JP2011243845A - シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、(110)面を<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【選択図】 図2
Description
すなわち、シリコン単結晶ウェーハを気相成長装置の反応容器内に載置し、水素ガスを流した状態で、1100℃〜1200℃まで反応容器内を昇温する。
そして、反応容器内の温度が1100℃以上になると、ウェーハ表面に形成されている自然酸化膜(SiO2:Silicon Dioxide)が除去される。
一方、(110)面を主面に持つ基板は正孔の移動度が(100)基板と比較して高いという特性を持つため、CMOSの高速化が可能なことから近年注目を集めている。
しかし、この(110)基板は、その表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させた際にHaze、表面粗さといった表面品質が(100)基板と比較して大幅に悪化するという問題点がある。
このため、光散乱法を用いて表面欠陥を検査する際に検出限界が下がらない、デバイスを作製した際にキャリアがラフネス散乱の影響を受けてしまい移動度が低下する、といった懸念がある。
このように、(110)基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハの表面品質の改善が課題となっている。
近年、(110)面を主面に持つ基板は正孔の移動度が(100)基板と比較して高いという特性を持つため、CMOSの高速化が可能なことから注目を集めている。
しかし、この(110)基板は、その表面にホモエピタキシャル層を成長させた際にHaze、表面粗さといった表面品質が(100)基板と比較して大幅に悪化するという問題点があった。そのため、(110)基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハの表面品質の改善が課題となっている。
図1に示すように、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハ1は、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハ2と、そのシリコン単結晶ウェーハ2の主表面上に気相成長によって形成されたシリコンホモエピタキシャル層3からなるものである。
このような、(110)面を<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハ2を用いたシリコンエピタキシャルウェーハを半導体集積回路素子に用いることの主な特徴は、p型FETにおける正孔移動度が<110>方向で(100)面の場合に比べて高くなることである。従って、このシリコンエピタキシャルウェーハにおける、n型FET電子移動度が(100)面の電子移動度以上に向上させた半導体集積回路素子では電子と正孔の流れるチャンネル方向を<110>方向に作製することによって、さらに回路素子の微細化が実現できる。
図2に本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法のフロー図を示す。
まず、(110)面を<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する(図2のA参照)。このシリコン単結晶ウェーハは、例えば以下のように、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶インゴットを成長させ、そのシリコン単結晶インゴットを加工することによって得ることができる。
このとき、添加するドーパントは特に限定されず、目的とするシリコンエピタキシャルウェーハに応じてドーパントを添加し、導電型、抵抗率等を制御して育成すれば良い。また、ドーパント以外の元素として例えばC、Ge又はN等を添加しても良い。
この際行われる切断は一般的な方法を用いれば良く、例えば内周刃スライサあるいはワイヤソー等の切断装置によって傾斜角を制御してスライスすることができる。またラッピング・エッチング・研磨等も一般的な条件で行えば良く、製造するシリコンエピタキシャルウェーハの仕様に応じて適宜選択することができる。
或いは、チョクラルスキー法により、(110)面を<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させた種結晶を用いてシリコン単結晶インゴットを成長させ、成長させたシリコン単結晶インゴットの軸に対し垂直に切断するようにしても良い。
この気相成長方法は、一般的な条件で行えば良く、例えば以下のようにして気相成長させることができる。
まず、シリコン単結晶ウェーハ2を気相成長装置の反応容器内に載置し、水素ガスを流した状態で、1100℃〜1200℃まで反応容器内を昇温する(図2のB参照)。
そして、反応容器内の温度が1100℃以上になると、シリコン単結晶ウェーハ2の表面に形成されている自然酸化膜が除去される。
ここで、気相成長させるシリコンホモエピタキシャル層3の物性(厚さ、導電型、抵抗率など)は、後に作製するデバイスに適するように任意に選択することができる。
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によりシリコンエピタキシャルウェーハを製造し、得られたシリコンエピタキシャルウェーハの表面品質を評価した。
まず、チョクラルスキー法により直径300mmのシリコン単結晶インゴットを<110>方向に成長させた。このシリコン単結晶インゴットを<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲内で傾斜させてウェーハ状に切断した。ここで、ウェーハはボロンをドープしたP型とし、抵抗率を5〜15Ω・cmとした。また、<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲内で傾斜させた角度は、0.1°、1°、2°、3°、4°、6°、8°とした。
その結果、後述する比較例1、2の結果と比べ、Haze及び表面粗さが少なくとも2割程度改善されていることが分った。
このように、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、Haze、表面粗さなどの表面品質が改善された、(110)基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができることが確認できた。
<112>方向への傾斜を0°、10°とした以外、実施例と同様な条件でシリコンエピタキシャルウェーハを製造し、実施例と同様に評価した。
その結果、Haze、表面粗さは、傾斜角が0°の場合は10倍程度、傾斜角が10°の場合は3割程度、実施例と比べて悪化していることが確認できた。このように、本発明の効果を奏するためには<112>方向への傾斜角度を0.1°以上、8°以下とする必要がある。
(比較例2)
シリコン単結晶インゴットを傾斜させる方向を、<100>方向、<110>方向、<111>方向とした以外、実施例と同様な条件でシリコンエピタキシャルウェーハを製造し、実施例と同様に評価した。
その結果、Haze、表面粗さは、傾斜方向が<100>の場合は2割程度、傾斜方向が<110>、<111>の場合は3倍程度、実施例と比べて悪化していることが確認できた。
3…シリコンホモエピタキシャル層。
Claims (4)
- シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであって、
前記シリコン単結晶ウェーハは、(110)面を<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
少なくとも、(110)面を<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記シリコン単結晶ウェーハの準備工程において、チョクラルスキー法によって<110>方向に成長させたシリコン単結晶インゴットを、<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させて切断することによって前記シリコン単結晶ウェーハを準備することを特徴とする請求項2に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶ウェーハの準備工程において、チョクラルスキー法によって<110>面を<112>方向に0.1°以上、8°以下の範囲で傾斜させた種結晶を用いてシリコン単結晶インゴットを成長させ、該成長させたシリコン単結晶インゴットの軸に対し垂直に切断することによって前記シリコン単結晶ウェーハを準備することを特徴とする請求項2に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
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