JP3065076B1 - 単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置 - Google Patents

単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置

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Abstract

【要約】 【課題】 大重量の単結晶であっても安全に引き上げる
ことができる単結晶吊り下げ部を有し、一般的な通常の
種結晶を使用することで種結晶に関して新たなコストを
発生させることがなく、単結晶吊り下げ部を高速に無転
位化して所要プロセス時間を短縮できると同時に、若干
の転位を含む種結晶からでも無転位化可能で、若干の転
位が導入された種結晶を交換することなく再使用するこ
とができる単結晶引き上げ方法、及び単結晶引き上げ装
置を提供すること。 【解決手段】 坩堝21内の溶融液23に種結晶35を
浸漬した後、種結晶35を引き上げることにより単結晶
36を成長させる単結晶の引き上げ方法において、種結
晶35を溶融液23に接触させた後、補助加熱手段15
を用いて種結晶35と溶融液23との界面近傍を加熱し
ながら、さらに種結晶35を溶融液23に漬け込み、補
助加熱手段15による加熱を停止した後、ネックを形成
せずに単結晶を引き上げる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶引き上げ方法
及び単結晶引き上げ装置に関し、より詳細にはチョクラ
ルスキー法(以下、CZ法と記す)に代表される引き上
げ法により、シリコン等からなる単結晶を引き上げる単
結晶引き上げ方法、及び該単結晶引き上げ方法に使用さ
れる単結晶引き上げ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、LSI(大規模集積回路)等の回
路素子形成用基板の製造に使用されているシリコン単結
晶の大部分は、CZ法により引き上げられている。図5
は、このCZ法に用いられる従来の単結晶引き上げ装置
を模式的に示した断面図であり、図中21は坩堝を示し
ている。
【0003】この坩堝21は、有底円筒形状をした石英
製坩堝21aと、この石英製坩堝21aの外側に嵌合さ
れた、同じく有底円筒形状をした黒鉛製坩堝21bとか
ら構成されており、坩堝21は、図中の矢印A方向に所
定の速度で回転する支持軸28に支持されている。この
坩堝21の外側には、抵抗加熱式のヒータ22、ヒータ
22の外側には保温筒27が同心円状に配置されてお
り、坩堝21内には、このヒータ22により溶融させた
結晶用原料の溶融液23が充填されている。また、坩堝
21の中心軸上には、引き上げ棒あるいはワイヤー等か
らなる引き上げ軸24が吊設されており、この引き上げ
軸24の先に、保持具24aを介して種結晶35が取り
付けられている。また、これら部材は、圧力の制御が可
能な水冷式のチャンバ29内に納められている。
【0004】上記した単結晶引き上げ装置を用いて単結
晶36を引き上げる方法を、図5及び図6に基づいて説
明する。図6(a)〜(d)は、単結晶を引き上げる各
工程のうちの一部の工程における、種結晶の近傍を模式
的に示した部分拡大正面図である。
【0005】図6には示していないが、まずチャンバ2
9内を減圧した後、不活性ガスを導入してチャンバ29
内を減圧の不活性ガス雰囲気とし、その後ヒータ22に
より結晶用原料を溶融させ、しばらく放置して溶融液2
3中のガスを十分に放出させる。
【0006】次に、支持軸28と同一軸心で逆方向に所
定の速度で引き上げ軸24を回転させながら、保持具2
4aに取り付けられた種結晶35を降下させて溶融液2
3に着液させ、種結晶35の先端部を溶融液23に馴染
ませた後、単結晶36の引き上げを開始する(シーディ
ング工程)(図6(a))。
【0007】次に、種結晶35の先端に結晶を成長させ
てゆくが、このとき後述するメインボディ36cの形成
速度よりも早い速度で引き上げ軸24を引き上げ、所定
径になるまで結晶を細く絞り、ネック36aを形成する
(ネッキング工程)(図6(b))。
【0008】次に、引き上げ軸24の引き上げ速度(以
下、単に引き上げ速度とも記す)を落してネック36a
を所定の径まで成長させ、ショルダー36bを形成する
(ショルダー形成工程)(図6(c))。
【0009】次に、一定の速度で引き上げ軸24を引き
上げることにより、一定の径、所定長さのメインボディ
36cを形成する(メインボディ形成工程)(図6
(d))。
【0010】さらに、図6には示していないが、最後に
急激な温度変化により単結晶36に高密度の転位が導入
されないよう、単結晶36の直径を徐々に絞って単結晶
36全体の温度を徐々に降下させ、終端コーンを形成し
た後、単結晶36を溶融液23から切り離す。前記工程
の後冷却して単結晶36の引き上げが完了する。
【0011】単結晶36の引き上げにおける重要な工程
として、前記ネッキング工程があり、該ネッキング工程
を行う目的を以下に説明する。
【0012】前記シーディング工程を行う前に、まず、
種結晶35の先端部35aをある程度予熱しておくが、
この予熱温度(約1300℃程度以下)と種結晶35の
融点(約1410℃)との間には、通常100℃以上の
温度差が存在する。従って、種結晶35の溶融液23へ
の浸漬時に、種結晶35は急激に温度が上昇し、種結晶
35の先端部35aには、熱応力による転位が導入され
る。該転位は、単結晶化を阻害するものであるため、前
記転位を排除してから単結晶36を成長させる必要があ
る。一般に、前記転位は単結晶36の成長界面に対して
垂直方向に成長する傾向があることから、前記ネッキン
グ工程により前記成長界面(ネック36aの先端面)の
形状を下に凸の形状とし、前記転位を排除してゆく。
【0013】また、前記ネッキング工程においては、引
き上げ速度を速くするほど、ネック36aの径を細くす
ることができ、前記成長界面の形状をより下に凸の形状
として前記転位の伝播を抑制することができ、前記転位
を効率良く排除することができる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の単結晶
引き上げ方法においては、直径が約6インチ、重量が8
0kg程度の単結晶36を引き上げるために、直径12
mm以上の種結晶35を用いるのが一般的であった。そ
の際、単結晶36を安全に支持するためには、ネック3
6aの径はできるだけ大きい方がよく、他方、転位を効
率的に排除するためには、ネック36aの径はできるだ
け小さくした方がよい。これら相反する両者の要求を満
たすネック36aの直径として、従来は3mm程度が選
択されていた。しかしながら、近年の半導体デバイスの
高集積化、低コスト化及び生産性の効率化に対応して、
ウェーハも大口径化が要求されてきており、最近では例
えば直径約12インチ(300mm)、重量が300k
g程度の単結晶36の製造が望まれている。この場合、
従来のネック36aの直径(通常3mm程度)では、ネ
ック36aが引き上げられる単結晶36の重さに耐えら
れずに破損し、単結晶36が落下してしまうという課題
があった。
【0015】上記した大重量の単結晶36を育成するに
あたり、単結晶36の落下等の事故の発生を未然に防
ぎ、安全性を確保するためには、シリコン強度(約16
kgf/mm2 )から算出すれば、ネック36aの直径
を約6mm以上とする必要がある。しかしながら、ネッ
ク36aの直径を6mm以上にすると、種結晶35の溶
融液23への浸漬時に導入される転位を十分に排除する
ことができなくなる。
【0016】この問題に対して、特開昭62−2881
91号公報では、上述のネック36aの育成後に一旦増
径を行い、その後、減径及び増径を行うことによって高
強度保持部を形成し、この高強度保持部を機械的に保持
することにより、大重量の単結晶を育成する方法が提案
されている。これにより、大重量の単結晶の保持は可能
となるが、前記方法においては、機械的に保持を行うた
め、それ専用の特別な治具や制御等が必要となる。ま
た、それに加え、前記高強度保持部に対して機械的な保
持を実行する際、振動等の影響によって、育成部が有転
位化する可能性が高く、製品歩留りを低下させる原因と
なっていた。
【0017】また本件出願人は、レーザー光発生装置1
1(図7)等を用いて、種結晶35の先端部35aを徐
々に昇温させた後、種結晶35を溶融液23に着液さ
せ、ネック36aを形成せずに単結晶36を育成する方
法を先に提案した(特願平8−43765号)。これに
より、種結晶35を溶融液23に着液させる前に、種結
晶35の先端部温度を溶融液23の温度に近付けておく
ことができるため、溶融液23への着液時における温度
の急変(熱ショック)を軽減し、導入転位数を減少させ
ることができる。そのため、ネック部36aを形成しな
くても転位の伝播を抑えて単結晶を引き上げることがで
き、従来よりも大重量の単結晶36を育成することを可
能とした。
【0018】しかしながらレーザー光発生装置では、一
方向からしか種結晶35を加熱することができず、種結
晶35の先端部35aを均一に加熱することは難しく、
溶融液23への着液時における熱ショックを完全になく
して転位の導入を完全に阻止することは困難であった。
【0019】また本件出願人は、特開平9−23518
6号公報において、胴体部が円柱形状で、先端部が円錐
形状の種結晶を使用し、この種結晶の先端部を溶融液に
接触させる時に前記先端部の温度が前記溶融液の温度と
等しくなるようにして転位の導入を阻止し、前記先端部
の一部を溶かし込んだ後、ネックを形成することなく単
結晶を引き上げる単結晶の育成方法を先に提案した。
【0020】また、さらに本件出願人は、特開平9−2
49492号公報において、高濃度の不純物を含有させ
て転位の移動が生じにくい種結晶を使用し、この種結晶
の先端部を溶融液に接触させ、この種結晶の先端部をさ
らに溶かし込んで溶融液との接触時に転位が導入された
部分を溶融させることにより転位を除去した後、ネック
を形成することなく単結晶を引き上げる単結晶の育成方
法を先に提案した。
【0021】これら公報記載の方法によれば、従来必要
とされていたネッキング工程が不要になり、単結晶の吊
り下げ部の径を細く絞ることがないため、大重量の単結
晶の保持が可能になる。また、ネッキング工程が不要な
ため、工数の削減が可能であり、従来は1時間から2時
間近く必要とされていた無転位化工程に関する時間を1
0分から数10分程度に短縮することが可能になった。
【0022】しかしながら、上記公報記載の方法の場
合、胴体部が円柱形状で、先端部が円錐形状の種結晶、
あるいは高濃度の不純物を含有させて転位の移動が生じ
にくい種結晶を用意しなければならず、このような特殊
な種結晶は高価なものになるといった課題がある。
【0023】また、実際の単結晶の引き上げでは、引き
上げ中における異物の混入など、何らかの理由により単
結晶に転位が導入され、以後の単結晶の引き上げを継続
することができなくなる場合が生じる。このような場合
には、元の種結晶のところまで引き上げ途中の単結晶を
再溶融させ、再度無転位化単結晶の引き上げを試みるこ
ととなる。この再溶融は通常、数百mm/minの高速
で単結晶を数十mm〜数百mm長さ程度溶融液に漬け込
み、単結晶が溶断された後に再度単結晶を漬け込んでゆ
くといったプロセスを繰り返すこととなる。この時の熱
ショックにより、種結晶部分にも転位が導入されること
となるが、この場合は単純に種結晶を融液に着液させる
場合よりも大きな熱応力が作用して転位が増殖されるた
め、種結晶部分にさかのぼって導入される転位数が多く
なり、当初保持具24aにセットした種結晶をそのまま
用いて無転位化を図ることは困難となる。そのため単結
晶の再溶融時には種結晶の無転位を確保するために、一
度使用した種結晶は廃棄し、新しいものに交換する必要
があった。特に、胴体部が円柱形状で、先端部が円錐形
状の種結晶を使用する場合は、再溶融によってその形状
が損なわれるため、種結晶の交換は必須の要件となって
いた。
【0024】また、さらに本件出願人は、特開平10−
310485号公報において、種結晶及び単結晶と溶融
液との界面部分に高輻射を与え、ネックのようなくびれ
部やテ−パ−部を形成することなく、種結晶とほぼ同径
の直胴部分を育成することにより無転位化し、単結晶を
育成する単結晶の育成方法を先に提案した。この方法に
よれば、種結晶に高輻射を与えて加熱することにより、
種結晶やネック部の熱応力が低減され、転位の増殖、伸
展を低減して直胴部育成中の転位の除去能力を増大さ
せ、従来のネッキング工程のように結晶径を減径させる
ことなく、無転位化することが可能である。この方法は
転位除去能力が高いため、種結晶に若干の転位が存在し
ていても無転位化を図ることが可能で、単結晶が有転位
化した後の再溶融の後でも、種結晶を新しいものに交換
することなく無転位化を図ることができる。同様に一連
の引き上げプロセス終了後、種結晶を交換することなく
次回の引き上げに同じ種結晶を再使用することが可能で
ある。
【0025】しかしながら、上記公報記載の方法の場
合、直胴部分の育成中に結晶側面を加熱するため、結晶
成長の基本原理である抜熱により結晶が固化するという
物理現象に相反する面を持っている。そのためこのプロ
セスは微妙な熱バランスの上に成り立っており、直胴部
の育成には作業者の熟練が必要となると同時に、直胴部
育成時の引き上げ速度は従来のネッキング工程の一般的
な引き上げ速度(2〜4mm/min)ほど速くするこ
とができない。そのため少なくとも従来行われていたネ
ッキング工程と同程度の所要時間、およそ1時間から2
時間を要する。
【0026】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、大重量の単結晶であっても安全に引き上げること
ができる単結晶吊り下げ部を有し、一般的な通常の種結
晶を使用することで種結晶に関して新たなコストを発生
させることがなく、単結晶吊り下げ部を高速に無転位化
して所要プロセス時間を短縮することができると同時
に、若干の転位を含む種結晶からでも無転位化が可能
で、若干の転位が導入された種結晶を交換することなく
再使用することができる単結晶引き上げ方法、及び単結
晶引き上げ装置を提供することを目的としている。
【0027】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために、本発明に係る単結晶引き上げ方法
(1)は、坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、該種
結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる単結晶
の引き上げ方法において、前記種結晶を前記溶融液に接
触させた後、補助加熱手段を用いて前記種結晶と前記溶
融液との界面近傍を加熱しながら、さらに前記種結晶を
前記溶融液に漬け込み、前記補助加熱手段による加熱を
停止した後、ネックを形成せずに単結晶を引き上げるこ
とを特徴としている。
【0028】上記単結晶引き上げ方法(1)によれば、
前記種結晶と前記溶融液との界面近傍を加熱したまま前
記種結晶を前記溶融液に浸漬するので、結晶の界面近傍
に発生する応力が著しく低減され、前記種結晶の先端部
に若干の転位が存在していたとしてもこの転位の増殖、
伸展が著しく抑制される。そして転位を固定したまま該
転位を含む種結晶部分を溶融させることが可能なため、
転位除去能力が高くなり、前記種結晶を容易に無転位化
することができる。また、前記種結晶と前記溶融液との
界面近傍を加熱したまま、前記種結晶を前記溶融液に漬
け込むので、結晶側面が予熱されている状況になり、高
速で種結晶を漬け込んでも新たな転位を発生させること
がなく、無転位化プロセスの所要時間を短縮することが
できる。さらに、上記単結晶引き上げ方法(1)では、
単結晶吊り下げ部の最小径部は種結晶であり、従来のネ
ッキングプロセスに比較して太い径で単結晶を吊ること
ができるため、従来よりも大重量の単結晶を十分に支持
することができる。
【0029】また、本発明に係る単結晶引き上げ方法
(2)は、上記単結晶引き上げ方法(1)において、前
記種結晶を前記溶融液に接触させる前に、前記補助加熱
手段を用いて前記種結晶の先端部を予め加熱しておくこ
とを特徴としている。上記単結晶引き上げ方法(2)に
よれば、前記種結晶を前記溶融液に接触させる前に、前
記補助加熱手段を用いて前記種結晶の先端部を予め加熱
しておくことにより、前記溶融液への浸漬に伴う前記種
結晶の先端部における温度の急変(熱ショック)をなく
して、発生する熱応力を著しく低減することができる。
従って、無転位の種結晶を使用している場合には転位の
導入を著しく低減することが可能となり、また転位を若
干含む種結晶を使用している場合にも転位の増殖、伸展
を著しく抑制することが可能となり、上記無転位化技術
をより確実なものとすることができる。
【0030】また、本発明に係る単結晶引き上げ方法
(3)は、上記単結晶引き上げ方法(1)又は(2)に
おいて、前記種結晶の先端部の加熱時及び/又は前記種
結晶の前記溶融液への漬け込み時に、前記種結晶を回転
させることを特徴としている。
【0031】上記単結晶引き上げ方法(3)によれば、
前記補助加熱手段が引き上げ軸の軸心に関して例え非対
称の形状であったとしても、前記種結晶の先端部をより
一層均一に加熱することが容易となり、結晶の界面近傍
に発生する応力の低減、ひいては転位を固定したまま溶
融させることが可能になり、無転位化能力を向上させる
ことができる。
【0032】また、本発明に係る単結晶引き上げ方法
(4)は、上記単結晶引き上げ方法(1)において、前
記補助加熱手段の下端位置を前記溶融液の液面の上方3
0mm以内に設定することを特徴としている。前記補助
加熱手段の下端位置を前記溶融液の液面の上方30mm
以内に設定することにより、前記溶融液と前記種結晶と
の界面部分を十分加熱することができ、結晶の界面近傍
に発生する応力の低減、ひいては転位を固定したまま溶
融させることが可能になり、無転位化能力を向上させる
ことができる。
【0033】また、本発明に係る単結晶引き上げ方法
(5)は、上記単結晶引き上げ方法(1)において、前
記溶融液に漬け込む前記種結晶の長さを前記種結晶の径
の2倍以上の長さとすることを特徴としている。一般に
転位が発生した場合、転位発生部位から直径と同程度の
長さまで転位は伝播するといわれている。従って、溶融
液に接触した後の種結晶の無転位化を図るためには、溶
融液に接触した部位から少なくとも直径と同程度では十
分ではない。上記したように、前記種結晶と前記溶融液
との界面近傍を加熱したまま、前記種結晶を前記溶融液
に漬け込む方法によれば、種結晶に導入された転位の増
殖、伸展が著しく抑制されるが、皆無になるわけではな
く、若干の転位の増殖、伸展は生じる。上記した単結晶
引き上げ方法(5)によれば、前記溶融液に漬け込む前
記種結晶の長さを前記種結晶の径の2倍以上の長さとす
るため、前記種結晶を前記溶融液に着液させる際に、前
記種結晶の先端部に少々の転位の導入がなされ、若干の
転位の増殖、伸展があったとしても、その転位の増殖、
伸展があった部分を併せて前記溶融液に溶かし込むこと
ができるため、溶融終了後の前記種結晶における転位の
存在を確実になくすことができる。
【0034】また、本発明に係る単結晶引き上げ装置
(1)は、溶融液が充填される坩堝、及び該坩堝の周囲
に位置するヒ−タ等を備えた単結晶引き上げ装置におい
て、種結晶の水平方向に関する外周長さの半分以上を取
り囲むと共に前記種結晶から退避させるための開口部を
有し、前記溶融液の直上に位置した状態の前記種結晶を
取り囲むように位置させ得る発熱部と、該発熱部を単結
晶の通過領域より退避させるための移動機構とを含んで
構成された補助加熱手段を備えていることを特徴として
いる。
【0035】上記単結晶引き上げ装置(1)によれば、
前記補助加熱手段により、前記種結晶と前記溶融液との
界面近傍を加熱したまま、前記種結晶を前記溶融液につ
け込むことができる。しかも、前記発熱部は種結晶の水
平方向に関する外周長さの半分以上を取り囲むものであ
るため、前記種結晶と前記溶融液との界面を均一に加熱
することができ、結晶の界面近傍に発生する応力が著し
く低減され、前記種結晶の先端部に若干の転位が存在し
ていたとしてもこの転位の増殖、伸展が著しく抑制され
る。このように、前記種結晶中の転位を固定したまま該
転位を含む部分を溶融させることが可能なため、転位除
去能力が高く、前記種結晶を容易に無転位化することが
できる。
【0036】また、上記単結晶引き上げ装置(1)によ
れば、前記補助加熱手段により、前記種結晶と前記溶融
液との界面近傍を加熱したまま、前記種結晶を前記溶融
液に漬け込むことができるので、種結晶側面が予熱され
ている状況になり、高速で結晶を漬け込んでも新たな転
位を発生させることがなく、無転位化プロセスの所要時
間を短縮することができる。さらに、上記単結晶引き上
げ装置(1)によれば、単結晶吊り下げ部の最小径部が
種結晶であるような単結晶を育成することが可能とな
り、従来のネッキングプロセスを採用した育成に比較し
て太い径で結晶を吊ることができるため、従来よりも大
重量の単結晶を十分に支持することができる。さらに、
上記単結晶引き上げ装置(1)によれば、単結晶の引き
上げがショルダ形成工程に入ると、前記発熱部を単結晶
の通過領域より退避させることができ、前記発熱部の存
在が単結晶の引き上げ工程において邪魔となることはな
い。
【0037】また、本発明に係る単結晶引き上げ装置
(2)は、上記単結晶引き上げ装置(1)において、前
記発熱部が複数の移動可能な発熱部からなることを特徴
としている。上記単結晶引き上げ装置(2)によれば、
前記発熱部が複数の移動可能な発熱部からなるため、前
記種結晶をより確実に均一に加熱することができ、より
一層容易に種結晶の無転位化を図ることができる。
【0038】また、本発明に係る単結晶引き上げ装置
(3)は、上記単結晶引き上げ装置(1)において、少
なくとも前記発熱部が炭素材及び該炭素材表面のコ−テ
ィング材あるいはカバ−体からなることを特徴としてい
る。上記単結晶引き上げ装置(3)によれば、少なくと
も前記発熱部が炭素材及び該炭素材を覆うコ−ティング
材あるいはカバ−体からなるので、前記発熱部が高温に
なっても、該発熱部から前記炭素材に含まれる不純物が
放出されて引き上げられる単結晶に悪影響を与えるとい
った事態の発生を阻止することができる。前記コ−ティ
ング材としてはそれ自体が汚染物質を放出しないことや
高温で熱分解されないといった条件から、炭化珪素が好
ましい。また、前記炭素材を透明石英からなる前記カバ
−体で覆う構造であっても差し支えない。しかしながら
前記コ−ティング材や前記カバ−体を構成する物質は前
記物質に限定されるものではなく、汚染や耐熱性の条件
を満たせば他の物質を採用しても差し支えない。
【0039】また、本発明に係る単結晶引き上げ装置
(4)は、上記単結晶引き上げ装置(1)において、前
記溶融液への漬け込み時における前記種結晶の径の変動
を監視し得る画像処理装置と、該画像処理装置により検
出された前記種結晶の径の変動を、前記補助加熱手段へ
の電力供給制御手段、及び前記種結晶の下降速度制御手
段にフィ−ドバックし、前記種結晶の径が一定の値に維
持されるように自動制御する種結晶径制御手段とを備え
ていることを特徴としている。上記単結晶引き上げ装置
(4)によれば、前記種結晶の前記溶融液への漬け込み
時に、前記補助加熱手段への電力供給が過剰となり、前
記種結晶が溶断してしまうといった事故の発生を未然に
防ぐことができる。
【0040】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る単結晶引き上
げ方法及び単結晶引き上げ装置の実施の形態を図面に基
づいて説明する。実施の形態に係る単結晶引き上げ方法
は、12インチ以上の大口径、大重量の単結晶の引き上
げを前提としている。
【0041】図1は、実施の形態に係る単結晶引き上げ
装置を模式的に示した断面図であり、図1に示した単結
晶引き上げ装置は補助加熱手段15を備えており、補助
加熱手段15は、図2に示すように、種結晶35の水平
方向に関する外周長さの半分以上を取り囲むと共に種結
晶35から退避するための開口部15bを有し、溶融液
23の直上に位置した状態の種結晶35を取り囲むよう
に位置させ得る発熱部15aと、発熱部15aを単結晶
36の通過領域より退避させるための移動機構(図示せ
ず)とを含んで構成されている。
【0042】図2(c)に示した補助加熱手段15にお
ける発熱部15aは開口部15bを有する平面視U字形
状の1個の曲面的部材から構成されているが、別の実施
の形態に係る単結晶引き上げ装置では、図2(d)に示
したように、発熱部15aが複数の移動可能な発熱部1
5aから構成され、種結晶35の水平方向に関する外周
長さの略全周を取り囲めるようになっていても良く、か
かる分割構造の全周形発熱部15aが、種結晶35の均
一加熱といった観点からは好ましい。
【0043】また、補助加熱手段15の少なくとも発熱
部15aは、炭素材及び炭素材の表面にコ−ティングさ
れた炭化珪素材から形成されており、移動機構も炭素材
及び炭素材の表面にコ−ティングされた炭化珪素材から
形成されていることがより望ましく、このように補助加
熱手段15を炭素材及び炭素材の表面にコ−ティングさ
れた炭化珪素材から形成することにより、発熱部15a
が高温になっても、発熱部15aから不純物が発生して
引き上げられる単結晶36に悪影響を与えるといった事
態の発生を阻止することができる。尚、発熱部15aに
おける発熱領域を図中ハッチで示している。
【0044】また、図1に示した単結晶引き上げ装置
は、溶融液23への漬け込み時における種結晶35の径
の変動を監視し得る画像処理装置12と、種結晶径制御
手段16とを備えており、種結晶径制御手段16は、画
像処理装置12により検出された種結晶35の径の変動
を、補助加熱手段15への電力供給制御手段13、及び
種結晶35の下降速度制御手段14にフィ−ドバック
し、種結晶35の径が一定の値に維持されるように自動
制御している。
【0045】次に、上記した単結晶引き上げ装置を用い
た単結晶の引き上げ方法について説明する。図3(a)
〜(d)は、実施の形態に係る単結晶36の引き上げ方
法の各工程のうちの、一部の工程を実施する際の、種結
晶35の近傍を模式的に示した部分拡大正面図である。
以下に説明する工程以前の工程は、「従来の技術」の項
で説明した方法と同様の方法で行う。
【0046】支持軸28(図5)と同一軸心で逆方向に
所定の速度で引き上げ軸24(図5)を回転させなが
ら、保持具24a(図5)に取り付けられた種結晶35
を溶融液23の直上まで降下させ、種結晶35の予熱を
行う(図3(a))。
【0047】種結晶35の直径は5〜10mmの範囲で
設定することが好ましい。種結晶35の直径が5mm未
満であると、12インチ程度の直径で300kgを超え
る重量の単結晶36を支持するのが難しくなり、他方、
種結晶35の直径が10mmを超えると、単結晶36を
支持するのには十分であるが、種結晶35が大きすぎて
補助加熱手段15を用いての均一加熱が困難となり、種
結晶35に発生する熱応力が増大して転位を除去するこ
とが困難になる。
【0048】前記予熱時間を5〜60分程度とることに
より、種結晶35の先端部35aの温度が上昇し、12
00〜1300℃程度の温度となる。このときの溶融液
23と種結晶35の最先端との距離は、1〜30mmの
範囲で設定することが好ましい。前記予熱の後、さらに
種結晶35の先端部35aを補助加熱手段15を用いて
加熱し、先端部35aの温度を1380〜1420℃ま
で上昇させておくことが望ましい。種結晶35の先端部
35aの温度が1380℃以上であれば、種結晶35を
降下させて先端部35aを溶融液23に接触させる過程
において、熱応力に起因する転位の発生を著しく抑制す
ることができる。
【0049】但し、種結晶35の先端部35aの温度が
1420℃を超えると、種結晶35が補助加熱手段15
に近い部分から溶融し始めるが、種結晶35を降下させ
て先端部35aを溶融液23に接触させる過程におい
て、溶融液23の温度が予想よりも高い場合や、溶融液
23の表面の温度変動が大きい場合に、溶断してしまう
可能性が高くなる。
【0050】次に、種結晶35を降下させ、種結晶35
の先端部35aを溶融液23に浸漬する(図3
(b))。この着液時において、種結晶35の先端部3
5aは、溶融液23との温度差が小さくなっているの
で、温度差に起因して種結晶35中に発生する熱応力は
小さい。そのため種結晶35として無転位のものを使用
した場合には転位が導入されることはほとんどない。ま
た、単結晶36の引き上げ中に有転位化した場合の単結
晶36の再溶融後など、種結晶35に若干の転位を含む
場合の再引き上げ時に、種結晶35を溶融液23へ再度
接触させても転位が増殖、伸展することがない。
【0051】その後、補助加熱手段15によって種結晶
35と溶融液23との界面を加熱しながら、種結晶35
をさらに降下させ、種結晶35の先端部35aを溶融液
23に漬け込み、種結晶35の先端部35aを種結晶3
5の径の2倍以上の長さの範囲で溶融させる。補助加熱
手段15によって種結晶35と溶融液23との界面を加
熱することにより、種結晶35中の熱応力は著しく低減
しており、種結晶35の先端部35aを溶融液23へ漬
け込む際においても、種結晶35の先端部35aに導入
された転位が増殖、伸展することがない。また、種結晶
35の側面が補助加熱手段15によって加熱されること
により、種結晶35の側面が溶融液23の温度に近い温
度にまで上昇しており、たとえ高速で種結晶35を溶融
液23へ漬け込んだとしても、温度差に起因する熱応力
が生じず、新たに転位が導入されることがない。このよ
うに高速で無転位化を図ることが可能で、工程の効率
化、短縮によるコストダウンを図ることができる。
【0052】その後、補助加熱手段15への電力供給を
停止し、発熱部15aを種結晶35の周囲から退避させ
た後、ネックを形成することなく、単結晶36を所定の
径(12インチ程度)まで成長させて、ショルダー36
bを形成する(図3(c))。
【0053】次に、所定の引き上げ速度で単結晶36を
引き上げて、メインボディ36cを形成する(図3
(d))。
【0054】その後は、「従来の技術」の項で説明した
方法と同様の方法により単結晶36を引き上げ、溶融液
23から切り離して冷却させることにより単結晶36の
引き上げを完了する。
【0055】なお、上記実施の形態では、種結晶35の
加熱手段として炭素材(黒鉛)からなる補助加熱手段1
5を用いた場合について説明したが、本発明に係る補助
加熱手段は何らこれに限定されるものではなく、例え
ば、特開平10−310485号公報に開示されている
ような、整流治具と溶融液面との間隔を広くしておき、
ヒ−タからの輻射によって種結晶を加熱し、種結晶の漬
け込み終了後には前記整流治具と前記溶融液面との間隔
を狭めて輻射量を低減し、もって種結晶の加熱を停止す
る補助加熱手段であっても同様の効果を得ることができ
る。
【0056】上記実施の形態では、CZ法に本発明を適
用した場合について説明したが、本発明は何らCZ法へ
の適用に限定されるものではなく、磁場を印加するMC
Z法にも同様に適用可能である。
【0057】
【実施例及び比較例】以下、実施例及び比較例に係る単
結晶引き上げ方法、及び単結晶引き上げ装置を説明す
る。以下、その条件を記載する。<実施例1〜9及び比
較例1〜9に共通する条件> 引き上げる単結晶36の形状 直径:約300mm(12インチ)、長さ:約1100
mm、 重量:205〜215kg 結晶用原料の仕込み量:240kg 坩堝21の内径:30インチ チャンバ29内の雰囲気:Ar雰囲気 Arの流量:100リットル/分 圧力:1.33×103 Pa 引き上げ軸24の回転速度:6rpm 坩堝21の回転速度:5rpm 引き上げた単結晶36の無転位化(DF(Dislocation
Free)) 数の調査は外観観察により行い、無転位化(D
F) と判断されたものに関してはさらにエッチングを施
し、表面に転位が認められないことを確認した。 <実施例1及び比較例1、2に共通する条件> 着液前の種結晶35の回転速度:10rpm <実施例1及び比較例1、2に共通しない条件>実施例
1の場合には図1に示した装置を使用し、本発明に係る
方法で単結晶を引き上げ、比較例1に係る場合には図5
に示した従来の装置を使用し、ネック36aの径を絞る
従来の方法を採用して単結晶を引き上げ、比較例2に係
る場合には特開平10−310485号公報記載の方法
を採用し、ネック36aの径は絞らずに種結晶35を溶
融液23の直上でヒ−タ22による高輻射条件下で十分
に予熱した後、着液させる高輻射法を採用して単結晶を
引き上げた。
【0058】その他の異なる条件は下記の表1に示す。 <実施例1及び比較例1、2の結果>上記実施例1及び
比較例1、2の場合の、ネックの成長速度、あるいは種
結晶の漬け込み速度、ネックの成長長さ、あるいは種結
晶の漬け込み長さ、無転位化させた時のネックの径、あ
るいは種結晶の径、及び引き上げ回数を下記の表1に示
している。
【表1】 実施例1及び比較例1、2のいずれの場合にも、無転位
化には成功したが、従来のDash法(比較例1)によ
る場合には、ネック36aの形成に1時間程度を要し、
またネック36aの絞り込み制御不良でやり直しが2回
生じ、高輻射ネック法(比較例2、特開平10−310
485号公報記載の方法)による場合にはネック36a
の形成に1時間半から2時間を要したが、実施例1に係
る方法の場合には10分程度の時間しか要しなかった。
また、Dash法(比較例1)による場合には、落下が
2回生じたが、比較例2及び実施例1による場合には単
結晶36の落下は生じなかった。
【0059】<実施例2及び比較例3〜5に共通する条
件> 使用した装置:図1に示した装置 種結晶35の径:10mm 発熱部15aの液面からの距離:20mm 種結晶35の漬け込み長さ:20mm <実施例2及び比較例3〜5に共通しない条件> 着液前の種結晶35の回転速度 <実施例2及び比較例3〜5の結果>着液前の種結晶3
5の回転速度の影響を下記の表2に示している。
【表2】
【0060】着液前の種結晶35の回転速度を10rp
mに設定した実施例2の場合には、無転位化に成功した
が、着液前の種結晶35の回転速度を0、3rpmに設
定した比較例3、4のいずれの場合にも、無転位化に成
功しなかった。着液前の種結晶35の回転速度を7rp
mに設定した比較例5の場合には無転位化に成功した
が、再現性に問題があった。着液前の種結晶35の回転
速度の下限については、発熱部15aの構造、形状、装
置全体の構造にも影響されるため、一義的に決定するこ
とは困難であるが、7rpm程度が一応の目安となり得
る。
【0061】<実施例3〜5及び比較例6に共通する条
件> 使用した装置:図1に示した装置 種結晶35の径:10mm 種結晶35の漬け込み長さ:20mm <実施例3〜5及び比較例6に共通しない条件> 発熱部15aの液面からの距離 <実施例3〜5及び比較例6の結果>発熱部15aの液
面からの距離の影響を下記の表3に示している。
【表3】
【0062】発熱部15aの液面からの距離を35mm
以上に設定した比較例6の場合には、無転位化の再現性
に問題があったが、発熱部15aの液面からの距離を3
5mm未満に設定した実施例3〜5のいずれの場合に
も、再現性よく無転位化に成功した。また、発熱部15
aの液面からの距離を10mm未満に設定することは、
無転位化の観点からは望ましいと考えられるが、発熱部
15aが液面に接触する危険性が増大するため、工程の
安全性確保の観点からは好ましくない。
【0063】<実施例6、7及び比較例7、8に共通す
る条件> 使用した装置:図1に示した装置 種結晶35の径:10mm 発熱部15aの液面からの距離:20mm 着液前の種結晶35の回転速度:10rpm <実施例6、7及び比較例7、8に共通しない条件> 種結晶35の漬け込み長さ <実施例6、7及び比較例7、8の結果>種結晶35の
漬け込み長さの影響を下記の表4に示している。
【表4】
【0064】種結晶35の漬け込み長さを種結晶35の
径の2倍以上に設定した実施例6、7の場合には、すべ
て無転位化に成功したが、種結晶35の漬け込み長さを
種結晶35の径の2倍未満に設定した比較例7、8の場
合には、無転位化に成功しなかったか、あるいは再現性
に問題があった。
【0065】<実施例8、9及び比較例9に共通する条
件> 使用した装置:発熱部15aを除いては図1に示した装
置 種結晶35の径:10mm 発熱部15aの液面からの距離:20mm 着液前の種結晶35の回転速度:10rpm 種結晶35の漬け込み長さ:20mm <実施例8、9及び比較例9に共通しない条件>発熱部
15aの形状、領域を図2(b)〜(d)に示したよう
に変化させた。 <実施例8、9及び比較例9の結果>発熱部15aの形
状、領域の影響を下記の表5に示している。
【表5】
【0066】発熱部15aを図2(c)、(d)に示し
たように種結晶35の水平方向に関する外周長さの半分
以上を取り囲む形状、領域に設定した実施例8、9の場
合には、すべて無転位化に成功したが、発熱部15aを
図2(b)に示したように種結晶35の水平方向に関す
る外周長さの半分未満しか取り囲まない形状、領域に設
定した比較例9の場合には、無転位化に成功しなかっ
た。
【0067】<実施例10〜13及び比較例10〜13
に共通する条件> 使用した装置:発熱部15aを除いては図1に示した装
置 種結晶35の径:10mm 発熱部15aの液面からの距離:20mm 着液前の種結晶35の回転速度:10rpm 種結晶35の漬け込み長さ:20mm <実施例10〜13及び比較例10〜13に共通しない
条件>発熱部15aの形状、領域を図2(c)に示した
ものとし、実施例10〜13に関しては、発熱部15a
を炭素材及び炭素材の表面にコ−ティングされた炭化珪
素材から形成し、比較例10〜13に関しては、発熱部
15aを炭素材から形成し、炭素材の表面に炭化珪素材
をコ−ティングしなかった。 <実施例10〜13及び比較例10〜13の結果>発熱
部15aの材質が結晶品質に与える影響をウェ−ハのラ
イムタイムの測定により行った。ライムタイム結果を図
4に示す。ライムタイムの測定は、引き上げた単結晶か
らウェ−ハを作製し、ウェ−ハの外周より3mm内側の
部分で行った。コ−ティングを行っていない発熱部15
aを用いて単結晶を引き上げた比較例に係る場合には、
ライフタイムは300μm以下のものが多かったが、コ
−ティングを行った発熱部15aを用いて単結晶を引き
上げた実施例に係る場合には、ライフタイムは400μ
m程度に達していた。
【0068】<実施例14及び比較例14、15に共通
の条件> 図1に示した装置を使用 引き上げる単結晶36の形状 直径:約300mm(12インチ)、長さ:約1600
mm、 重量:約270kg 結晶用原料の仕込み量:300kg 坩堝21の内径:32インチ チャンバ29内の雰囲気:Ar雰囲気 Arの流量:100リットル/分 圧力:1.33×103 Pa 種結晶35の回転速度:10rpm 種結晶35の漬け込み速度:3〜6mm/min 引き上げ軸24の回転速度:6rpm 坩堝21の回転速度:5rpm 引き上げ回数:各実施例及び比較例につき3回 <実施例14及び比較例14、15に共通しない条件>
使用する種結晶35の直径を下記の表6に示す如く変化
させて実験を行った。 <引き上げた単結晶の無転位化(DF(Dislocation Fr
ee)) 数の調査方法>外観観察により行い、無転位化
(DF) と判断されたものに関してはさらにエッチング
を施し、表面に転位が認められないことを確認した。前
記測定により、引き上げた単結晶3本のうち、転位のな
い(DF)ものの割合を調べた。
【0069】<実施例14及び比較例14、15の結果
>上記実施例14及び比較例14、15の場合の、単結
晶のDF率及び落下数を下記の表6に示している。
【表6】
【0070】上記表6に示した結果より明らかなよう
に、実施例14及び比較例14の場合には、種結晶35
に転位が導入されないため、ネック36aを形成するこ
となく引き上げても、引き上げた単結晶36のDF数は
(3/3)と転位が発生しなかった。しかしながら、比
較例14の場合には、使用した種結晶35の直径が5m
mと細かったので、落下数が3/3になってしまった。
【0071】また、比較例15の場合には、使用した種
結晶35の直径を12mmと十分太くしたため、落下数
は0/3であったが、種結晶35の均一加熱が困難で、
種結晶35に転位が導入され、この転位を排除すること
ができず、DF数が1/3と、単結晶36に転位が発生
していた。
【0072】<実施例15及び比較例16>実施例15
及び比較例16では、種結晶35の連続使用の可能性に
関する実験を行い、比較した。まず上記した実施例1
(実施例15)及び比較例2(比較例16)に係る方法
を採用して単結晶36の引き上げを行い、引き上げた単
結晶36を再溶融させるか、あるいは引き上げた単結晶
36をカットした後、種結晶35を交換することなく、
連続して単結晶36の引き上げを行い、無転位化率を比
較した。
【0073】比較例16の場合、種結晶35を完全に無
転位化できないためと思われるが、5回の引き上げで4
回の有転位化を生じた。これに対し、実施例15の場
合、7回の引き上げを実施してすべての引き上げにおい
て有転位化は生じなかった。種結晶35の連続使用によ
り種結晶35は次第に短くなってゆくが、実施例15の
場合、使用不能の長さになるまで無転位化が可能であっ
た。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る単結晶引き上げ装置
を模式的に示した断面図である。
【図2】(a)〜(d)は、実施の形態に係る発熱部の
形態を、模式的に示した斜視図及び平面図である。
【図3】(a)〜(d)は、実施の形態に係る単結晶引
き上げ方法の工程の一部を行う際の種結晶の近傍を、模
式的に示した部分拡大正面図である。
【図4】実施例及び比較例に係るウェ−ハのライフタイ
ムを示すグラフである。
【図5】CZ法において使用される従来の単結晶引き上
げ装置を模式的に示した断面図である。
【図6】(a)〜(d)は、従来の単結晶引き上げ方法
の工程の一部を行う際の種結晶の近傍を模式的に示した
部分拡大正面図である。
【図7】従来の単結晶引き上げ装置の一例を模式的に示
した断面図である。
【符合の説明】
12 画像処理装置 13 電力供給手段 14 下降速度制御手段 16 種結晶径制御手段 15 補助加熱手段 15a 発熱部 15b 開口部 23 溶融液 24 引き上げ軸 24a 保持具 35 種結晶 35a 先端部 36 単結晶
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−203898(JP,A) 特開 昭62−288191(JP,A) 特開 平9−235186(JP,A) 特開 平10−310485(JP,A) 国際公開97/32059(WO,A2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 1/00 - 35/00 CA(STN) 特許ファイル(PATOLIS) WPI/L(QUESTEL)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、
    該種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる単
    結晶の引き上げ方法において、前記種結晶を前記溶融液
    に接触させた後、補助加熱手段を用いて前記種結晶と前
    記溶融液との界面近傍を加熱しながら、さらに前記種結
    晶を前記溶融液に漬け込み、前記補助加熱手段による加
    熱を停止した後、ネックを形成せずに単結晶を引き上げ
    ることを特徴とする単結晶引き上げ方法。
  2. 【請求項2】 前記種結晶を前記溶融液に接触させる前
    に、前記補助加熱手段を用いて前記種結晶の先端部を予
    め加熱しておくことを特徴とする請求項1記載の単結晶
    引き上げ方法。
  3. 【請求項3】 前記種結晶の先端部の加熱時及び/又は
    前記種結晶の前記溶融液への漬け込み時に、前記種結晶
    を回転させることを特徴とする請求項1又は請求項2記
    載の単結晶引き上げ方法。
  4. 【請求項4】 前記補助加熱手段の下端位置を前記溶融
    液の液面の上方30mm以内に設定することを特徴とす
    る請求項1記載の単結晶引き上げ方法。
  5. 【請求項5】 前記溶融液に漬け込む前記種結晶の長さ
    を前記種結晶の径の2倍以上の長さとすることを特徴と
    する請求項1記載の単結晶引き上げ方法。
  6. 【請求項6】 溶融液が充填される坩堝、及び該坩堝の
    周囲に位置するヒ−タ等を備えた単結晶引き上げ装置に
    おいて、種結晶の水平方向に関する外周長さの半分以上
    を取り囲むと共に前記種結晶から退避するための開口部
    を有し、前記溶融液の直上に位置した状態の前記種結晶
    を取り囲むように位置させ得る発熱部と、該発熱部を単
    結晶の通過領域より退避させる移動機構とを含んで構成
    された補助加熱手段を備えていることを特徴とする単結
    晶引き上げ装置。
  7. 【請求項7】 前記発熱部が複数の移動可能な発熱部か
    らなることを特徴とする請求項6記載の単結晶引き上げ
    装置。
  8. 【請求項8】 少なくとも前記発熱部が炭素材及び該炭
    素材表面のコ−ティング材あるいはカバ−体からなるこ
    とを特徴とする請求項6記載の単結晶引き上げ装置。
  9. 【請求項9】 前記溶融液への漬け込み時における前記
    種結晶の径の変動を監視し得る画像処理装置と、該画像
    処理装置により検出された前記種結晶の径の変動を、前
    記補助加熱手段への電力供給制御手段、及び前記種結晶
    の下降速度制御手段にフィ−ドバックし、前記種結晶の
    径が一定の値に維持されるように自動制御する種結晶径
    制御手段とを備えていることを特徴とする請求項6記載
    の単結晶引き上げ装置。
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