JP2007070131A - エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 種結晶として5×1018atoms/cm3以上のボロンが添加された無転位単結晶をシリコン融液に浸漬させ、前記種結晶のボロン濃度と同一のボロン濃度を有する成長結晶を前記無転位単結晶の<110>方向を軸にして引き上げて単結晶シリコンインゴットを形成し、該単結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコン単結晶基板を切り出し、該シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を採用する。
【選択図】 図9
Description
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶基板にエピタキシャル層が形成されてなるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であり、種結晶として5×1018atoms/cm3以上のボロンが添加された無転位単結晶をシリコン融液に浸漬させ、前記種結晶のボロン濃度と同一のボロン濃度を有する成長結晶を前記無転位単結晶の<110>方向を軸にして引き上げて単結晶シリコンインゴットを形成し、該単結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコン単結晶基板を切り出し、該シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成することを特徴とする。
また本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法においては、前記単結晶シリコンインゴットから前記シリコン単結晶基板を切り出す際に、{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させた方向にスライスすることが好ましい。
また本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法においては、{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させる傾斜角度が0°を越えて4°以下の範囲であることが好ましい。
更に本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法においては、前記シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成する際の成長温度を1100℃以上とすることが好ましい。
なお、前記種結晶のボロン濃度と同一のボロン濃度とは、完全に同一濃度の他、種結晶のボロン濃度に対して±50%程度の範囲の濃度を含むものとする。
また、シリコン単結晶基板を切り出す際に、{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させた方向にスライスすることにより、主平面が{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜された面となるシリコン単結晶基板が形成され、この主平面上にエピタキシャル層を形成することで、エピタキシャル層表面のヘイズが低減され、平坦性の高いエピタキシャルシリコンウェーハが得られる。
{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させた方向にシリコン単結晶インゴットをスライスすると、シリコン単結晶基板の主平面が、{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜された面となる。このような主平面に対してエピタキシャル層を成長させると、原子レベルのステップエッジの成長する方向が主平面{110}に対してこの面方位に垂直な<110>方向に近い方向となり、主平面を{110}面にした従来の場合と比較してエピタキシャル層表面のヘイズおよびLPDが低減される。すなわち、主平面を{110}面にした従来のシリコン単結晶基板では、{110}面に対してこの面方位に垂直な<112>方向のファセットを形成してしまう。結果、ファセット構造により大きな段差が生じることになる。主平面を{110}面に対してこれに垂直な<100>方向に傾斜された面とすることで、前記ファセット構造による段差を低減することでヘイズの発生原因となる凹凸が小さくなり、ヘイズが低減されることになる。
そして、このとき傾斜角度を0°を越えて4°以下の範囲とすることで、{110}面におけるステップエッジ同士の間隔がより狭まり、平坦性がより優れたエピタキシャルシリコンウェーハが得られる。
更にまた、エピタキシャル層を形成する際の成長温度を1100℃以上とすることで、エピタキシャル成長時のシリコン表面における反応性を高め、表面凹凸及びヘイズレベルを低く抑えることができる。
また本発明のエピタキシャルシリコンウェーハにおいては、{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させる傾斜角度が0°を越えて4°以下の範囲であることが好ましい。
また本発明のエピタキシャルシリコンウェーハにおいては、前記シリコン単結晶基板にボロンが添加され、このボロン濃度が5×1018atoms/cm3以上とされていることが好ましい。
また、シリコン単結晶基板のボロン濃度が5×1018atoms/cm3以上とされているので、低抵抗な基板が得られる。
更に、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハによれば、シリコン単結晶基板の主平面が{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜された面であり、この主平面上にエピタキシャル層を形成することで、エピタキシャル層表面のLPDおよびヘイズが低減され、平坦性の高いエピタキシャルシリコンウェーハが得ることができる。
図1および図2に示すように、シリコン単結晶基板2は略円板状の基板であり、後述する製造方法により形成されたものである。また、シリコン単結晶基板2には、その外周の一部が切り欠けられてオリエンテーションノッチ4(以下ノッチと表記する)がたとえば[1−10]方向に設けられている。また、シリコン単結晶基板2には、ドーパントとしてボロンが含有されている。このボロン濃度は5×1018atoms/cm3以上とされており、これによりシリコン単結晶基板がp++型のシリコン基板とされている。なお、上記の「[1−10]方向」なる表記のうちの「−1」は、本来、「1」の上に横棒を引いた表記となるべきものを「−1」を表したものである。
すなわち、主平面{110}に対してこの面方位に垂直な<100>方向への微傾斜面を有する基板をエピタキシャル成長用基板として用いることで、ステップエッジ方向を主平面{110}に対してこの面方位に垂直な<110>方向へ固定することができる。この時、ファセット構造による段差が小さくなり、エピタキシャル層のヘイズを低減することができる。
{110}方向に対する主平面2aの面方向2bの傾斜角度αは、傾斜角度は0°を越えて4°以下の範囲とされている。傾斜角度αがこの範囲であれば、エピタキシャル層3の表面3aにおけるヘイズおよびLPDの低減効果が大きくなる。
図7に、本実施形態において好適に用いられる単結晶シリコンの製造装置を示す。図7に示す製造装置は、本体部20、引上げ装置11、及び図示略の制御装置を含んで構成されている。本体部20のチャンバ21内には、シリコン融液Mを収容する坩堝22が設けられており、この坩堝22の外面は黒鉛サセプタ23によって被覆されている。坩堝22は石英等で形成されている。
また、坩堝22の外周面は坩堝22から所定の間隔をあけて配置されたヒータ26により包囲されており、このヒータ26の外周面はヒータ26から所定の間隔をあけて配置された保温筒27により包囲されている。ヒータ26は、例えば高周波加熱装置又は抵抗加熱装置から構成され、坩堝22に投入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・融解してシリコン融液Mにする。このシリコン融液Mには、ドーパントとしてのボロンが6.24×1018atoms/cm3以上7.89×1019atoms/cm3以下に範囲で添加されている。
次に、得られたシリコン単結晶基板2の主平面2a上にエピタキシャル層3を形成する。エピタキシャル層の形成工程は、エピタキシャル反応炉中にシリコン単結晶基板を挿入し、反応炉内を窒素等の不活性ガスでパージし、次に水素でパージし、所定のエッチング温度に昇温するとともに水素ベーキング並びにHClによる気相エッチングを行い、次に反応炉内を1100℃以上の成長温度に設定するとともにシラン等の反応ガスを導入してエピタキシャル層を成長させ、次に反応ガスをパージするとともに反応炉内を降温する。このようにして図12に示すように、シリコン単結晶基板2上にエピタキシャル層3を形成する。エピタキシャル層を形成する際の成長温度を1100℃以上、好ましくは1100℃以上1150℃以下とすることにより、エピタキシャル成長時のシリコン表面における反応性を高め、表面凹凸及びヘイズレベルを低く抑えることができる。
単結晶シリコンインゴットからシリコン単結晶基板を切り出す際には、実験例11についてはシリコン単結晶基板の主平面(110)面を[001]方向に0.41°傾けた面となるように切り出した。また実験例12についてはシリコン単結晶基板の主平面(110)面を[1−10]方向に0.42°傾けた面とした。
また、エピタキシャル層の積層条件は、反応炉内を窒素等の不活性ガスでパージし、次に水素でパージし、1100℃のベーキング温度に昇温するとともに水素ベーキングを40秒間行ない、次に反応炉内を1100℃の成長温度に設定するとともにトリクロルシラン等からなる反応ガスを導入して厚み3μmのエピタキシャル層を成長させ、次に反応ガスをパージするとともに反応炉内を室温まで降温させる条件とした。
Claims (7)
- シリコン単結晶基板にエピタキシャル層が形成されてなるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であり、
種結晶として5×1018atoms/cm3以上のボロンが添加された無転位単結晶をシリコン融液に浸漬させ、前記種結晶のボロン濃度と同一のボロン濃度を有する成長結晶を前記無転位単結晶の<110>方向を軸にして引き上げて単結晶シリコンインゴットを形成し、該単結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコン単結晶基板を切り出し、該シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記単結晶シリコンインゴットから前記シリコン単結晶基板を切り出す際に、{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させた方向にスライスすることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- {110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させる傾斜角度が0°を越えて4°以下の範囲であることを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成する際の成長温度を1100℃以上とすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
- シリコン単結晶基板にエピタキシャル層が形成されてなるエピタキシャルシリコンウェーハであり、
前記シリコン単結晶基板の主平面が、{110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜された面であることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。 - {110}面に対してこの面方位に垂直な<100>方向に傾斜させる傾斜角度が0°を越えて4°以下の範囲であることを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
- 前記シリコン単結晶基板にボロンが添加され、このボロン濃度が1×1019atoms/cm3以上とされていることを特徴とする請求項5または請求項6に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
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