JP2015508844A JP2015514674A JP 2015514674 A JP2015514674 A JP 2015514674A JP 2015508844 A JP2015508844 A JP 2015508844A JP 2015508844 A JP2015508844 A JP 2015508844A JP 2015514674 A JP2015514674 A JP 2015514674A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ingot
neck portion
growing
silicon melt
growth method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015508844A
Other languages
English (en)
Inventor
ジョ、ファジン
キム、サンヒ
ジュン、ユンホ
キム、ナムソク
Original Assignee
エルジー シルトロン インコーポレイテッド
エルジー シルトロン インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー シルトロン インコーポレイテッド, エルジー シルトロン インコーポレイテッド filed Critical エルジー シルトロン インコーポレイテッド
Publication of JP2015514674A publication Critical patent/JP2015514674A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2973—Particular cross section
    • Y10T428/2976—Longitudinally varying

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本発明のインゴットの成長方法は、シリコンを溶融してシリコン融液を用意するステップと、結晶方位が[１１０]の種結晶を用意するステップと、前記種結晶からネック部を成長させるステップと、前記ネック部から結晶方位が[１１０]のインゴットを成長させるステップとを含み、前記ネック部の直径が４mm〜８mmである。【選択図】図１

Description

本発明は、インゴットの成長方法およびインゴットに関するものである。
一般的に、半導体素子を製造するためのウェハを製造する工程は、シリコン単結晶インゴットのスライシング工程、スライシングされたウェハのエッジをラウンディング処理するエッジ研削工程、スライシング工程によるウェハの粗い表面を平坦化するラッピング工程、エッジ研削またはラッピング工程でウェハ表面に付着された粒子と各種汚染物質を除去する洗浄工程、後工程に適合した形状と表面を確保するための表面研削工程およびウェハエッジに対するエッジ研磨工程を含むことができる。
シリコン単結晶インゴットは、チョクラルスキー(czochralski、CZ)法またはフローティングゾーン(floating zone、FZ)法等により成長させることができる。一般的には、大口径のシリコン単結晶インゴットを製造でき、工程コストが安いチョクラルスキー法を用いて成長させる。
このようなチョクラルスキー法は、シリコン融液に種結晶を浸漬した後、これを低速で引き上げることで行われる。
一方、従来の半導体素子の限界を克服するための新たな結晶方向の製品が求められており、次世代製品として結晶方位が[１１０]の製品の使用可能性が予想されている。しかし、結晶方位が[１１０]のインゴットは、結晶方位が[１００]のインゴットに比べて、転位が結晶成長方向に伝播されるので、結晶性が低い特性があり、転位制御が難しいという問題がある。
本発明は、結晶方位が[１００]の高品質のウェハを製造できるようにする。
本発明のインゴットの成長方法は、シリコンを溶融してシリコン融液を用意するステップと、結晶方位が[１１０]の種結晶を用意するステップと、前記種結晶からネック部を成長させるステップと、前記ネック部から結晶方位が[１１０]のインゴットを成長させるステップとを含み、前記ネック部の直径が４mm〜８mmである。
実施形態の詳細は添付した図面および以下の発明の詳細な説明に記載される。他の特徴は前記発明の詳細な説明および図面、ならびに特許請求の範囲から明らかである。
本発明のインゴットの成長方法によれば、結晶方位が[１１０]の高品質のインゴットを成長させることができ、従来の半導体素子の限界を克服できる新たな結晶方向のウェハを製造することができる。すなわち、結晶方位が[１１０]のインゴットから素子効率が向上したウェハを製造することができる。
特に、種結晶のホウ素の濃度は、シリコン融液のドーピング濃度と対応してもよい。これにより、前記シリコン融液と前記種結晶の濃度差によるミスフィット(misfit)の発生を制御することができる。このようなミスフィット転位は、シリコン融液のドーピング濃度と種結晶のドーピング濃度が異なると、格子定数の差によって種結晶がシリコン融液に接触する時種結晶内に発生する転位である。本発明では、このようなミスフィット転位を制御して高品質の単結晶を成長させることができる。
また、本発明のインゴットの成長方法によって成長させられたネック部の直径が従来のネック部の直径より厚くなるので、大きさが大きい高重量のインゴットを支持することができる。すなわち、工程不良を防止し、工程収率を向上させることができる。
実施例に係るインゴットの成長方法のフローチャートである。 実施例に係るインゴットの成長方法によって製造されたインゴットの斜視図である。 実施例に係るインゴットの成長方法に用いられるインゴット製造装置の断面図である。 実施例に係るインゴットの成長方法において、ネック部の直径に応じた転位観測長さの実験データを示すグラフである。
図面において、各層(膜)、領域、パターンまたは構造物の厚さや大きさは、説明の明確性および便宜を図り変形されたものであり、実際の大きさを全面的に反映するものではない。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例を詳しく説明する。
以下、図１および図２を参照して、実施例に係るインゴットの成長方法およびこれによって製造されたインゴットを詳しく説明する。図１は実施例に係るインゴットの成長方法のフローチャートである。図２は実施例に係るインゴットの成長方法によって製造されたインゴットの斜視図である。
実施例に係るインゴットの成長方法は、融液を用意するステップ(ＳＴ１００)、種結晶を用意するステップ(ＳＴ２００)、ネック部を成長させるステップ(ＳＴ３００)およびインゴットを成長させるステップ(ＳＴ４００)を含む。
前記融液を用意するステップ(ＳＴ１００)では、チャンバ内部に設置される石英ルツボにシリコン融液を用意する。前記融液を用意するステップ(ＳＴ１００)では、シリコンを溶融してシリコン融液を用意する。前記シリコン融液のドーピング濃度は８.５×１０１８atoms/cm３〜１.７×１０１９atoms/cm３である。具体的に、前記シリコン融液はホウ素でドーピングすることができるが、ここで前記ホウ素の濃度は８.５×１０１８atoms/cm３〜１.７×１０１９atoms/cm３の濃度を有することができる。このようなホウ素のドーピング濃度は、一般的な比抵抗帯域でなく、EPI-基板の結晶用としてホウ素が高濃度にドーピングされなければならない。
特に、前記融液を用意するステップ(ＳＴ１００)で磁場を印加してもよい。具体的には、前記シリコン融液の表面の下部に磁場を印加してもよい。より具体的には、前記シリコン融液の表面を０としたとき、前記０から−１００mmに該当する位置に最大磁場を印加することが好ましい。前記磁場の強さは１５００G〜３５００Gの強度を有することができる。これにより、シリコン融液の温度偏差を低減させることができる。従って、転位を制御することができる。
前記種結晶を用意するステップ(ＳＴ２００)では、結晶方位が[１１０]の種結晶を用意することができる。前記種結晶から結晶方位が[１１０]のインゴットを成長させることができる。
前記種結晶のホウ素は８.５×１０１８atoms/cm３〜１.７×１０１９atoms/cm３の濃度を有することができる。すなわち、前記種結晶のホウ素の濃度は前記シリコン融液のドーピング濃度と対応することができる。これにより、前記シリコン融液と前記種結晶の濃度差によるミスフィットの発生を制御することができる。このようなミスフィット転位は、シリコン融液のドーピング濃度と種結晶のドーピング濃度が異なると、格子定数差によって種結晶がシリコン融液に接触する時種結晶内に発生する転位である。本実施例では、このようなミスフィット転位を制御して高品質の単結晶を成長させることができる。
次に、前記ネック部を成長させるステップ(ＳＴ３００)では、前記種結晶からネック部を成長させることができる。すなわち、前記種結晶から細長い形状の単結晶ネック部Ｎを成長させることができる。
前記ネック部を成長させるステップ(ＳＴ３００)では、前記ネック部は３.０mm/min〜３.２mm/minの成長速度を有することができる。これにより、転位速度より早くネック部を成長させて、転位を制御することができる。
ネック部の成長速度が２mm/minより小さい場合には、ネック部の直径が大きくなるので、[１１０]結晶でのネック部の転位制御がより難しくなる問題点が発生し、ネック部の成長速度が４mm/minより大きい場合には、ネック部の直径が小さくなるので、荷重に弱い問題点がある。従って、ネック部の成長速度は、３〜３.２mm/minの範囲となることが好ましい。
図２に示すように、前記ネック部Ｎは４００mm以上の長さｌを有する。また、前記ネック部Ｎは４mm〜８mmの直径ｄを有する。前記ネック部Ｎの直径ｄが従来のネック部の直径より厚くなることで、大きさが大きい高重量のインゴットを支持することができる。すなわち、工程不良を防止し、工程収率を向上させることができる。
詳しくは、ネック部の直径が４mm未満になると、直径３００mm以上の大容量インゴットを成長させるとき、荷重に耐え切れず損傷が発生し、結局損失が発生することになる。そして、ネック部の直径が８mmを超える場合には、ネック部の転位を制御できなくなる。
ネック部を成長させるときに、ネック部の直径を４mm〜８mmにし、長さを４００mm以上とすることが好ましいことに対して、実験結果を参照して説明する。
以下の表は、ネック部の直径に応じた転位観測長さの実験データを整理したものであり、図４は表の実験データをグラフ化したものである。
Figure 2015514674
上記表１および図４に示すように、ネック部の長さが４００mmより小さい場合、転位観測長さが短いので生産性は向上するものの、[１１０]結晶は転位制御が難しくなるので、製品品質に問題が生じる。
従って、本発明のように、ネック部の直径を４〜８mmにして転位制御をより容易にするためには、ネック部の長さを４００mm以上にする必要がある。
前記インゴットを成長させるステップ(ＳＴ４００)では、前記ネック部ＮからインゴットＩを成長させることができ、結晶方位が[１１０]のインゴットを成長させることができる。すなわち、従来の半導体素子の限界を克服できる新たな結晶方向のウェハを製造することができ、結晶方位が[１１０]のインゴットから素子効率が向上したウェハを製造することができる。
前記インゴットを成長させるステップ(ＳＴ４００)では、前記インゴットの引き上げ速度は０.９mm/min以上の引き上げ速度を有することができる。これにより、冷却体が含まれた成長装置で、結晶の冷却速度を高めて熱応力を高めることができる。また、転位を増殖させて、多結晶化の有無を肉眼で確認して単結晶を確保することができる。
一方、前記インゴットを成長させるステップ(ＳＴ４００)では、前記ネック部Ｎから目標直径まで直径を拡張させるショルダーリング(shouldering)ステップおよび目標直径を維持しながらシリコン単結晶インゴットを成長させるボディ成長ステップを含むことができる。
以下、図３を参照して、実施例に係るインゴットの成長方法に用いられるインゴット製造装置を説明する。図３は、実施例に係るインゴットの成長方法に用いられるインゴット製造装置の断面図である。
図３に示すように、実施例に係るシリコン単結晶インゴットの成長装置は、シリコンウェハを製造する方法のうちチョクラルスキー法に用いられる製造装置からなることができる。
実施例に係るシリコン単結晶インゴットの成長装置は、チャンバ１０、原料を収容することができる第１ルツボ２０、カバー部１００、第２ルツボ２２、ルツボ回転軸２４、インゴットを引き上げる引き上げ機構３０、熱を遮断する熱シールド４０および抵抗ヒータ７０、断熱材８０および磁場発生装置９０を含む。
以下、これをより具体的に説明するようにする。
図３に示すように、第１ルツボ２０は原料を収容することができる。前記第１ルツボ２０は、ポリシリコンを収容することができる。また、前記第１ルツボ２０は、前記ポリシリコンが溶融された溶融シリコンを収容することができる。前記第１ルツボ２０は、石英を含むことができる。
前記第２ルツボ２２は、前記第１ルツボ２０を支持することができる。前記第２ルツボ２２は、グラファイトを含むことができる。
前記第１ルツボ２０は、前記ルツボ回転軸２４により時計または反時計方向に回転することができる。前記第１ルツボ２０の上部には、種結晶が付着されてこれを引き上げる引き上げ機構３０が位置し、前記引き上げ機構３０は前記ルツボ回転軸２４の回転方向と反対方向に回転することができる。
前記引き上げ機構３０に付着された種結晶をシリコン融液ＳＭに浸漬した後、前記引き上げ機構３０を回転させながら引き上げることで、シリコン単結晶を成長させてインゴットＩを製造することができる。
次に、第２ルツボ２２に隣接して、第１ルツボ２０に熱を加える抵抗ヒータ７０が設けられる。このような抵抗ヒータ７０の外側に断熱材８０が設けられる。抵抗ヒータ７０は、ポリシリコンを融液させてシリコン融液ＳＭを製作することに必要な熱を供給し、製造工程中もシリコン融液ＳＭに継続的に熱を供給する。
一方、第１ルツボ２０に収容されたシリコン融液ＳＭは、高温であり、シリコン融液ＳＭの界面から熱を放出することになる。この時多くの熱が放出されると、シリコン単結晶インゴットを成長させることに必要なシリコン融液ＳＭの適正温度を維持し難しい。従って、界面から放出される熱を最小化し、放出された熱がシリコン単結晶インゴットの上部に伝達されないようにしなければならない。このために、シリコン融液ＳＭおよびシリコン融液ＳＭの界面が高温の温度環境を維持できるように熱シールド４０が設置される。
熱シールド４０は、熱的環境を所望状態に維持させて安定した結晶成長が行われるようにするために、多様な形状を有することができる。一例として、熱シールド４０は、シリコン単結晶インゴットの周囲を取り囲むように、内部が中空の円筒状を有することができる。このような熱シールド４０は、一例として、グラファイト、グラファイトフェルトまたはモリブデンなどを含むことができる。
チャンバ１０の外部には、シリコン融液ＳＭに磁場を印加して、シリコン融液ＳＭの対流を制御できる磁場発生装置９０が設けられる。このような磁場発生装置９０は、シリコン単結晶インゴットの結晶成長軸に垂直な方向、すなわち、水平磁場(magnet field、MF)を発生させる装置からなることができる。本実施例で、前記磁場発生装置９０は、シリコンを溶融させる工程から作用する。特に、前記磁場発生装置９０は、前記シリコン融液の表面の下部に磁場を印加することができる。
以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは、少なくとも一つの実施例に組合せることができ、必ず一つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示した特徴、構造、効果などは、当業者であれば、別の実施例に組合せたり変形して実施可能であり、このような組合せと変形も本発明の範囲内に含まれるものであると解釈されるべきである。
本発明は、インゴットの成長装置およびその方法に利用できるので、産業上の利用可能性が高い。

Claims (12)

  1. シリコンを溶融してシリコン融液を用意するステップと、
    結晶方位が[１１０]の種結晶を用意するステップと、
    前記種結晶からネック部を成長させるステップと、
    前記ネック部から結晶方位が[１１０]のインゴットを成長させるステップと、を含み、
    前記ネック部の直径が４mm〜８mmであるインゴットの成長方法。
  2. 前記シリコン融液のドーピング濃度が８.５×１０１８atoms/cm３〜１.７×１０１９atoms/cm３である請求項１に記載のインゴットの成長方法。
  3. 前記シリコン融液のホウ素濃度が８.５×１０１８atoms/cm３〜１.７×１０１９atoms/cm３である請求項２に記載のインゴットの成長方法。
  4. 前記種結晶のドーピング濃度が８.５×１０１８atoms/cm３〜１.７×１０１９atoms/cm３である請求項１に記載のインゴットの成長方法。
  5. 前記種結晶のホウ素濃度が８.５×１０１８atoms/cm３〜１.７×１０１９atoms/cm３である請求項４に記載のインゴットの成長方法。
  6. 前記ネック部の長さは４００mm以上である請求項１に記載のインゴットの成長方法。
  7. 前記ネック部を成長させるステップでは、前記ネック部の成長速度が３.０mm/min〜３.２mm/minである請求項１に記載のインゴットの成長方法。
  8. 前記インゴットを成長させるステップでは、前記インゴットの引き上げ速度が０.９mm/min以上である請求項１に記載のインゴットの成長方法。
  9. 前記シリコン融液を用意するステップで磁場が印加される請求項１に記載のインゴットの成長方法。
  10. 前記シリコン融液の表面の下部に磁場が印加される請求項９に記載のインゴットの成長方法。
  11. 前記磁場の強さは１５００G〜３５００Gである請求項９に記載のインゴットの成長方法。
  12. 請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のインゴットの成長方法によって成長された結晶方位が[１１０]のインゴット。
JP2015508844A 2012-04-23 2012-11-30 インゴットの成長方法およびインゴット Pending JP2015514674A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0041987 2012-04-23
KR1020120041987A KR101403800B1 (ko) 2012-04-23 2012-04-23 잉곳 성장 방법 및 잉곳
PCT/KR2012/010332 WO2013162145A1 (en) 2012-04-23 2012-11-30 Method of growing ingot and ingot

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015514674A true JP2015514674A (ja) 2015-05-21

Family

ID=49483404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015508844A Pending JP2015514674A (ja) 2012-04-23 2012-11-30 インゴットの成長方法およびインゴット

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20150044467A1 (ja)
JP (1) JP2015514674A (ja)
KR (1) KR101403800B1 (ja)
CN (1) CN104246024A (ja)
DE (1) DE112012006260T5 (ja)
WO (1) WO2013162145A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101680213B1 (ko) * 2015-04-06 2016-11-28 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법
US11282490B2 (en) 2018-09-15 2022-03-22 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Dark acoustic metamaterial cell for hyperabsorption
US11585010B2 (en) * 2019-06-28 2023-02-21 Globalwafers Co., Ltd. Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant
US11987900B2 (en) 2020-11-11 2024-05-21 Globalwafers Co., Ltd. Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003091483A1 (fr) * 2002-04-24 2003-11-06 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de production de silicium monocristallin, silicium monocristallin et plaquette de silicium
JP2003313089A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ
JP2007022865A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法
JP2008063165A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法
JP2008088045A (ja) * 2006-09-05 2008-04-17 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP2008254958A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3841863B2 (ja) * 1995-12-13 2006-11-08 コマツ電子金属株式会社 シリコン単結晶の引き上げ方法
JP2001151600A (ja) * 1999-11-24 2001-06-05 Showa Denko Kk Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法
JP2007045682A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Sumco Corp シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ
CN100585031C (zh) * 2006-12-06 2010-01-27 天津市环欧半导体材料技术有限公司 <110>无位错硅单晶的制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003313089A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ
WO2003091483A1 (fr) * 2002-04-24 2003-11-06 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de production de silicium monocristallin, silicium monocristallin et plaquette de silicium
JP2007022865A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法
JP2008063165A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法
JP2008088045A (ja) * 2006-09-05 2008-04-17 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP2008254958A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Sumco Corp シリコン単結晶の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130119096A (ko) 2013-10-31
KR101403800B1 (ko) 2014-06-03
WO2013162145A1 (en) 2013-10-31
DE112012006260T5 (de) 2015-02-05
CN104246024A (zh) 2014-12-24
US20150044467A1 (en) 2015-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9469917B2 (en) Dopant feeder of ignot growing apparatus
US10087549B2 (en) Method for producing sic single crystal having low defects by solution process
JP2014509584A (ja) 単結晶インゴットの製造方法およびこれによって製造された単結晶インゴットとウェハ
CN106715765B (zh) 单晶的制造方法及硅晶片的制造方法
TW201723242A (zh) 具有均勻徑向氧變化的矽晶圓
JP4142332B2 (ja) 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ
JP2005306653A (ja) シリコン単結晶の製造方法
KR101310292B1 (ko) 사파이어 시드 및 그 제조방법과 사파이어 단결정의 제조방법
TW200305664A (en) Method for producing silicon single crystal and, silicon single crystal and silicon wafer
JP2015514674A (ja) インゴットの成長方法およびインゴット
JP2011195414A (ja) 四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法及び四角形のシリコンウェ−ハ
JP2009091233A (ja) シリコンインゴット成長方法
JP6645409B2 (ja) シリコン単結晶製造方法
JP4060106B2 (ja) 一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材
JP2007070131A (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
JP2008266090A (ja) シリコン結晶素材及びこれを用いたｆｚシリコン単結晶の製造方法
JP2018140903A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
WO2004092455A1 (ja) 単結晶の製造方法
WO2004065666A1 (ja) Ｐドープシリコン単結晶の製造方法及びｐドープｎ型シリコン単結晶ウェーハ
US20140109824A1 (en) Method of growing silicon single crystal
JP4899608B2 (ja) 半導体単結晶の製造装置及び製造方法
JP2007284324A (ja) 半導体単結晶の製造装置及び製造方法
JP4655861B2 (ja) 電子デバイス用基板の製造方法
JP5924181B2 (ja) Ｆｚ単結晶シリコンの製造方法
JP5617812B2 (ja) シリコン単結晶ウエーハ、エピタキシャルウエーハ、及びそれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141201

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150915

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150924

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160315