JP2002145697A - 単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法 - Google Patents
単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002145697A JP2002145697A JP2001266424A JP2001266424A JP2002145697A JP 2002145697 A JP2002145697 A JP 2002145697A JP 2001266424 A JP2001266424 A JP 2001266424A JP 2001266424 A JP2001266424 A JP 2001266424A JP 2002145697 A JP2002145697 A JP 2002145697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- defect
- single crystal
- crystal silicon
- central axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インゴットの引上げ速度を大きく増加させて
その生産性を向上できる、微細な線幅の高集積デバイス
工程にも使用可能なウェーハを提供すること。 【解決手段】 ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在
できるようにインゴットを成長させる引上げ速度を維持
し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調節し
て半径方法への熱履歴の均一度を増加させことでインゴ
ットを成長させた後、そのインゴットをスライスしてウ
ェーハを作製する。該ウェーハの周縁部から中心軸方向
へ凝集ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでＯＳＦ
リングが存在し、ＯＳＦリング内側から中心軸方向に、
ＤＳＯＤ欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥はない微
小欠陥領域が存在する単結晶シリコンウェーハが得られ
る。
その生産性を向上できる、微細な線幅の高集積デバイス
工程にも使用可能なウェーハを提供すること。 【解決手段】 ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在
できるようにインゴットを成長させる引上げ速度を維持
し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調節し
て半径方法への熱履歴の均一度を増加させことでインゴ
ットを成長させた後、そのインゴットをスライスしてウ
ェーハを作製する。該ウェーハの周縁部から中心軸方向
へ凝集ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでＯＳＦ
リングが存在し、ＯＳＦリング内側から中心軸方向に、
ＤＳＯＤ欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥はない微
小欠陥領域が存在する単結晶シリコンウェーハが得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（Czochralski法、以下、ＣＺ法という。）を用いた
単結晶シリコンインゴットの製造方法、シリコンインゴ
ット及びこれから作られたシリコンウェーハに関する。
特に、結晶インゴットの成長及び冷却条件を半径方向に
均一化し、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）リングがインゴ
ットの半径周縁部に存在するように引上げ速度を調節し
てインゴットを成長させることにより、中心軸とＯＳＦ
リングとの間に存在するベーカンシー型（vacancy-typ
e）の欠陥領域で、粗大欠陥領域を減らすと共に微小欠
陥領域を増やす技術に関する。
法（Czochralski法、以下、ＣＺ法という。）を用いた
単結晶シリコンインゴットの製造方法、シリコンインゴ
ット及びこれから作られたシリコンウェーハに関する。
特に、結晶インゴットの成長及び冷却条件を半径方向に
均一化し、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）リングがインゴ
ットの半径周縁部に存在するように引上げ速度を調節し
てインゴットを成長させることにより、中心軸とＯＳＦ
リングとの間に存在するベーカンシー型（vacancy-typ
e）の欠陥領域で、粗大欠陥領域を減らすと共に微小欠
陥領域を増やす技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体などの電子部品を生産するための
素材として用いられるシリコンウェーハ（wafer）は単
結晶シリコンインゴット（ingot）をスライスして作製
する。単結晶シリコンインゴットを製造する代表的な方
法としてはＣＺ法がある。このＣＺ法では、単結晶のシ
ード結晶（seed crystal）をシリコン融液内に浸漬した
後、ゆっくりと引き上げながら結晶成長を行う。これに
ついての説明はS. Wolf and R.N. Tauber氏の論文「Sil
icon Processing for the VLSI Era, Volume 1, Latti
ce Press (1986), Sunset Beach, CA,」に詳細に記述さ
れている。
素材として用いられるシリコンウェーハ（wafer）は単
結晶シリコンインゴット（ingot）をスライスして作製
する。単結晶シリコンインゴットを製造する代表的な方
法としてはＣＺ法がある。このＣＺ法では、単結晶のシ
ード結晶（seed crystal）をシリコン融液内に浸漬した
後、ゆっくりと引き上げながら結晶成長を行う。これに
ついての説明はS. Wolf and R.N. Tauber氏の論文「Sil
icon Processing for the VLSI Era, Volume 1, Latti
ce Press (1986), Sunset Beach, CA,」に詳細に記述さ
れている。
【０００３】以下、ＣＺ法による一般的な単結晶シリコ
ンインゴットの製造段階を概略的に説明する。
ンインゴットの製造段階を概略的に説明する。
【０００４】まず、シード結晶から薄く長い結晶に成長
させるネッキング（necking）段階が行なわれ、つい
で、結晶を直径方向に成長させて目標直径とするショル
ダーリング（shouldering）段階がこれに続く。つい
で、一定の直径を持つ結晶に成長させるボディグローイ
ング（body growing）段階が行なわれる。この際、ボデ
ィグローイング段階によって成長した部分がウェーハに
なる。さらに、一定の直径までボディグローイングが行
った後、結晶の直径を徐々に減少させ、最後に融液シリ
コン（シリコン融液）からボディを分離するテーリング
（tailing）段階を経て結晶成長段階が終了する。
させるネッキング（necking）段階が行なわれ、つい
で、結晶を直径方向に成長させて目標直径とするショル
ダーリング（shouldering）段階がこれに続く。つい
で、一定の直径を持つ結晶に成長させるボディグローイ
ング（body growing）段階が行なわれる。この際、ボデ
ィグローイング段階によって成長した部分がウェーハに
なる。さらに、一定の直径までボディグローイングが行
った後、結晶の直径を徐々に減少させ、最後に融液シリ
コン（シリコン融液）からボディを分離するテーリング
（tailing）段階を経て結晶成長段階が終了する。
【０００５】かかる結晶成長工程はホットゾーンという
空間で行われるが、ホットゾーンとは結晶成長装置（Gr
ower）でシリコン融液が単結晶インゴットに成長する周
囲の空間のことを意味する。結晶成長装置はシリコン融
液容器、加熱装置、保温構造物、インゴット引上げ装
置、など様々な部品からなる。
空間で行われるが、ホットゾーンとは結晶成長装置（Gr
ower）でシリコン融液が単結晶インゴットに成長する周
囲の空間のことを意味する。結晶成長装置はシリコン融
液容器、加熱装置、保温構造物、インゴット引上げ装
置、など様々な部品からなる。
【０００６】一方、単結晶インゴット内部の欠陥特性は
結晶の成長及び冷却条件に極めて敏感に依存するので、
結晶の成長界面付近の熱環境を調節して成長欠陥の種類
及び分布を制御しようとする努力が続けられている。
結晶の成長及び冷却条件に極めて敏感に依存するので、
結晶の成長界面付近の熱環境を調節して成長欠陥の種類
及び分布を制御しようとする努力が続けられている。
【０００７】成長欠陥は凝集ベーカンシー型（agglomer
ated vacancy-type）とインタースティシャル型（inter
stitial type）とに大別される。ベーカンシー点欠陥や
インタースティシャル点欠陥が平衡濃度以上に存在する
と、凝集が起こり、立体的な欠陥に展開すると言われ
る。
ated vacancy-type）とインタースティシャル型（inter
stitial type）とに大別される。ベーカンシー点欠陥や
インタースティシャル点欠陥が平衡濃度以上に存在する
と、凝集が起こり、立体的な欠陥に展開すると言われ
る。
【０００８】ボロンコフ理論（by V.V. Voronkov, The
Mechanism of Swirl Defects Formation in Silicon, J
ournal of Crystal Growth, Vol. 59, 1982, pp.625-64
3)によれば、このような欠陥の形成はＶ／Ｇ比と密接な
関係を有していることがわかる。ここで、Ｖ（ｍｍ／
分）はインゴットの引上げ速度、Ｇ（℃／ｍｍ）はイン
ゴット−シリコン融液の接触面の温度勾配である。即
ち、Ｖ／Ｇ比がある臨界値を超えるとベーカンシー型欠
陥が形成され、それ以下ではインタースティシャル型欠
陥が形成される。従って、与えられたホットゾーンで結
晶を成長させる場合には、引上げ速度により、結晶内に
存在する欠陥の種類、サイズ、密度などが影響を受け
る。
Mechanism of Swirl Defects Formation in Silicon, J
ournal of Crystal Growth, Vol. 59, 1982, pp.625-64
3)によれば、このような欠陥の形成はＶ／Ｇ比と密接な
関係を有していることがわかる。ここで、Ｖ（ｍｍ／
分）はインゴットの引上げ速度、Ｇ（℃／ｍｍ）はイン
ゴット−シリコン融液の接触面の温度勾配である。即
ち、Ｖ／Ｇ比がある臨界値を超えるとベーカンシー型欠
陥が形成され、それ以下ではインタースティシャル型欠
陥が形成される。従って、与えられたホットゾーンで結
晶を成長させる場合には、引上げ速度により、結晶内に
存在する欠陥の種類、サイズ、密度などが影響を受け
る。
【０００９】図１及び図２は従来の方法で成長させたイ
ンゴットの特性を説明するための図である。
ンゴットの特性を説明するための図である。
【００１０】図１は、引上げ速度を変化させながら成長
させたインゴットの縦断面に沿って生成した欠陥領域を
示す図である。この図に示すインゴットは、初めのうち
は図の上部分を高速で引き上げて成長させるが、その後
は徐々に引上げ速度を減らしながら下部分まで成長させ
たものである。即ち、下部分は低速で成長させ、上部分
は引上げ速度を増加させて成長させたものである。
させたインゴットの縦断面に沿って生成した欠陥領域を
示す図である。この図に示すインゴットは、初めのうち
は図の上部分を高速で引き上げて成長させるが、その後
は徐々に引上げ速度を減らしながら下部分まで成長させ
たものである。即ち、下部分は低速で成長させ、上部分
は引上げ速度を増加させて成長させたものである。
【００１１】図１に示すように、低速で成長させた部分
にはインタースティシャル型欠陥領域１１が存在し、高
速で引上げながら形成させた部分にはベーカンシー型欠
陥領域１２が存在する。そして、ベーカンシー型欠陥領
域１２とインタースティシャル型欠陥領域１１との間に
は、凝集ベーカンシー型欠陥領域１２からみて、酸化誘
起積層欠陥(Oxidation Induced Stacking Fault:以下Ｏ
ＳＦという)領域１３、凝集ベーカンシー無欠陥領域１
４、凝集インタースティシャル無欠陥領域１５が順次生
成される。
にはインタースティシャル型欠陥領域１１が存在し、高
速で引上げながら形成させた部分にはベーカンシー型欠
陥領域１２が存在する。そして、ベーカンシー型欠陥領
域１２とインタースティシャル型欠陥領域１１との間に
は、凝集ベーカンシー型欠陥領域１２からみて、酸化誘
起積層欠陥(Oxidation Induced Stacking Fault:以下Ｏ
ＳＦという)領域１３、凝集ベーカンシー無欠陥領域１
４、凝集インタースティシャル無欠陥領域１５が順次生
成される。
【００１２】引上げ速度を一定レベル以上増加させる
と、ＯＳＦ領域１３が断面の周縁部に押され、結局断面
全体にベーカンシー型欠陥領域１２が分布されることに
なる。
と、ＯＳＦ領域１３が断面の周縁部に押され、結局断面
全体にベーカンシー型欠陥領域１２が分布されることに
なる。
【００１３】逆に、引上げ速度を減少させると、ＯＳＦ
領域１３が断面の中心部に収縮し、結局は消滅し、凝集
ベーカンシー無欠陥領域１４が現れる。引上げ速度を更
に減少させると、凝集インタースティシャル無欠陥領域
１５が現れ、ついには断面全体にインタースティシャル
型欠陥領域１１が存在することになる。
領域１３が断面の中心部に収縮し、結局は消滅し、凝集
ベーカンシー無欠陥領域１４が現れる。引上げ速度を更
に減少させると、凝集インタースティシャル無欠陥領域
１５が現れ、ついには断面全体にインタースティシャル
型欠陥領域１１が存在することになる。
【００１４】しかし、従来技術では、結晶の成長時、ホ
ットゾーンの脆弱性のため、インゴットの半径方向への
垂直温度勾配（Ｇ）の冷却条件を均一化することが出来
なかった。インゴットの中心部の熱は伝導によりインゴ
ットの周縁部に伝達され輻射されるが、インゴットの周
縁部の熱は直ぐに輻射されて熱を放出するため、インゴ
ットの半径方向で垂直温度勾配の差が発生する。インゴ
ット周縁部の冷却速度がインゴット中心部の冷却速度よ
り速いので、Ｇ値は結晶中心から半径方向に行くほど大
きくなる。従って、同じ引上げ速度でも、中心部ではＶ
／Ｇ値が大きくなり、このため凝集ベーカンシー欠陥が
著しく増加する。この中心領域にはＣＯＰ（Crystal Or
iginated Particle）やＦＰＤ（Flow Pattern Defect）
などの粗大な凝集ベーカンシー欠陥が多く存在すること
になる。
ットゾーンの脆弱性のため、インゴットの半径方向への
垂直温度勾配（Ｇ）の冷却条件を均一化することが出来
なかった。インゴットの中心部の熱は伝導によりインゴ
ットの周縁部に伝達され輻射されるが、インゴットの周
縁部の熱は直ぐに輻射されて熱を放出するため、インゴ
ットの半径方向で垂直温度勾配の差が発生する。インゴ
ット周縁部の冷却速度がインゴット中心部の冷却速度よ
り速いので、Ｇ値は結晶中心から半径方向に行くほど大
きくなる。従って、同じ引上げ速度でも、中心部ではＶ
／Ｇ値が大きくなり、このため凝集ベーカンシー欠陥が
著しく増加する。この中心領域にはＣＯＰ（Crystal Or
iginated Particle）やＦＰＤ（Flow Pattern Defect）
などの粗大な凝集ベーカンシー欠陥が多く存在すること
になる。
【００１５】図２は図１の切断線IIに沿った断面の欠陥
分布を示す描写図である。
分布を示す描写図である。
【００１６】図１の切断線IIに沿った部分での引上げ速
度で引上げ、形成されたインゴットでは、ＯＳＦリング
（酸化誘起積層欠陥リング、Oxidation Induced Stacki
ng Fault Ring）１３aが該インゴットの周縁部に位置す
る。同図は、インゴットの引上げ速度を高速に調節して
ＣＺ法で成長させた単結晶横断面の典型的な欠陥分布を
示している。
度で引上げ、形成されたインゴットでは、ＯＳＦリング
（酸化誘起積層欠陥リング、Oxidation Induced Stacki
ng Fault Ring）１３aが該インゴットの周縁部に位置す
る。同図は、インゴットの引上げ速度を高速に調節して
ＣＺ法で成長させた単結晶横断面の典型的な欠陥分布を
示している。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】図２に示すように、イ
ンゴット１０の中心部には広い範囲の粗大凝集ベーカン
シー欠陥領域１２が存在し、その周りにＯＳＦリング１
３aが存在し、その周りに凝集ベーカンシー無欠陥領域
１４が存在する。このように従来技術では、ＯＳＦリン
グ１３aがインゴット１０の周縁部に位置すると、イン
ゴット１０の中心部には粗大な凝集ベーカンシー欠陥、
即ちＣＯＰとＦＰＤなどの欠陥が存在することになるの
で、従来のインゴットは微細な線幅の高集積半導体デバ
イスを形成するためのウェーハの材料としては用いるこ
とが出来ない。
ンゴット１０の中心部には広い範囲の粗大凝集ベーカン
シー欠陥領域１２が存在し、その周りにＯＳＦリング１
３aが存在し、その周りに凝集ベーカンシー無欠陥領域
１４が存在する。このように従来技術では、ＯＳＦリン
グ１３aがインゴット１０の周縁部に位置すると、イン
ゴット１０の中心部には粗大な凝集ベーカンシー欠陥、
即ちＣＯＰとＦＰＤなどの欠陥が存在することになるの
で、従来のインゴットは微細な線幅の高集積半導体デバ
イスを形成するためのウェーハの材料としては用いるこ
とが出来ない。
【００１８】上述のように、インゴット成長のために引
上げ速度を増加させると粗大な凝集ベーカンシー欠陥が
発生するので、従来のインゴットは微細な電子回路を形
成するためのウェーハとしては用いられない。なお、粗
大な欠陥を減らすために引上げ速度を減少させると、生
産性が低下するという問題があり、更にウェーハ断面に
ベーカンシー型粗大欠陥より大きいインタースティシャ
ル欠陥（ＬＤＰ、Large Dislocation Pit）領域が形成
される恐れもあった。
上げ速度を増加させると粗大な凝集ベーカンシー欠陥が
発生するので、従来のインゴットは微細な電子回路を形
成するためのウェーハとしては用いられない。なお、粗
大な欠陥を減らすために引上げ速度を減少させると、生
産性が低下するという問題があり、更にウェーハ断面に
ベーカンシー型粗大欠陥より大きいインタースティシャ
ル欠陥（ＬＤＰ、Large Dislocation Pit）領域が形成
される恐れもあった。
【００１９】本発明はかかる従来の問題点を解決するた
めのもので、その目的は、インゴットの引上げ速度を大
きく増加させてその生産性を向上でき、微細な線幅の高
集積デバイスにも使用可能なウェーハを提供することに
ある。
めのもので、その目的は、インゴットの引上げ速度を大
きく増加させてその生産性を向上でき、微細な線幅の高
集積デバイスにも使用可能なウェーハを提供することに
ある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、インゴットを成長させる引上げ速度
を、ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在するように
維持し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調
節して半径方向への熱履歴（thermal history）の均一
度を増加させることでインゴットを成長させた後、その
インゴットをスライスしてウェーハを作製する。従って
本発明では、該ウェーハの周縁部から中心軸方向へ凝集
ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでＯＳＦリング
が存在し、ＯＳＦリング内側から中心軸方向に、ＤＳＯ
Ｄ欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥はない微小欠陥
領域が存在する単結晶シリコンウェーハが提供される。
に、本発明では、インゴットを成長させる引上げ速度
を、ＯＳＦリングがインゴット周辺部に存在するように
維持し、単結晶が成長するホットゾーンの冷却条件を調
節して半径方向への熱履歴（thermal history）の均一
度を増加させることでインゴットを成長させた後、その
インゴットをスライスしてウェーハを作製する。従って
本発明では、該ウェーハの周縁部から中心軸方向へ凝集
ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでＯＳＦリング
が存在し、ＯＳＦリング内側から中心軸方向に、ＤＳＯ
Ｄ欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥はない微小欠陥
領域が存在する単結晶シリコンウェーハが提供される。
【００２１】さらに、本発明は微小欠陥領域が少なくと
も半径の１０％以上のもの、２０％以上のもの、３０％
以上のもの、また微小欠陥領域がＯＳＦリングから中心
軸までの全領域を占めるもの、微小欠陥領域とＯＳＦリ
ングのみが存在するもの、ウェーハには０．０８μｍ以
上のＣＯＰ欠陥が２０個以下に存在するもの、初期酸素
濃度が１２ｐｐｍａ以下であるもの、などを提供するこ
とを特徴とする。
も半径の１０％以上のもの、２０％以上のもの、３０％
以上のもの、また微小欠陥領域がＯＳＦリングから中心
軸までの全領域を占めるもの、微小欠陥領域とＯＳＦリ
ングのみが存在するもの、ウェーハには０．０８μｍ以
上のＣＯＰ欠陥が２０個以下に存在するもの、初期酸素
濃度が１２ｐｐｍａ以下であるもの、などを提供するこ
とを特徴とする。
【００２２】また本発明は、中心軸からの一定半径を有
し、中心軸方向へ一定長さのボディを有した単結晶シリ
コンインゴットにおいて、ウェーハの周縁部から中心軸
方向へ凝集ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでＯ
ＳＦリングが存在し、該ＯＳＦリング内側から中心軸方
向に、ＤＳＯＤ欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥は
ない微小欠陥領域が少なくともボディ長さの１０％以上
になる単結晶シリコンインゴットを提供することを特徴
とする。
し、中心軸方向へ一定長さのボディを有した単結晶シリ
コンインゴットにおいて、ウェーハの周縁部から中心軸
方向へ凝集ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでＯ
ＳＦリングが存在し、該ＯＳＦリング内側から中心軸方
向に、ＤＳＯＤ欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥は
ない微小欠陥領域が少なくともボディ長さの１０％以上
になる単結晶シリコンインゴットを提供することを特徴
とする。
【００２３】さらに、本発明は微小欠陥領域が少なくと
も半径の２０％以上の単結晶シリコンインゴット、微小
欠陥領域が少なくとも半径の３０％以上の単結晶シリコ
ンインゴット、微小欠陥領域がＯＳＦリングから中心軸
までの全領域を占める単結晶シリコンインゴット、微小
欠陥領域とＯＳＦリングとのみが存在する単結晶シリコ
ンインゴット、微小欠陥領域が少なくともボディ長さの
２０％以上である単結晶シリコンインゴット、微小欠陥
領域が少なくともボディ長さの３０％以上である単結晶
シリコンインゴット、微小欠陥領域が少なくともボディ
長さの４０％以上である単結晶シリコンインゴット、イ
ンゴットの初期酸素濃度は１２ｐｐｍａ以下であるシリ
コンウェーハ、などを提供することを特徴とする。
も半径の２０％以上の単結晶シリコンインゴット、微小
欠陥領域が少なくとも半径の３０％以上の単結晶シリコ
ンインゴット、微小欠陥領域がＯＳＦリングから中心軸
までの全領域を占める単結晶シリコンインゴット、微小
欠陥領域とＯＳＦリングとのみが存在する単結晶シリコ
ンインゴット、微小欠陥領域が少なくともボディ長さの
２０％以上である単結晶シリコンインゴット、微小欠陥
領域が少なくともボディ長さの３０％以上である単結晶
シリコンインゴット、微小欠陥領域が少なくともボディ
長さの４０％以上である単結晶シリコンインゴット、イ
ンゴットの初期酸素濃度は１２ｐｐｍａ以下であるシリ
コンウェーハ、などを提供することを特徴とする。
【００２４】また本発明は、中心軸からの一定半径を有
し、中心軸方向へ一定長さのボディを有した単結晶シリ
コンインゴットをＣＺ法を用いて製造する方法におい
て、シリコン融液から成長するインゴットのボディの急
速な冷却を防止するために熱シールドを設置し、この熱
シールドの下端部とシリコン融液の表面との間のメルト
ギャップを調節してボディの周縁部の垂直温度勾配を少
なくし、インゴット上端部と熱シールド上端部との温度
を低くしてインゴットの中心部の垂直温度勾配を大きく
し、結局インゴットの中心部と周縁部の垂直温度勾配を
ほぼ同じくして全体的な垂直温度勾配を均一に維持しな
がら成長速度を制御することにより、ウェーハの周縁部
から中心軸方向へ半径１０％未満の凝集ベーカンシー無
欠陥領域が存在し、次いでＯＳＦリングが存在し、ＯＳ
Ｆリングの内側から中心軸方向に、ＤＳＯＤ欠陥はある
がＦＰＤサイズ以上の欠陥はない微小欠陥領域を形成す
る単結晶シリコンインゴット製造方法を提供することを
特徴とする。
し、中心軸方向へ一定長さのボディを有した単結晶シリ
コンインゴットをＣＺ法を用いて製造する方法におい
て、シリコン融液から成長するインゴットのボディの急
速な冷却を防止するために熱シールドを設置し、この熱
シールドの下端部とシリコン融液の表面との間のメルト
ギャップを調節してボディの周縁部の垂直温度勾配を少
なくし、インゴット上端部と熱シールド上端部との温度
を低くしてインゴットの中心部の垂直温度勾配を大きく
し、結局インゴットの中心部と周縁部の垂直温度勾配を
ほぼ同じくして全体的な垂直温度勾配を均一に維持しな
がら成長速度を制御することにより、ウェーハの周縁部
から中心軸方向へ半径１０％未満の凝集ベーカンシー無
欠陥領域が存在し、次いでＯＳＦリングが存在し、ＯＳ
Ｆリングの内側から中心軸方向に、ＤＳＯＤ欠陥はある
がＦＰＤサイズ以上の欠陥はない微小欠陥領域を形成す
る単結晶シリコンインゴット製造方法を提供することを
特徴とする。
【００２５】さらに、本発明は微小欠陥領域が少なくと
も半径の１０％である単結晶シリコンインゴットの製造
方法、微小欠陥領域が少なくとも半径の２０％以上の単
結晶シリコンインゴットの製造方法、微小欠陥領域が少
なくとも半径の３０％以上の単結晶シリコンインゴット
の製造方法、微小欠陥領域がＯＳＦリングから中心軸ま
での全領域を占める単結晶シリコンインゴットの製造方
法、微小欠陥領域とＯＳＦリングとのみが存在する単結
晶シリコンインゴットの製造方法、微小欠陥領域が少な
くともボディ長さの２０％以上である単結晶シリコンイ
ンゴットの製造方法、 微小欠陥領域が少なくともボデ
ィ長さの３０％以上である単結晶シリコンインゴットの
製造方法、微小欠陥領域が少なくともボディ長さの４０
％以上である単結晶シリコンインゴットの製造方法、ウ
ェーハの初期酸素濃度が１２ｐｐｍａ以下である単結晶
シリコンインゴットの製造方法、などを提供することを
特徴とする。
も半径の１０％である単結晶シリコンインゴットの製造
方法、微小欠陥領域が少なくとも半径の２０％以上の単
結晶シリコンインゴットの製造方法、微小欠陥領域が少
なくとも半径の３０％以上の単結晶シリコンインゴット
の製造方法、微小欠陥領域がＯＳＦリングから中心軸ま
での全領域を占める単結晶シリコンインゴットの製造方
法、微小欠陥領域とＯＳＦリングとのみが存在する単結
晶シリコンインゴットの製造方法、微小欠陥領域が少な
くともボディ長さの２０％以上である単結晶シリコンイ
ンゴットの製造方法、 微小欠陥領域が少なくともボデ
ィ長さの３０％以上である単結晶シリコンインゴットの
製造方法、微小欠陥領域が少なくともボディ長さの４０
％以上である単結晶シリコンインゴットの製造方法、ウ
ェーハの初期酸素濃度が１２ｐｐｍａ以下である単結晶
シリコンインゴットの製造方法、などを提供することを
特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について添付図に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【００２７】従来のインゴットの成長方法では、インゴ
ットの中心部における熱は伝導によりインゴットの外周
部に伝達され、輻射されるのに対し、インゴットの外周
部における熱は直ぐに輻射されて熱を放出するため、イ
ンゴットの半径方向への垂直温度勾配の偏差が大きくな
る。この偏差を減らすためには、インゴットの外周部の
垂直温度勾配を減らすか、インゴットの中心部の垂直温
度勾配を増やさなければならない。
ットの中心部における熱は伝導によりインゴットの外周
部に伝達され、輻射されるのに対し、インゴットの外周
部における熱は直ぐに輻射されて熱を放出するため、イ
ンゴットの半径方向への垂直温度勾配の偏差が大きくな
る。この偏差を減らすためには、インゴットの外周部の
垂直温度勾配を減らすか、インゴットの中心部の垂直温
度勾配を増やさなければならない。
【００２８】このため、熱シールド下面とシリコン融液
との間隔（メルトギャップ）を調整して、ヒーターから
インゴット外周部へ輻射される熱量を調節することによ
り、インゴット外周部の垂直温度勾配を減少させる。
との間隔（メルトギャップ）を調整して、ヒーターから
インゴット外周部へ輻射される熱量を調節することによ
り、インゴット外周部の垂直温度勾配を減少させる。
【００２９】また、インゴット上端部と熱シールド上部
とを冷却することにより、インゴット中心部の垂直温度
勾配を増加させる。
とを冷却することにより、インゴット中心部の垂直温度
勾配を増加させる。
【００３０】図５を参照しつつ詳しく説明する。熱シー
ルド５４を用いて、発熱部（Heater）５１または坩堝支
持台５７に支持される石英坩堝５６に溶けているシリコ
ン融液５２からの輻射熱（放射熱）を調節し、インゴッ
ト５３の周辺部の冷却速度を減らすことにより、半径方
向の位置別冷却速度差を減らす。この時、熱シールド５
４は、熱がシリコン融液５２から上部インゴット５３へ
円滑に伝えられないように、保温性に優れた材質のもの
を使用する。そして、熱シールド５４下部の空間５５
（メルトギャップ、Melt Gap； 熱シールド５４下面と
シリコン融液５２表面との間の間隔）からの熱の流出を
防止することにより、界面付近のインゴット周辺部の冷
却速度低下を図る。また、メルトギャップの高さを調整
してヒーターからの輻射熱の量と加熱されるインゴット
の面積とを調節することにより、冷却条件をコントロー
ルする。
ルド５４を用いて、発熱部（Heater）５１または坩堝支
持台５７に支持される石英坩堝５６に溶けているシリコ
ン融液５２からの輻射熱（放射熱）を調節し、インゴッ
ト５３の周辺部の冷却速度を減らすことにより、半径方
向の位置別冷却速度差を減らす。この時、熱シールド５
４は、熱がシリコン融液５２から上部インゴット５３へ
円滑に伝えられないように、保温性に優れた材質のもの
を使用する。そして、熱シールド５４下部の空間５５
（メルトギャップ、Melt Gap； 熱シールド５４下面と
シリコン融液５２表面との間の間隔）からの熱の流出を
防止することにより、界面付近のインゴット周辺部の冷
却速度低下を図る。また、メルトギャップの高さを調整
してヒーターからの輻射熱の量と加熱されるインゴット
の面積とを調節することにより、冷却条件をコントロー
ルする。
【００３１】半径方向への冷却条件の均一度は停止実験
（Holding Test）で確認することができた。ボロンコフ
氏の論文（V.V. Voronkov and R. Falster, Grown-in M
icrodefects, Residual Vacancies and Oxygen Precipi
tation Bands in Czochralski Silicon, Journal of Cr
ystal Growth 204, (1999) 462）によれば、停止実験を
行ったインゴット結晶には特徴的な酸素析出パターンが
現れる。
（Holding Test）で確認することができた。ボロンコフ
氏の論文（V.V. Voronkov and R. Falster, Grown-in M
icrodefects, Residual Vacancies and Oxygen Precipi
tation Bands in Czochralski Silicon, Journal of Cr
ystal Growth 204, (1999) 462）によれば、停止実験を
行ったインゴット結晶には特徴的な酸素析出パターンが
現れる。
【００３２】図３は一般的なホットゾーンで停止実験を
行ったインゴット結晶の垂直断面をＸ線トポグラフィXR
Tで示す映像である。同図で、明るい領域は酸素が多く
析出された酸素析出領域３１であり、この領域の上部に
はボイド（Void）核生成領域３３が存在する。この領域
は停止実験の際、約１０７０℃に至ったインゴット部分
に現れる。
行ったインゴット結晶の垂直断面をＸ線トポグラフィXR
Tで示す映像である。同図で、明るい領域は酸素が多く
析出された酸素析出領域３１であり、この領域の上部に
はボイド（Void）核生成領域３３が存在する。この領域
は停止実験の際、約１０７０℃に至ったインゴット部分
に現れる。
【００３３】一方、図６は半径方向への熱環境を均一化
したホットゾーンで停止実験を行ったインゴットの垂直
断面の一部をＸＲＴで示す映像である。同図はボイド核
生成領域６３と酸素析出領域６１との境界が、図３とは
異なり、半径方向へ水平に形成されたことを示す。これ
は、結晶内の点欠陥濃度及び冷却速度が半径方向へ均一
であることを間接的に示す。
したホットゾーンで停止実験を行ったインゴットの垂直
断面の一部をＸＲＴで示す映像である。同図はボイド核
生成領域６３と酸素析出領域６１との境界が、図３とは
異なり、半径方向へ水平に形成されたことを示す。これ
は、結晶内の点欠陥濃度及び冷却速度が半径方向へ均一
であることを間接的に示す。
【００３４】図４は結晶の成長及び冷却条件を半径方向
へ均一化したホットゾーンで成長させたインゴットの半
径方向の欠陥分布を概略的に示す図である。
へ均一化したホットゾーンで成長させたインゴットの半
径方向の欠陥分布を概略的に示す図である。
【００３５】インゴット半径方向への熱履歴の差を最小
化し、インゴットの全範囲がベーカンシー(vacancy)領
域として存在するようにしたホットゾーンで成長させた
単結晶インゴットをスライスしてウェーハを作製し、欠
陥分布を調査すると、図４のように示される。同図に示
すように、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）や
ＦＰＤ（Flow Pattern Defect）などの粗大な凝集ベー
カンシー欠陥が中心部４１に低密度で存在し、次いで微
小欠陥領域４２が存在し、次にＯＳＦリング４３が存在
し、その外郭に凝集ベーカンシー無欠陥領域４４が狭く
存在する。この凝集ベーカンシー無欠陥領域４４は半径
の１０％以下の幅に形成される。
化し、インゴットの全範囲がベーカンシー(vacancy)領
域として存在するようにしたホットゾーンで成長させた
単結晶インゴットをスライスしてウェーハを作製し、欠
陥分布を調査すると、図４のように示される。同図に示
すように、ＣＯＰ（Crystal Originated Particle）や
ＦＰＤ（Flow Pattern Defect）などの粗大な凝集ベー
カンシー欠陥が中心部４１に低密度で存在し、次いで微
小欠陥領域４２が存在し、次にＯＳＦリング４３が存在
し、その外郭に凝集ベーカンシー無欠陥領域４４が狭く
存在する。この凝集ベーカンシー無欠陥領域４４は半径
の１０％以下の幅に形成される。
【００３６】本発明が図２に示す従来の方法で成長させ
たインゴットの断面と著しく異なる点は、ＣＯＰやＦＰ
Ｄなどの粗大な欠陥が中心部に制限されており、微小欠
陥領域４２がその周りを取り囲んでいるということであ
る。
たインゴットの断面と著しく異なる点は、ＣＯＰやＦＰ
Ｄなどの粗大な欠陥が中心部に制限されており、微小欠
陥領域４２がその周りを取り囲んでいるということであ
る。
【００３７】ここで、粗大欠陥領域はＦＰＤ欠陥が分布
する領域を意味し、微小欠陥領域はＦＰＤは存在せず、
ＤＳＯＤ（Direct Surface Oxide Defect、参考文献：
J.G.Park, J.M.Park, K.C. Cho, G.S. Lee and H.K. Ch
ung, Electrochemical Society Proceedings 97-22（19
97）173）のみ存在する領域を意味する。ＤＳＯＤはウ
ェーハ表面付近での欠陥サイズがＦＰＤより極めて小さ
い欠陥のことを意味する。近来、集積度が高くなるのに
従い、デバイス回路線幅が急激に減少しつつあり、高集
積（６４ＭＢまたは１２８ＭＢ以上）デバイス工程に用
いられるウェーハにＦＰＤは許容されないが、ＤＳＯＤ
は問題なく許容される。
する領域を意味し、微小欠陥領域はＦＰＤは存在せず、
ＤＳＯＤ（Direct Surface Oxide Defect、参考文献：
J.G.Park, J.M.Park, K.C. Cho, G.S. Lee and H.K. Ch
ung, Electrochemical Society Proceedings 97-22（19
97）173）のみ存在する領域を意味する。ＤＳＯＤはウ
ェーハ表面付近での欠陥サイズがＦＰＤより極めて小さ
い欠陥のことを意味する。近来、集積度が高くなるのに
従い、デバイス回路線幅が急激に減少しつつあり、高集
積（６４ＭＢまたは１２８ＭＢ以上）デバイス工程に用
いられるウェーハにＦＰＤは許容されないが、ＤＳＯＤ
は問題なく許容される。
【００３８】（実施例１）成長界面付近における結晶内
の半径方向の冷却環境を均一化するためにデザインされ
た熱シールド５４は、シリコン融液５２からの熱を遮断
して結晶の容易な冷却を図ると同時に、熱シールド５４
とシリコン融液５２表面との間では結晶表面の冷却速度
を遅くして、結晶内部の冷却速度と結晶表面の冷却速度
との差を減らす役割をする。
の半径方向の冷却環境を均一化するためにデザインされ
た熱シールド５４は、シリコン融液５２からの熱を遮断
して結晶の容易な冷却を図ると同時に、熱シールド５４
とシリコン融液５２表面との間では結晶表面の冷却速度
を遅くして、結晶内部の冷却速度と結晶表面の冷却速度
との差を減らす役割をする。
【００３９】半径方向の垂直冷却速度の均一度はメルト
ギャップによって改善され、均一度を確認するために行
われた停止実験の結果は図６に基づいて既に説明した。
ギャップによって改善され、均一度を確認するために行
われた停止実験の結果は図６に基づいて既に説明した。
【００４０】このように、半径方向への垂直冷却速度を
均一に制御すると同時に、インゴットの引上げ速度を初
めのうちは増加させるが、その後は徐々に減少させなが
らインゴットを成長させて完成する。この際、酸素濃度
は周囲ガスの流れと石英坩堝５６の回転速度とを調節し
て８乃至１２ｐｐｍａとする。
均一に制御すると同時に、インゴットの引上げ速度を初
めのうちは増加させるが、その後は徐々に減少させなが
らインゴットを成長させて完成する。この際、酸素濃度
は周囲ガスの流れと石英坩堝５６の回転速度とを調節し
て８乃至１２ｐｐｍａとする。
【００４１】図７は、前述の方法で成長させた８インチ
単結晶シリコンインゴットを垂直方向に切断し、その欠
陥分布を示す概略図である。図８は図７の切断線VIIIに
沿った断面の欠陥分布を示す映像であり、図９は図７の
切断線IXに沿った断面の欠陥分布を示す映像である。
単結晶シリコンインゴットを垂直方向に切断し、その欠
陥分布を示す概略図である。図８は図７の切断線VIIIに
沿った断面の欠陥分布を示す映像であり、図９は図７の
切断線IXに沿った断面の欠陥分布を示す映像である。
【００４２】図７に示すように、引上げ速度が大きい状
態で成長するインゴットにはベーカンシー型欠陥領域７
１が圧倒的に存在するが、引上げ速度が減少すると、微
小欠陥領域７２が増加する。なお、一定速度以下に減少
すると、ＯＳＦリング７３が増加しはじめながら、ベー
カンシー型欠陥領域７１が減少しはじめる。引上げ速度
が更に減少すると、ＯＳＦリング７３がインゴットの周
縁部から中心軸のほうに移動しはじめながら、周縁部に
無欠陥領域が形成され、この面積が次第に増加する。こ
の無欠陥領域は凝集ベーカンシー無欠陥領域７４と凝集
インタースティシャル無欠陥領域７５とに大別される。
引上げ速度がまた更に減少すると、インタースティシャ
ル欠陥領域７６が発生する。
態で成長するインゴットにはベーカンシー型欠陥領域７
１が圧倒的に存在するが、引上げ速度が減少すると、微
小欠陥領域７２が増加する。なお、一定速度以下に減少
すると、ＯＳＦリング７３が増加しはじめながら、ベー
カンシー型欠陥領域７１が減少しはじめる。引上げ速度
が更に減少すると、ＯＳＦリング７３がインゴットの周
縁部から中心軸のほうに移動しはじめながら、周縁部に
無欠陥領域が形成され、この面積が次第に増加する。こ
の無欠陥領域は凝集ベーカンシー無欠陥領域７４と凝集
インタースティシャル無欠陥領域７５とに大別される。
引上げ速度がまた更に減少すると、インタースティシャ
ル欠陥領域７６が発生する。
【００４３】ここで特徴的なのは、図８及び図９に示す
ように、図におけるベーカンシー領域内の点線とＯＳＦ
リング７３との間に微小欠陥領域が存在するという点で
ある。
ように、図におけるベーカンシー領域内の点線とＯＳＦ
リング７３との間に微小欠陥領域が存在するという点で
ある。
【００４４】図８と図９とは、図７の切断線VIIIに沿っ
た断面のウェーハと、切断線IXに沿った断面のウェーハ
とを化学食刻（chemical etching）方法で検査して得ら
れたＦＰＤ欠陥の分布を示すグラフもを示している。
た断面のウェーハと、切断線IXに沿った断面のウェーハ
とを化学食刻（chemical etching）方法で検査して得ら
れたＦＰＤ欠陥の分布を示すグラフもを示している。
【００４５】ウェーハ周縁部から中心軸へ向って、半径
の１０％以下の幅を持った凝集ベーカンシー無欠陥領域
（４４：図４参照）が存在し、これと隣接してＯＳＦリ
ングが位置する。ＯＳＦリングはウェーハの周縁部に分
布するが、引上げ速度の差のため、図８のＯＳＦリング
領域が図９のＯＳＦリング領域より広い。微小欠陥が存
在するＤＳＯＤ領域は中心からＯＳＦリングまで存在
し、粗大欠陥が存在するＦＰＤ領域は中心のみに存在す
るので、結果的に微小欠陥領域が実際存在するというこ
とがわかる。
の１０％以下の幅を持った凝集ベーカンシー無欠陥領域
（４４：図４参照）が存在し、これと隣接してＯＳＦリ
ングが位置する。ＯＳＦリングはウェーハの周縁部に分
布するが、引上げ速度の差のため、図８のＯＳＦリング
領域が図９のＯＳＦリング領域より広い。微小欠陥が存
在するＤＳＯＤ領域は中心からＯＳＦリングまで存在
し、粗大欠陥が存在するＦＰＤ領域は中心のみに存在す
るので、結果的に微小欠陥領域が実際存在するというこ
とがわかる。
【００４６】半径方向の熱履歴の均一度が増加するに比
例して、この微小欠陥領域が拡張され、最終的にウェー
ハ中心まで拡張されて粗大欠陥領域を完全に除去できる
ようになる。従って、ＯＳＦリングの内部は全て微小欠
陥領域になることができる。
例して、この微小欠陥領域が拡張され、最終的にウェー
ハ中心まで拡張されて粗大欠陥領域を完全に除去できる
ようになる。従って、ＯＳＦリングの内部は全て微小欠
陥領域になることができる。
【００４７】実際デバイス工程には多くの熱処理工程が
伴うが、図１０は２５６ＭＤＲＡＭデバイス用熱処理サ
イクルを示す概略図である。
伴うが、図１０は２５６ＭＤＲＡＭデバイス用熱処理サ
イクルを示す概略図である。
【００４８】好ましいウェーハとしては、回路が作られ
るウェーハの表面からある程度の深さのところに高密度
のＢＭＤ（Bulk Micro-Defect）が存在するのが良い。
というのは、これが金属不純物汚染などを除去できるか
らである。
るウェーハの表面からある程度の深さのところに高密度
のＢＭＤ（Bulk Micro-Defect）が存在するのが良い。
というのは、これが金属不純物汚染などを除去できるか
らである。
【００４９】図１１と図１２とは図８と図９のウェーハ
のＤＺ（Denuded Zone、ウェーハ表面からＢＭＤ領域ま
での距離）深さとＢＭＤ密度とをそれぞれ示すグラフで
ある。図１１と図１２とに示すように、ＢＭＤ密度及び
ＤＺ深さは半径方向へ比較的均一に確保されている。ま
た、図１０の熱処理サイクルを行った後、ＯＳＦリング
領域を調査した結果、実際にはＯＳＦリングは見つから
なかった。使用したウェーハの初期酸素濃度は１２ｐｐ
ｍａ以下である。
のＤＺ（Denuded Zone、ウェーハ表面からＢＭＤ領域ま
での距離）深さとＢＭＤ密度とをそれぞれ示すグラフで
ある。図１１と図１２とに示すように、ＢＭＤ密度及び
ＤＺ深さは半径方向へ比較的均一に確保されている。ま
た、図１０の熱処理サイクルを行った後、ＯＳＦリング
領域を調査した結果、実際にはＯＳＦリングは見つから
なかった。使用したウェーハの初期酸素濃度は１２ｐｐ
ｍａ以下である。
【００５０】この結果を用いて、図７の切断線VIIIまた
はIXに沿った切断線位置での引上げ速度とその時の周囲
条件下で全体のインゴットボディを成長させると、図８
及び図９の欠陥分布を示すインゴットを得ることができ
る。のみならず、垂直温度の均一度をうまく調節する
と、ＣＯＰやＦＰＤが全く無く、ＯＳＦリングの内側か
らインゴットの中心軸を含む領域まで微小欠陥のみが分
布するウェーハを製造できるインゴットを成長させるこ
とができる。
はIXに沿った切断線位置での引上げ速度とその時の周囲
条件下で全体のインゴットボディを成長させると、図８
及び図９の欠陥分布を示すインゴットを得ることができ
る。のみならず、垂直温度の均一度をうまく調節する
と、ＣＯＰやＦＰＤが全く無く、ＯＳＦリングの内側か
らインゴットの中心軸を含む領域まで微小欠陥のみが分
布するウェーハを製造できるインゴットを成長させるこ
とができる。
【００５１】（実施例２）結晶の成長及び冷却条件を半
径方向で均一化するために、上述したように、熱シール
ド下面とシリコン融液との間隔を調整して、ヒーターか
らインゴットの外周部へ輻射される熱量を調節すること
により、インゴットの外周部の垂直温度勾配を減少さ
せ、これと同時にインゴット上端部と熱シールド上部と
を冷却することにより、インゴット中心部の垂直温度勾
配を増加させる。これにより、半径方向のＧｒ／Ｇｃが
図１３のように曲線グラフとなり、その際の垂直温度勾
配が下記の表１のようになって、インゴットが成長す
る。
径方向で均一化するために、上述したように、熱シール
ド下面とシリコン融液との間隔を調整して、ヒーターか
らインゴットの外周部へ輻射される熱量を調節すること
により、インゴットの外周部の垂直温度勾配を減少さ
せ、これと同時にインゴット上端部と熱シールド上部と
を冷却することにより、インゴット中心部の垂直温度勾
配を増加させる。これにより、半径方向のＧｒ／Ｇｃが
図１３のように曲線グラフとなり、その際の垂直温度勾
配が下記の表１のようになって、インゴットが成長す
る。
【００５２】
【表１】
【００５３】本実施例の周辺条件下で、インゴット中心
部から外周部への垂直温度勾配１３２は図１３のグラフ
のように、従来の垂直温度勾配１３１より更に均一化さ
れている。
部から外周部への垂直温度勾配１３２は図１３のグラフ
のように、従来の垂直温度勾配１３１より更に均一化さ
れている。
【００５４】表１は垂直温度勾配及び偏差を従来例と本
実施例とに分けて数値で示している。ここで、各記号の
意味は次のようである。ΔＧ＝Ｇｅ−Ｇｃ（Ｋ／ｃｍ）
（シリコン融液界面付近におけるインゴット外周部とイ
ンゴット中心部との垂直温度勾配の差）。Ｇ１はＣＯＰ
（Crystal Originated Particles）が発生する１１２０
〜１０７０℃間の垂直温度勾配の平均値であり、Ｇ２は
ＯＳＦ核が形成される１０７０〜８００℃間の垂直温度
勾配の平均値である。下付き添字ｃはインゴットの中心
部を、ｅはインゴットの外周部を、そしてｒはインゴッ
トの任意の半径位置をそれぞれ意味する。ΔＧは３Ｋ／
ｃｍ以下とする。
実施例とに分けて数値で示している。ここで、各記号の
意味は次のようである。ΔＧ＝Ｇｅ−Ｇｃ（Ｋ／ｃｍ）
（シリコン融液界面付近におけるインゴット外周部とイ
ンゴット中心部との垂直温度勾配の差）。Ｇ１はＣＯＰ
（Crystal Originated Particles）が発生する１１２０
〜１０７０℃間の垂直温度勾配の平均値であり、Ｇ２は
ＯＳＦ核が形成される１０７０〜８００℃間の垂直温度
勾配の平均値である。下付き添字ｃはインゴットの中心
部を、ｅはインゴットの外周部を、そしてｒはインゴッ
トの任意の半径位置をそれぞれ意味する。ΔＧは３Ｋ／
ｃｍ以下とする。
【００５５】表１に示すように、従来例のΔＧは１６．
４９であるが、本実施例のΔＧは２.８７で、３Ｋ／ｃ
ｍ以下で均一に維持される。また、ＣＯＰが多く発生す
る１１２０〜１０７０℃間の垂直温度勾配の平均値は３
２．３１及び４３．５５で、従来例より極めて大きい。
そして、ＯＳＦ核が形成される１０７０〜８００℃間の
垂直温度勾配の平均値は２３．８１及び２６．１４で、
これも従来例より極めて大きい。従って、その欠陥が発
生する温度区間を迅速に通過することで、これら欠陥の
発生を減らすことができる。
４９であるが、本実施例のΔＧは２.８７で、３Ｋ／ｃ
ｍ以下で均一に維持される。また、ＣＯＰが多く発生す
る１１２０〜１０７０℃間の垂直温度勾配の平均値は３
２．３１及び４３．５５で、従来例より極めて大きい。
そして、ＯＳＦ核が形成される１０７０〜８００℃間の
垂直温度勾配の平均値は２３．８１及び２６．１４で、
これも従来例より極めて大きい。従って、その欠陥が発
生する温度区間を迅速に通過することで、これら欠陥の
発生を減らすことができる。
【００５６】図１４はこのような温度分布下で、引上げ
速度を０．６５ｍｍ／ｍｉｎから０．４８まで減少して
成長させたインゴットのショルダーから３６０ｍｍにな
るところの縦断面の欠陥分布を示している。
速度を０．６５ｍｍ／ｍｉｎから０．４８まで減少して
成長させたインゴットのショルダーから３６０ｍｍにな
るところの縦断面の欠陥分布を示している。
【００５７】なお、図１４は引上げ速度を減少し成長さ
せて得たインゴットの切断面を図１６の熱処理サイクル
で熱処理した後、ＭＣＬＴ（Minority Carrier Life Ti
me）スキャニングしたイメージを、引上げ速度をマッチ
して示す図である。同図に示すように、引上げ速度は
０．５５ｍｍ／ｍｉｎ以上とした方が好ましい。
せて得たインゴットの切断面を図１６の熱処理サイクル
で熱処理した後、ＭＣＬＴ（Minority Carrier Life Ti
me）スキャニングしたイメージを、引上げ速度をマッチ
して示す図である。同図に示すように、引上げ速度は
０．５５ｍｍ／ｍｉｎ以上とした方が好ましい。
【００５８】図１４の切断線ＸＶに沿った切断線付近の
ウェーハを図１６の熱処理サイクルのように熱処理して
欠陥を検査したところ、図１５に示すように、中心部分
において最も欠陥を持っている部分でＦＰＤが２５０個
／ｃｍ２以下に発生した。
ウェーハを図１６の熱処理サイクルのように熱処理して
欠陥を検査したところ、図１５に示すように、中心部分
において最も欠陥を持っている部分でＦＰＤが２５０個
／ｃｍ２以下に発生した。
【００５９】図１６は５℃／ｍｉｎで８００℃まで加熱
してから４時間維持した後、さらに５℃／ｍｉｎで１０
００℃まで加熱してから１６時間乃至２０時間維持した
後、３℃／ｍｉｎで冷却させるという熱処理サイクルを
示すグラフである。
してから４時間維持した後、さらに５℃／ｍｉｎで１０
００℃まで加熱してから１６時間乃至２０時間維持した
後、３℃／ｍｉｎで冷却させるという熱処理サイクルを
示すグラフである。
【００６０】本明細書に記載されている用語及び略語は
次のようである。
次のようである。
【００６１】微小欠陥領域： 半導体ウェーハに電子回
路を形成するための様々な工程を行った結果、得られる
製品がその設計の通りに動作するためにはウェーハ自体
に欠陥がないようにする。半導体ウェーハ自体の欠陥を
発見するための様々な方法は既に知られており、欠陥の
サイズが大きく、電子回路に故障の原因を提供する重要
欠陥にはそれぞれ名前が付けられ、欠陥を発見するため
の方法によりそれぞれの名称を持つ。例えば、ＣＯＰ、
ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＯＳＦ、ＤＳＯＤなどがある。
路を形成するための様々な工程を行った結果、得られる
製品がその設計の通りに動作するためにはウェーハ自体
に欠陥がないようにする。半導体ウェーハ自体の欠陥を
発見するための様々な方法は既に知られており、欠陥の
サイズが大きく、電子回路に故障の原因を提供する重要
欠陥にはそれぞれ名前が付けられ、欠陥を発見するため
の方法によりそれぞれの名称を持つ。例えば、ＣＯＰ、
ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＯＳＦ、ＤＳＯＤなどがある。
【００６２】微小欠陥領域とは、ＣＯＰ、ＦＰＤ、ＬＳ
ＴＤは発見されないが、ただ６４ＭＤＲＡＭ以上の電子
回路に至るまで製品の動作特性不良を誘発しないとされ
るＤＳＯＤは発見される領域のことを意味する。即ち、
ＤＳＯＤ欠陥は発見されてもＣＯＰ、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ
欠陥は発見されないウェーハは、６４Ｍ ＤＲＡＭ以上
のＩＣ生産用ウェーハとして用いることができる。
ＴＤは発見されないが、ただ６４ＭＤＲＡＭ以上の電子
回路に至るまで製品の動作特性不良を誘発しないとされ
るＤＳＯＤは発見される領域のことを意味する。即ち、
ＤＳＯＤ欠陥は発見されてもＣＯＰ、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ
欠陥は発見されないウェーハは、６４Ｍ ＤＲＡＭ以上
のＩＣ生産用ウェーハとして用いることができる。
【００６３】ＭＣＬＴ: Minority Carrier Life Time ＣＯＰ : Crystal Originated Particle ＦＰＤ : Flow Pattern Defect ＬＳＴＤ: Light Scattering Topography Defect ＯＳＦ : Oxidation - induced Stacking Fault Ring ＤＳＯＤ: Direct Surface Oxide Defect ＢＭＤ : Bulk Micro-Defect ＤＺ : Denuded Zone ＸＲＴ : X-Ray Topography
【００６４】
【発明の効果】以上説明した方法で製造される単結晶イ
ンゴットは、従来のインゴットに比べて、結晶欠陥のサ
イズ及び密度が極めて低いながらも引上げ速度を大きく
することができるので、生産性を上げることができ、更
に製造価格アップなしでウェーハの品質の向上を図るこ
とができる。
ンゴットは、従来のインゴットに比べて、結晶欠陥のサ
イズ及び密度が極めて低いながらも引上げ速度を大きく
することができるので、生産性を上げることができ、更
に製造価格アップなしでウェーハの品質の向上を図るこ
とができる。
【図１】従来の方法で成長させた単結晶シリコンインゴ
ットの縦断面の欠陥分布を概略的に示す図である。
ットの縦断面の欠陥分布を概略的に示す図である。
【図２】図１のII線に沿った断面、即ち一般的なホット
ゾーンでＯＳＦリングが結晶インゴットの周縁部に位置
するように引上げ速度を調節して製造されたインゴット
を、半径方向に切断して欠陥分布を観察した描写図であ
る。
ゾーンでＯＳＦリングが結晶インゴットの周縁部に位置
するように引上げ速度を調節して製造されたインゴット
を、半径方向に切断して欠陥分布を観察した描写図であ
る。
【図３】一般的なホットゾーンで停止実験を行ったイン
ゴットの垂直断面の一部をＸＲＴで示す映像である。
ゴットの垂直断面の一部をＸＲＴで示す映像である。
【図４】インゴットの半径方向の成長、冷却条件を均一
化したホットゾーンでＯＳＦリングが結晶インゴットの
周縁部に位置するように引上げ速度を調節して製造した
インゴットを、半径方向に切断してその欠陥分布を観察
した描写図である。
化したホットゾーンでＯＳＦリングが結晶インゴットの
周縁部に位置するように引上げ速度を調節して製造した
インゴットを、半径方向に切断してその欠陥分布を観察
した描写図である。
【図５】成長界面付近のホットゾーンを示す概略図であ
る。
る。
【図６】インゴットの半径方向の成長、冷却条件を均一
化したホットゾーンで停止実験を行ったインゴットの垂
直断面の一部をＸＲＴで示す映像である。
化したホットゾーンで停止実験を行ったインゴットの垂
直断面の一部をＸＲＴで示す映像である。
【図７】インゴットの半径方向の熱環境を均一化したホ
ットゾーンで引上げ速度を減らしながら成長させた単結
晶シリコンインゴットを、垂直方向に切断して欠陥分布
を示す概略図である。
ットゾーンで引上げ速度を減らしながら成長させた単結
晶シリコンインゴットを、垂直方向に切断して欠陥分布
を示す概略図である。
【図８】図７のVIII線に沿った部分の実際８インチ単結
晶のＦＰＤの半径方向分布とＤＳＯＤ領域とを共に示す
映像である。
晶のＦＰＤの半径方向分布とＤＳＯＤ領域とを共に示す
映像である。
【図９】図７のIX線に沿った部分の実際８インチ単結晶
のＦＰＤの半径方向分布とＤＳＯＤ領域とを共に示す映
像である。
のＦＰＤの半径方向分布とＤＳＯＤ領域とを共に示す映
像である。
【図１０】２５６Ｍデバイス用熱処理サイクルを示す概
略図である。
略図である。
【図１１】図７のVIII、IX線に沿った部分のウェーハの
ＤＺ深さを示すグラフである。
ＤＺ深さを示すグラフである。
【図１２】図７のVIII、IX線に沿った部分のウェーハの
ＤＭＤ密度を示すグラフである。
ＤＭＤ密度を示すグラフである。
【図１３】インゴットの半径方向の成長、冷却条件を均
一化したホットゾーンでの垂直温度勾配傾向を示すグラ
フである。
一化したホットゾーンでの垂直温度勾配傾向を示すグラ
フである。
【図１４】インゴットの半径方向の熱環境を均一化した
ホットゾーンで引上げ速度を減らしながら成長させた単
結晶シリコンインゴットを、垂直方向に切断して欠陥分
布を示す映像である。
ホットゾーンで引上げ速度を減らしながら成長させた単
結晶シリコンインゴットを、垂直方向に切断して欠陥分
布を示す映像である。
【図１５】図１４のＸＶ線に沿った断面のウェーハを図
１６の熱処理後に測定したＦＰＤ欠陥分布を示すグラフ
である。
１６の熱処理後に測定したＦＰＤ欠陥分布を示すグラフ
である。
【図１６】熱処理サイクルを示すグラフである。
フロントページの続き (72)発明者 崔 ▲ジョン▼ 榮 大韓民国 キョンサンブクドー チルゴク グン セオジェオクミョン ナミュルリ ウーバンシンチェオンジタウン 101−507 (72)発明者 趙 鉉 鼎 大韓民国 キョンギドー ブチェオンシ ウォンミグ サンドン ハナレウム アパ ート 1510−9757 (72)発明者 兪 学 道 大韓民国 ソール セオンブクグ ジェオ ンレウン ２−ドング サン 87−85 サ ンジャンビラ ５−207 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EA01 EA10 EG15 HA12 PA10 5F053 AA12 DD01 FF04 GG01 HH04 RR03
Claims (20)
- 【請求項１】 中心軸に対してほぼ垂直の前面と後面と
を有し、前記中心軸から半径方向へ前面と後面とが延長
されて周縁部を形成するディスク状のウェーハにおい
て、 前記周縁部から前記中心軸方向へ半径の１０％未満の凝
集ベーカンシー無欠陥領域が存在し、次いでＯＳＦリン
グが存在し、前記ＯＳＦリング内側から前記中心軸方向
に、ＤＳＯＤ欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥はな
い微小欠陥領域が存在することを特徴とする単結晶シリ
コンウェーハ。 - 【請求項２】 前記微小欠陥領域が少なくとも半径の１
０％以上であることを特徴とする請求項１記載の単結晶
シリコンウェーハ。 - 【請求項３】 前記微小欠陥領域が前記ＯＳＦリングか
ら前記中心軸までの全領域を占めることを特徴とする請
求項１記載の単結晶シリコンウェーハ。 - 【請求項４】 前記ウェーハは、 前記微小欠陥領域内部に粗大欠陥領域が存在し、０．０
８μｍ以上のＣＯＰ欠陥が２０個以下に存在することを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の単
結晶シリコンウェーハ。 - 【請求項５】 前記ウェーハの初期酸素濃度は１２ｐｐ
ｍａ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３
のいずれかに記載の単結晶シリコンウェーハ。 - 【請求項６】 中心軸に対してほぼ垂直の前面と後面と
を有し、前記中心軸から半径方向へ前面と後面とが延長
されて周縁部を形成するディスク状のウェーハにおい
て、 前記周縁部から前記中心軸方向へＯＳＦリングが存在
し、前記ＯＳＦリング内側から中心軸方向に、ＤＳＯＤ
欠陥はあるがＦＰＤサイズ以上の欠陥はない微小欠陥領
域が存在することを特徴とする単結晶シリコンウェー
ハ。 - 【請求項７】 中心軸からの一定半径を有し、中心軸方
向へ一定長さのボディを有した単結晶シリコンインゴッ
トにおいて、 周縁部に、前記中心軸に対して同軸リング状に形成され
るＯＳＦリングと、 前記ＯＳＦリング内側から前記中心軸方向に形成され、
ＤＳＯＤ欠陥はあるがＦＰＤ欠陥はない微小欠陥領域と
を含んでなることを特徴とする単結晶シリコンインゴッ
ト。 - 【請求項８】 前記微小欠陥領域が半径の１０％以上で
あることを特徴とする請求項７記載の単結晶シリコンイ
ンゴット。 - 【請求項９】 前記微小欠陥領域が前記ＯＳＦリングか
ら前記中心軸までの全領域を占めることを特徴とする請
求項７記載の単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項１０】 前記微小欠陥領域と前記ＯＳＦリング
とのみが存在することを特徴とする請求項７記載の単結
晶シリコンインゴット。 - 【請求項１１】 前記微小欠陥領域が少なくともボディ
長さの１０％以上であることを特徴とする請求項７記載
の単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項１２】 前記インゴットの初期酸素濃度は１２
ｐｐｍａ以下であることを特徴とする請求項７乃至請求
項１１のいずれかに記載の単結晶シリコンインゴット。 - 【請求項１３】 中心軸からの一定半径を有し、中心軸
方向へ一定長さのボディを有した単結晶シリコンインゴ
ットをチョクラルスキー法を用いて製造する方法におい
て、 シリコン融液から成長するインゴットのボディの急速な
冷却を防止するために熱シールドを設置し、前記熱シー
ルドの下端部とシリコン融液の表面との間のメルトギャ
ップを調節してボディの周縁部の垂直温度勾配を少なく
し、 インゴット上端部と熱シールド上端部の温度を低くして
前記インゴットの中心部の垂直温度勾配を大きくし、 結局インゴットの中心部と周縁部との垂直温度勾配をほ
ぼ同じくして全体的な垂直温度勾配を均一に維持しなが
ら成長速度を制御することにより、 前記中心軸から最も遠くにある周縁部に、前記中心軸に
対して同軸リング状のＯＳＦリングを生じさせ、 前記ＯＳＦリング内側から前記中心軸方向に、ＤＳＯＤ
欠陥はあるがＦＰＤ欠陥はない微小欠陥領域を生じさせ
ることを特徴とする単結晶シリコンインゴット製造方
法。 - 【請求項１４】 前記微小欠陥領域が少なくとも半径の
１０％以上であることを特徴とする請求項１３記載の単
結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項１５】 前記微小欠陥領域が前記ＯＳＦリング
から前記中心軸までの全領域を占めることを特徴とする
請求項１３記載の単結晶シリコンインゴットの製造方
法。 - 【請求項１６】 前記微小欠陥領域と前記ＯＳＦリング
とのみが存在することを特徴とする請求項１３記載の単
結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項１７】 前記微小欠陥領域が少なくともボディ
長さの１０％以上であることを特徴とする請求項１３記
載の単結晶シリコンインゴットの製造方法。 - 【請求項１８】 前記ウェーハの初期酸素濃度は１２ｐ
ｐｍａ以下であることを特徴とする請求項１３乃至請求
項１７のいずれかに記載の単結晶シリコンインゴットの
製造方法。 - 【請求項１９】 インゴット温度１１２０℃〜１０７０
℃間の垂直温度勾配の平均値が、中心部では３０Ｋ／ｃ
ｍ以上であり、周縁部では４０Ｋ／ｃｍ以上であること
を特徴とする請求項１３乃至請求項１７のいずれかに記
載の単結晶シリコンインゴット製造方法。 - 【請求項２０】 インゴット温度１０７０℃〜８００℃
間の垂直温度勾配の平均値が、中心部では２０Ｋ／ｃｍ
以上であり、周縁部では２３Ｋ／ｃｍ以上であることを
特徴とする請求項１３乃至請求項１７のいずれかに記載
の単結晶シリコンインゴット製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0052205A KR100374703B1 (ko) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 단결정 실리콘 웨이퍼,잉곳 및 그 제조방법 |
| KR2000-52205 | 2000-09-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002145697A true JP2002145697A (ja) | 2002-05-22 |
Family
ID=19687284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001266424A Pending JP2002145697A (ja) | 2000-09-04 | 2001-09-03 | 単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6521316B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002145697A (ja) |
| KR (1) | KR100374703B1 (ja) |
| DE (1) | DE10143231A1 (ja) |
| TW (1) | TW591128B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013522157A (ja) * | 2010-03-16 | 2013-06-13 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 単結晶インゴットの製造方法およびこれによって製造されたウェハ |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374703B1 (ko) * | 2000-09-04 | 2003-03-04 | 주식회사 실트론 | 단결정 실리콘 웨이퍼,잉곳 및 그 제조방법 |
| JP2004172391A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
| US7229495B2 (en) | 2002-12-23 | 2007-06-12 | Siltron Inc. | Silicon wafer and method for producing silicon single crystal |
| US7371283B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-05-13 | Siltron Inc. | Method and apparatus of growing silicon single crystal and silicon wafer fabricated thereby |
| KR100840751B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2008-06-24 | 주식회사 실트론 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법, 성장 장치 및그로부터 제조된 잉곳 , 웨이퍼 |
| KR100831044B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2008-05-21 | 주식회사 실트론 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법 |
| US7427325B2 (en) | 2005-12-30 | 2008-09-23 | Siltron, Inc. | Method for producing high quality silicon single crystal ingot and silicon single crystal wafer made thereby |
| WO2007142026A1 (ja) | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Sumco Corporation | 単結晶シリコンウェーハのｃｏｐ発生要因の判定方法 |
| JP4640504B2 (ja) | 2006-06-09 | 2011-03-02 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 単結晶シリコンウェーハのｃｏｐ評価方法 |
| KR20110108876A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 |
| CN109459417A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-03-12 | 福建晶安光电有限公司 | 一种用于检测图形衬底的方法和装置 |
| CN111781204A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-10-16 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种半导体圆硅片环状层错的测试方法 |
| CN115360115A (zh) * | 2022-10-19 | 2022-11-18 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种测量晶圆表面损伤层深度的方法及系统 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1280041B1 (it) * | 1993-12-16 | 1997-12-29 | Wacker Chemitronic | Procedimento per il tiraggio di un monocristallo di silicio |
| JP3085146B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2000-09-04 | 住友金属工業株式会社 | シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法 |
| JPH09208377A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-12 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引き上げ方法 |
| EP1202128B1 (en) | 1996-06-18 | 2005-08-10 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus with toner supplying device |
| KR19980070037A (ko) * | 1997-02-13 | 1998-10-26 | 윤종용 | 반도체 잉곳 성장시 시드결정의 인상속도 최적화방법, 이를 적용한 반도체 잉곳 성장방법, 그에 따라 성장된 반도체 잉곳과반도체 웨이퍼 및 반도체장치 |
| JP3449731B2 (ja) | 1997-04-09 | 2003-09-22 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 単結晶シリコンインゴットを製造する方法 |
| JPH1179889A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ |
| US5942032A (en) * | 1997-08-01 | 1999-08-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon |
| JP3596257B2 (ja) * | 1997-11-19 | 2004-12-02 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| JP3747123B2 (ja) * | 1997-11-21 | 2006-02-22 | 信越半導体株式会社 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ |
| JP3407629B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2003-05-19 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハの熱処理方法ならびにシリコン単結晶ウエーハ |
| US6315827B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-11-13 | Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. | Apparatus for producing single crystal |
| JP3065076B1 (ja) * | 1999-05-13 | 2000-07-12 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置 |
| KR100374703B1 (ko) * | 2000-09-04 | 2003-03-04 | 주식회사 실트론 | 단결정 실리콘 웨이퍼,잉곳 및 그 제조방법 |
-
2000
- 2000-09-04 KR KR10-2000-0052205A patent/KR100374703B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-22 US US09/742,215 patent/US6521316B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-03 JP JP2001266424A patent/JP2002145697A/ja active Pending
- 2001-09-03 TW TW090121795A patent/TW591128B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-04 DE DE10143231A patent/DE10143231A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-11-12 US US10/291,640 patent/US6858077B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013522157A (ja) * | 2010-03-16 | 2013-06-13 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 単結晶インゴットの製造方法およびこれによって製造されたウェハ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10143231A1 (de) | 2002-07-04 |
| TW591128B (en) | 2004-06-11 |
| US20030068501A1 (en) | 2003-04-10 |
| US6858077B2 (en) | 2005-02-22 |
| KR100374703B1 (ko) | 2003-03-04 |
| US6521316B2 (en) | 2003-02-18 |
| US20020046694A1 (en) | 2002-04-25 |
| KR20020018904A (ko) | 2002-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6893499B2 (en) | Silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same | |
| US6077343A (en) | Silicon single crystal wafer having few defects wherein nitrogen is doped and a method for producing it | |
| US6190452B1 (en) | Silicon single crystal wafer and method for producing it | |
| JP2010040587A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP2002187794A (ja) | シリコンウェーハおよびこれに用いるシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3255114B2 (ja) | 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2010222241A (ja) | Ｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハ及びｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
| JP2000053497A (ja) | 窒素ド―プした低欠陥シリコン単結晶ウエ―ハおよびその製造方法 | |
| JP2002145697A (ja) | 単結晶シリコンウェーハ、インゴット及びその製造方法 | |
| JPWO2007013189A1 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
| US6632411B2 (en) | Silicon wafer and method for producing silicon single crystal | |
| EP1536044B1 (en) | Method of manufacturing an epitaxial silicon wafer | |
| JP2003508332A (ja) | 均一熱履歴を有する単結晶シリコンの製造法 | |
| JP3614019B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ | |
| JP2001217251A (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
| JP4806975B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
| WO2006103837A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびアニールウェーハおよびアニールウェーハの製造方法 | |
| KR100400645B1 (ko) | 단결정 실리콘 웨이퍼, 잉곳 및 그 제조방법 | |
| JP2008066357A (ja) | シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法 | |
| KR100445190B1 (ko) | 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 | |
| JP2001089294A (ja) | 点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の連続引上げ法 | |
| JP2001156074A (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
| JP2002047094A (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
| JP3900816B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| JP2007045682A (ja) | シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060404 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060703 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060706 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060929 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |